JPS6126851B2 - - Google Patents
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- JPS6126851B2 JPS6126851B2 JP55126189A JP12618980A JPS6126851B2 JP S6126851 B2 JPS6126851 B2 JP S6126851B2 JP 55126189 A JP55126189 A JP 55126189A JP 12618980 A JP12618980 A JP 12618980A JP S6126851 B2 JPS6126851 B2 JP S6126851B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- output
- emitter
- emitter follower
- feedback
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/411—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/01—Details
- H03K3/013—Modifications of generator to prevent operation by noise or interference
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラツチ回路に関し、更に詳細には、点
結合された(dotted)エミツタ出力回路を有する
電流スイツチ・エミツタ・フオロア(CSEF)ラ
ツチ回路に関する。
結合された(dotted)エミツタ出力回路を有する
電流スイツチ・エミツタ・フオロア(CSEF)ラ
ツチ回路に関する。
本発明の目的はターン・オン及びターン・オフ
期間の出力のノイズを減少させるようにしたラツ
チ回路を提供することである。
期間の出力のノイズを減少させるようにしたラツ
チ回路を提供することである。
他の目的はターン・オン及びターンオフ期間の
クロツク信号によるノイズを減少させるように内
部補償された電流スイツチ・エミツタ・フオロ
ア・ラツチを提供することである。
クロツク信号によるノイズを減少させるように内
部補償された電流スイツチ・エミツタ・フオロ
ア・ラツチを提供することである。
他の目的は遅延あるいは擬似出力信号を与える
ことなく出力におけるノイズを減少させるように
した、点結合エミツタ出力を有する電流スイツ
チ・エミツタ・フオロア・ラツチを提供すること
である。
ことなく出力におけるノイズを減少させるように
した、点結合エミツタ出力を有する電流スイツ
チ・エミツタ・フオロア・ラツチを提供すること
である。
エミツタ・フオロアが一緒に点結合されたとき
CSEFはノイズを発生する。ノイズは出力レベル
に迅速な信号変動即ちグリツチ(glitch)として
現れる。ノイズは出力信号の前縁及び後縁の両方
において生じる。ノイズは夫々の電流スイツチの
入力トランジスタへのクロツク信号が変化すると
き、点結合エミツタ・フオロアの一方がターン・
オンし他方がターン・オフするという非対称的動
作の結果として生じる。ターン・オン及びター
ン・オフにおける違いは出力信号レベルに急激な
変化即ちグリツチを生じる。このようなラツチの
出力信号におけるノイズを制御する1つの方法は
一方のエミツタ・フオロアがオフになる前に他方
のエミツタ・フオロアを十分にオンにするように
クロツク信号を変えることである。この技術はデ
ータの処理に遅延を与えるため高速なデータ処理
では望ましくはない。もう1つの技術は出力信号
に与えられるノイズを補償するようにラツチに付
加的素子を設けることである。ノイズを補償しな
ければ、相次ぐラツチ段に擬似信号が与えられ、
処理中の情報に間違つたデータが与えられる。
CSEFはノイズを発生する。ノイズは出力レベル
に迅速な信号変動即ちグリツチ(glitch)として
現れる。ノイズは出力信号の前縁及び後縁の両方
において生じる。ノイズは夫々の電流スイツチの
入力トランジスタへのクロツク信号が変化すると
き、点結合エミツタ・フオロアの一方がターン・
オンし他方がターン・オフするという非対称的動
作の結果として生じる。ターン・オン及びター
ン・オフにおける違いは出力信号レベルに急激な
変化即ちグリツチを生じる。このようなラツチの
出力信号におけるノイズを制御する1つの方法は
一方のエミツタ・フオロアがオフになる前に他方
のエミツタ・フオロアを十分にオンにするように
クロツク信号を変えることである。この技術はデ
ータの処理に遅延を与えるため高速なデータ処理
では望ましくはない。もう1つの技術は出力信号
に与えられるノイズを補償するようにラツチに付
加的素子を設けることである。ノイズを補償しな
ければ、相次ぐラツチ段に擬似信号が与えられ、
処理中の情報に間違つたデータが与えられる。
本発明は出力信号レベルを実質的に一定に保つ
べく一方のエミツタ・フオロアのターン・オフを
遅延させると共に他方のエミツタ・フオロアのタ
ーン・オフを加速させるように点結合エミツタ・
フオロアの内部補償を行なうことによつてノイズ
の問題を解決する。この内部補償は各電流スイツ
チの入力トランジスタ抵抗を点結合することによ
つて達成される。共通のシフト抵抗に接続された
点結合コレクタ抵抗は各エミツタ・フオロアの入
力に結合される。従つて両方のエミツタ・フオロ
アは共通のベース入力電圧レベルを受取るからタ
ーン・オン時は同程度だけ導通する。エミツタ・
フオロアへの入力レベルが同じ場合クロツク信号
はこれらのトランジスタを同じようにターン・オ
フする。クロツク信号は一方のエミツタ・フオロ
アが強くターン・オンし他方のエミツタ・フオロ
アがゆつくりターン・オフするように制御でき
る。その結果出力信号レベルが実質的に一定にな
り、ノイズが除去される。
べく一方のエミツタ・フオロアのターン・オフを
遅延させると共に他方のエミツタ・フオロアのタ
ーン・オフを加速させるように点結合エミツタ・
フオロアの内部補償を行なうことによつてノイズ
の問題を解決する。この内部補償は各電流スイツ
チの入力トランジスタ抵抗を点結合することによ
つて達成される。共通のシフト抵抗に接続された
点結合コレクタ抵抗は各エミツタ・フオロアの入
力に結合される。従つて両方のエミツタ・フオロ
アは共通のベース入力電圧レベルを受取るからタ
ーン・オン時は同程度だけ導通する。エミツタ・
フオロアへの入力レベルが同じ場合クロツク信号
はこれらのトランジスタを同じようにターン・オ
フする。クロツク信号は一方のエミツタ・フオロ
アが強くターン・オンし他方のエミツタ・フオロ
アがゆつくりターン・オフするように制御でき
る。その結果出力信号レベルが実質的に一定にな
り、ノイズが除去される。
第1図はCSEFラツチ回路のブロツク図であ
り、このラツチ回路はデータ・ポート及びフイー
ドバツク・ポートとして表わすことができる第1
の電流スイツチ10及び第2の電流スイツチ12
を含む。スイツチ回路10は2進1として表わさ
れる正電圧レベル即ち高電圧レベルと2進0とし
て表わされるアース・レベル即ち低電圧レベルと
の間で変わりうデータ信号14を第1の入力とし
て受取る。回路10は更に端子16に負のクロツ
ク信号―CLを第2の入力として受取る。負のク
ロツクは正電圧レベルと負電圧レベルとの間で変
わり、負電圧レベルの部分がクロツクの能動な部
分となる。回路10の出力信号はエミツタ・フオ
ロア18に現われる。回路10は接続20により
回路12に結合されている。接続20の詳細につ
いては後述する。回路10,12の間には破線で
示されている接続21も存在し、これは後述する
ように本発明の一部を形成する。
り、このラツチ回路はデータ・ポート及びフイー
ドバツク・ポートとして表わすことができる第1
の電流スイツチ10及び第2の電流スイツチ12
を含む。スイツチ回路10は2進1として表わさ
れる正電圧レベル即ち高電圧レベルと2進0とし
て表わされるアース・レベル即ち低電圧レベルと
の間で変わりうデータ信号14を第1の入力とし
て受取る。回路10は更に端子16に負のクロツ
ク信号―CLを第2の入力として受取る。負のク
ロツクは正電圧レベルと負電圧レベルとの間で変
わり、負電圧レベルの部分がクロツクの能動な部
分となる。回路10の出力信号はエミツタ・フオ
ロア18に現われる。回路10は接続20により
回路12に結合されている。接続20の詳細につ
いては後述する。回路10,12の間には破線で
示されている接続21も存在し、これは後述する
ように本発明の一部を形成する。
回路12の第1の入力として端子22に正のク
ロツク+CLが与えられる。正のクロツクは負電
圧と正電圧レベルとの間で変わり、正電圧レベル
部分がクロツクの能動な部分となる。回路12の
第2への入力はフイードバツク・ループ24によ
り与えられる。フイードバツク・ループ24は接
続20に結合され且つエミツタ・フオロア26を
通つている。回路12の出力はエミツタ・フオロ
ア28を介して取出され、エミツタ・フオロア2
8はエミツタ・フオロア18に結合されている。
共通の出力30は点結合エミツタ・フオロア1
8,28から取出される。
ロツク+CLが与えられる。正のクロツクは負電
圧と正電圧レベルとの間で変わり、正電圧レベル
部分がクロツクの能動な部分となる。回路12の
第2への入力はフイードバツク・ループ24によ
り与えられる。フイードバツク・ループ24は接
続20に結合され且つエミツタ・フオロア26を
通つている。回路12の出力はエミツタ・フオロ
ア28を介して取出され、エミツタ・フオロア2
8はエミツタ・フオロア18に結合されている。
共通の出力30は点結合エミツタ・フオロア1
8,28から取出される。
第2図は第1図に示されるラツチの従来の回路
を示している。この回路はデータ端子14に2進
0が存在しフイードバツク・ループが2進0状態
にありそして正及び負の両方のクロツク信号が存
在するとき、出力30に現われる信号がノイズを
持つという問題を有する。後述するように、エミ
ツタ・フオロア18のターン・オンとエミツタ・
フオロア28のターン・オフは等しくなく且つ反
対であり、結果としてこの遷移時にノイズを生じ
る。というのは、一方の電流スイツチの出力の立
ち上がりの後、少し時間を経て他方の電流スイツ
チの出力が立ち下がるまでの間に、トランジスタ
34がオンになり、抵抗46の大きい電圧降下を
もたらす。これにより、トランジスタ18のベー
ス電圧が十分上昇できないので、トランジスタ1
8による出力30への寄与が低下し、トランジス
タ(エミツタ・フオロア)18とトランジスタ2
8の双方の協働によつて生じる出力30には、下
降するノイズが生じる。他のデータ入力及びフイ
ードバツク状態例えばデータが2進0、フイード
バツクが2進1の場合、又はデータが2進1、フ
イードバツクが2進1あるいは2進0の場合はノ
イズの問題が生じない。データ及びフイードバツ
クが共に2進1の場合は両方のエミツタ・フロア
が等しくターン・オンする。データ及びフイード
バツクが反対対極性の場合は出力の状態が変わ
り、ノイズは生じない。というのは、その状態で
は、データまたはフイードバツク信号により、ト
ランジスタ32またはトランジスタ50のうちの
一方の状態が固定され、第3図の時間T2におけ
るようなトランジスタ18,28の相次ぐ状態遷
移が生じないからである。
を示している。この回路はデータ端子14に2進
0が存在しフイードバツク・ループが2進0状態
にありそして正及び負の両方のクロツク信号が存
在するとき、出力30に現われる信号がノイズを
持つという問題を有する。後述するように、エミ
ツタ・フオロア18のターン・オンとエミツタ・
フオロア28のターン・オフは等しくなく且つ反
対であり、結果としてこの遷移時にノイズを生じ
る。というのは、一方の電流スイツチの出力の立
ち上がりの後、少し時間を経て他方の電流スイツ
チの出力が立ち下がるまでの間に、トランジスタ
34がオンになり、抵抗46の大きい電圧降下を
もたらす。これにより、トランジスタ18のベー
ス電圧が十分上昇できないので、トランジスタ1
8による出力30への寄与が低下し、トランジス
タ(エミツタ・フオロア)18とトランジスタ2
8の双方の協働によつて生じる出力30には、下
降するノイズが生じる。他のデータ入力及びフイ
ードバツク状態例えばデータが2進0、フイード
バツクが2進1の場合、又はデータが2進1、フ
イードバツクが2進1あるいは2進0の場合はノ
イズの問題が生じない。データ及びフイードバツ
クが共に2進1の場合は両方のエミツタ・フロア
が等しくターン・オンする。データ及びフイード
バツクが反対対極性の場合は出力の状態が変わ
り、ノイズは生じない。というのは、その状態で
は、データまたはフイードバツク信号により、ト
ランジスタ32またはトランジスタ50のうちの
一方の状態が固定され、第3図の時間T2におけ
るようなトランジスタ18,28の相次ぐ状態遷
移が生じないからである。
電流スイツチ10はエミツタ32e1,32e
2、ベース32b1、32b2を有するマルチエ
ミツタ・トランジスタ32を含む。トランジスタ
32はコレクタ32cに反転出力を与える。電流
スイツチ10にはシングル・エミツタ・トランジ
スタ34がが設けられており、非反転出力を与え
る。ここで用いられている形式のマルチエミツ
タ・トランジスタは1977年McGraw Hill社出版の
Digital lntegrated EIectronicsの第199頁に示さ
れている。
2、ベース32b1、32b2を有するマルチエ
ミツタ・トランジスタ32を含む。トランジスタ
32はコレクタ32cに反転出力を与える。電流
スイツチ10にはシングル・エミツタ・トランジ
スタ34がが設けられており、非反転出力を与え
る。ここで用いられている形式のマルチエミツ
タ・トランジスタは1977年McGraw Hill社出版の
Digital lntegrated EIectronicsの第199頁に示さ
れている。
トランジスタ32はベース32b1,32b2
にデータ入力14及びクロツク入力16を受取
る。トランジスタ34のベースは基準電圧VRに
接続されている。トランジスタ32,34は共通
エミツタ接続され、トランジスタ38、抵抗40
を介して電力シンク36に接続されている。トラ
ンジスタ32は負荷抵抗44及びシフタ抵抗46
を介して電源42(VCC)に接続されている。
シフト抵抗の目的は対称的出力スイングを与える
ことである。即ち、出力電圧レベルは基準レベル
即ちアース・レベルに関して対称である。エミツ
タ・フオロア・トランジスタ18のベースはトラ
ンジスタ32のコレクタに結合される。トランジ
スタ34のコレクタは負荷抵抗48及びシフト抵
抗46を介して電源42に結合され、またエミツ
タ・フオロア・トランジスタ26のベースに接続
されている。
にデータ入力14及びクロツク入力16を受取
る。トランジスタ34のベースは基準電圧VRに
接続されている。トランジスタ32,34は共通
エミツタ接続され、トランジスタ38、抵抗40
を介して電力シンク36に接続されている。トラ
ンジスタ32は負荷抵抗44及びシフタ抵抗46
を介して電源42(VCC)に接続されている。
シフト抵抗の目的は対称的出力スイングを与える
ことである。即ち、出力電圧レベルは基準レベル
即ちアース・レベルに関して対称である。エミツ
タ・フオロア・トランジスタ18のベースはトラ
ンジスタ32のコレクタに結合される。トランジ
スタ34のコレクタは負荷抵抗48及びシフト抵
抗46を介して電源42に結合され、またエミツ
タ・フオロア・トランジスタ26のベースに接続
されている。
電流スイツチ12はエミツタ50e1,50e
2,ベース50b1,50b2を有するマルチエ
ミツタ・トランジスタ50を含む。トランジスタ
50はコレクタ50cに反転出力を与える。電流
スイツチ12は更にシングル・エミツタ・トラン
ジスタ52を含み、これは非反転出力を与える。
トランジスタ50,52は共通エミツタ接続さ
れ、トランジスタ54、抵抗56を介して電力シ
ンク36に結合されている。トランジスタ52は
エミツタ・フオロア・トランジスタ26及びフイ
ードバツク24によりトランジスタ50のベース
へフイードバツク信号を与える。トランジスタ5
2は共通の接続20を介してトランジスタ34の
コレクタに接続されると共に、そのベースは基準
電圧VRに接続されている。トランジスタ50は
端子22に正クロツク信号+CLを受取ると共に
接続24を介してフイードバツク信号を受取る。
トランジスタ50のコレクタは負荷抵抗58及び
シフト抵抗60により電源42と同じ電源に接続
されている。エミツタ・フオロア・トランジスタ
28のベースはトランジスタ50のコレクタに接
続され、そのエミツタはエミツタ・フオロア・ト
ランジスタ18のエミツタに結合されている。出
力信号はエミツタ・フオロア18,28の共通出
力端子30から取出される。
2,ベース50b1,50b2を有するマルチエ
ミツタ・トランジスタ50を含む。トランジスタ
50はコレクタ50cに反転出力を与える。電流
スイツチ12は更にシングル・エミツタ・トラン
ジスタ52を含み、これは非反転出力を与える。
トランジスタ50,52は共通エミツタ接続さ
れ、トランジスタ54、抵抗56を介して電力シ
ンク36に結合されている。トランジスタ52は
エミツタ・フオロア・トランジスタ26及びフイ
ードバツク24によりトランジスタ50のベース
へフイードバツク信号を与える。トランジスタ5
2は共通の接続20を介してトランジスタ34の
コレクタに接続されると共に、そのベースは基準
電圧VRに接続されている。トランジスタ50は
端子22に正クロツク信号+CLを受取ると共に
接続24を介してフイードバツク信号を受取る。
トランジスタ50のコレクタは負荷抵抗58及び
シフト抵抗60により電源42と同じ電源に接続
されている。エミツタ・フオロア・トランジスタ
28のベースはトランジスタ50のコレクタに接
続され、そのエミツタはエミツタ・フオロア・ト
ランジスタ18のエミツタに結合されている。出
力信号はエミツタ・フオロア18,28の共通出
力端子30から取出される。
第2図の回路では、第3図の時間T1に示され
ているように、データ・レベル62及びフイード
バツク・レベル66が共に抵レベル即ち2進0状
態のとき問題が生じる。この状態では時間T1の
とき出力レベル64は高レベルである。前のデー
タ入力信号(図示せず)も2進0即ち抵レベルで
あつたからフイードバツク・ループは抵レベル6
6にある。端子16に負クロツク信号68が現わ
れるとトランジスタ32がオフになり、エミツ
タ・フオロア・トランジスタ18が強くターン・
オンして出力70を発生する。トランジスタ50
は端子22に正クロツク信号が現われたときター
ン・オンを開始し、エミツタ・フオロア・トラン
ジスタ28は時間T2でオフに転じ始め、出力7
4を発生する。エミツタ・フオロア・トランジス
タ18がターン・オンして時間T2の後にトラン
ジスタ28がターンオフする。とこがこのとき、
トランジスタ32がオフでもトランジスタ34が
オンであるため、抵抗46には大きい電圧降下が
生じる。よつて、トランジスタ18には十分なベ
ース電圧が与えられないのでトランジスタ18は
十分にオンになることができない。この結果とし
て、トランジスタ18とトランジスタ28のエミ
ツタ電圧の和である出力30には時間T2の後に
下降する出力信号の変動76が生じる。この変動
即ちノイズあるいはグリツチは時間T2の後のク
ロツク信号68及び72の和に比例する。次いで
回路は安定化し、出力レベル64はデータ信号6
2の2進0及びフイードバツク信号66の2進0
に対して2進1レベルで一定である。
ているように、データ・レベル62及びフイード
バツク・レベル66が共に抵レベル即ち2進0状
態のとき問題が生じる。この状態では時間T1の
とき出力レベル64は高レベルである。前のデー
タ入力信号(図示せず)も2進0即ち抵レベルで
あつたからフイードバツク・ループは抵レベル6
6にある。端子16に負クロツク信号68が現わ
れるとトランジスタ32がオフになり、エミツ
タ・フオロア・トランジスタ18が強くターン・
オンして出力70を発生する。トランジスタ50
は端子22に正クロツク信号が現われたときター
ン・オンを開始し、エミツタ・フオロア・トラン
ジスタ28は時間T2でオフに転じ始め、出力7
4を発生する。エミツタ・フオロア・トランジス
タ18がターン・オンして時間T2の後にトラン
ジスタ28がターンオフする。とこがこのとき、
トランジスタ32がオフでもトランジスタ34が
オンであるため、抵抗46には大きい電圧降下が
生じる。よつて、トランジスタ18には十分なベ
ース電圧が与えられないのでトランジスタ18は
十分にオンになることができない。この結果とし
て、トランジスタ18とトランジスタ28のエミ
ツタ電圧の和である出力30には時間T2の後に
下降する出力信号の変動76が生じる。この変動
即ちノイズあるいはグリツチは時間T2の後のク
ロツク信号68及び72の和に比例する。次いで
回路は安定化し、出力レベル64はデータ信号6
2の2進0及びフイードバツク信号66の2進0
に対して2進1レベルで一定である。
時間T3で正クロツク(波形72)が除かれ
る。従つて時間T4で負クロツク(波形68)が
復帰するとき出力64に信号変動78が現われ
る。この場合も、ノイズ78はエミツタ・フオロ
ア・トランジスタ28(波形74)のターン・オ
ン特性及びエミツタ・フオロア・トランジスタ1
8(波形70)の出力の減少の結果として生じ
る。
る。従つて時間T4で負クロツク(波形68)が
復帰するとき出力64に信号変動78が現われ
る。この場合も、ノイズ78はエミツタ・フオロ
ア・トランジスタ28(波形74)のターン・オ
ン特性及びエミツタ・フオロア・トランジスタ1
8(波形70)の出力の減少の結果として生じ
る。
第4図の回路は第2図の回路と関連する問題を
解決する。共通する回路素子は第2図と同じ参照
番号で示されている。第2図と第4図の回路の違
いは接続21によつて電流スイツチ回路10,1
2を結合している点である。第2図の電流スイツ
チ回路10,12は夫々シフト抵抗46,60を
有し、シフト抵抗46は負荷抵抗44,48を介
してトランジスタ32,34のコレクタに結合さ
れシフト抵抗60は負荷抵抗58を介してトラン
ジスタ50に結合されているが、第4図ではトラ
ンジスタ32,50の負荷抵抗45,59に対し
て共通のシフト抵抗46が接続され、トランジス
タ34のコレクタは負荷抵抗49及びシフト抵抗
61を介して電源に結合されている。。接続21
は、フイードバツクの状態に拘わらずトランジス
タ18,28に十分大きいベース電圧を与えるよ
うに働く。というのは、この場合、トランジスタ
34,52のコレクタが抵抗46に接続されてい
ないので、フイードバツクが“0”であつたとし
ても、抵抗46に大きい電流が流れず、すなわち
抵抗46の電圧降下が増大することはない。
解決する。共通する回路素子は第2図と同じ参照
番号で示されている。第2図と第4図の回路の違
いは接続21によつて電流スイツチ回路10,1
2を結合している点である。第2図の電流スイツ
チ回路10,12は夫々シフト抵抗46,60を
有し、シフト抵抗46は負荷抵抗44,48を介
してトランジスタ32,34のコレクタに結合さ
れシフト抵抗60は負荷抵抗58を介してトラン
ジスタ50に結合されているが、第4図ではトラ
ンジスタ32,50の負荷抵抗45,59に対し
て共通のシフト抵抗46が接続され、トランジス
タ34のコレクタは負荷抵抗49及びシフト抵抗
61を介して電源に結合されている。。接続21
は、フイードバツクの状態に拘わらずトランジス
タ18,28に十分大きいベース電圧を与えるよ
うに働く。というのは、この場合、トランジスタ
34,52のコレクタが抵抗46に接続されてい
ないので、フイードバツクが“0”であつたとし
ても、抵抗46に大きい電流が流れず、すなわち
抵抗46の電圧降下が増大することはない。
第5図においてデータ信号62は時間T1〜T
6の期間不変である。負クロツク信号68は時間
T1に現われ始め、時間T2で完全に負レベルに
なる。このとき、正クロツク信号72は、第5図
に示すように、時間T3へ遅延されている。そし
て、トランジスタ32,50は、T2〜T3の間
では−CL、+CLがともに抵レベルだからオフで
ある。この期間の間はシフト抵抗46に電流が流
れない。負クロツク信号68が低レベルになると
エミツタ・フオロア・トランジスタ18のベース
電圧はVCCに上昇し、その出力は急速に高レベ
ルに立上る。時間T1の前にオン状態にあつたエ
ミツタ・フオロア・トランジスタ28のターン・
オフ遷移は正クロツク信号72によつて遅延され
る。このとき、抵抗46及び抵抗59を介してエ
ミツタ・フオロア28にはVcc近くまで上昇する
ベース電圧が加えられ、これによりエミツタ・フ
オロア28の出力74が増大する。そして、次
に、+CLの立ち上りに応答して、エミツタ・フオ
ロア18の出力上昇よりもゆつくりと出力74が
降下する。このように、エミツタ・フオロア18
の出力上昇よりもエミツタ・フオロア28の出力
の下降が遅いのは、抵抗46を介してエミツタ・
フオロア18,28双方のベースに十分大きなベ
ース電圧が加えられているからである。この結
果、エミツタ・フオロア18,28の双方のエミ
ツタ電圧の和である出力端子30の出力は、最初
少し増大し次に減少する信号変動76を有する。
同様に、T4〜T5では、抵抗46を介して加え
られた十分大きなベース電圧により、エミツタ・
フオロア28が迅速にターン・オンし、エミツ
タ・フオロア18がゆつくりとターン・オフす
る。これにより、上記したのと同様にして、再び
出力46は最初少し増大し次にT6の後減少する
信号変動78を生じる。
6の期間不変である。負クロツク信号68は時間
T1に現われ始め、時間T2で完全に負レベルに
なる。このとき、正クロツク信号72は、第5図
に示すように、時間T3へ遅延されている。そし
て、トランジスタ32,50は、T2〜T3の間
では−CL、+CLがともに抵レベルだからオフで
ある。この期間の間はシフト抵抗46に電流が流
れない。負クロツク信号68が低レベルになると
エミツタ・フオロア・トランジスタ18のベース
電圧はVCCに上昇し、その出力は急速に高レベ
ルに立上る。時間T1の前にオン状態にあつたエ
ミツタ・フオロア・トランジスタ28のターン・
オフ遷移は正クロツク信号72によつて遅延され
る。このとき、抵抗46及び抵抗59を介してエ
ミツタ・フオロア28にはVcc近くまで上昇する
ベース電圧が加えられ、これによりエミツタ・フ
オロア28の出力74が増大する。そして、次
に、+CLの立ち上りに応答して、エミツタ・フオ
ロア18の出力上昇よりもゆつくりと出力74が
降下する。このように、エミツタ・フオロア18
の出力上昇よりもエミツタ・フオロア28の出力
の下降が遅いのは、抵抗46を介してエミツタ・
フオロア18,28双方のベースに十分大きなベ
ース電圧が加えられているからである。この結
果、エミツタ・フオロア18,28の双方のエミ
ツタ電圧の和である出力端子30の出力は、最初
少し増大し次に減少する信号変動76を有する。
同様に、T4〜T5では、抵抗46を介して加え
られた十分大きなベース電圧により、エミツタ・
フオロア28が迅速にターン・オンし、エミツ
タ・フオロア18がゆつくりとターン・オフす
る。これにより、上記したのと同様にして、再び
出力46は最初少し増大し次にT6の後減少する
信号変動78を生じる。
出力64は最初少し増大し次にT6の後減少す
る信号変動78を生じる。
る信号変動78を生じる。
従つて明らかなように接続21は、データ入力
端子14に2進0がありフイードバツク・ループ
24が抵抗レベル即ち2進0状態にあるとき実質
的に一定の出力を達成するようにトランジスタ1
8,28のターン・オン及びターンオフを内部補
償する。回路はエミツタ・フオロア28又は18
のターン・オフによつて出力レベルが抵下しない
うちにエミツタ・フオロア18又な28のター
ン・オンによつて出力レベルを高レベルにするよ
うに働く。接続21はエミツタ・フオロア・トラ
ンジスタ18,28に共通の入力電圧を与え、結
果としてそれらの共通の出力は正及び負のクロツ
クの立上り及び立下がりによつて実質的に影響さ
れなくなる。なお、第5図の波形は、第4図の回
路においてデータとフイードバツクがともに2進
0である場合の回路動作を示すものであるが、デ
ータとフイードバツクの値が逆の場合、すなわち
ラツチ動作について手短かに説明しておこう。
端子14に2進0がありフイードバツク・ループ
24が抵抗レベル即ち2進0状態にあるとき実質
的に一定の出力を達成するようにトランジスタ1
8,28のターン・オン及びターンオフを内部補
償する。回路はエミツタ・フオロア28又は18
のターン・オフによつて出力レベルが抵下しない
うちにエミツタ・フオロア18又な28のター
ン・オンによつて出力レベルを高レベルにするよ
うに働く。接続21はエミツタ・フオロア・トラ
ンジスタ18,28に共通の入力電圧を与え、結
果としてそれらの共通の出力は正及び負のクロツ
クの立上り及び立下がりによつて実質的に影響さ
れなくなる。なお、第5図の波形は、第4図の回
路においてデータとフイードバツクがともに2進
0である場合の回路動作を示すものであるが、デ
ータとフイードバツクの値が逆の場合、すなわち
ラツチ動作について手短かに説明しておこう。
例えば、第6図に示すようにデータが2進1、
フイードバツクが2進0にあるときは、+CLの立
ち上がりに応答してフイードバツクが2進1に立
ち上がり、出力が2進0に立ち下がる。このとき
は、エミツタ・フオロア18がオフのままである
ため出力にはノイズがあらわれる虐れがない。
フイードバツクが2進0にあるときは、+CLの立
ち上がりに応答してフイードバツクが2進1に立
ち上がり、出力が2進0に立ち下がる。このとき
は、エミツタ・フオロア18がオフのままである
ため出力にはノイズがあらわれる虐れがない。
一方、第7図に示すようにデータが、2進0
で、フイードバツクで、フイードバツクが2進1
にあるときは、−CLの立ち上がりに応答してフイ
ードバツクが立ち下がり、これによりエミツタ・
フオロア18及び28がともに立ち上がる。こう
して出力が2進1に立ち上がる。第7図では、デ
ータ及びフイードバツクがともに2進0となるた
め、エミツタ・フオロア28のターン・オンとエ
ミツタ・フオロア18のターン・オフが相継ぐ場
合が生じるが、上述した本発明の作用によりこの
ときのノイズの発生は実質的に抑えられる。
で、フイードバツクで、フイードバツクが2進1
にあるときは、−CLの立ち上がりに応答してフイ
ードバツクが立ち下がり、これによりエミツタ・
フオロア18及び28がともに立ち上がる。こう
して出力が2進1に立ち上がる。第7図では、デ
ータ及びフイードバツクがともに2進0となるた
め、エミツタ・フオロア28のターン・オンとエ
ミツタ・フオロア18のターン・オフが相継ぐ場
合が生じるが、上述した本発明の作用によりこの
ときのノイズの発生は実質的に抑えられる。
第1図はラツチのブロツク図、第2図は従来の
ラツチ回路図、第3図は第2図のラツチの動作波
形図、第4図は本発明のラツチ回路図、第5図は
データ及びフイードバツクがともに2進0の場合
の第4図のラツチの動作波形図、第6図はデータ
が2進1でフイードバツクが2進0の場合の第4
図のラツチの動作波形図、第7図はデータが2進
0でフイードバツクが2進1の場合の第4図のラ
ツチの動作波形図である。 10,12…電流スイツチ、18,28…エミ
ツタ・フオロア、20…接続、24…フイードバ
ツク接続、26…エミツタ・フオロア、14…デ
ータ入力、16…負クロツク入力、22…正クロ
ツク入力、46…シフト抵抗、45,59…負荷
抵抗。
ラツチ回路図、第3図は第2図のラツチの動作波
形図、第4図は本発明のラツチ回路図、第5図は
データ及びフイードバツクがともに2進0の場合
の第4図のラツチの動作波形図、第6図はデータ
が2進1でフイードバツクが2進0の場合の第4
図のラツチの動作波形図、第7図はデータが2進
0でフイードバツクが2進1の場合の第4図のラ
ツチの動作波形図である。 10,12…電流スイツチ、18,28…エミ
ツタ・フオロア、20…接続、24…フイードバ
ツク接続、26…エミツタ・フオロア、14…デ
ータ入力、16…負クロツク入力、22…正クロ
ツク入力、46…シフト抵抗、45,59…負荷
抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a) 第1のエミツタ・フオロアと、 (b) 入力端子と第1のクロツク端子とに対応する
複数のベースを有する第1のトランジスタ
と、、該第1のトランジスタのエミツタにその
エミツタを接続した第2のトランジスタとをも
つ第1の電流スイツチと、 (c) 第2のエミツタ・フオロアと、 (d) フイードバツク端子と第2のクロツク端子と
に対応する複数のベースを有する第3のトラン
ジスタと、該第3のトランジスタのエミツタに
そのエミツタを接続した第4のトランジスタと
をもつ第2の電流スイツチと、 (e) 上記第1及び第2のエミツタ・フオロアのエ
ミツタに接続された出力回路と、 (f) 上記第2及び第4のトランジスタのコレクタ
を上記フイードバツク端子に接続するためのフ
イードバツク・ループと、 (g) 上記第1及び第3のトランジスタのエミツタ
を互いに結合するための手段と、 (h) 上記第1のエミツタ・フオロアのベースと上
記第1のトランジスタのコレクタを接続するた
めの手段と、 (i) 上記第2のエミツタ・フオロアのベースと上
記第3のトランジスタのコレクタを接続するた
めの手段と、 (j) 上記第1及び第3のトランジスタのコレクタ
に電圧を加えるための第1の接続手段と、 (k) 上記第1の接続手段とは共通部分を含まない
経路を介して上記第2及び第4のトランジスタ
のコレクタに電圧を加えるための第2の接続手
段、 とを具備する電流スイツチ・エミツタ・フオ
ロア・ラツチ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/075,921 US4311925A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Current switch emitter follower latch having output signals with reduced noise |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5647124A JPS5647124A (en) | 1981-04-28 |
| JPS6126851B2 true JPS6126851B2 (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=22128768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12618980A Granted JPS5647124A (en) | 1979-09-17 | 1980-09-12 | Currenttswitch emitter follower latch |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4311925A (ja) |
| EP (1) | EP0025502B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5647124A (ja) |
| DE (1) | DE3066497D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3147547C2 (de) * | 1981-12-01 | 1985-11-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Durch einen Übernahmetakt gesteuertes Flipflop in Stromumschaltetechnik |
| DE3483137D1 (de) * | 1983-11-30 | 1990-10-11 | Fujitsu Ltd | Ec-torfeld. |
| JP2564787B2 (ja) * | 1983-12-23 | 1996-12-18 | 富士通株式会社 | ゲートアレー大規模集積回路装置及びその製造方法 |
| US4580066A (en) * | 1984-03-22 | 1986-04-01 | Sperry Corporation | Fast scan/set testable latch using two levels of series gating with two current sources |
| US4580244A (en) * | 1984-06-21 | 1986-04-01 | Motorola, Inc. | Bipolar memory cell |
| JPS62108713A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 立方晶窒化ほう素の製造方法 |
| US4743781A (en) * | 1986-07-03 | 1988-05-10 | International Business Machines Corporation | Dotting circuit with inhibit function |
| US4779270A (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for reducing and maintaining constant overshoot in a high speed driver |
| US4831284A (en) * | 1988-03-22 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Two level differential current switch MESFET logic |
| US4967151A (en) * | 1988-08-17 | 1990-10-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting faults in differential current switching logic circuits |
| DE68926414D1 (de) * | 1988-08-17 | 1996-06-13 | Ibm | Verfahren und Gerät zur Fehlererkennung in differentialen Stromschaltlogikschaltkreisen |
| US5289055A (en) * | 1992-11-17 | 1994-02-22 | At&T Bell Laboratories | Digital ECL bipolar logic gates suitable for low-voltage operation |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3339089A (en) * | 1965-05-11 | 1967-08-29 | Rca Corp | Electrical circuit |
| US3458719A (en) * | 1965-10-14 | 1969-07-29 | Ibm | Threshold logic switch with a feed-back current path |
| US3505535A (en) * | 1967-01-03 | 1970-04-07 | Ibm | Digital circuit with antisaturation collector load network |
| US3509366A (en) * | 1967-02-23 | 1970-04-28 | Ibm | Data polarity latching system |
| US3617772A (en) * | 1969-07-09 | 1971-11-02 | Ibm | Sense amplifier/bit driver for a memory cell |
| DE1941264C3 (de) * | 1969-08-13 | 1975-07-17 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Asynchrone RS-Kippstufe in ECL-Technik |
| US3610955A (en) * | 1970-07-31 | 1971-10-05 | Fairchild Camera Instr Co | Balanced synchronous detector |
| US3725878A (en) * | 1970-10-30 | 1973-04-03 | Ibm | Memory cell circuit |
| US3728560A (en) * | 1971-01-29 | 1973-04-17 | Motorola Inc | Bistable multivibrator circuit |
| US3649852A (en) * | 1971-03-10 | 1972-03-14 | Thomas K Bohley | Trigger circuit utilizing a pair of logic gates coupled in parallel current paths |
| US3740590A (en) * | 1971-12-17 | 1973-06-19 | Ibm | Latch circuit |
| US3986057A (en) * | 1975-06-30 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | High performance latch circuit |
| US3984702A (en) * | 1975-12-02 | 1976-10-05 | Honeywell Information Systems, Inc. | N-bit register system using CML circuits |
| US4099070A (en) * | 1976-11-26 | 1978-07-04 | Motorola, Inc. | Sense-write circuit for random access memory |
-
1979
- 1979-09-17 US US06/075,921 patent/US4311925A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-07-31 EP EP80104533A patent/EP0025502B1/de not_active Expired
- 1980-07-31 DE DE8080104533T patent/DE3066497D1/de not_active Expired
- 1980-09-12 JP JP12618980A patent/JPS5647124A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3066497D1 (en) | 1984-03-15 |
| EP0025502A1 (de) | 1981-03-25 |
| US4311925A (en) | 1982-01-19 |
| EP0025502B1 (de) | 1984-02-08 |
| JPS5647124A (en) | 1981-04-28 |
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