JPS61248584A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61248584A JPS61248584A JP9134785A JP9134785A JPS61248584A JP S61248584 A JPS61248584 A JP S61248584A JP 9134785 A JP9134785 A JP 9134785A JP 9134785 A JP9134785 A JP 9134785A JP S61248584 A JPS61248584 A JP S61248584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- crystal
- semiconductor
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク等の光情報処理の光源として用い
られる半導体レーデに関するものである。
られる半導体レーデに関するものである。
半導体レーデは光通信や光ディスク等の光情報処理用光
源として利用され始めておシ、各極構造の半導体レーデ
が提案されている。特に、半導体基板上にそれぞれが独
立部動可能な複数個の半導体レーデを構成したレーデは
、光ディスク等への情報の書き込み、読み出しの同時処
理や、書き込み済みトラックから並列的に信号を読み出
すこと等が期待できるものである。第４図に従来の半導
体レーデの一例を示す。第４図は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の上に、ｎ型Ａｔ（Ｌ ４Ｇ＆ （Ｌ ６Ａ ８層２、
活性層となるｎ型ＡｚＢ 、Ｉ Ｇ、ａ １１ Ｂ ？
ＡＩｌ ｆ’ｄ ３、ｐ型ＡＬ（１４Ｇ！Ｌ １６Ａ
１１層４、ｎ型ＧａＡａ層５を順次形成した後、Ｚｎ等
のｐ型不純物拡散領域１２、ｐ型オーミック電極８、ｎ
型オーミック電極１０、分離溝９を形成し、それぞれを
独立に駆動可能な半導体レーデＡ、Ｂとした例を示して
いる。
源として利用され始めておシ、各極構造の半導体レーデ
が提案されている。特に、半導体基板上にそれぞれが独
立部動可能な複数個の半導体レーデを構成したレーデは
、光ディスク等への情報の書き込み、読み出しの同時処
理や、書き込み済みトラックから並列的に信号を読み出
すこと等が期待できるものである。第４図に従来の半導
体レーデの一例を示す。第４図は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
の上に、ｎ型Ａｔ（Ｌ ４Ｇ＆ （Ｌ ６Ａ ８層２、
活性層となるｎ型ＡｚＢ 、Ｉ Ｇ、ａ １１ Ｂ ？
ＡＩｌ ｆ’ｄ ３、ｐ型ＡＬ（１４Ｇ！Ｌ １６Ａ
１１層４、ｎ型ＧａＡａ層５を順次形成した後、Ｚｎ等
のｐ型不純物拡散領域１２、ｐ型オーミック電極８、ｎ
型オーミック電極１０、分離溝９を形成し、それぞれを
独立に駆動可能な半導体レーデＡ、Ｂとした例を示して
いる。
この例では相互間に流れる電流１３を除去するためには
、ｎ型ｋＡ工。Ｇａユ６Ａｓ層２へ至るまで分離溝９を
深く掘ることが必要となり、このため、共振器面を形成
する結晶の襞間時に、分離溝９の底又は結晶界面等から
共振器面の凹凸をもたらす； −＞１４等が発光領域と
なるｎ型Ａｔ（１１１Ｇ＆ ａ１３９Ａｍ層３を横断す
る様に発生し、レーデ発振モードに散乱を与え、ビーム
出射方向が不安定になシ、あるいは発振閾値電流が増加
する等の欠点を回避することができない。
、ｎ型ｋＡ工。Ｇａユ６Ａｓ層２へ至るまで分離溝９を
深く掘ることが必要となり、このため、共振器面を形成
する結晶の襞間時に、分離溝９の底又は結晶界面等から
共振器面の凹凸をもたらす； −＞１４等が発光領域と
なるｎ型Ａｔ（１１１Ｇ＆ ａ１３９Ａｍ層３を横断す
る様に発生し、レーデ発振モードに散乱を与え、ビーム
出射方向が不安定になシ、あるいは発振閾値電流が増加
する等の欠点を回避することができない。
本発明の目的は、この様な従来型半導体レーデの欠点を
除去し、光ディスク等への情報書き込み、読み出しの同
時処理や複数本のトラック上の記録信号を並列的に読み
出しを可能ならしめ、光情報処理用光源として優れた半
導体レーデを提供することにある。
除去し、光ディスク等への情報書き込み、読み出しの同
時処理や複数本のトラック上の記録信号を並列的に読み
出しを可能ならしめ、光情報処理用光源として優れた半
導体レーデを提供することにある。
本発明は、半導体基板上に、発光領域となる半導体層を
これよシも禁制帯幅の大きい半導体層ではさんだ結晶積
層体を備え、その結晶積層体に隣接して、ストライプ状
の溝を有しかつ前記半導体基板と同一導電性の半導体層
を少なくとも備え、結晶表面から前記半導体層に至る溝
を設けて、複数の発光領域を構成せしめたことを特徴と
する半導体レーザである。
これよシも禁制帯幅の大きい半導体層ではさんだ結晶積
層体を備え、その結晶積層体に隣接して、ストライプ状
の溝を有しかつ前記半導体基板と同一導電性の半導体層
を少なくとも備え、結晶表面から前記半導体層に至る溝
を設けて、複数の発光領域を構成せしめたことを特徴と
する半導体レーザである。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図（４）
、（Ｂ）は本発明の製造工程を説明する図、第３図は本
発明の他の実施例を説明する図をそれぞれ示す。
る。第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図（４）
、（Ｂ）は本発明の製造工程を説明する図、第３図は本
発明の他の実施例を説明する図をそれぞれ示す。
まず、第２図（４）に示す様に第１の結晶成長工程とし
て、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、約１ミクロン厚のｎ型Ａ
Ｌａ ４Ｇａ ａ ６Ａ １層２、約０．０５〜０．０
８ ミクロン厚の活性層となるｎ 型ＡｚＯＬ１１
Ｇａ ＣＬ Ｂ ｇ Ａ １１層３、約０．１ミクロン
厚のｐ型ＡＬＩＩＬ４Ｇａｌ１６Ａ８層４、約０．８ミ
クロン厚のｎ型ＧａＡｓ層５を順次形成した後、結晶表
面からｐ型ＡＺ１４Ｇ Ｉｋ （Ｌ ｂＡ８層４に至る
まで溝幅約３ミクロン、溝の間隔約５０ミクロンの溝９
′を化学エツチング工程により形成する。次に、結晶表
面を清浄Ｋ ｔ、た後、第２図（Ｂ）に示す様に、第２
の結晶成長工程として溝９′を肩する結晶表面全体を覆
う様に、約１ミクロン厚のｐ型Ａｔ［Ｌ４ｃ’ １６”
ｉｆ ６、約１ミクロン厚のｐ型ＧａＡｓ層７を順次
形成する。さらにその後、第１図に示す様に、ｐ型オー
ミック電極８、分離溝９、ｎ型オーミック電極１０を形
成して本発明に係る半導体レーザを完成する。なお、こ
の実施例では、間隔約５０ミクロンの発光領域を有する
半導体レーデＡとＢとを構成した例について示している
。
て、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、約１ミクロン厚のｎ型Ａ
Ｌａ ４Ｇａ ａ ６Ａ １層２、約０．０５〜０．０
８ ミクロン厚の活性層となるｎ 型ＡｚＯＬ１１
Ｇａ ＣＬ Ｂ ｇ Ａ １１層３、約０．１ミクロン
厚のｐ型ＡＬＩＩＬ４Ｇａｌ１６Ａ８層４、約０．８ミ
クロン厚のｎ型ＧａＡｓ層５を順次形成した後、結晶表
面からｐ型ＡＺ１４Ｇ Ｉｋ （Ｌ ｂＡ８層４に至る
まで溝幅約３ミクロン、溝の間隔約５０ミクロンの溝９
′を化学エツチング工程により形成する。次に、結晶表
面を清浄Ｋ ｔ、た後、第２図（Ｂ）に示す様に、第２
の結晶成長工程として溝９′を肩する結晶表面全体を覆
う様に、約１ミクロン厚のｐ型Ａｔ［Ｌ４ｃ’ １６”
ｉｆ ６、約１ミクロン厚のｐ型ＧａＡｓ層７を順次
形成する。さらにその後、第１図に示す様に、ｐ型オー
ミック電極８、分離溝９、ｎ型オーミック電極１０を形
成して本発明に係る半導体レーザを完成する。なお、こ
の実施例では、間隔約５０ミクロンの発光領域を有する
半導体レーデＡとＢとを構成した例について示している
。
本構造に於ては、ｐ型Ａｔ、４Ｇｍ、６Ａｓ層４の上に
溝幅約３ミクロンのストライプ状溝を有するｎ型ＧａＡ
ｓ層５を配置することによシ、電流通路はこの溝幅で限
定可能とし、さらに、分離溝９を結晶表面から、このｎ
型ＧａＡｓ層５に達するまで形成することで、レーザＡ
とレーデＢとを電気的に独立に駆動可能とし、さらに又
、分離溝９の底は、ｎ型ＧａＡｓ層５の上面に位置して
おシ活性層３から充分に離れている丸め、従来型半導体
レーデの形成時に問題となっていた結晶勇開時に活性層
５を横断する様な凹凸状のムンの発生を回避することが
できた。
溝幅約３ミクロンのストライプ状溝を有するｎ型ＧａＡ
ｓ層５を配置することによシ、電流通路はこの溝幅で限
定可能とし、さらに、分離溝９を結晶表面から、このｎ
型ＧａＡｓ層５に達するまで形成することで、レーザＡ
とレーデＢとを電気的に独立に駆動可能とし、さらに又
、分離溝９の底は、ｎ型ＧａＡｓ層５の上面に位置して
おシ活性層３から充分に離れている丸め、従来型半導体
レーデの形成時に問題となっていた結晶勇開時に活性層
５を横断する様な凹凸状のムンの発生を回避することが
できた。
これＫよシ、半導体レーザＡ、Ｂはそれぞれ独立に駆動
可能となシ、半導体レーデＡによシ書き込み、その記録
を半導体レーデＢによシ読み出すことが可能となった。
可能となシ、半導体レーデＡによシ書き込み、その記録
を半導体レーデＢによシ読み出すことが可能となった。
又、半導体レーデＡ、Ｂとも、それぞれ異なるトラック
の書き込みあるいは読み出しの並列同時動作も可能とな
）、記録、読み出しのスピードを素子数分だけ高速化す
ることができる。
の書き込みあるいは読み出しの並列同時動作も可能とな
）、記録、読み出しのスピードを素子数分だけ高速化す
ることができる。
さらに、本発明の他の実施例を第３図に示す。
第３図に於て、本実施例では半導体レーデ素子数が３素
子（図示Ａ、Ｂ、Ｃ）と増加した点が前実施例とは異な
るのみで他は第２図に示したものと同じである。同一構
成部分には同一番号を付して説明を省略する。３素子に
分離することによシ半導体レーザＡ、Ｂ、Ｃをそれぞれ
独立に駆動すれば、消去、記録、読み出し動作等の並列
動作が可能となシ、光情報処理用光源としてさらに高性
能な優れた半導体レーデを提供することができる。
子（図示Ａ、Ｂ、Ｃ）と増加した点が前実施例とは異な
るのみで他は第２図に示したものと同じである。同一構
成部分には同一番号を付して説明を省略する。３素子に
分離することによシ半導体レーザＡ、Ｂ、Ｃをそれぞれ
独立に駆動すれば、消去、記録、読み出し動作等の並列
動作が可能となシ、光情報処理用光源としてさらに高性
能な優れた半導体レーデを提供することができる。
また、上記構造によれば、一つの半導体基板を一回取扱
うことで、半導体レーザＡ ｅ Ｂ ｅ Ｃ・・・等の
電気的特性、光学的特性を連続的にそれぞれ独立に調べ
、その後に、分離溝９に位置する切断線１１に沿って、
各独立素子をそれぞれに分離し、特性の良否に応じて分
類する等の処理を行う場合にも応用できるものである。
うことで、半導体レーザＡ ｅ Ｂ ｅ Ｃ・・・等の
電気的特性、光学的特性を連続的にそれぞれ独立に調べ
、その後に、分離溝９に位置する切断線１１に沿って、
各独立素子をそれぞれに分離し、特性の良否に応じて分
類する等の処理を行う場合にも応用できるものである。
なお本構造に於ては電流ブロック層としてｎ型ＧａＡａ
層を用いているが、ＡＺｘＧａ １ ＋＋ ｘＡ ’層
でも良く、多層積層体でも良いことは言うまでもないこ
とである。
層を用いているが、ＡＺｘＧａ １ ＋＋ ｘＡ ’層
でも良く、多層積層体でも良いことは言うまでもないこ
とである。
以上述べた様に、本発明によれば、同一半導体基板上に
独立駆動可能な半導体レーデを多数配置することができ
、光ディスク等への記録、読み出し、消去等の高速化を
図る光源として最適な半導体レーデを構成することがで
きるばかシでなく、一度の取扱いで多数素子を調査、分
類することが可能になシ、大量生産工程にも応用できる
効果を有する。
独立駆動可能な半導体レーデを多数配置することができ
、光ディスク等への記録、読み出し、消去等の高速化を
図る光源として最適な半導体レーデを構成することがで
きるばかシでなく、一度の取扱いで多数素子を調査、分
類することが可能になシ、大量生産工程にも応用できる
効果を有する。
第１図は本発明に係る半導体レーデの一実施例を示す断
面図、第２図体）、■）は本発明の製造工程を工程順に
示す断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断面図
、第４図は従来の半導体レーデの断面図である。 １：ｎ型ＧａＡｓ基板、２：ｎ型Ａｔ、４Ｇｍ、６Ａｓ
層、３：ｎ型１ｔＣＬ４．Ｇａ ＣＬＢ ｔＡｓ層、４
：ｐ型Ａｔ、１００ｍ 、６Ａｓ層、５：ｎ型ＧａＡｍ
層、６：ｐ型Ａｔ、４ＧａＦ、６Ａｓ層、７：ｐ型Ｇａ
Ａｓ層、８：ｐ型オーミック電極、９：分離溝、１０：
ｎ型オーミック電極、１１：切断線、１２：ｐ型不純物
拡散領域、１３：相互間に流れる電流、１４：共振器面
の凹凸をもたらすスジ。
面図、第２図体）、■）は本発明の製造工程を工程順に
示す断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断面図
、第４図は従来の半導体レーデの断面図である。 １：ｎ型ＧａＡｓ基板、２：ｎ型Ａｔ、４Ｇｍ、６Ａｓ
層、３：ｎ型１ｔＣＬ４．Ｇａ ＣＬＢ ｔＡｓ層、４
：ｐ型Ａｔ、１００ｍ 、６Ａｓ層、５：ｎ型ＧａＡｍ
層、６：ｐ型Ａｔ、４ＧａＦ、６Ａｓ層、７：ｐ型Ｇａ
Ａｓ層、８：ｐ型オーミック電極、９：分離溝、１０：
ｎ型オーミック電極、１１：切断線、１２：ｐ型不純物
拡散領域、１３：相互間に流れる電流、１４：共振器面
の凹凸をもたらすスジ。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に、発光領域となる半導体層をこれ
よりも禁制帯幅の大きい半導体層ではさんだ結晶積層体
を備え、その結晶積層体に隣接してストライプ状の溝を
有し、かつ前記半導体基板と同一導電性の半導体層を少
なくとも備え、結晶表面から前記半導体層に至る溝を設
けて複数の発光領域を構成せしめたことを特徴とする半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134785A JPS61248584A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134785A JPS61248584A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248584A true JPS61248584A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=14023880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134785A Pending JPS61248584A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248584A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061974A (en) * | 1988-12-28 | 1991-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device of array type |
| JPH05235480A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP0556863A3 (ja) * | 1992-02-20 | 1994-01-19 | Sumitomo Electric Industries | |
| EP0560358A3 (en) * | 1992-03-11 | 1994-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| CN107910748A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-13 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法 |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP9134785A patent/JPS61248584A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061974A (en) * | 1988-12-28 | 1991-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device of array type |
| JPH05235480A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザおよびその製造方法 |
| EP0556863A3 (ja) * | 1992-02-20 | 1994-01-19 | Sumitomo Electric Industries | |
| US5359619A (en) * | 1992-02-20 | 1994-10-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same |
| EP0560358A3 (en) * | 1992-03-11 | 1994-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| US5663975A (en) * | 1992-03-11 | 1997-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multi-beam semiconductor laser with separated contacts characterized by semiconductor mixed crystal and active layer |
| CN107910748A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-04-13 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6041478B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JP3461893B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US4849982A (en) | Semiconductor laser chip having a layer structure to reduce the probability of an ungrown region | |
| JPS61248584A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| GB2129212A (en) | Semiconductor laser devices | |
| JPH01204487A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6179287A (ja) | レーザダイオード装置 | |
| JPS61185993A (ja) | 多波長半導体レーザ装置 | |
| KR20050096666A (ko) | 2파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
| JPS62174992A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS648477B2 (ja) | ||
| JP2997372B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS60107886A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US4701926A (en) | Laser diode | |
| JPS6316691A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63197394A (ja) | 半導体レ−ザアレイ素子 | |
| JPS61168283A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4083836B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS6242592A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JPS63168068A (ja) | 半導体レ−ザアレイ素子 | |
| JP3777027B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6154688A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61242089A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS62144384A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JPH11274633A (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ |