JPS61254100A - 超電導コイル励磁電流制御装置 - Google Patents

超電導コイル励磁電流制御装置

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JPS61254100A
JPS61254100A JP60095733A JP9573385A JPS61254100A JP S61254100 A JPS61254100 A JP S61254100A JP 60095733 A JP60095733 A JP 60095733A JP 9573385 A JP9573385 A JP 9573385A JP S61254100 A JPS61254100 A JP S61254100A
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JP
Japan
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current
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coil
field
excitation
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JP60095733A
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English (en)
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Kenzo Kamiyama
神山 健三
Minoru Manjo
萬城 実
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野》 本発明は,超電導を必要とする超電導発電機の界磁コイ
ル,あるいはプラズマ発生装置、磁気浮上装置などの励
磁装置における超電導コイル励磁電流制御装置に関する
(発明の背景) 超電導体は,良く知られているように、直流磁界中では
損失が生じないが,交流磁界中では損失が発生する0こ
の点に着目し、回転子の界磁巻線だけを超電導化したも
のが、超電導発電機であるOこのような超電導発電機の
基本構造を第3図に示す(電気学会雑誌、第101巻第
1号、昭和59年1月号、第13頁参照)0 回転子部分は、界磁コイルとしての超電導巻線を支持す
る円筒トルクチェーブ1、励磁電流を供給する励磁装置
6%電機子反作用によって生ずる交流磁束に対して、前
記超電導巻線を電磁シールドするダンパ3%ヘリウムを
給排する冷却装置7などで構成される。
一方、固定子部分は、高磁束密度を許容する空げき電機
子巻線4、及び固定子鉄心5から構成される。
超電導発電機は、回転子コイルである界磁コイルを超電
導の状態で使用するため。
(1)界磁損失が零となるのに対し、冷却機の損失は、
通常の発電機の場合とほとんど変らないため、全体とし
ての効率を従来機に比較して0.5〜1.0〜高くでき
る。
(2)界磁磁束が大きくとれるので1発電機の小形化・
軽量化が可能となる〇 などの特長を有する。
一方1発電様の界磁コイルは、その抵抗が零であるため
、従来機の数十倍の時定数となる。従って、実用上必要
な電力系統安定度に適した励磁装置とするためには%7
00〜tooov程度の高い頂上電圧の、超速応の励磁
装置6が必要となる〇ところが、超電導状態にある界磁
コイルの界磁電流を、ある限度μ上の変化率で制御する
と1局部的な渦電流損による熱エネルギーが原因となっ
て、界磁コイルが超電導から通常伝導状態に転移するク
エンチ現象が発生する危険性がある〇このため、超電導
発電機に適用する励磁装置6は、界磁コイルの超゛鑞導
状態を保ちつつ、かつ速やかな励磁制御を実現し得るも
のでなければならないO 第2図は、現行の励磁制御方式の一つである、サイリス
タ式静止形励磁制御装置の概略ブロック図である。
第2図の励磁制御装置は、発電機の端子電圧を制御する
電圧制御aVC,サイリスタ制御整流装置THYの点弧
位相を制御するゲートパルス発生器epe、#記サイリ
スタ制御整流装置THYの出力を供給される発電機界磁
コイルFLD 、発電機の電機子GBN 、電機子GI
Nの出力側より界磁コイルFLDへ電力を供給するため
の励磁変圧1iBX−’I’R,電機子GI様子出力電
圧を検出するための交流変成器P’rと整流S几IC、
および電機子GBNの出力電圧を設定するための電圧設
定@RBFよりなる。
動作時には、電圧設定ai RIPからの指令値V と
電機子GINの出力電圧の検出値vvbとのマr 差を、電圧制御@VCに詔いて演算することによりて、
ゲートパルス発生16GPGの入力信号VCを得る。
そして、前記信号vcによって、界磁コイルFLD に
必要な直流可変電圧を、サイリスタ制御IJifIt装
置THYから供給し、これによって電機子GIN の出
力電圧を設定値に調整する。
ところで、第2図の界磁コイルFLDを超電導材で構成
した超電導発電機の励磁装置においては。
界磁コイルFLDの抵抗分がほとんど零に等しいため、
定格出力電圧を発生するのに必要な励磁電圧は数Vであ
り、常電導の発電機の励磁電圧V、。
に比べてきわめて小さい・ しかし一方において、励磁回路の時定数は、前記界磁コ
イルの抵抗分がほぼ零であるため、きわめて大きくなる
。そのため、界磁電流を増加しようとする場合には、励
磁回路の逆起電力に相当した電圧以上の、大きな励磁電
圧V、x(V、x> V、。)が必要である。
従って、励磁電流増加時に、前記励磁電圧vfxの値如
何によっては、励磁電流の変化率d r/dtが異常過
大となり、クエンチ現象によって、界磁コイルの超電導
がくずれることがある。このクエンチ現象を起させない
ためには、励1illt流の大きさ及び励磁電流の変化
率を、所定の範囲内に制御することが必要となる〇 しかし、第2図に示したように、励磁電流制御器として
、電圧制御器VCのみしか有しない励磁制御方式を採用
して、超電導界磁コイルの電流を制御する場合には、前
述のクエンチ現象を防止することができない。
すなわち、界磁コイルFLDの電流を増加・減少せしめ
る時の11.fi変化率dVd、を所定範囲内に抑制で
きないため、界磁コイルFLDに熱的じょう乱を与えて
、クエンチ現象が発生し、前記界磁コイルFLDが、超
電導から急速に常電導化するという欠点がある。
(発明の目的) 本発明は、前述の欠点を除去するためになされたもので
あり、その目的は、超電導線に流れる電流変化率dVd
tを所定範囲内に抑制することにより、その超電導状態
が破壊されるのを防止することのできる超電導コイル励
磁電流制御装置を提供することにある。
(発明の概要) 前記の目的を連成するために1本発明は、超電導線に流
れる励磁電流を増加・減少させる際に、その変化率di
7..を、予め定められた範囲内番こ制限するように構
成した点に特徴がある。
(実施列) μ下に、図面を8照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である◎同図に
おいて、第2図と同一の符号は、同一または同等部分を
あられしている〇 第2図との対比から明らかなように、この実施例は、第
2図の電圧側m器vcとゲートパルス発生器GPGとの
間に、″1c流変化率制御1iSCRCを付加したもの
に相当する。
第1図においては、llC圧制御器VCの出力が界磁電
流変化率指令vrrとなる0また。前記界磁電流変化率
指令vrrと、界磁電流検出器sHより検出した界磁電
流検出値vcbを処理して作成した微分値dI(/d、
との差を演算して、ゲートパルス発生器GPGに対する
入力信号vcを得る0さらに。
前記信号vcにしたがって、界磁コイルFLDに必要な
直流可変電流を供給し、これによって電機子GINの出
力電圧を設定値に調整する〇前記電圧制御器V、Cおよ
び電流変化率制御器CRCの具体的な回路構成の一例を
第4図に示す。
第4図において、演算増巾器OPIは、入力抵抗1iR
11と几12により電圧指令値vvrと出力電圧検出値
vvbとの差演算を行い、またその入出力端間に接続さ
れたインピーダンス回路ZllでPI演算や遅れ・進み
演算を行う〇 更に、ダイオードDll、D12、可変抵抗器VRII
、VR12で任意に上下限リミット演算を行う0すなわ
ち、電圧指令値vvrと出力電圧検出値η、との差が、
予め決められた設定値以上ある場合には、界磁電流変化
率指令V の絶対値r 1vr、1は予定の上限値でリミットされる。
さらに1次段のKfL変化率制御器CRC内の演算増幅
−〇P3は、その入出力インピーダンスと共同してほぼ
積分動作をするので、その出力、すなわちゲートパルス
発生器GPGへの入力信号vcは、はぼ一定値を超えな
い割合で変化する〇それ故に、界at流I、(第1図)
は、励磁電源の大きさや、電圧指令値V に対する出力
電圧検r 出値’vbの偏差信号の大きさとは無関係に、前記一定
値以内の変化率で制御される。
さらに、第1図の実施例を伝達関数表示すると、第5図
囚のように表わされる0ただし、同図において、R,、
L、は界磁コイルPLDの抵抗およびインダクタンスで
あり、Tfはその時定数すなわ1−t7.、  T、は
界磁電流検出値vcbの微分時定数(R16・C11)
である。
そして、電圧制御SVCの出力が一定値以内にリミット
されており、かつ電流変化率制御1scRcのフィード
バックループゲインが十分大きく設定されている場合に
は、第5図囚は同図(6)のように簡略化される。
すなわち、界磁型ftIfは、電圧制御器VCの出力v
rrのリミット値1vL1と、第4図の微分時定数Tr
によって決まる値(リミット値IVLlを’11’、な
る時定数で積分した値)に応じて制御されるO 第6図は本発明の他の実施例のブロック図である0この
実施例は、明らかなように、第1図の実施例において、
電圧制御器VCと電流変化率制御器C几Cとの間に、電
流制御WCCを付加したものに相当する〇 また、第7図は、前記電圧制御器VC1電流制御tlc
c#よび電流変化率制御器CRCの具体的な回路構成の
一例を示すブロック図である0第7図の電圧制御器VC
では%第4図の場合と同様に、電圧指令値vvrと出力
電圧検出値vvbとの差演算を、演算増巾@OP1の入
力抵抗R11とR12で、PI演算や連れ・進みなどの
演算をインピーダンス回路Zllで、またダイオードD
ll、D12と可変抵抗@VBa11 、 VRt 2
とで出力(界磁電流指令)vcrのリミット演算を。
それぞれ行う◎ 次に、電流制御器CCでは、前記出力、すなわち界磁電
流指令verと界磁電流検出値vcbとの差演算を、演
算増巾器OF2の入力抵抗R13とR14とで、PやP
Iなどの演算をそのインピーダンス回路Z12で、また
ダイオードD13゜=D14と可変抵抗器Vl’L13
 、 VRI 4とでその出力、すなわち界磁′IIE
流変化事変化率指令リミッr ト演算を、それぞれ行う0 すなわち、′−圧指令値vvrと出力電圧検出値’vb
との差が一定値以上ある場合には、界磁電流指令もの絶
対値1v、、lは前記一定値にリミットされるため、界
磁電流工、の最大値は予定値に制限される。
また、前記第1実施例に関する説明と同じようにして、
リミットされた界磁電流変化率指令vrrと電流変化率
制御ループにより、界磁゛Itft変化率の最大値(絶
対値の最大値)がリミットされる0なお、第7図を第5
図のように伝達関数表示をすると、第8図のように表わ
される◎ また。電ft変化率制御は、第5図(4)よりわかる通
り、電流変化率制御器CRCを積分補償する場合には、
第9図の如く構成することも可能であるOすなわち、C
RCのフィードバック信号Vcbを微分することなく、
直接CRCの出力に帰還すればよい。
同様のことは、第6図の実施例のように、電圧制御器V
CとCBCとの間に電流制御器CCを有する場合番こも
適用可能である。
第1O図は本発明のさらに他の実施内を示すブロック図
である0同図において、第6図と同一の符号は、同一ま
たは同等部分をあられしている。
界磁電流指令vcrがIEfL指令設定−CIOにより
て与えられる点を除けば、その構造および動作は第6図
の実施例と同じである0 したがって、この実施例によれば、超電導コイルSLに
流れる界磁電流I、の変化率は予定値以下に制限される
0なお、前記電流指令設定! CIOを、その設定が、
界磁電流!、の許容最大値を超えないように構成するこ
とは容易である。
なお、以上では説明を簡便にするため、アナログ制御に
よって本発明を実施する場合についてのみ説明したが、
この制御方式をマイクロプロセラサヤマイクロコンビエ
ータを用いてディジタル化することは容易であり、この
ようなディジタル制御装置も本発明の範囲内に含まれる
と解されるべきである。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなよう番こ1本発明によれば、つ
ぎのような効果が達成される。
(1)すなわち、超電導コ、イルに流れる励磁電流を、
その変化率が予定値を超えないように変化させることが
できるので、前記超電導コイルの超電導状態を破壊する
ことなしζこ、励磁電流を許容最大限の変化率で制御で
きるようになる。
(2)特に1本発明を超電導発電機に適用した場合には
、負荷の急激な変動や、送電線事故などに起因する電圧
変動を十分小さい値に抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施的を示すブロック図である。第
2図は従来の超電導発電機における超電導コイル励磁電
流制御装置の一例を示すブロック図である。第3図は従
来の超電導発電機の概略構成を示・す一部断薗図である
・第4図は第1図の要部を示す詳細ブロック図である0
第5図は第1°図の構成を伝達関数表示によりて示すブ
ロック図である0第6図は本発明の他の実m例を示すブ
ロック図である。第7図は第6図の要部を示す詳細ブロ
ック図である0第8図は第7図の構成を伝達関数表示に
よって示すブロック図である。第9図は本発明の電流変
化率制御器の他の構成向を伝達関数表示によりて示すブ
ロック図である。第10図は本発明のさらに他の実施例
を示すブロック図である。 VC・・・電圧制御器、CRC・・・電流変化率制御器
。 GPG ・・・ゲートパルス発生器、THY ・・・サ
イリスタ制御整流装置、PLD ・・・界磁コイル、 
GIN・・・電機子、8H・・・界磁電流検出@、 R
1!tF ・・・電圧設定器、■ ・・・電圧指令値%
 vvb・・・出力電圧r 検出器、■ ・・・界磁電流変化率指令%vcb・・・
界r 磁電流検出値、vc ・・・ゲートパルス発生器入力。 If  ・・・界lia電流、v0.・・・界磁電流指
令弁埋入 弁理士  平  木  道  人第1図 第2図 第3図 第  41!1 第  51!l (A) 第8図 第9図 第10図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)交流入力を直流出力に変換するサイリスタ制御整
    流装置と、前記サイリスタ制御整流装置の直流出力を供
    給される超電導コイルと、前記サイリスタ制御整流装置
    に、その点弧用ゲートパルスを供給するゲートパルス発
    生器と、前記超電導コイルに流れる励磁電流を検出する
    手段と、前記超電導コイルに流れる励磁電流の目標値を
    設定する手段と、前記励磁電流検出値の、その目標値に
    対する偏差に基づいて、励磁電流変化率指令を発生する
    手段と、前記励磁電流変化率指令を、予定値以内に制限
    して前記ゲートパルス発生器に供給する電流変化率制御
    器とを具備したことを特徴とする超電導コイル励磁電流
    制御装置。
  2. (2)超電導コイルが、超電導発電機の界磁コイル、プ
    ラズマ発生装置の励磁コイル、および磁気浮上装置の励
    磁コイルのうちのいずれかであることを特徴とする前記
    特許請求の範囲第1項記載の超電導コイル励磁電流制御
    装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006014579A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 General Electric Co <Ge> 超電導体のクエンチ保護のためのシステム及び方法
JP2011100859A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Japan Superconductor Technology Inc 超電導マグネットの励磁電源

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