JPS6126251B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6126251B2 JPS6126251B2 JP55106048A JP10604880A JPS6126251B2 JP S6126251 B2 JPS6126251 B2 JP S6126251B2 JP 55106048 A JP55106048 A JP 55106048A JP 10604880 A JP10604880 A JP 10604880A JP S6126251 B2 JPS6126251 B2 JP S6126251B2
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- current
- input signal
- light emitting
- semiconductor light
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- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は、半導体スイツチング素子を用い、入
力信号によつて負荷への電流をオン、オフ制御す
る無接点スイツチング回路に関する。
力信号によつて負荷への電流をオン、オフ制御す
る無接点スイツチング回路に関する。
[従来技術の問題点]
無接点スイツチング回路の半導体スイツチング
素子としては、一般的にサイリスタやトランジス
タが用いられているが、これらの応答特性は、第
5図あるいは第6図に示す如きものである。
素子としては、一般的にサイリスタやトランジス
タが用いられているが、これらの応答特性は、第
5図あるいは第6図に示す如きものである。
すなわち、サイリスタは、第5図aのような入
力信号によつて、bのように急速にオン状態とな
るが、一旦オン状態となれば入力信号が無くなつ
ても電源を遮断しない限りその状態を続ける所謂
自己保持作用を奏するという欠点があつた。ま
た、トランジスタは、第6図aのような入力信号
によつて、bのように入力信号に応じたオン(応
答)特性となりステツプ応答性がないものであつ
た。
力信号によつて、bのように急速にオン状態とな
るが、一旦オン状態となれば入力信号が無くなつ
ても電源を遮断しない限りその状態を続ける所謂
自己保持作用を奏するという欠点があつた。ま
た、トランジスタは、第6図aのような入力信号
によつて、bのように入力信号に応じたオン(応
答)特性となりステツプ応答性がないものであつ
た。
一方、半導体スイツチング素子としてトランジ
スタを用い、このトランジスタを光結合素子によ
り制御するものが特開昭51−85363に開示されて
いる。すなわち、光結合素子を構成する発光ダイ
オード(発光素子)をトランジスタの出力電極に
直列接続し、同じくフオトトランジスタ(受光素
子)をその出力電流をベース電流として供給すべ
くトランジスタとダーリントン接続し、フオトト
ランジスタのベースに制御(入力)信号を供給す
るものである。このものは、トランジスタのオン
時には急速動作を行うのであるが、光電流の正帰
還作用により、やはり自己保持作用を奏すること
となり、トランジスタのオフのためには光電流を
打消すだけのオン時の入力信号とは逆方向の信号
を供給せねばならないものである。
スタを用い、このトランジスタを光結合素子によ
り制御するものが特開昭51−85363に開示されて
いる。すなわち、光結合素子を構成する発光ダイ
オード(発光素子)をトランジスタの出力電極に
直列接続し、同じくフオトトランジスタ(受光素
子)をその出力電流をベース電流として供給すべ
くトランジスタとダーリントン接続し、フオトト
ランジスタのベースに制御(入力)信号を供給す
るものである。このものは、トランジスタのオン
時には急速動作を行うのであるが、光電流の正帰
還作用により、やはり自己保持作用を奏すること
となり、トランジスタのオフのためには光電流を
打消すだけのオン時の入力信号とは逆方向の信号
を供給せねばならないものである。
[発明の目的]
本発明は、上記の点に鑑みて成したものであつ
て、その目的とするところは、入力信号の有無に
より、さらには緩やかに変化する入力信号であつ
ても負荷に対するオン、オフ制御にステツプ応答
性が持たせられる無接点スイツチング回路を提供
するにある。
て、その目的とするところは、入力信号の有無に
より、さらには緩やかに変化する入力信号であつ
ても負荷に対するオン、オフ制御にステツプ応答
性が持たせられる無接点スイツチング回路を提供
するにある。
[発明の開示]
(実施例)
以下本発明を、一実施例として掲げた第1図乃
至第3図に基づいて説明する。
至第3図に基づいて説明する。
1は直流電源、2は流れる電流値に応じて発光
するフオトダイオードのような半導体発光素子で
ある。
するフオトダイオードのような半導体発光素子で
ある。
3は光発振素子で、半導体発光素子2とともに
光発振結合素子(フオトカプラ)Xを構成し、後
述する負荷への電流をオン、オフ制御する。この
光発振素子3は、半導体発光素子2の発光量に応
じて第3図a乃至dのような発振(オン)作用を
行う。すなわち、aは半導体発光素子2の発光量
がない時、つまり発振が停止したオフ状態、bは
それが小さい時、つまりオン状態に突入した初期
状態、cはそれがさらに増大した状態、dは安定
したオン状態をそれぞれ示している。
光発振結合素子(フオトカプラ)Xを構成し、後
述する負荷への電流をオン、オフ制御する。この
光発振素子3は、半導体発光素子2の発光量に応
じて第3図a乃至dのような発振(オン)作用を
行う。すなわち、aは半導体発光素子2の発光量
がない時、つまり発振が停止したオフ状態、bは
それが小さい時、つまりオン状態に突入した初期
状態、cはそれがさらに増大した状態、dは安定
したオン状態をそれぞれ示している。
7は所定の抵抗値に設定された限流用抵抗、8
はオン、オフ制御される負荷である。
はオン、オフ制御される負荷である。
上記各部材、すなわち半導体発光素子2、光発
振素子3、限流用抵抗7及び負荷8は、直流電源
1に直列に接続される。
振素子3、限流用抵抗7及び負荷8は、直流電源
1に直列に接続される。
4は半導体発光素子2へ信号(電流)を入力す
るための入力信号端子で、信号値設定用抵抗5及
び逆流防止用ダイオード6を介して前記両素子
2,3間に接続される。
るための入力信号端子で、信号値設定用抵抗5及
び逆流防止用ダイオード6を介して前記両素子
2,3間に接続される。
(動作)
入力信号端子4から信号(電流)が入力されな
い時、半導体発光素子2は発光せず、従つて光発
振素子3は発振せずオフ状態となり、負荷8には
電流が流れない。
い時、半導体発光素子2は発光せず、従つて光発
振素子3は発振せずオフ状態となり、負荷8には
電流が流れない。
次に入力信号端子4からの信号(電流)が入力
され、その入力信号値が第2図aの前半のように
除々に大きくなつていくと、信号値設定用抵抗5
及び逆流防止用ダイオード6を介して半導体発光
素子2に流れる電流も増大して半導体発光素子2
の発光量も増大してゆき、従つて光発振素子3は
発振を開始し、やがてオン状態に突入して負荷8
に電流が流れるようになる。この場合、直流電源
1と限流用抵抗7により制限されて負荷8に流れ
る電流は、半導体発光素子2に対して重畳的に流
れるので、半導体発光素子2の発光量がさらに増
大し、このことは光発振素子3の発振をより安定
させることに寄与する。そして、このような作用
は急速に行われるので、負荷8に流れる電流は、
第2図bのように急速に立上り、結局無接点スイ
ツチング回路のオン動作にステツプ応答性をもた
らすのである。
され、その入力信号値が第2図aの前半のように
除々に大きくなつていくと、信号値設定用抵抗5
及び逆流防止用ダイオード6を介して半導体発光
素子2に流れる電流も増大して半導体発光素子2
の発光量も増大してゆき、従つて光発振素子3は
発振を開始し、やがてオン状態に突入して負荷8
に電流が流れるようになる。この場合、直流電源
1と限流用抵抗7により制限されて負荷8に流れ
る電流は、半導体発光素子2に対して重畳的に流
れるので、半導体発光素子2の発光量がさらに増
大し、このことは光発振素子3の発振をより安定
させることに寄与する。そして、このような作用
は急速に行われるので、負荷8に流れる電流は、
第2図bのように急速に立上り、結局無接点スイ
ツチング回路のオン動作にステツプ応答性をもた
らすのである。
こうして入力信号値がある一定値以上であれば
この回路はオン状態を持続する。
この回路はオン状態を持続する。
次に入力信号端子4から信号(電流)が第2図
aの後半のように除々に小さくなつていく場合、
限流用抵抗7の抵抗値により回路の動作が異な
る。すなわち、限流用抵抗7の抵抗値が小さい
と、この回路に流れている電流が大きいので、入
力信号がなくなつても半導体発光素子2を流れる
電流はまだ十分大きく、従つて第2図bのように
発光振素子3は安定したオン状態を持続する。一
方本発明にあつては、限流用抵抗7の抵抗値を比
較的大きく設定しておく。これにより、この回路
に流れている電流はさほど大きくないので、入力
信号がなくなると半導体発光素子2を流れる電流
は小さくなり、従つて光発振素子3は安定したオ
ン状態でなくなり、光発振素子3がオフ(発振停
止)状態になると、この回路には電流が流れなく
なる。そしてこの作用も急速に行われるので、負
荷8に流れる電流は、第2図cのように急速に立
下がり、結局無接点スイツチング回路のオフ動作
にもステツプ応答性をもたらすこととなるのであ
る。
aの後半のように除々に小さくなつていく場合、
限流用抵抗7の抵抗値により回路の動作が異な
る。すなわち、限流用抵抗7の抵抗値が小さい
と、この回路に流れている電流が大きいので、入
力信号がなくなつても半導体発光素子2を流れる
電流はまだ十分大きく、従つて第2図bのように
発光振素子3は安定したオン状態を持続する。一
方本発明にあつては、限流用抵抗7の抵抗値を比
較的大きく設定しておく。これにより、この回路
に流れている電流はさほど大きくないので、入力
信号がなくなると半導体発光素子2を流れる電流
は小さくなり、従つて光発振素子3は安定したオ
ン状態でなくなり、光発振素子3がオフ(発振停
止)状態になると、この回路には電流が流れなく
なる。そしてこの作用も急速に行われるので、負
荷8に流れる電流は、第2図cのように急速に立
下がり、結局無接点スイツチング回路のオフ動作
にもステツプ応答性をもたらすこととなるのであ
る。
第4図は、本発明の他の実施例で、限流抵抗7
と光発振素子3からベース電圧をとつたトランジ
スタ9によつて負荷8を制御させており、先の実
施例により大電流制御を可能にするものである。
なお、先の実施例と同一部材には同一符号を付し
てある。
と光発振素子3からベース電圧をとつたトランジ
スタ9によつて負荷8を制御させており、先の実
施例により大電流制御を可能にするものである。
なお、先の実施例と同一部材には同一符号を付し
てある。
[発明の効果]
本発明に係る無接点スイツチング回路は、直流
電源と、光発振結合素子を構成するものであつて
電流値に応じて発光する半導体発光素子及び負荷
に流れる電流をオン、オフ制御する光発振素子
と、限流用抵抗とを直列接続し、入力信号端子を
逆流防止用ダイオードを介して前記半導体発光素
子と前記光発振素子との間に接続してなり、前記
入力信号端子から信号が入力されると該信号と前
記直列接続した回路の電流とが前記光発振素子に
重畳的に流れ、前記入力信号端子から信号が入力
されなくなると前記光発振素子が発振を停止する
ことにより、前記オン、オフ制御がステツプ的に
なされるように構成したものであるから、負荷に
対するオン、オフ制御を行うに際し、入力信号の
有無だけで、特に入力信号の極性を異ならすこと
なくステツプ応答性が持たせられ、さらには入力
信号が緩やかに変化するものであつてもステツプ
応答性が持たせられるものなる。
電源と、光発振結合素子を構成するものであつて
電流値に応じて発光する半導体発光素子及び負荷
に流れる電流をオン、オフ制御する光発振素子
と、限流用抵抗とを直列接続し、入力信号端子を
逆流防止用ダイオードを介して前記半導体発光素
子と前記光発振素子との間に接続してなり、前記
入力信号端子から信号が入力されると該信号と前
記直列接続した回路の電流とが前記光発振素子に
重畳的に流れ、前記入力信号端子から信号が入力
されなくなると前記光発振素子が発振を停止する
ことにより、前記オン、オフ制御がステツプ的に
なされるように構成したものであるから、負荷に
対するオン、オフ制御を行うに際し、入力信号の
有無だけで、特に入力信号の極性を異ならすこと
なくステツプ応答性が持たせられ、さらには入力
信号が緩やかに変化するものであつてもステツプ
応答性が持たせられるものなる。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図、第
2図は、その特性図、第3図は、その光発振素子
の特性図、第4図は、本発明の他の実施例を示す
回路図、第5図は、従来例におけるサイリスタの
特性図、第6図は、従来例におけるトランジスタ
の特性図。 1……直流電源、2……半導体発光素子、3…
…光発振素子、4……入力信号端子、6……逆流
防止ダイオード、7……限流用抵抗、8……負
荷、X……光発信結合素子。
2図は、その特性図、第3図は、その光発振素子
の特性図、第4図は、本発明の他の実施例を示す
回路図、第5図は、従来例におけるサイリスタの
特性図、第6図は、従来例におけるトランジスタ
の特性図。 1……直流電源、2……半導体発光素子、3…
…光発振素子、4……入力信号端子、6……逆流
防止ダイオード、7……限流用抵抗、8……負
荷、X……光発信結合素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 直流電源と、光発振結合素子を構成するもの
であつて電流値に応じて発光する半導体発光素子
及び負荷に流れる電流をオン、オフ制御する光発
振素子と、限流用抵抗とを直列接続し、 入力信号端子を逆流防止用ダイオードを介して
前記半導体発光素子と前記光発振素子との間に接
続してなり、 前記入力信号端子から信号が入力されると該信
号と前記直列接続した回路の電流とが前記光発振
素子に重畳的に流れ、前記入力信号端子から信号
が入力されなくなると前記光発振素子が発振を停
止することにより、前記オン、オフ制御がステツ
プ的になされる無接点スイツチング回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10604880A JPS5731230A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Contactless switching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10604880A JPS5731230A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Contactless switching circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5731230A JPS5731230A (en) | 1982-02-19 |
| JPS6126251B2 true JPS6126251B2 (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=14423739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10604880A Granted JPS5731230A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Contactless switching circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5731230A (ja) |
-
1980
- 1980-07-31 JP JP10604880A patent/JPS5731230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5731230A (en) | 1982-02-19 |
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