JPS6125603A - ガス発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は昇華性物質のガス発生装置に係り、特に大流量
発生に好適な温度制御に関する。

このガス発生装置は、昇華性物質、例えばＵＦ。

ガスの発生に使用するものである。

従来のガス発生機構を第１図に示す。ＵＰ、Ｆｉ昇華性
物質であるので固体を加熱することによりガス発生金し
ていた。すなわち、固体状態の［ＪＦ６１ａｔ−内部に
有する容器２を、外殻３内に設けられた熱交換器４によ
り加熱された空気をファン５により強制循環させること
により加熱しＵＰ、ガスを発生させていた。

しかし内部の固体状態のＵＦｅ　　１ａの熱伝導率力、
約ｏ、　４　ｋ　Ｃａ　Ｚ　／　ｍ　愉ｈ　ｒ　”　Ｃ
と低いためＵＰ。

ガスの発生に必要な熱量’ｅ、ＵＰ、ガス発生面６まで
供給できず、ガス発生量が非常に少ないといつ欠点があ
った。

本発明の目的は、昇華性物質のガスを大流量発生するに
好適なガス発生装置全提供することにろる。

この目的を：Ｉ！！成するために、本発明では昇華性物
質ガスの３重点を越える温度で容器２の温度全制御する
ものでるる。

以下、第２口金参照して本発明の詳細な説明する。容器
２内には、３重点以上の温度に保持されているため液体
状態のＵＰ８１ｂが存在している。そして七の自由表面
がＵ　Ｆ　ａ　ガス発生面６となっている。このときの
熱伝達の状態でろるが対流をおこしているため固体の場
合に比し飛躍的に熱伝達は向上し液体内部はｔ′！！と
んど一様となっている。またＵ　Ｆ　ａ　ガス発生面６
近傍では急激に熱が奪われるがその影響がでる範囲は、
ＵＰ、ガス発生面下１ｍ程贋の液ＩＩ！ｉｉ内に限定さ
れるため、容器２の表面から見た熱通過率的には問題に
ならない。このような系では、ガス発生量は、ＵＰ、　
　ガス発生面６′１での伝熱量、つ１す、熱通過率に比
例する。従来の固体状態のＵＦ、ｌａより発生する場合
に比し、本発明の場合は約１０倍程度のガス発生が可能
である。

以上の説明から明らかなように、本発明はガス発生装置
の動作温度を昇華性物質の３重点以上とすることにより
大流量のガス発生が可能となり、ガス供給設備の設備費
を大巾に低減することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はガス発生装置の構成をボす断面図、第２図は本
発明の実施列を示す概念図である。 １ａ・・・固体状態のＵＦａ　、１　ｂ・・・液体状態
のＬＩＦ、、２・・・容器、３・・外殻、４・・・熱交
換器、５・・・ファン、６・・・ＵＦ６ガス発生面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、一端にガス出口を有する容器を外殻で覆つてその間
   に加熱装置を設けた昇華性物質のガス発生装置において
   、昇華性物質の３重点を越える温度で容器温度を制御す
   ることを特徴とするガス発生装置。