JPS61270675A - 電子回路素子の耐圧試験装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、たとえば半導体素子などの高抵抗素子の耐圧
を試験する装置に関する。

背景技術 在米から高抵抗素子、たとえばＭＯ８電界効果トランジ
スタの耐圧を測定するには、第３図に示されるような測
定回路が用いられている。電界効果トランジスタＴｒｉ
　　のドレインはライン！１を介して電流源１の一方端
子に接続され、電界効果トランジスタＴｒ、１　　のソ
ースはラインノ２を介して電流源１の他方端子に接続さ
れる。トランジスタＴｒｉの　デートとソースは、短絡
される。このトランジスタＴｒｌ　　の耐圧測定用電圧
計２の一方側は電界効果トランジスタＴｒｉ　　のドレ
インに接続され、電圧計２の他方側はトランジスタＴｒ
ｉのソースに接続される。したがって、このｖＪ３図に
示す測定回路では電界効果トランジスタＴｒｉのドレイ
ン・ソース間の耐圧を測定する。、：こでデート・ソー
ス間の耐圧をＶ　ｄｓｓとする。

たとえばこの耐圧Ｖ　ｄｓｓの測定条件を、ドレイン・
ソース間を通過する電流Ｉ　ｄｓがＴ　ｄｓ＝　１０μ
Ａであり、デート−ソース間電圧Ｖ［１３がＶｇｓ＝Ｏ
Ｖであると想定し、かつこのような測定条件で第３図の
回路を第４図示の等刷面路に置き換える。

ここで電流源の電流値をＩとし、電界効果トランジスタ
Ｔｒｉ　　の実効抵抗をｒｏとし、電圧計２の内部抵抗
をｒｍとし、この電圧計２に流れる電流をＩｒｍとする
。このとき電界効果トランジスタＴｒｉの実行抵抗ｒｏ
が電圧計２の内部抵抗ｒｅに比較して、同等かあるいは
大きい場合には電界効果トランジスタｉ’　ｒ　１のド
レイン・ソース電１ｌｄｓを１０μＡにすることが困難
となる。なぜなら電流源１で設定した電流値Ｉは、実際
には電界効果トランジスタＴｒ１　だけでなく、電圧計
２にも分流して流れるからである。すなわちＩ　＝　Ｔ
　ｄｓ＋　Ｉ　ｒ＋ａとなる。

−力、電界効果トランジスタ１゛ｒ１　　の実効抵抗ｒ
。

が電圧計２の内部抵抗ｒＩｆｉと比較して１−分車さい
ときには、Ｔｒ［１鴨０であり、Ｉ　’、　Ｉ　ｄｓと
見なすことができる。したがって耐圧試験されるべき回
路素子が比較的小さな抵抗値を有しているときには第３
図および第４図のような測定回路でも精度よく測定する
ことがでとるけれども、半導体素子のような＾抵抗素子
の場合には電流計２に流れる電流Ｔｒｕ＋が無視できな
いため、電流を一定に保つことが難しい。したがって耐
圧測定精度が劣化するという問題がある。

目　　　　的 本発明の目的は、検査されるべき電子回路素子−に流れ
込む電流値を測定条件どおりに−・定値に保つことによ
って、耐圧測定の精度を向−１−するようにした電子回
路素子の耐圧試験装置を提供することである。

実施例 第１図は本発明の−（圧試験装置の電気回路図である。

電圧源Ｖｃｃの高電位側はラインノ１０を介してＰ　Ｎ
　Ｐ形トランノスタ’ｒｒｌＯのエミッタに接続される
。トランジスタＴｒ１０　　のエミッタとベースとは抵
抗「１　を介して接続される。ＥランジスタＴｒｌ　Ｏ
のコレクタはライン！１１を介して、電圧計２の一方端
子に接続される。電圧源■ｃｃの低電位側は、接地され
るとともに、ラインノ１２を介して電圧計２の他〕ｊ端
子に接続される。

なお、電圧計２の内部抵抗は「ｍで示す。

電界効果トランジスタＴｒｉと口ｆ変抵抗ｒ２とは、ｌ
ｋ列回路１１を構成する。電界効果トランジスタ”ｒｒ
ｌ　　のドレインはラインノ１１の接続点１２に接続さ
れ、電界効果トランジスタＴｒｉ　　のソース＝３− は可変抵抗ｒ２　　の一端部に接続される。電界効果ト
ランジスタ′ｒ「１　のデートはソースに接続される。

前記可変抵抗ｒ２　　の他端部は、ラインノ１２の接続
点１３に接続される。電界効果トランジスタＴｒｉと可
変抵抗「２との接続点１４は、ＮＰＮ形トランジスタＴ
ｒｉ　１のベースに接続される。

このトランジスタ゛ｒｒｌｌ　　のコレクタはラインノ
１１の接続点１４に接続される。トランジスタＴｒｌ　
１のエミッタは、抵抗「３を介してラインＪ？１２の接
続点１５に接続される。トランジスタＴｒ１１のエミッ
タと抵抗ｒ３　　との接続点１８は、ＮＰＮ形トランノ
スタＴｒ１２　　のベースに接続される。このトランジ
スタＴｒ１２　　のエミッタは、ラインノ１２の接続、
α１６に接続される。トランジスタＴｒ１２のコレクタ
は、トランジスタＴｒ１．０のベースと抵抗「１との接
続点１７に接続される。

ここで、フィン！１０の電圧を■１とし、接続点１２．
１４闇の電圧をＶ２とし、接続点１４，１３間の電圧な
■３とし、トランジスタＴｒｉ　１　　のベース・エミ
ッタ間電圧をｖ４とし、接続点１８゜１５間の電圧を■
５とする。また、トランジスタ′Ｆｒｌを通過する電流
をＩｖｐとし、可変抵抗ｒ２を通過する電流をＩｒ２と
する。トランジスタＴｒｉ２のベース・エミッタ間電圧
はＶ５と等しく、シたがってＶ４＝Ｖ５となる。ここで
可変抵抗ｒ２の値を１４０にΩに設定すると、トランジ
スタＴｒｌｌと）ランジスタＴｒｌ　２のベース・エミ
ッタ間電圧降下は　２ＸＶ４岬１．４Ｖと考えられる。

トランジスタＴｒｌ　１のベース電流ｒ　１１峙ｏと考
えテヨイノテ、Ｖ３＝２ＸＶ４→１，４Ｖ　　とｆｔす
、Ｉｒｚ＝Ｉｖｐ’＝１．４／１４０＝１０μＡ　とな
る。

こうして電界効果トランジスタＴｒｌ　　には一定電流
１０μＡが流れる。しかもこのとき電圧源Ｖｃｃは、ト
ランジスタＴｒｉ　Ｏと電界効果トランジスタＴｒｉと
可変抵抗ｒ２　　で分圧されている。電圧計２では電圧
ｖ１を測定しているため、求めたい電界効果トランジス
タＴｒｉ　　の耐圧は第１式により求められる。

Ｖ　２　＝Ｖ　Ｉ　　Ｖ　３　＝Ｖ　１−　Ｉ　ｖｐＸ
ｒ２＝Ｖ１−２Ｖ４　　　　　　　　　　・・・（１）
こうして電界効果トランジスタ１゛「１　　に一定値の
電流■νｐを流したとき１こは、電界効果トランジスタ
Ｔｒ１　が破壊していないときには、電圧計２には所定
の電圧Ｖ２→−ｖ３が表示される。また、電界効果トラ
ンジスタＴｒｉ　　が破壊または製造時の工程不良によ
って導通しているとき、または連断１７ているときには
電圧計２の測定値は電圧■２＋Ｖ３未満の破ｉＪｌ！等
の程度に対応した値が示される。

次に１１図示の回路でＴｖｐが一定値に保たれることを
確認するために、本件発明者が行なった回路シュミレー
ションの結果が第２図に示される。

この実験では、電界効果トランジスタＴｒｉ　　の実効
抵抗ｒｏを１ＭΩ、５ＭΩおよびＩＯＭΩの各場合に−
）いて行なった。なお、この実験においてはＶｃｃ呂９
９Ｖ、可変抵抗ｒ２＝１４０にΩ、内部抵抗ｒｕ＝　１
０　ＭΩ、抵抗ｒｌ＝７００にΩ、抵抗ｒ３＝７０にΩ
とし、またベース・エミッタ間電圧効果■４≠０，５９
５　Ｖ　　となるようなトランジスタＴｒｉ　１　、　
Ｔｒｉ　２を用いて実験を行なった。１ＭΩで実験した
結果は、点Ｐ１で示され、５ＭΩで実験した結果は点Ｐ
２で示され、ＩＯＭΩで実験した結果は点Ｐ３で示され
る。この第２図から明らかなように電流１ｖｐは、はぼ
８．６μＡ　に保たれることが確認できた。

こうして第１図に示される回路では、第１式で明らかな
ように可変抵抗ｒ２　　の値を変化させることにより、
設定した電流Ｉｖｐを電界効果トランジスタＴｒｉ　　
に流すことが可能となり、耐圧の測定条件を正確に設定
することが可能となる。

前述の実施例では、耐圧検査されるべき電子回路素子は
ＭＯ８電界効果トランジスタであったけれども、その他
の高抵抗素子を検査する場合にも本発明は好適に実施す
ることができる。

効　　果 以−Ｌのよるに本発明によれば、検査されるべき電子回
路素子に流れる電流を測定条件どおりに一定値に保つこ
とができ、したがって測定精度の向上を図ることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の電気回路図、第２図は本件
発明者の実験結果を示すグラフ、第３図は先行技術の電
気回路図、第４図は第３図示の回路の等刷面路である。 ２・・・電圧計、１１・・・直列回路、１２，１３，１
４゜１５．１６，１７．１８・・・接続点、ｒｌ、ｒ２
　、ｒ３−抵抗、Ｔｒｉ・・・電界効果トランジスタ、
ＴｒｌＯ，Ｔｒｌ　１　、Ｔｒｉ　２・・・トランジス
タ、Ｖｃｃ・・・電圧源、！１０、ノ１１．．ｇ１２・
・・ライン 代理人　　弁理士　西教　圭一部 第１図 第２図 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 定電圧源と、この定電圧源の一方のラインと他方のライ
   ンとの間に耐圧試験されるべき電子回路素子とインピー
   ダンス素子とから成る直列回路を接続し、前記電子回路
   素子とインピーダンス素子との接続点の電圧を一定にす
   る回路が前記定電圧源に関連して設けられ、前記直列回
   路に関連して電圧計が接続されていることを特徴とする
   電子回路素子の耐圧試験装置。