JPS61248303A - 高周波吸収セラミツクス - Google Patents

高周波吸収セラミツクス

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JPS61248303A
JPS61248303A JP60088136A JP8813685A JPS61248303A JP S61248303 A JPS61248303 A JP S61248303A JP 60088136 A JP60088136 A JP 60088136A JP 8813685 A JP8813685 A JP 8813685A JP S61248303 A JPS61248303 A JP S61248303A
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JP
Japan
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high frequency
lead
dielectric
mol
component
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Pending
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JP60088136A
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English (en)
Inventor
信之 大矢
佐分　淑樹
徹 山崎
加藤　大誠
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高周波電磁波を吸収する高周波吸収セラミッ
クスに関する。
本発明セラミックスは、例えば、電子回路に浸入する高
周波を遮断するためのＥＭＩ防止用フィルタに使用でき
る。
［従来の技術］ 従来、ＥＭＩ防止用フィルタには、チタン酸バリウム等
の誘電体が用いられている。
しかし、これらの材料は、高周波領域における減衰帯域
幅が狭いこと、高周波遮断効果が小さいこと等の欠点が
ある。この原因は高周波における比誘電率が小さいため
である。
［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は、上記従来材料の欠点を改良するためになされ
たものであり、１〜１００ＭＨｚ帯域における比誘電率
の大きな、又１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯域においては、
誘電屓失の大きな、従ってＩ　Ｍ　Ｈｚ〜ＩＧＨｚ帯域
において高周波遮断効果の大きな新しい高周波吸収材料
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための技術的手段］本発明は、鉄ニ
オブ酸鉛Ｐｔ）　（Ｆｅ　Ｉ　／　ｔ　Ｎｂ＋　／　２
　）　０３が３０〜８０モル％、鉄タンタル酸鉛Ｐ　ｂ
（Ｆ　ｅ　＋　／　ｔ　Ｔ　ａ　＋　／　１　）○３が
７０〜２０モル％、から成る２成分組成物で構成された
高周波吸収セラミックスである。
本発明は、鉄ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｆｅｄ／２Ｔａ＋／ｚ）
０３に、鉄タンタル酸鉛Ｐｂ（Ｆｅｄ／２Ｔａ＋／ｚ）
０３を混在させることにより、比誘電率を向上させたも
のである。
上記範囲の２成分組成物は室温において、１Ｍ＋−Ｉ　
Ｚで８０００〜１６０００の比誘電率を有している。
高周波吸収フィルタに本発明組成物を用いる場合に、良
好な高周波遮断特性を得るには、１ＭＨ７での比誘電率
が８０００以上あることが、必要となっている（特願昭
５９−１４７３４３号）。
従って、本発明の材料の組成比はＩＭＨ２での比誘電率
が５ｏｏｏ以上となり充分に高周波吸収効果を有する範
囲として決定されたものである。上記範囲外の組成物は
ＩＭＨ２における比誘電率が約８０００より小となり高
周波吸収材料として適さない。
［発明の効果］ 本発明の材料は、２成分系組成物でありＩＭＩ−１２〜
１００ＭＨｚでの比誘電率が大きいので高周波吸収効果
に勝れている。
「実施例］ 以下、本発明を具体的に一実施例に基づいて説明する。
出発原料として、酸化鉛粉末（ＰｂＯ）を４モル％、酸
化鉄鉛粉末（ＦｅｚＯ３）を１モル％、酸化ニオブ粉末
（ＮｂｚＯｓ）を１モル％の割合で配合し、鉄ニオブ酸
鉛Ｐｂ（Ｆｅｌ／２Ｎｂ＋／ｚ）０３が（以下これを「
第１成分」という）の材料とした。
又、酸化鉛粉末（ＰｂＯ）を４モル％、酸化タンタル粉
末（Ｔａｘｅｓ）を１モル％、酸化鉄鉛粉末（１：ｅ２
Ｑ３）を１モル％の割合で配合し、鉄タンタル酸鉛Ｐｂ
　（Ｆｅ　＋１ｔＴａ　Ｉ／２　）０３（以下これを「
第２成分」という）の材料とした。
次にそれらの２つの混合粉末体の、それぞれをメノウ石
を入れたポリポットを用いて２４時時間式混線を行ない
、その後約８００℃で１時間仮焼し、その後粉砕を行な
い、それぞれ第１成分粉末、第２成分粉末を得た。
次に第１成分粉末、第２成分粉末を表に示すＮＯ１〜Ｎ
ｏ９の組成比になるように配合し、湿式混合して多くの
試料粉末を得た。それぞれの試料粉末を、パラフィンで
造粒して、プレス圧５００ｋｇで、１０ｍｍφＸ５ｍｍ
の円柱形状に成形した後、１１５０℃で１時間焼成した
。その成形体は、その両端面に銀ペーストを焼付け、電
極を形成し、誘電率の周波数特性を測定するのに用いた
。
周波数特性は、ベクトルインピーダンスアナライザを用
いて測定された。又、ＮＯｌとＮｏ２とＮ０５の試料は
プレスとスライスにより１０Ｘ１０ｘＱ、５ｍｍの角板
を製作し、電極を形成するために、銀ペーストを一端面
全体に、他の対向端面には２×１０ｍｍのライン状に印
刷、焼付を行なって高周波遮断効果を測定するためのフ
ィルタを作成した。
ＮＯ１〜Ｎｏ９の試料について、室温、１ＭＨ２での比
誘電率を測定した結果を表に示す。Ｎ０１、ＮＯ８、Ｎ
ｏ９の配合比の試料は、比誘電率が５０００以下であり
、本発明の高周波遮断効果を顕著に示すのに必要な１Ｍ
）−１ｚでの比誘電率が８０００以上を示さずにそれら
の組成比は不適当である。
第１図は、Ｎｏ５の実施例試料について比誘電率の１Ｍ
Ｈ２〜１ＧＨｚ帯の周波数特性を示したものである。１
〜１００ＭＨ２に於いて、比誘電率εγは、９５００〜
１６０００と高い値を示しているのが分る。
第２図は、Ｎｏ１、Ｎｏ２、Ｎ０５４７）試料を用いた
高周波遮断フィルタの室温での１ＭＨ２から１ＧＨｚ帯
域での高周波遮断効果を測定した特性図である。本実施
例試料Ｎｏ２、Ｎｏ５を用いたフィルタは、明らかに本
発明の範囲外の組成比の比較例試料Ｎｏ１に比べて、高
周波遮断特性に勝れているのが分る。
次に、本発明材料を用いた高周波遮断フィルタの応用例
を示す。第３図は、第１応用例に係る高周波遮断フィル
タの構成を示した斜視図である。
誘電体スペーサ１０は、本発明の２成分系組成物から成
る。その誘電体スペーサ１０の第１主面上１０ａには、
銀ペーストを短冊形状に印刷焼付し、電極１２１が形成
され、対向する第２主面１ｏｂ上には、端面−面に銀ペ
ーストが印刷焼成されて電極１４１が形成されている。
接地電極１４の一端面には、電極１４１が接触するよう
に誘電体スペーサ１０が配設され、他の端面には、誘電
体スペーサ１０と同一構成の他の誘電体スペーサ１１が
接触している。誘電体スペーサ１０．１１の第１主面上
に形成された電極１２１にそれぞれ接触するように口字
状のリードビン１２が複数配設され、これらは、信号線
電極を構成する。
このような構成の高周波遮断フィルタは、り一ドビンの
一端子１２３から信号が入力し、高周波は誘電体スペー
サ１０を介して接地電極１４ヘバイパスされ低周波の信
号成分のみがリードビン１２の他の端子である出力端子
１２５から取り出される。このようにして高周波雑音成
分が遮断される。第４図は、第３図に示す第１応用例の
高周波遮断フィルタをコネクタ部６に取付けた様子を示
した斜視図である。接地電極１０は、金属ケース７に接
続され、リードビン１２の一端は、信号線１５に接続さ
れ、他端は電子装置の回路ボード２０上の信号線１６に
接続されている。このように高周波遮断フィルタは、電
子機器のコネクタ部に内蔵することができる。
第５図は、他の応用例に係る高周波遮断フィルタをコネ
クタ部６へ配設した様子を示す斜視図である。信号線電
極１２は、誘電体スペーサ１ｏと、１１とに挟まれてい
る。誘電体スペーサ１ｏの下面は接地電極１４が接触し
、接地電極１４は、絶縁体１つを介して、回路ボード２
ｏ上に配設され、さらに金属ケース７に電気的に接続さ
れている。
又、誘電体スペーサ１１の上面にも接地電極１４ａが形
成され、これは前記と同様、金属ケース７に電気的に接
続されている。
この様に、この応用例では、信号線電極を複数の誘電体
スペーサでサンドインチし、並列コンデンサ型に形成し
た。又、これらの応用例のフィルタは樹脂でボッティン
グし、第６図の様に構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本実施例材料の２成分組成物の比誘電率の周
波数特性を示したグラフである。第２図は本実施例及び
比較例材料を用いた高周波フィルタの高周波遮断特性を
示した特性図である。第３図は、本発明の材料を用いた
第１応用例に係る高周波遮断フィルタの構成を示した斜
視図、第４図は、第１応用例に係る高周波遮断フィルタ
を」ネクタ部へ配設した様子を示した斜視図、第５図は
、第２応用例に係る高周波遮断フィルタをコネクタ部へ
配設した様子を示した斜視図である。第６図は、他の変
形例に係る高周波遮断フィルタの外形図である。 １０．１１・・・誘電体スペーサ １４・・・接地電極　　　　１２・・・信号線電極６・
・・コネクタ部　　　　７・・・金属ケース２０・・・
回路ボード 特許出願人　　　日本電装株式会社 代理人　　　　弁理士　大川　宏 同　　　　　弁理士　原料　修 同　　　　　弁理士　丸山明夫 第１図 周波数（ＭＨｚ） 第２図 周波数（ＭＨｚ） 第３図 第４図 第５図 第６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）鉄ニオブ酸鉛Ｐｂ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿
    ／＿２）Ｏ＿３が３０〜８０モル％、鉄タンタル酸鉛Ｐ
    ｂ（Ｆｅ＿１＿／＿２Ｔａ＿１＿／＿２）Ｏ＿３が７０
    〜２０モル％、から成る２成分組成物で構成された高周
    波吸収セラミックス。
JP60088136A 1985-04-24 1985-04-24 高周波吸収セラミツクス Pending JPS61248303A (ja)

Priority Applications (2)

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JP60088136A JPS61248303A (ja) 1985-04-24 1985-04-24 高周波吸収セラミツクス
US06/837,404 US4742031A (en) 1985-04-24 1986-03-07 High frequency wave absorbing ceramics

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JP60088136A JPS61248303A (ja) 1985-04-24 1985-04-24 高周波吸収セラミツクス

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