JPS61266573A - スパツタリング装置 - Google Patents

スパツタリング装置

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JPS61266573A
JPS61266573A JP10909385A JP10909385A JPS61266573A JP S61266573 A JPS61266573 A JP S61266573A JP 10909385 A JP10909385 A JP 10909385A JP 10909385 A JP10909385 A JP 10909385A JP S61266573 A JPS61266573 A JP S61266573A
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JP
Japan
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target
guide roller
sample
sputtering
metal
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JP10909385A
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Katsuhide Manabe
勝英 真部
Masatoshi Tsutsui
筒井 將年
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Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) この発明は布、フィルム等の長尺試料の表面に金属を付
着させるスパッタリング装置に関するものである。
(従来の技術) 従来、フィルム等の長尺試料の表面に金属被膜を形成す
る装置として巻取式のスパッタリング装置が知られてい
る。この装置は第6図に示すように、タンク51内に平
板型のターゲット52が水平状態に延設され、送出ロー
ラ53から送り出された長尺試料54が前記ターゲット
52と対向する位置に平行に配設されたガイドローラ5
5を経て巻取ローラ56により巻取られるようになって
いる。従って、ターゲット52から飛出すスパッタリン
グ金属の付着する範囲が狭いため、巻取速度を速くする
ことができないという問題点がある。
又、平板型ターゲットを使用しているため、スパッタリ
ング圧力が10=Torr台と高くなり、長尺試料54
の表面に形成される金属被膜の色調がやや黒っぽくなり
やすいという問題もある。
(発明が解決しようとする問題点) 本願発明者等は前記従来装置の問題点を解決するため、
円筒型ターゲットを使用する新規な巻取式スパッタリン
グ処理装置を発明したが、同スパッタリング処理装置に
おいては長尺試料が円筒型ターゲットの周囲を囲む状態
で移動するように案内するがイドローラの周面にもスパ
ッタリング金属が付着する。そのため、長時間運転を行
う場合にはガイドローラ表面に付着した金属に起因する
試料の汚染及びガイドローラが加熱することによる試料
に対する悪影響のおそれがある。この発明は前記従来装
置におけるスパッタリング処理速度が遅い点及びスパッ
タリング処理により形成される金属被膜の色調が黒っぽ
くなりやすいという問題点を解決するとともに、前記ガ
イドローラへのスパッタリング金属の付着に起因する問
題点を解決するものである。
発明の構成 (問題点を解決するための手段) 前記の問題点を解決するためこの発明においては、円筒
型ターゲットの周囲に布、フィルム等の長尺試料を案内
するガイドローラを、前記長尺試料の移動経路が前記円
筒型ターゲットを囲むほぼ円周状となるように前記円筒
型ターゲットを中心とした円周上に多数配設し、前記ガ
イドローラと前記ターゲットとの間にガイドローラの直
径以上の幅を有する防着部材を各ガイドローラと対向し
て配設するという構成を採用した。
(作用) この発明においては円筒状に形成されたターゲットから
スパッタリング金属が放射状に飛散し、長尺試料はガイ
ドローラに案内されながら前記ターゲットの周囲を移動
するためスパッタリング金属が付着する範囲が広くなり
、長尺試料の巻取速度を速くしても所定の厚さの金属被
膜が長尺試料の表面に形成される。又、長尺試料を案内
するガイドローラと対向する位置のターゲットから飛散
し   □たスパッタリング金属はガイドローラとター
ゲットとの間に配設された防着部材の表面に付着するた
め、ガイドローラの表面にはスパッタリング金属が付着
しない。
(実施例) 以下この発明を具体化した一実施例を第1〜4図に従っ
て説明する。スパッタリング装置本体1は基台2と、同
基台2上にバッキング(図示しない)を挾んで気密状体
に載置されるケーシング3とから構成されている。ケー
シング3の上方には図示しないフレームに回転自在に支
持された2対の定滑車4が配設され、同定滑車4には前
記ケーシング3を吊下支持するための2本のワイヤ5が
、一端がケーシング3の上部に突設された掛止リング6
に連結され、他端がバランスウェイト7に連結された状
態で巻掛されている。前記両バランスウェイト7の合計
重量は、小さな力でケーシング3を上下動可能とするた
めケーシング3の重量より若干軽い値に設定されている
。ケーシング3の前面(第1図の下方)には、ケーシン
グ3に近接した位置に垂直状態で立設されたガイドレー
ル8と係合可能なコロ9が回転自在に取付けられている
。又、ケーシング3の後部には第1,4図に示すように
モータ10の回転軸に取付けられたビニオン11と噛合
するラック12aを有し、モータ10の正逆回転により
上下動される押上部材12の上部と係合可能な係合部1
3が突設されている。
そして、押上部材12の上下動によりケーシング3が昇
降作動されるようになっている。
ケーシング3の円筒部中央には有底円筒状のターゲット
14がIFIIR可能に吊下支持されている。
ターゲット14はその少なくとも表面部がスパッタリン
グ用の金属で形成され、その内部空間にはリング状の永
久磁石15が所定間隔で嵌装された支持筒16が配設さ
れている。支持筒16の下部には外部から圧縮空気が供
給されるベローズ17が配設され、圧縮空気の供給排気
により支持筒16が上下動されるようになっている。タ
ーゲット14としての陰極の周囲には8本の上下方向に
延びる線状部を有する組型の陽極18が、その線状部が
ターゲット14を中心とする同一円周上に位置するよう
に配設されている。ターゲット14としての陰極と陽極
18との間には50〜1000Vの直流電圧が印加され
るようになっている。
前記円筒型ターゲット14の周囲には布、フィルム等の
長尺試料19を案内する6本のガイドローラ2oがター
ゲット14を中心とする同一円周上に等間隔で配設され
ている。前記ガイドローラ20は基台2上に配設され、
平面はぼ6角形状をなす上部支持フレーム21a及び下
部支持フレーム21b間に回転自在に支持されている。
前記上部支持フレーム21aを支持する支柱22はガイ
ドローラ20へのスパッタリング金属の付着を防止する
防着部材の役割を果たすため前記ガイドローラ20の内
側に配設されるとともに各ガイドローラ20の直径より
も幅広に形成されている。各支柱22にはターゲット1
4と反対側に冷却用の水冷配管23が配設されている。
前記ガイドローラ20が配設された円周の外側には長尺
試料を送り出す送出ローラ24と、スパッタリング処理
後の長尺試料19を巻き取る巻取ローラ25とが垂直状
態で回転自在に配設されている。両ローラ24.25は
それぞれ基台2上に配設され図示しない外部駆動機構に
より駆動される駆動軸27aと、前記上部支持フレーム
21aから突設された支持ブラケット26に回転自在に
取り付けられた被動輪27bとの間に着脱可能に取付け
られるようになっている。両ローラ24゜25に近接す
るガイドローラ20間には一対の補助ガイドローラ28
a 、28bが配設され、送出ローラ24から送り出さ
れる長尺試料19は一方の補助ガイドローラ28aを経
てガイドローラ20に案内され、スパッタリング処理後
の長尺試料19は他方の補助ガイドローラ28bを経て
巻取ローラ25に巻き取られるようになっている。又、
両補助ガイドローラ28a、28bの間隙と対応する位
置には防暑板29が立設され、そのターゲット14と反
対側には前記支柱22と同様水冷配管23が配設されて
いる。
前記基台2にはスパッタリング装置本体1内を減圧する
ためのポンプに接続されるバイア30が接続されている
。バイブ30は水抜バルブ31を介して拡散ポンプ32
に接続される系統と、組法バルブ33を経てメカニカル
ブースターポンプ34及びロータリーポンプ35に接続
される系統の2つに分岐されるとともに、前記拡散ポン
プ32とメカニカルブースターポンプ34とが補助バル
ブ36を介して接続されている。又、前記バイブ30に
はリークバルブ37が接続されている。又、ケーシング
3にはバルブ38a、39aを介してアルゴン(Ar 
)ガスボンベ38及び酸素ガスボンベ39に接続された
バイブ40が連結されている。
次に前記のように構成された装置の作用を説明する。
まず、リークバルブ37が開放されてケーシング3内の
圧力が大気圧と平衡な状態でモータ10を正転駆動させ
、押上部材12を押し上げ、第2図に鎖線で示すように
ケーシング3を上方へ吊下する。この状態で送出ローラ
24を駆動軸27a及び被動軸27bから取り外し、長
尺試料19を送出ローラ24に巻き付ける。次に長尺試
料19が巻き付けられた送出ローラ24を前記駆動軸2
7a及び被動軸27b間に取り付け、その一端側から送
り出しながら補助ガイドローラ28a1ガイドローラ2
0.補助ガイドローラ28bを経て巻取ローラ25まで
導き、長尺試料19の一端を巻取ローラ25の表面に止
着する。次にモータ10を逆転駆動させ、押上部材12
をビニオン11及びラック12aの作用により下降移動
させケーシング3を基台2上に載置する。ケーシング3
は自重及びバッキングの作用により気密性が保持された
状態で基台2上に載置される。
次にスパッタリング装置本体1内を減圧する。
拡散ポンプ32及びロータリーポンプ35は常時作動し
ているので、まずリークバルブ37を閉じ次いで組法バ
ルブ33を開く。ロータリーポンプ35の作用によりス
パッタリング装置本体1内の圧力が20Torr以下に
なった状態でメカニカルブースターポンプ34が作動さ
れる。そして、装置本体1内の圧力が5 x 10−2
Torr以下になった状態で組法バルブ33を閉じ、次
いで補助バルブ36、水抜バルブ31を開放して装置本
体1内の真空度をざらに高真空の1O−5Torr台ま
で減圧する。
長尺試料19からのガス放出により排気速度が遅い時に
は、巻取ローラ25及び送出ローラ24を駆動して長尺
試料19の巻取り、巻きもどしを行うことにより排気速
度を速くすることができる。
この場合通常は水抜バルブ31が開放状態となった後に
巻取り、巻きもどしを行う。しかしガス放出が多い場合
はメカニカルブースターポンプ34の作動後に行う。な
お、巻取り、巻きもどしは10RI/1n程度の速度で
行われる。
次にアルゴンガスボンベ38から装置本体1内にアルゴ
ンガスを送り込むとともに、拡散ポンプ32から徐々に
排出することにより装置本体1内を低圧アルゴンガス雰
囲気に保持する。
次に水冷配管23に水を供給し、ターゲット14及び陽
極18間に直流高電圧を印加するとともに送出ローラ2
4及び巻取ローラ25を駆動する。
ターゲット14及び陽極18間に直流高電圧を印加する
ことによりグロー放電が起こり、スパッタリング装置本
体1内のアルゴンガスが放電エネルギーによりイオン化
し、イオン化されたアルゴンイオン・がターゲット(陰
極)14側へ加速されてターゲット14に衝突し、ター
ゲット14表面から金属を叩き出す。ターゲット14表
面から叩き出された金属はターゲット14から放射状に
飛散する。長尺試料19は補助がイドローラ28a1ガ
イドローラ20、補助ガイドローラ28bを経てターゲ
ット14の周囲を囲むほぼ円周状の移動経路を通って巻
取ローラ25に巻き取られるので、ターゲット14から
放射状に飛散するスパッタリング金属が長尺試料19に
付着する範囲が広範囲に及び、巻取ローラ25の巻取速
度を速めても長尺試料19の表面には所定の厚さの金属
被膜が確実に形成される。従来装置においては500オ
ングストロームの厚さの被膜を形成するには2〜3II
I/■inの巻取速度でしか行えなかったが、この実施
例の装置においては5n+/ff1inの巻取速度で5
00オングストロームの厚さの金属被膜が長尺試料19
の表面に形成された。すなわち、従来装置に比較して2
〜3倍の速さでスパッタリング処理を行うことができる
。
ターゲット14から飛散したスパッタリング金属は長尺
試料19の表面以外にも付着するが、この実施例の装置
においてはガイドローラ20の内側(ターゲット14側
)に配設された支柱22がガイドローラ20のカバーす
なわち防着板の役割を果たし、しかも水冷配管23によ
り常に冷却されるため、スパッタリング金属がガイドロ
ーラ20に付着したりガイドローラ20が加熱されるこ
とがないため、ガイドローラ2oにスパッタリング金属
が付着することによる長尺試料19の汚染あるいはガイ
ドローラ20の加熱に伴う長尺試料19への悪影響を確
実に防止することができる。
長尺試料19にターゲット14を構成する金属被膜を形
成する代わりに、金属酸化物の被膜を形成する場合には
、前記酸素ガスボンベ39に通ずるバルブ39aも開放
しスパッタリング装置本体1内にアルゴンガスとともに
酸素ガスを供給し、同装置本体1内をアルゴン及び酸素
の低圧混合気雰囲気に保持した状態でターゲット14と
陽極18間に直流高電圧を印加する。アルゴンガス及び
酸素ガスが存在する場合には、前記と同様にしてターゲ
ット14から叩き出された金属が直ちに酸素イオンによ
り酸化されて酸化物となり、酸化物の状態で長尺試料1
9に付着するため長尺試料19の表面には金属酸化物の
被膜が形成される。
なお、この発明は前記実施例に限定されるものではなく
、例えば次のようにして具体化することも可能である。
(1)第5図<a )〜(d ’)に示すように防着部
材の役割も兼ねた支柱22を断面V字状、円弧状、U状
あるいは平板状に形成してもよい。
(2)支柱22をガイドローラ20の防着部材の役割を
果すために各ガイドローラ20の内側に配設することは
必ずしも必要ではなく、支柱22を長尺試料19の移動
経路の外側に配設し、支柱22とは別に防着部材を配設
してもよい。この場合には防着部材の材質は金属に限ら
ず耐熱性のあるセラミックス等で形成してもよい。さら
に、スパッタリング装置の連続運転時間が短い場合には
防着部材をガイドローラ20から離れた位置に配置すれ
ば水冷配管23は必ずしも必要でない。
〈3)送出ローラ24及び巻取ローラ25をガイドロー
ラ20が配設された同一円周上に配置してもよい。この
場合には送出ローラ24及び巻取ローラ25に巻かれて
いる長尺試料19にスパッタリング金属が付着するのを
防ぐための防着部材を設ける必要がある。
(4)ターゲット14を構成する金属は特に限定されず
、スパッタリング可能な全ての金属(合金を含む)を採
用することができる。すなわち、単体の金属としては金
、銀、アルミニウム、スズ、亜鉛、チタン、ニッケル、
銅、コバルト、クロム等が、合金ではハステロイ、パー
マロイ、ステンレス鋼が耐蝕性や色彩の点で適している
。前記金属あるいは合金は用途、色調、コスト等に応じ
て選択される。
(5)前記実施例の装置における酸素ガスボンベ39に
代えて窒素ガスボンベを接続することにより金属酸化物
被膜に代えて金属窒化物被膜を長尺試料19の表面に付
着することも可能である。又、アルゴンガスに代えてキ
セノン等の不活性ガスを使用してもよい。
(6)前記の他に、スパッタリング装置本体1を基台2
とその上面に載置されるケーシング3とから構成する代
わりに、有底のケーシングとその上部開口部を気密状態
に覆う蓋体とから構成したり、ガイドローラ20も積極
駆動される構成を採用するなどこの発明の趣旨を逸脱し
ない範囲において各部の形状、構成等を任意に変更する
ことも可能である。
発明の効果 以上詳述したように、この発明によれば円筒型ターゲッ
トの周囲を取囲むように長尺試料が移動し、前記ターゲ
ットから放射状に飛散するスパッタリング金属が長尺試
料表面に付着されるのでスパッタリング金属が付着する
範囲が広くなり、長尺試料の巻取速度すなわちスパッタ
リング処理速度を速くすることができる。又、円筒型タ
ーゲットを使用することによりスパッタリング圧力を1
0”4Torr台に低くすることができるの゛で、長尺
試料の表面に形成される金属被膜の色調が黒ずむことを
防止することができる。さらに、長尺試料を案内するガ
イドローラの表面に対するスパッタリング金属の付着及
びガイドローラの加熱を確実に防止することができ、ガ
イドローラへのスパッタリング金属の付着に伴う試料の
汚染あるいはガイドローラの加熱に伴う試料に対する悪
影響を確実に回避することができるという優れた効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
第1〜4図はこの発明を具体化した一実施例を示すもの
であって、第1図は平断面図、第2図は一部破断正面図
、第3図は第1図のA−A線断面図、第4図はラック部
分を示す部分斜視図、第5図(a ’)〜(d )は防
着部材としての支柱の変更例を示す平断面図、第6図は
従来のスパッタリング処理装置を示す縦断面図である。 スパッタリング装置本体1、ケーシング3、ターゲット
14、陽極18、長尺試料19、ガイドローラ20、防
着部材としての支柱22、水冷配管23、送出ローラ2
4、巻取ローラ25゜特許出願人   豊田合成 株式
会社 代 理 人   弁理士  恩1)博宣第1図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、円筒型ターゲット(14)の周囲に布、フィルム等
    の長尺試料(19)を案内するガイドローラ(20)を
    、前記長尺試料(19)の移動経路が前記円筒型ターゲ
    ット(14)を囲むほぼ円周状となるように前記円筒型
    ターゲット(14)を中心とした円周上に多数配設し、
    前記ガイドローラ(20)と前記ターゲット(14)と
    の間にガイドローラ(20)の直径以上の幅を有する防
    着部材(22)を各ガイドローラ(20)と対向して配
    設したことを特徴とするスパッタリング装置。 2、前記防着部材(22)は前記ガイドローラ(20)
    の近傍に配設されるとともに、前記ターゲット(14)
    と反対側に冷却用の水冷配管(23)が装備されている
    特許請求の範囲第1項に記載のスパッタリング装置。
JP10909385A 1985-05-21 1985-05-21 スパツタリング装置 Granted JPS61266573A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10909385A JPS61266573A (ja) 1985-05-21 1985-05-21 スパツタリング装置
EP86106806A EP0205917B1 (en) 1985-05-21 1986-05-20 Sputtering apparatus
DE8686106806T DE3675270D1 (de) 1985-05-21 1986-05-20 Zerstaeubungsgeraet.

Applications Claiming Priority (1)

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JP10909385A JPS61266573A (ja) 1985-05-21 1985-05-21 スパツタリング装置

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JPS61266573A true JPS61266573A (ja) 1986-11-26
JPH0224909B2 JPH0224909B2 (ja) 1990-05-31

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276971A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd スパツタリング装置
JPH01147061A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Sharp Corp パレット移動型スパッタリング装置
WO1992016671A1 (fr) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Procede et dispositif de formation d'une couche mince par pulverisation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5252133A (en) * 1975-07-11 1977-04-26 Tokuda Seisakusho Continuous film coating apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5252133A (en) * 1975-07-11 1977-04-26 Tokuda Seisakusho Continuous film coating apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276971A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd スパツタリング装置
JPH01147061A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Sharp Corp パレット移動型スパッタリング装置
WO1992016671A1 (fr) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Procede et dispositif de formation d'une couche mince par pulverisation

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