JPS61239251A - 静電潜像現方法 - Google Patents
静電潜像現方法Info
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- JPS61239251A JPS61239251A JP7933985A JP7933985A JPS61239251A JP S61239251 A JPS61239251 A JP S61239251A JP 7933985 A JP7933985 A JP 7933985A JP 7933985 A JP7933985 A JP 7933985A JP S61239251 A JPS61239251 A JP S61239251A
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- toner
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- electrostatic latent
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/08—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
- G03G15/09—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer using magnetic brush
- G03G15/0907—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer using magnetic brush with bias voltage
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Brush Developing In Electrophotography (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
- Dry Development In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
゛「産業上の利用分野」
本発明は一成分の高抵抗磁性トナーを用いた静電潜像現
像方法に係り、更に詳細にはトナー担持体に担持された
トナー層を静電潜像保持面に直接接触させずに静電潜像
の電界によりトナーを選択的に転移させる現像方法に関
する。
像方法に係り、更に詳細にはトナー担持体に担持された
トナー層を静電潜像保持面に直接接触させずに静電潜像
の電界によりトナーを選択的に転移させる現像方法に関
する。
「先願の技術」
本発明者は先に、かぶりの発生を防止しつつ階調性の向
上を図る為に、トナー担持体に担持されたトナー層厚よ
り犬なる離間間隔をもって配置された静電潜像保持体と
トナー相持体間の現像領域中に反発磁界を形成すると共
に、該現像領域中にスイッチング直流バイアスを印加さ
せた現像方法を提案している。（特願昭５９−２０９７
７）この種の現像方法は、ファンデルワース力その他の
拘束力によりトナー相持体表面に拘束されているトナー
を、前記反発磁界により担持体表面より浮き上がらせる
と共に、静電保持面の画像部及び非画像部のいずれにお
いても往復運動、即ち転移−逆転移することなくいずれ
か一方のみに移動するよう制御されたスイッチング直流
バイアスにより、非画像部におけるトナーの転移を防止
しつつ、潜像部の表面電位に対応させて画像部にのみト
ナーを転移させ、この結果、前記効果を達成させるもの
である。
上を図る為に、トナー担持体に担持されたトナー層厚よ
り犬なる離間間隔をもって配置された静電潜像保持体と
トナー相持体間の現像領域中に反発磁界を形成すると共
に、該現像領域中にスイッチング直流バイアスを印加さ
せた現像方法を提案している。（特願昭５９−２０９７
７）この種の現像方法は、ファンデルワース力その他の
拘束力によりトナー相持体表面に拘束されているトナー
を、前記反発磁界により担持体表面より浮き上がらせる
と共に、静電保持面の画像部及び非画像部のいずれにお
いても往復運動、即ち転移−逆転移することなくいずれ
か一方のみに移動するよう制御されたスイッチング直流
バイアスにより、非画像部におけるトナーの転移を防止
しつつ、潜像部の表面電位に対応させて画像部にのみト
ナーを転移させ、この結果、前記効果を達成させるもの
である。
そして前記「転移−逆転移することなくいずれか一方の
みに移動するよう制御されたスイッチング直流バイアス
」とは具体的には、静電潜像保持面の画像部最大電位（
Ｖｄ）と同極性で、且つ下記イ°）式の範囲に制御され
た略矩形波状のスイッチング直流パルスを指す旨記載さ
れているが、その後の確認実験の結果、イ′）式によっ
て設定される範囲内において特にスイッチング直流パル
スの周期的通電時間と周期的接地時間の比であるデユー
ティ比に着目した場合に、デユーティ比と直流バイアス
の最大電圧と、周波数が密接な関係にあると共に、それ
らが特定範囲に設定される必要があることを知見した。
みに移動するよう制御されたスイッチング直流バイアス
」とは具体的には、静電潜像保持面の画像部最大電位（
Ｖｄ）と同極性で、且つ下記イ°）式の範囲に制御され
た略矩形波状のスイッチング直流パルスを指す旨記載さ
れているが、その後の確認実験の結果、イ′）式によっ
て設定される範囲内において特にスイッチング直流パル
スの周期的通電時間と周期的接地時間の比であるデユー
ティ比に着目した場合に、デユーティ比と直流バイアス
の最大電圧と、周波数が密接な関係にあると共に、それ
らが特定範囲に設定される必要があることを知見した。
Ｖｔ＜ Ｖｍａｘ ≦Ｖｄ ・・・イ’）Ｖｍ
ａｘ ：直流バイアスの最大電圧 ｖｔ：静電潜像保持面のトナー拘束電位Ｖｄ：画像部最
大電位 「発明が解決しようとする問題点」 先願発明によれば、先ず地かぶりを防止する為に一旦非
画像部に付着したトナーを、トナー担持体に向う逆転移
電界（Ｖｍａｘ −Ｖｔ）によりトナー引き戻しく逆転
移）を行っている訳であるが、その引き戻し量は、引き
戻し速度と対応するα（Ｖｍａｘ−Ｖｔ）と引き戻し時
間ｔ１によって定まるものである為に、高周波数領域下
において、デユーティ比を１に設定した場合に直流バイ
アス最大電位Ｖｍａｘがトナー拘束電位Ｖｔに近接した
場合は前記トナーの引き戻しを十分行うことが出来ず、
地かぶりが生じる場合がある。（αは帯電量により決定
される定数） 一方、前記欠点を解除する為に、周期的通電時間ｔｌを
大に且つ周期的接地時間ｔ２を小にデユーティ比を設定
すると、逆に画像部における現像濃度が低下する。
ａｘ ：直流バイアスの最大電圧 ｖｔ：静電潜像保持面のトナー拘束電位Ｖｄ：画像部最
大電位 「発明が解決しようとする問題点」 先願発明によれば、先ず地かぶりを防止する為に一旦非
画像部に付着したトナーを、トナー担持体に向う逆転移
電界（Ｖｍａｘ −Ｖｔ）によりトナー引き戻しく逆転
移）を行っている訳であるが、その引き戻し量は、引き
戻し速度と対応するα（Ｖｍａｘ−Ｖｔ）と引き戻し時
間ｔ１によって定まるものである為に、高周波数領域下
において、デユーティ比を１に設定した場合に直流バイ
アス最大電位Ｖｍａｘがトナー拘束電位Ｖｔに近接した
場合は前記トナーの引き戻しを十分行うことが出来ず、
地かぶりが生じる場合がある。（αは帯電量により決定
される定数） 一方、前記欠点を解除する為に、周期的通電時間ｔｌを
大に且つ周期的接地時間ｔ２を小にデユーティ比を設定
すると、逆に画像部における現像濃度が低下する。
即ち、画像部における転移は主に転移速度と対応するα
（Ｖｄ −Ｖ５）と転移時間ｔ２によって定まる・もの
である為に（Ｖｓは非画像部電位で一般にＯｖ又はそれ
に近い値である）、デユーティ比を大にすればする程、
画像部におけるトナー転移量が低下することが理解され
る。
（Ｖｄ −Ｖ５）と転移時間ｔ２によって定まる・もの
である為に（Ｖｓは非画像部電位で一般にＯｖ又はそれ
に近い値である）、デユーティ比を大にすればする程、
画像部におけるトナー転移量が低下することが理解され
る。
本発明はかかる先願技術の問題点を解消する為に、前記
スイッチング直流電圧の最大電位、周波数、及びデユー
ティ比を適宜選択し、最適画像を得る上で最も好ましい
現像条件を得ることを目的とする。
スイッチング直流電圧の最大電位、周波数、及びデユー
ティ比を適宜選択し、最適画像を得る上で最も好ましい
現像条件を得ることを目的とする。
又本発明の他の目的とする所は、バイアス電圧のデユー
ティ比を制御することにより、高い周波数でも良好な画
像を得ることが出来、この結実現像速度の高速化に対応
し得る現像方法を提供することにある。
ティ比を制御することにより、高い周波数でも良好な画
像を得ることが出来、この結実現像速度の高速化に対応
し得る現像方法を提供することにある。
ｒ問題点を解決する為の手段」
本発明はかかる技術的課題を達成する為に、前記スイッ
チング直流バイアスの最大電位、デユーティ比、及び該
デユーティ比と周波数で決定される前記直流バイアスの
周期的接地時間を下記イ、口、ハ式の範囲に、特に前記
直流バイアスの高周波数化に反比例して前記デユーティ
比が小になる如く設定することにより、直流バイアスの
最大電圧Ｖｍａｘを一定電圧以上に維持し、α（Ｖｍａ
ｘ −Ｖｔ）Ｘｔｔにより決定される非画像部における
トナー引戻し量を地かぶりが生じない程度にすると共に
、高周波数領域化においても転移時間ｔ２を一定時間に
設定し、α（Ｖｄ −Ｖｓ） Ｘ ｔ２により決定され
るトナー転移量を大にし、良好な画像濃度を得るように
した静電潜像現像方法を提案する。
チング直流バイアスの最大電位、デユーティ比、及び該
デユーティ比と周波数で決定される前記直流バイアスの
周期的接地時間を下記イ、口、ハ式の範囲に、特に前記
直流バイアスの高周波数化に反比例して前記デユーティ
比が小になる如く設定することにより、直流バイアスの
最大電圧Ｖｍａｘを一定電圧以上に維持し、α（Ｖｍａ
ｘ −Ｖｔ）Ｘｔｔにより決定される非画像部における
トナー引戻し量を地かぶりが生じない程度にすると共に
、高周波数領域化においても転移時間ｔ２を一定時間に
設定し、α（Ｖｄ −Ｖｓ） Ｘ ｔ２により決定され
るトナー転移量を大にし、良好な画像濃度を得るように
した静電潜像現像方法を提案する。
２Ｖｔ≦ Ｖｍａｘ ≦ Ｖｄ ・・・イ）ｔ１
／ｔ２≧０．３ ・・・ロ）ｔ２≧０．２
ｍ５ｅｃ −・・ハ）Ｖｍａｘ ：直流バ
イアスの最大電圧 Ｖｔ：静電潜像保持面のトナー拘束電位Ｖｄ：画像部最
大電位 ｔｌ：直流バイアスの周期的通電時間 ｔ２：直流バイアスの周期的接地時間 「作用」 かかる現像法の作用を第１図にもとづいて説明する。
／ｔ２≧０．３ ・・・ロ）ｔ２≧０．２
ｍ５ｅｃ −・・ハ）Ｖｍａｘ ：直流バ
イアスの最大電圧 Ｖｔ：静電潜像保持面のトナー拘束電位Ｖｄ：画像部最
大電位 ｔｌ：直流バイアスの周期的通電時間 ｔ２：直流バイアスの周期的接地時間 「作用」 かかる現像法の作用を第１図にもとづいて説明する。
先ず１図■は後記作用の説明の為に、最大電圧Ｖｍａ
ｘとデユーティ比ｔ１／ｔ２を夫々変化させた直流バイ
アス電圧と潜像電位Ｖｄ 、 Ｖｓとの関係を時間変化
で示し、第１図■■は直流バイアス電圧Ｖの時間変化と
対応して保持面の画像部と非画像部におけるトナー転移
と逆転移の態様を示したものである。
ｘとデユーティ比ｔ１／ｔ２を夫々変化させた直流バイ
アス電圧と潜像電位Ｖｄ 、 Ｖｓとの関係を時間変化
で示し、第１図■■は直流バイアス電圧Ｖの時間変化と
対応して保持面の画像部と非画像部におけるトナー転移
と逆転移の態様を示したものである。
先ず同図（Ａ）■より理解されるように、本発明におい
てはＶｍａｘ≧２Ｖｔに設定した為に、直流バイアスを
Ｉ ＫＨ２以上の高周波数に設定したとしても非画像部
における引き戻し速度α（Ｖｍａｘ−Ｖｔ）が大である
為に高周波数領域下においてもトナーの引き戻しを行う
のに十分なる引き戻し速度を有することとなり、地かぶ
りを防止することが出来る。而もこの場合においては前
記口）、ハ）式より０．Ｏｆ３ｍｓｅｃ以上の引き戻し
時間ｔ１を保証している為に、αＣＶｒｎａｘ−Ｖｔ）
ｔｌが地かぶりを防止するに足る十分なるトナーの引
き戻し量を得ることが出来る。
てはＶｍａｘ≧２Ｖｔに設定した為に、直流バイアスを
Ｉ ＫＨ２以上の高周波数に設定したとしても非画像部
における引き戻し速度α（Ｖｍａｘ−Ｖｔ）が大である
為に高周波数領域下においてもトナーの引き戻しを行う
のに十分なる引き戻し速度を有することとなり、地かぶ
りを防止することが出来る。而もこの場合においては前
記口）、ハ）式より０．Ｏｆ３ｍｓｅｃ以上の引き戻し
時間ｔ１を保証している為に、αＣＶｒｎａｘ−Ｖｔ）
ｔｌが地かぶりを防止するに足る十分なるトナーの引
き戻し量を得ることが出来る。
又、第１図（Ｂ）■より理解されるように、Ｖｗａｘ≦
Ｖｄに設定している為に、前記ＶｍａｘとＶｄが逆転す
ることがなく、而もｔ２≧０．２ ｔｔｒｓｅｃの条件
下でデユーティ比（ｔｌ／ ｔ２）を０．３以上に設定
した為に、ｔ２がｔｌより極めて小になる事なく、画像
部において所定の転移量を維持し得ると共に、特にデユ
ーティ比（ｔｌ／ ｔ２）を１．２以下に設定する事に
より、良好な階調性と画像濃度の低下を防ぐことが出来
る。
Ｖｄに設定している為に、前記ＶｍａｘとＶｄが逆転す
ることがなく、而もｔ２≧０．２ ｔｔｒｓｅｃの条件
下でデユーティ比（ｔｌ／ ｔ２）を０．３以上に設定
した為に、ｔ２がｔｌより極めて小になる事なく、画像
部において所定の転移量を維持し得ると共に、特にデユ
ーティ比（ｔｌ／ ｔ２）を１．２以下に設定する事に
より、良好な階調性と画像濃度の低下を防ぐことが出来
る。
即ち、前記作用を逆から見てみると、（ｔｌ／ ｔ２）
＜０．３ 、 ｔ２＜０．２ ｍ５ｅｃで且つＶｍａ
ｘ ＜ ２ Ｖｔの場合は逆転移が達成されず、非画像
部においてカブリが増大する。
＜０．３ 、 ｔ２＜０．２ ｍ５ｅｃで且つＶｍａ
ｘ ＜ ２ Ｖｔの場合は逆転移が達成されず、非画像
部においてカブリが増大する。
又ｔ２＜０．２ ｍ５ｅｃで且つ（ｔ１／ｔ２） ＜０
．３の場合は所定の転移量を維持出来ず、画像濃度が低
下すると共に、スイッチング直流バイアスの円滑な効果
が達成されず、階調性も低下する。
．３の場合は所定の転移量を維持出来ず、画像濃度が低
下すると共に、スイッチング直流バイアスの円滑な効果
が達成されず、階調性も低下する。
更に、（ｔ１／ｔ２） ＞１．２高周波数領域化でのス
イッチング直流バイアスの円滑な効果が達成されず、階
調性と画像濃度が低下するものである。
イッチング直流バイアスの円滑な効果が達成されず、階
調性と画像濃度が低下するものである。
而も本発明によれば、前記デユーティ比ｔｌ／ ｔ２を
、直流バイアスの高周波数化に反比例して小に設定する
ことにより、良好な階調性と画像濃度を維持しつつ周波
数を４０００８２前後にまで高めることが出来、現像速
度の高速化に対応し得る。
、直流バイアスの高周波数化に反比例して小に設定する
ことにより、良好な階調性と画像濃度を維持しつつ周波
数を４０００８２前後にまで高めることが出来、現像速
度の高速化に対応し得る。
「実施例」
以下、本発明の好適な実施態様を例示的に詳しく説明す
る。ただしこの実施態様に記載されている電界強度、磁
束密度、回転速度、構成部品の寸法、材質、形状、・そ
の相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、この
発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる
説明例に過ぎない。
る。ただしこの実施態様に記載されている電界強度、磁
束密度、回転速度、構成部品の寸法、材質、形状、・そ
の相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、この
発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる
説明例に過ぎない。
第３Ａ図は本発明に基ずいて構成された現像装置の概略
構成を示す。
構成を示す。
１１は感光体ドラム、１２は固定磁石集成体１３を内包
する非磁性スリーブで、両部材１１．１２は、その最近
接位置（以下現像中心位置Ｃ−Ｃという）において空隙
間隔が約３００ ＪＬになるよう対向して配置すると共
に、感光体ドラム１１は時計方向に、非磁性スリーブ１
２は反時計方向に、夫々周速１００ｍｍ＃ｅｃの等速で
回転するよう構成されている。
する非磁性スリーブで、両部材１１．１２は、その最近
接位置（以下現像中心位置Ｃ−Ｃという）において空隙
間隔が約３００ ＪＬになるよう対向して配置すると共
に、感光体ドラム１１は時計方向に、非磁性スリーブ１
２は反時計方向に、夫々周速１００ｍｍ＃ｅｃの等速で
回転するよう構成されている。
非磁性スリーブ１２の上流側には磁性ブレード１４が近
接して配置され、該ブレード１４により１００〜１３０
ＩＬの層厚に規制されたトナー層が非磁性スリーブ１
２上に担持されたまま現像領域Ａ （後記するように反
発磁界が形成されている領域）まで搬送されるよう構成
する。
接して配置され、該ブレード１４により１００〜１３０
ＩＬの層厚に規制されたトナー層が非磁性スリーブ１
２上に担持されたまま現像領域Ａ （後記するように反
発磁界が形成されている領域）まで搬送されるよう構成
する。
第３Ｂ図において、現像領域Ａにおける非磁性スリーブ
１２内側には、同極性の固定磁石１３ａ、１３ｂが隣接
して配置され、非磁性スリーブ１２と感光体ドラム１１
間の固定磁石１３ａ、 １３ｂに挟まれる領域（現像領
域Ａ）に反発磁界を形成する。
１２内側には、同極性の固定磁石１３ａ、１３ｂが隣接
して配置され、非磁性スリーブ１２と感光体ドラム１１
間の固定磁石１３ａ、 １３ｂに挟まれる領域（現像領
域Ａ）に反発磁界を形成する。
又、非磁性スリーブ１２には図示しないタイマによりデ
ユーティ比が可変可能に構成されたスイッチング回路１
５を介して直流電源１８が接続され、前記現像領域Ａに
方形波パルスが印加されるよう構成する。 そして、前
記固定磁石１３ａ、 １３ｂの非磁性スリーブ１２表面
の最大磁束密度はいずれも５００ガウスに設定され、且
つ再固定磁石１３ａ、 １３ｂ間中間位置の最大落込み
高さが１００〜２００ガウスになるよう設定する。けだ
し、前記最大落込み高さが１００ガウス以下及び２００
ガウス以上では良好な反発磁界の形成が困難になる為で
ある。
ユーティ比が可変可能に構成されたスイッチング回路１
５を介して直流電源１８が接続され、前記現像領域Ａに
方形波パルスが印加されるよう構成する。 そして、前
記固定磁石１３ａ、 １３ｂの非磁性スリーブ１２表面
の最大磁束密度はいずれも５００ガウスに設定され、且
つ再固定磁石１３ａ、 １３ｂ間中間位置の最大落込み
高さが１００〜２００ガウスになるよう設定する。けだ
し、前記最大落込み高さが１００ガウス以下及び２００
ガウス以上では良好な反発磁界の形成が困難になる為で
ある。
この結果、前記反発磁界が形成されている現像領域Ａに
於けるトナー穂先高さがトナー層の略１゜５倍、即ち１
５０〜１８０ｐの高さになり、感光体ドラム１１に極め
て近接すると共に、該反発磁界によりトナー粒子間、及
びトナー粒子と非磁性スリーブ１２間の拘束力を弱め、
トナー４の転移が容易になる。
於けるトナー穂先高さがトナー層の略１゜５倍、即ち１
５０〜１８０ｐの高さになり、感光体ドラム１１に極め
て近接すると共に、該反発磁界によりトナー粒子間、及
びトナー粒子と非磁性スリーブ１２間の拘束力を弱め、
トナー４の転移が容易になる。
前記固定磁石１３ａ、１３ｂと現像中心位置Ｃ−Ｇとの
相対配設位置は、各固定磁石１３ａ、１３ｂの最大磁束
線間距離を ２見、その中心線をＯｌ及び非磁性スリー
ブ１２の回転方向下流側を正とした場合において、現像
中心位置Ｃ−Ｃの偏位量θが下記二）式の範囲内、即ち
反発磁界の中心線より僅かに下流側にずらして配置する
。
相対配設位置は、各固定磁石１３ａ、１３ｂの最大磁束
線間距離を ２見、その中心線をＯｌ及び非磁性スリー
ブ１２の回転方向下流側を正とした場合において、現像
中心位置Ｃ−Ｃの偏位量θが下記二）式の範囲内、即ち
反発磁界の中心線より僅かに下流側にずらして配置する
。
Ｏくθ＜＋（１／２） ｌ ・・・二）前記固定磁石
１３ａ、１３ｂをこのように形成した理由は、反発磁界
により形成されるトナー４穂先が、該トナー４を搬送す
る非磁性スリーブ１２の回転によって下流側に流れる為
、該流れだトナー穂先位置と現像位置を一致させる為で
ある。
１３ａ、１３ｂをこのように形成した理由は、反発磁界
により形成されるトナー４穂先が、該トナー４を搬送す
る非磁性スリーブ１２の回転によって下流側に流れる為
、該流れだトナー穂先位置と現像位置を一致させる為で
ある。
さて、かかる構成において、感光体ドラム１１表面の感
光体に担持される静電潜像電位は１画像部約５００ｖ、
非画像部Ｏｖに設定され、又トナ−４拘束電位は１２０
Ｖ （実験値）とした場合において、下記に詳説するよ
うな確認実験を行った。
光体に担持される静電潜像電位は１画像部約５００ｖ、
非画像部Ｏｖに設定され、又トナ−４拘束電位は１２０
Ｖ （実験値）とした場合において、下記に詳説するよ
うな確認実験を行った。
尚、本現像装置に使用されるトナーとして平均粒径９〜
２０ＩＬ１１電気抵抗率１０１４Ω・Ｃ１、比誘電率２
．０以下、磁性保持力Ｈａ、５０〜１０００ｅ、飽和磁
化３０〜４０ｅｍｕ／ｇの高抵抗磁性トナーであって、
流動補助剤として疎水性シリカを含有したものを用いて
いる。
２０ＩＬ１１電気抵抗率１０１４Ω・Ｃ１、比誘電率２
．０以下、磁性保持力Ｈａ、５０〜１０００ｅ、飽和磁
化３０〜４０ｅｍｕ／ｇの高抵抗磁性トナーであって、
流動補助剤として疎水性シリカを含有したものを用いて
いる。
又、転写紙自体の紙温度すは０．０６から０．０８であ
った・ ａ）非画像部における逆転移（地かぶり）と直流バイア
ス電圧との関係確認、 周波数を２．５ ＫＨ２、デユーティ比（ｔｔ／１２）
を０．３ （ｔ２ ： ０．３ ｍ５ｅｃ）に設定した
直流バイアスの最大電位をを２００Ｖ、 ２５０Ｖ、
３００Ｖ、 ４００Ｖに設定した場合の夫々の画像濃度
と感光体表面電位の関係を示す７曲線を第４Ａ図に示す
。
った・ ａ）非画像部における逆転移（地かぶり）と直流バイア
ス電圧との関係確認、 周波数を２．５ ＫＨ２、デユーティ比（ｔｔ／１２）
を０．３ （ｔ２ ： ０．３ ｍ５ｅｃ）に設定した
直流バイアスの最大電位をを２００Ｖ、 ２５０Ｖ、
３００Ｖ、 ４００Ｖに設定した場合の夫々の画像濃度
と感光体表面電位の関係を示す７曲線を第４Ａ図に示す
。
第４Ａ図においてバイアス電圧Ｖｍａｘが２Ｖｄより小
さい２００ｖの場合は感光体表面電位が１００〜１２０
Ｖ前後で画像濃度が０．２以上となり、かぶりが生じ！
ていることが理解出来る。又Ｖｍａｘが２５０Ｖ以上で
は画像濃度が０．１前後であり、はとんどかぶりが生じ
ていないことが理解出来る。
さい２００ｖの場合は感光体表面電位が１００〜１２０
Ｖ前後で画像濃度が０．２以上となり、かぶりが生じ！
ていることが理解出来る。又Ｖｍａｘが２５０Ｖ以上で
は画像濃度が０．１前後であり、はとんどかぶりが生じ
ていないことが理解出来る。
ｂ）直流バイアス電圧のデユーティ比（ｔｔ／１２）と
階調性の関係確認 周波数を１．１ ＫＨ２、最大電位を３５０Ｖ、デユ
ーティ比を夫々１０／３ （ｔ２： ０．２１ ｍ５ｅ
ｃ） 、 Ｅ１１５ （ｔ２： ０．４１ ｍ５ｅ
ｃ）１／２ （ｔ２： ０．６１ ｍ５ｅｃ）１／
３ （ｔ２： ０．８８ｍ５ｅｃ）に設定した場合
の夫々の画像濃度と感光体表面電位の関係を示す７曲線
を第４Ｂ図に示す。
階調性の関係確認 周波数を１．１ ＫＨ２、最大電位を３５０Ｖ、デユ
ーティ比を夫々１０／３ （ｔ２： ０．２１ ｍ５ｅ
ｃ） 、 Ｅ１１５ （ｔ２： ０．４１ ｍ５ｅ
ｃ）１／２ （ｔ２： ０．６１ ｍ５ｅｃ）１／
３ （ｔ２： ０．８８ｍ５ｅｃ）に設定した場合
の夫々の画像濃度と感光体表面電位の関係を示す７曲線
を第４Ｂ図に示す。
本図より理解されるようにデユーティ比が１０／３ （
ｔ２： ０．２１ ｔａｓｅｃ）ではγ値が立上がり、
かぶりが大で且つ階調性が悪いことが確認された。
ｔ２： ０．２１ ｔａｓｅｃ）ではγ値が立上がり、
かぶりが大で且つ階調性が悪いことが確認された。
而も本実施例においては１．５ ＫＨ２以上の高周波
数領域化では、デユーティ比が低くなるにつれ、かぶり
防止と共に前記γ値が低くなり、一層良好な階調性と現
像濃度の安定性が増していることが理解出来る。
数領域化では、デユーティ比が低くなるにつれ、かぶり
防止と共に前記γ値が低くなり、一層良好な階調性と現
像濃度の安定性が増していることが理解出来る。
Ｃ）直流バイアス電圧の周期的接地時間ｔ２と階調性の
関係確認 最大電位を３５０ｖ、デユーティ比３１５に設定し
２、周波数を３．８ ＫＨ２（ｔ２： ０．１８
ｍ５ｅｃ） 、 ３．０ ＫＨ２（ｔ２： ０．２１ｍ
５ｅｃ） ２．５ ＫＨ２（ｔ２：０．２５ｍ５ｅｃ）
に設定した場合の夫々の画像濃度と感光体表面電位の関
係を示す７曲線を第４Ｃ図に示す。
関係確認 最大電位を３５０ｖ、デユーティ比３１５に設定し
２、周波数を３．８ ＫＨ２（ｔ２： ０．１８
ｍ５ｅｃ） 、 ３．０ ＫＨ２（ｔ２： ０．２１ｍ
５ｅｃ） ２．５ ＫＨ２（ｔ２：０．２５ｍ５ｅｃ）
に設定した場合の夫々の画像濃度と感光体表面電位の関
係を示す７曲線を第４Ｃ図に示す。
本図より理解されるようにｔ２が０．１６ ｍ５ｅｃは
かぶりが発生しないが全体的に濃度が低くなることが確
認された。
かぶりが発生しないが全体的に濃度が低くなることが確
認された。
尚、全体的な傾向として周波数が大きく（ｔ２が小さく
）なるにつれ、画像濃度が低く且つγ値が小さくなる傾
向にあった。
）なるにつれ、画像濃度が低く且つγ値が小さくなる傾
向にあった。
次に周波数を４ ＫＨｚデユーティ比を３／１０ （ｔ
２： Ｑ、２Ｑｍｓｅｃ）に変換した所、第４Ｃ図グラ
フＡに示すように濃度を回復させることが出来た。
２： Ｑ、２Ｑｍｓｅｃ）に変換した所、第４Ｃ図グラ
フＡに示すように濃度を回復させることが出来た。
かかる実施例によれば本発明と実施例との作用効果が整
合性を有し相関が取れていることが理解出来る。
合性を有し相関が取れていることが理解出来る。
「発明の効果」
以上記載した如く本発明によれば、前記先願技術の問題
点を克服し、非画像部における地かぶりが全く生じるこ
となく、又画像部においては現像濃度の安定化と一層良
好な画像の階調性の向上を図ることが出来る。
点を克服し、非画像部における地かぶりが全く生じるこ
となく、又画像部においては現像濃度の安定化と一層良
好な画像の階調性の向上を図ることが出来る。
又、本発明によれば、周波数を高くしてもそれに対応し
てデユーティ比を低くすることにより、所定のトナー転
移時間を維持する事が出来、画像濃度を低下することな
く、高速化に対応出来る現像装置を提供する事が出来る
。
てデユーティ比を低くすることにより、所定のトナー転
移時間を維持する事が出来、画像濃度を低下することな
く、高速化に対応出来る現像装置を提供する事が出来る
。
更にスイッチング直流バイアスを用いた為に、デユーテ
ィ比の制御は容易であり、且つこれらの制御機構の小形
化、低価格化が可能となる。
ィ比の制御は容易であり、且つこれらの制御機構の小形
化、低価格化が可能となる。
等の著効を有す。
第２Ａ乃至２Ｂ図は本発明に基ずいて構成された現像装
置の概略構成を示し、第２Ａ図は全体図、第２Ｂ図は要
部拡大図である。 第１会−４１図、は現像領域に本発明に係る直流バイア
スを印加した場合の画像部と非画像部の電界強度の状態
を示す説明図、 第３Ａ〜３０図は前記直流バイアス、デユーティ比、周
波数を本発明の技術的範囲で変化させた場合の７曲線を
示すグラフ図である。 第１図 トナー泪ν■不 第２Ａ図 第２Ｂ図 第３Ａ図 ＊＠ 電ａ （Ｖ）第３Ｂ図
置の概略構成を示し、第２Ａ図は全体図、第２Ｂ図は要
部拡大図である。 第１会−４１図、は現像領域に本発明に係る直流バイア
スを印加した場合の画像部と非画像部の電界強度の状態
を示す説明図、 第３Ａ〜３０図は前記直流バイアス、デユーティ比、周
波数を本発明の技術的範囲で変化させた場合の７曲線を
示すグラフ図である。 第１図 トナー泪ν■不 第２Ａ図 第２Ｂ図 第３Ａ図 ＊＠ 電ａ （Ｖ）第３Ｂ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）トナー担持体に担持されたトナー層厚より大なる離
間間隔をもって配置された静電潜像保持体とトナー担持
体間の現像領域中に反発磁界を形成すると共に、該現像
領域中に感光体の潜像電位より小なる電位を有するスイ
ッチング直流バイアスを印加させた静電潜像現像方法に
おいて、前記スイッチング直流バイアスの最大電位、デ
ューティ比、及び該デューティ比と周波数で決定される
前記直流バイアスの周期的接地時間を下記式の範囲に設
定したことを特徴とする静電潜像現像方法 ２ｖｔ≦Ｖｍａｘ≦Ｖｄ・・・イ） ｔ１／ｔ２≧０．３・・・ロ） ｔ２≧０．２ｍｓｅｃ・・・ハ） Ｖｍａｘ：直流バイアスの最大電圧 Ｖｔ：静電潜像保持面のトナー拘束電位 Ｖｄ：画像部最大電位 ｔ１：直流バイアスの周期的通電時間 ｔ２：直流バイアスの周期的接地時間 ２）前記直流バイアスの高周波数化に反比例して前記デ
ューティ比が小になる如く設定した事を特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の静電潜像現像方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079339A JPH07111605B2 (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 静電潜像現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079339A JPH07111605B2 (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 静電潜像現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239251A true JPS61239251A (ja) | 1986-10-24 |
| JPH07111605B2 JPH07111605B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=13687140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60079339A Expired - Fee Related JPH07111605B2 (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 静電潜像現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111605B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642263U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | ||
| JPH0413164A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Ricoh Co Ltd | 現像装置 |
| JP2001005266A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Ricoh Co Ltd | デジタル画像の現像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118051A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-10 | Canon Inc | Method and apparatus for developing |
| JPS55161257A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-15 | Canon Inc | Stray light preventing device in electric discharger |
| JPS584153A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 静電像現像方法 |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP60079339A patent/JPH07111605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118051A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-10 | Canon Inc | Method and apparatus for developing |
| JPS55161257A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-15 | Canon Inc | Stray light preventing device in electric discharger |
| JPS584153A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 静電像現像方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642263U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | ||
| JPH0413164A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Ricoh Co Ltd | 現像装置 |
| JP2001005266A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Ricoh Co Ltd | デジタル画像の現像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111605B2 (ja) | 1995-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |