JPS61238121A - 電力用半導体素子の駆動方法および装置 - Google Patents
電力用半導体素子の駆動方法および装置Info
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- JPS61238121A JPS61238121A JP61080958A JP8095886A JPS61238121A JP S61238121 A JPS61238121 A JP S61238121A JP 61080958 A JP61080958 A JP 61080958A JP 8095886 A JP8095886 A JP 8095886A JP S61238121 A JPS61238121 A JP S61238121A
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- Japan
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- pulse
- power semiconductor
- thyristor
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/06—Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/601—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors using transformer coupling
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ターンオンおよびターンオフ可能な電力用半
導体素子の駆動方法であって、制御電力がパルス列によ
り変成器により伝達され、続いてパルス列が整流される
方法に関し、またターンオフ可能なサイリスタに対して
この方法を実施するための装置であって、変成器を有し
、その一次巻線に第１の制御可能なスイッチを介してパ
ルス列が与えられており、両二次巻線の後に整流器が接
続されており、また一方の二次巻線が第２の制御可能な
スイッチを介してサイリスタのゲート−陰極間に接続可
能である１つの補助電圧源に給電するように構成されて
いる装置に関する。
導体素子の駆動方法であって、制御電力がパルス列によ
り変成器により伝達され、続いてパルス列が整流される
方法に関し、またターンオフ可能なサイリスタに対して
この方法を実施するための装置であって、変成器を有し
、その一次巻線に第１の制御可能なスイッチを介してパ
ルス列が与えられており、両二次巻線の後に整流器が接
続されており、また一方の二次巻線が第２の制御可能な
スイッチを介してサイリスタのゲート−陰極間に接続可
能である１つの補助電圧源に給電するように構成されて
いる装置に関する。
このような方法およびその実施のためのこのような装置
は特開昭５７−１２６２７０号公報から公知である。
は特開昭５７−１２６２７０号公報から公知である。
パワーエレクトロニクスの機器内に使用れさる電力用半
導体素子の制御は一般に電力部分から制御部分を絶縁す
るため電位分離を必要とする。電力用半導体素子として
の通常のサイリスタでは電位分離は、制御電流を直接に
サイリスタのゲート陰極間に供給する１つのパルス変成
器により行われる。
導体素子の制御は一般に電力部分から制御部分を絶縁す
るため電位分離を必要とする。電力用半導体素子として
の通常のサイリスタでは電位分離は、制御電流を直接に
サイリスタのゲート陰極間に供給する１つのパルス変成
器により行われる。
電力用トランジスタおよび制御電流側でターンオフ可能
なサイリスタ、いわゆるＧＴＯサイリスタでは、電位分
離された制御のための費用が著しく増大している。一般
に両極性のパルス状の制御電流、たとえば電力用半導体
素子のターンオンのための１つの正のパルスおよびター
ンオフのための１つの負のパルスが必要とされる。さら
に、電力用半導体素子のターンオンおよびターンオフの
間に制御電流または制御電圧、たとえばターンオン時間
の間の正の制御電流およびターンオフ時間の間の負の制
御電圧が存在していなければならない。
なサイリスタ、いわゆるＧＴＯサイリスタでは、電位分
離された制御のための費用が著しく増大している。一般
に両極性のパルス状の制御電流、たとえば電力用半導体
素子のターンオンのための１つの正のパルスおよびター
ンオフのための１つの負のパルスが必要とされる。さら
に、電力用半導体素子のターンオンおよびターンオフの
間に制御電流または制御電圧、たとえばターンオン時間
の間の正の制御電流およびターンオフ時間の間の負の制
御電圧が存在していなければならない。
公知の装置では、一方の二次巻線が整流器を介して直接
にＧＴＯサイリスタのゲート−陰極間と接続されている
。この二次巻線を介して、正の制御電流がターンオン時
間中供給される。第２の二次巻線を介して、二次巻線が
負のターンオフ電流の供給のためにダイオードを介して
同じくサイリスタのゲート−陰極間と接続されている第
２の変成器の一次巻線にトランジスタを介して放電可能
である１つのコンデンサが補助電圧源として充電される
。この装置では複数個のパルス変成器が必要とされ、こ
のことは費用を高める。さらに、制御電流の電流上昇率
がパルス変成器の漏れインダクタンスにより制限される
。このことは、特に絶縁電圧に高度な要求が課せられる
場合および大電力の半導体素子を制御する場合には、困
難に通ずる。
にＧＴＯサイリスタのゲート−陰極間と接続されている
。この二次巻線を介して、正の制御電流がターンオン時
間中供給される。第２の二次巻線を介して、二次巻線が
負のターンオフ電流の供給のためにダイオードを介して
同じくサイリスタのゲート−陰極間と接続されている第
２の変成器の一次巻線にトランジスタを介して放電可能
である１つのコンデンサが補助電圧源として充電される
。この装置では複数個のパルス変成器が必要とされ、こ
のことは費用を高める。さらに、制御電流の電流上昇率
がパルス変成器の漏れインダクタンスにより制限される
。このことは、特に絶縁電圧に高度な要求が課せられる
場合および大電力の半導体素子を制御する場合には、困
難に通ずる。
電力用トランジスタの電位分離された制御のための制御
部として、制御情報、すなわち電力用トランジスタのタ
ーンオンまたはターンオフのための命令が電位分離され
てオプトエレクトロ二ックに伝達されるものは市販品と
して入手可能である。
部として、制御情報、すなわち電力用トランジスタのタ
ーンオンまたはターンオフのための命令が電位分離され
てオプトエレクトロ二ックに伝達されるものは市販品と
して入手可能である。
制御情報により、２つの補助電圧源を交互に逆極性で電
力用トランジスタのベース−エミッタ間に接続する１つ
のパルス増幅器が駆動される。その際、パルス増幅器に
対するエネルギーをも供給する補助電圧源は制御部から
同じく電位分離されている。この回路も非常に高価であ
る。
力用トランジスタのベース−エミッタ間に接続する１つ
のパルス増幅器が駆動される。その際、パルス増幅器に
対するエネルギーをも供給する補助電圧源は制御部から
同じく電位分離されている。この回路も非常に高価であ
る。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の方法を、制御電
力および制御情報の電位分離された伝達のための費用が
低減されるように構成することである。
力および制御情報の電位分離された伝達のための費用が
低減されるように構成することである。
この目的は、本発明によれば、パルス列の制御情報が変
調により表現され、またパルス列が電位分離された伝達
の後に復調されることにより達成される。
調により表現され、またパルス列が電位分離された伝達
の後に復調されることにより達成される。
本発明による方法では、制御電力も制御情報も同一のパ
ルス列により伝達される。従って、制御部と電力部との
間に１つの絶縁区間しか必要としない。さらに、必要と
されるパルス変成器は、大きい漏れインダクタンスが許
容されるので、高い絶縁耐力および小さい体積を有する
ものとして設計され得る。
ルス列により伝達される。従って、制御部と電力部との
間に１つの絶縁区間しか必要としない。さらに、必要と
されるパルス変成器は、大きい漏れインダクタンスが許
容されるので、高い絶縁耐力および小さい体積を有する
ものとして設計され得る。
パルス列がパルス幅変調またはパルス周波数変調を受け
ることは有利である。パルス幅変調が特に有利であるこ
とが判明している。なぜならば、簡単な復調回路が低域
通過フィルタおよびその後に接続されているコンパレー
タにより実現され得るからである。追加的に、ターンオ
ンまたはターンオフ状態の間に場合によっては異なる負
荷により生ずる制御電圧の負荷依存性を、適当に選定さ
れたパルス−休止比により補償することもできる。
ることは有利である。パルス幅変調が特に有利であるこ
とが判明している。なぜならば、簡単な復調回路が低域
通過フィルタおよびその後に接続されているコンパレー
タにより実現され得るからである。追加的に、ターンオ
ンまたはターンオフ状態の間に場合によっては異なる負
荷により生ずる制御電圧の負荷依存性を、適当に選定さ
れたパルス−休止比により補償することもできる。
さらに、パルス幅変調の際にはパルス列の喪失に１つの
確実な回路状態が対応付けられ得る。たとえば、小さい
ほうのパルス−休止比がターンオフ状態に対応付けられ
れば、パルス列の喪失の際に、接続されている半導体ス
イッチの自動的スイッチオフが実現され得る。
確実な回路状態が対応付けられ得る。たとえば、小さい
ほうのパルス−休止比がターンオフ状態に対応付けられ
れば、パルス列の喪失の際に、接続されている半導体ス
イッチの自動的スイッチオフが実現され得る。
本発明による方法を実施するための冒頭に記載した１つ
の有利な装置では、第１のスイッチが１つの変調回路に
より駆動可能であり、他方の二次巻線も第３の制御可能
なスイッチを介してサイリスタのゲート−陰極間に接続
可能である１つの補助電圧源に給電し、また前記他方の
二次巻線が１つの復調回路と接続されており、その出力
信号が第２または第３のスイッチを交互に駆動する。
の有利な装置では、第１のスイッチが１つの変調回路に
より駆動可能であり、他方の二次巻線も第３の制御可能
なスイッチを介してサイリスタのゲート−陰極間に接続
可能である１つの補助電圧源に給電し、また前記他方の
二次巻線が１つの復調回路と接続されており、その出力
信号が第２または第３のスイッチを交互に駆動する。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する６ 図面には、本発明による方法により作動する制御部の回
路図が示されている。パルス変成器１の一次巻線１ａは
１つのトランジスタ２を介して直流電圧源の端子３およ
び４と接続されている。トランジスタ２のベースは、制
御入力端５ａに制御パルスを与えられる１つの変調回路
５により駆動される。変調回路としてはたとえば、約Ｉ
ＭＨｚのパルス周波数のパルス幅変調されたパルス列を
発生する１つのＲＣ発振器が使用されていてよい。
細に説明する６ 図面には、本発明による方法により作動する制御部の回
路図が示されている。パルス変成器１の一次巻線１ａは
１つのトランジスタ２を介して直流電圧源の端子３およ
び４と接続されている。トランジスタ２のベースは、制
御入力端５ａに制御パルスを与えられる１つの変調回路
５により駆動される。変調回路としてはたとえば、約Ｉ
ＭＨｚのパルス周波数のパルス幅変調されたパルス列を
発生する１つのＲＣ発振器が使用されていてよい。
パルス幅変調の際には、個々のパルスの後縁が、命令“
サイリスタ・オン”に相当する点弧信号の状態“ｌ”に
１つの小さいパルス休止が対応付けられ、また命令“サ
イリスタ・オフ”に相当する点弧信号の状態′Ｏ”に１
つの大きいパルス休止が対応付けられているように変調
される。
サイリスタ・オン”に相当する点弧信号の状態“ｌ”に
１つの小さいパルス休止が対応付けられ、また命令“サ
イリスタ・オフ”に相当する点弧信号の状態′Ｏ”に１
つの大きいパルス休止が対応付けられているように変調
される。
パルス変成器１の両二次巻線１ｂおよびＩＣはそれぞれ
１つのダイオード６または７を介して、補助電圧源とし
ての役割をするコンデンサ８または９と接続されている
。プッシュプル回路のトランジスタ１０または１１を介
してコンデンサ８または９はサイリスタ１２のゲート−
陰極間に接続されており、またサイリスタ１２の陰極は
零電位を有する両二次巻線１ｂおよびＩＣの接続点と接
続されている。
１つのダイオード６または７を介して、補助電圧源とし
ての役割をするコンデンサ８または９と接続されている
。プッシュプル回路のトランジスタ１０または１１を介
してコンデンサ８または９はサイリスタ１２のゲート−
陰極間に接続されており、またサイリスタ１２の陰極は
零電位を有する両二次巻線１ｂおよびＩＣの接続点と接
続されている。
二次巻線１ｂの端子は、実施例では１つの低域通過フィ
ルタおよびその後に接続されているコンパレータにより
実現されている１つの復調回路１３に導かれている。二
次巻線１ｂの一方の端子の後に整流器としての１つのダ
イオード１３ａおよび１つの橋絡抵抗１３ｂが接続され
ている。ダイオード１３ａは抵抗１３Ｃおよび１３ｄお
よびコンデンサ１３ｅおよび１３ｆから成る低域通過フ
ィルタと接続されている。低域通過フィルタの出力端は
１つの演算増幅器１３ｇの非反転入力端と接続されてお
り、その反転入力端は１つのしきい値電圧源１３ｈと接
続されている。演算増幅器１３ｇの出力端は、パルス増
幅器を形成するトランジスタ１０および１１の制御入力
端に接続されている。
ルタおよびその後に接続されているコンパレータにより
実現されている１つの復調回路１３に導かれている。二
次巻線１ｂの一方の端子の後に整流器としての１つのダ
イオード１３ａおよび１つの橋絡抵抗１３ｂが接続され
ている。ダイオード１３ａは抵抗１３Ｃおよび１３ｄお
よびコンデンサ１３ｅおよび１３ｆから成る低域通過フ
ィルタと接続されている。低域通過フィルタの出力端は
１つの演算増幅器１３ｇの非反転入力端と接続されてお
り、その反転入力端は１つのしきい値電圧源１３ｈと接
続されている。演算増幅器１３ｇの出力端は、パルス増
幅器を形成するトランジスタ１０および１１の制御入力
端に接続されている。
変成器１から伝達されたパルス幅変調されたパルス列は
整流器６および７により整流されて、コンデンサ８およ
び９を充電する。それによってパルス列は制御電力を伝
達する役割をする。パルス幅変調により表現された制御
情報は復調回路で復調される。低域通過フィルタの出力
端には、パルス列のパルス−休止比に比例する大きさの
直流電圧が生ずる。しきい値電圧は、命令“サイリスタ
・オン”に相当する低域通過フィルタの出力電圧の最大
値と命令“サイリスタ・オン”に対応付けられている最
小値との間の値に選定されている。
整流器６および７により整流されて、コンデンサ８およ
び９を充電する。それによってパルス列は制御電力を伝
達する役割をする。パルス幅変調により表現された制御
情報は復調回路で復調される。低域通過フィルタの出力
端には、パルス列のパルス−休止比に比例する大きさの
直流電圧が生ずる。しきい値電圧は、命令“サイリスタ
・オン”に相当する低域通過フィルタの出力電圧の最大
値と命令“サイリスタ・オン”に対応付けられている最
小値との間の値に選定されている。
それによってコンパレータ１３ｇの出力端に、すイリス
ク１．２のターンオン時に正であり、またサイリスタ１
２のターンオフ時に負である信号が生ずる。この制御信
号によりトランジスタ１０および１１が交互に駆動され
、またそれによってＧＴＯサイリスタ１２が点弧または
消弧される。
ク１．２のターンオン時に正であり、またサイリスタ１
２のターンオフ時に負である信号が生ずる。この制御信
号によりトランジスタ１０および１１が交互に駆動され
、またそれによってＧＴＯサイリスタ１２が点弧または
消弧される。
図面は本発明による方法により作動する制御部の回路図
である。 １・・・パルス変成器、２・・・トランジスタ、５・・
・変調回路、６．７・・・ダイオード、８．９・・・コ
ンデンサ、１２・・・サイリスタ、１３・・・復調回路
、１３ａ・・・ダイオード、１３ｂ・・・橋絡抵抗、１
３ｃ、１３ｄ・・・抵抗、１３ｅ、１３ｆ・・・コンデ
ンサ、１３ｇ・・・演算増幅器、１３ｈ・・・しきい値
電圧源。
である。 １・・・パルス変成器、２・・・トランジスタ、５・・
・変調回路、６．７・・・ダイオード、８．９・・・コ
ンデンサ、１２・・・サイリスタ、１３・・・復調回路
、１３ａ・・・ダイオード、１３ｂ・・・橋絡抵抗、１
３ｃ、１３ｄ・・・抵抗、１３ｅ、１３ｆ・・・コンデ
ンサ、１３ｇ・・・演算増幅器、１３ｈ・・・しきい値
電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ターンオンおよびターンオフ可能な電力用半導体素
子の駆動方法であって、制御電力がパルス列により変成
器により伝達され、続いてパルス列が整流される方法に
おいて、パルス列の制御情報が変調により表現され、ま
たパルス列が電位分離された伝達の後に復調されること
を特徴とする電力用半導体素子の駆動方法。 ２）パルス列がパルス幅変調を受けることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）パルス列がパルス周波数変調を受けることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４）変成器を有し、その一次巻線に第１の制御可能なス
イッチを介してパルス列が与えられており、両二次巻線
の後に整流器が接続されており、また一方の二次巻線が
第２の制御可能なスイッチを介してサイリスタのゲート
−陰極間に接続可能である１つの補助電圧源に給電する
ように構成されている装置において、第１のスイッチ（
２）が１つの変調回路（５）により駆動可能であり、他
方の二次巻線（１ｂ）も第３の制御可能なスイッチ（１
０）を介してサイリスタ（１２）のゲート−陰極間に接
続可能である１つの補助電圧源（８）に給電し、また前
記他方の二次巻線（１ｂ）が１つの復調回路（１３）と
接続されており、その出力信号が第２または第３のスイ
ッチ（１０、１１）を交互に駆動することを特徴とする
電力用半導体素子の駆動装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3513170.5 | 1985-04-12 | ||
| DE19853513170 DE3513170A1 (de) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | Verfahren zum ansteuern ein- und ausschaltbarer leistungshalbleiterbauelemente und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238121A true JPS61238121A (ja) | 1986-10-23 |
Family
ID=6267857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61080958A Pending JPS61238121A (ja) | 1985-04-12 | 1986-04-08 | 電力用半導体素子の駆動方法および装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4767948A (ja) |
| EP (1) | EP0201700B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61238121A (ja) |
| AT (1) | ATE50383T1 (ja) |
| CA (1) | CA1285321C (ja) |
| DE (2) | DE3513170A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859921A (en) * | 1988-03-10 | 1989-08-22 | General Electric Company | Electronic control circuits, electronically commutated motor systems, switching regulator power supplies, and methods |
| EP0883248B1 (en) * | 1992-06-15 | 2006-08-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit with input/output interface adapted for small-amplitude operation |
| WO1994019700A1 (de) * | 1993-02-24 | 1994-09-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Einrichtung zur istwert-erfassung einer messgrösse auf hohem potential |
| DE4425901A1 (de) * | 1994-07-21 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Regelverstärker zur Steuerung einer hochohmigen Niedersapnnungsquelle |
| DE19534888A1 (de) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung zur Mehrfachausnutzung eines Übertragerkerns |
| JP4059330B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2008-03-12 | 有限会社 エルメック | Ｇｔｏサイリスタのゲートドライブ装置 |
| DE10218455A1 (de) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Abb Patent Gmbh | Sperrwandleranordnung |
| US20080265936A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Dsm Solutions, Inc. | Integrated circuit switching device, structure and method of manufacture |
Citations (1)
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| JPS607570U (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-19 | 昭和アルミニウム株式会社 | 太陽熱集熱装置における管継手 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2808000C2 (de) * | 1978-02-23 | 1985-01-31 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren und Anordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleitern |
| JPS607467B2 (ja) * | 1978-06-30 | 1985-02-25 | 松下電器産業株式会社 | 周波数変換装置 |
| DE2852943C3 (de) * | 1978-12-07 | 1981-09-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung mit einem verzögerungsbehafteten Halbleiterschalter |
| DE2913974C2 (de) * | 1979-04-05 | 1984-10-18 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Steuerschaltung für einen GTO-Thyristor |
| JPS57126270A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | Toshiba Corp | Gate controlling circuit for gate turn-off thyristor |
| DE3472867D1 (en) * | 1984-02-29 | 1988-08-25 | Ibm | Power switching circuit |
| US4597038A (en) * | 1984-07-26 | 1986-06-24 | Westinghouse Electric Corp. | Switching overlap protection by control gate impedance monitoring |
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1985
- 1985-04-12 DE DE19853513170 patent/DE3513170A1/de not_active Ceased
-
1986
- 1986-03-18 US US06/840,696 patent/US4767948A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-26 AT AT86104210T patent/ATE50383T1/de active
- 1986-03-26 EP EP86104210A patent/EP0201700B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-26 DE DE8686104210T patent/DE3669025D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-08 JP JP61080958A patent/JPS61238121A/ja active Pending
- 1986-04-10 CA CA000506346A patent/CA1285321C/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607570U (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-19 | 昭和アルミニウム株式会社 | 太陽熱集熱装置における管継手 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4767948A (en) | 1988-08-30 |
| CA1285321C (en) | 1991-06-25 |
| EP0201700B1 (de) | 1990-02-07 |
| EP0201700A1 (de) | 1986-11-20 |
| DE3669025D1 (de) | 1990-03-15 |
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