JPS61270809A - 積層形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS61270809A JPS61270809A JP11288085A JP11288085A JPS61270809A JP S61270809 A JPS61270809 A JP S61270809A JP 11288085 A JP11288085 A JP 11288085A JP 11288085 A JP11288085 A JP 11288085A JP S61270809 A JPS61270809 A JP S61270809A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。
造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に乾式薄形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８０／α３と
密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれている
ため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を損ね
、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０μｍ
以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要因と
なっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコン
デン、す破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの
欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低密
度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善に
大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて
価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサの
製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ４０
μｍ以上のものを用いなければならず依然として小形化
の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を
使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、ざ
らに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温特
性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠
けなど実用土解決すべき問題をもっているばかりか素子
形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造であ
るため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８０／α３と
密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれている
ため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を損ね
、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０μｍ
以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要因と
なっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコン
デン、す破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの
欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低密
度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善に
大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて
価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサの
製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ４０
μｍ以上のものを用いなければならず依然として小形化
の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を
使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、ざ
らに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温特
性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠
けなど実用土解決すべき問題をもっているばかりか素子
形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造であ
るため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのなめ近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱ錯塩を用いて １なる
電解コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸
して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時
に加熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす＜
ｔａｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり
引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため高
周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いているた
め陽・陰極間（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列抵
抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残っていた
。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着
が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良く
ない問題をも持っていた。
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱ錯塩を用いて １なる
電解コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸
して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時
に加熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす＜
ｔａｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり
引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため高
周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いているた
め陽・陰極間（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列抵
抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残っていた
。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着
が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良く
ない問題をも持っていた。
［発明の目的］
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサのＩＪ造方法を提供することを目的とするもので
ある。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサのＩＪ造方法を提供することを目的とするもので
ある。
［発明の概要］
本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶−織物の
片面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜
を形成し、つぎに該金Ｂ膜の表面に生成した陽極酸化皮
膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成し
、該有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極
膜を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層
し両端面に電極引出部を・形成することを特徴としたも
のである。
片面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜
を形成し、つぎに該金Ｂ膜の表面に生成した陽極酸化皮
膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成し
、該有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極
膜を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層
し両端面に電極引出部を・形成することを特徴としたも
のである。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例につき詳軸に説明する。
すなわう、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着し弁作用金属膜（３）を形成したのち、該
弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属１１（３
）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる後該陽極
酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位置する
端面を除いた゛面上から前記余白部（２）面上に例えば
２゜２′−ビビリディニウム（ＴＣＮＱ）２、４−ハイ
ドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２
、４−アミノ−２，３，５，６−チトラメチルアニリニ
ウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリディニウム （ＴＣＮ
Ｑ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−ピリデニウム（Ｔ
ＣＮＱ） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム（ＴＣ
ＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半
導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５）
の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面
上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして陰
極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。しかし
て、該基本素子（７）を第１図に示すように必要数積層
し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかま
たは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタ
リコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出部（８
）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納するか樹脂
被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるものであ
る。
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着し弁作用金属膜（３）を形成したのち、該
弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属１１（３
）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる後該陽極
酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位置する
端面を除いた゛面上から前記余白部（２）面上に例えば
２゜２′−ビビリディニウム（ＴＣＮＱ）２、４−ハイ
ドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２
、４−アミノ−２，３，５，６−チトラメチルアニリニ
ウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリディニウム （ＴＣＮ
Ｑ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−ピリデニウム（Ｔ
ＣＮＱ） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム（ＴＣ
ＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半
導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５）
の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面
上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして陰
極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。しかし
て、該基本素子（７）を第１図に示すように必要数積層
し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかま
たは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタ
リコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出部（８
）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納するか樹脂
被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるものであ
る。
以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高（ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高（ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
実 施 例
ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を蒸着
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２．２′−ビビリディ
ニウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で
真空蒸着し厚さ５μｍの有機半導体膜を形成し、つぎに
該有機半導体膜上にＡｇをスパッタリングし厚さ５μｍ
の陰極電極膜を形成し得た第２図に示すような構成から
なる基本素子を複数積層し、両端面にへ〇ペーストを塗
布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端
子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してな
る定格２５ＷＶ。
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２．２′−ビビリディ
ニウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で
真空蒸着し厚さ５μｍの有機半導体膜を形成し、つぎに
該有機半導体膜上にＡｇをスパッタリングし厚さ５μｍ
の陰極電極膜を形成し得た第２図に示すような構成から
なる基本素子を複数積層し、両端面にへ〇ペーストを塗
布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端
子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してな
る定格２５ＷＶ。
ＤＣ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（Ａ）参
考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極部間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱｔｆｌ塩を溶
融含浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、Ｄ
Ｃ−０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極部間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱｔｆｌ塩を溶
融含浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、Ｄ
Ｃ−０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（８）の温度に対する静電容量変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
例（８）の温度に対する静電容量変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ＞は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
いても実施例（Ａ＞は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では弁作用金属膜形成としてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３図中第２図と同一部分につい
ては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実施
例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにしても
同様の効果を得られることは言うまでもない。
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３図中第２図と同一部分につい
ては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実施
例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにしても
同様の効果を得られることは言うまでもない。
［発明の効果］
本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・―・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７）（
１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・電
極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式′会社 ―コンデンサの正１ＩＩｒ面図 第１図 藁本ホ子の− 第２図 周遁軟（Ｈ，） 第７図 賓１−沖酬 一ボゼｉ＠ ｇ 妹 手 続 補 正 書 （自発）昭和６１
年５月１９日 昭和６０年特許願第１１２８８０号 ２、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 山形県長井市幸町１番１号 電話 長井（０２３８）８４−２１３１ （大代表）郵
便番号 ９９３ 自発的 ５、補正の対象 、 明 細 書 １、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ２、特許請求の範囲 （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
し弁作用金ａ膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ
錯塩を真空゛蒸着し有機半導体膜を形成する手段と、該
有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜を
形成し基本素子を得る手段と、該基本素子を複数積層し
両端面に電極引出部を形成する手段とを具備したことを
特徴とする積層形電解コンデンサの製造方法。 （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスデックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 （３）ＴＣＮＱ錯塩が２．２′−ビピリジニウム（ＴＣ
ＮＱ＞２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニ
ウム（ＴＣＮＱ＞ 、 ４−アミノ−２，３，５，６
−チトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ピリ
ジニウム（ＴｅＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−
ピリジニラム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−エヂルキノリニ
ウム（ＴＣＮＱ＞２、 Ｎ−（２−フェネチル）キノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）２からなることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項記
載の積層形電解コンデンサの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明は新規な構成からなるＷＩｍ形電解コンデンサの
製造方法に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽隙極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の＆ｉ陰極箔相互
間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース間口部を密封して
なるものである。 一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式筒形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｇ／３３と
密度が比較的高く、またクラフト紙を構成する繊維の断
面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大きくなりｊａ
ｎδ特性を損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で
厚みは３０μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を
阻害する要因となっており、さらに過電圧、逆電圧印加
などによるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれ
があるなどの欠点をもっていた。そのため現在クラフト
紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎ
δ特性改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフ
ト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度
１をコンデンサの製造工程（特に巻取工程）に耐
えさせるためには厚さ４０μｍ以上のものを用いなけれ
ばならず依然として小形化の阻害要因となっていた。 また、液体の駆動用電解液を使用しているためｔａｎδ
特性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は
低温で比抵抗が増大しゃすく低温特性が極度に悪化し広
温度範囲で使用するには信頼性に欠けるなど実用上解決
ずべき問題をもっているばかりか、素子形状が巻回形で
しかも引出端子を途中挿入した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。 そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴ ＣＮ
Ｑ。 錯塩を固体電解質として用い、特性を改善したものが提
案されている。しかして、このようなＴＣＮＱ錯塩をｍ
ｍいてなる電解コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩
を溶融含浸して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ！塩を溶融
含浸するときに長時間加熱するためＴＣＮＱ錯塩の伝導
度が減少しゃすくｔａｎδ特性に問題があり、また素子
形状は従来どおり引出端子を巻回体の途中に挿入したタ
イプであるため高周波数での特性が悪く、しかもスペー
サを用いているため陽・陰極間（約４０〜５０μｍ）７
￥広く、等価直列抵抗が大きいなど依然として解決すべ
き問題は残っていた。さらに上記公報に開示されたＴＣ
ＮＱ錯塩は真空蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度
特性もそれほど良くない問題をも持っていた。 ［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 ［発明の概要１ 本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜を
形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極酸化皮膜
上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、
該有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜
を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層し
両端面に電極引出部を形成することを特徴としたもので
ある。 ［発明の実施例］ 以下本発明の一実施例につき訂細に説明する。 すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたは、セラミックシートなどの絶縁
物（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニ
ウム金属を蒸着し弁作用金属！ＩＡ （３）を形成した
のち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属
膜（３）表面に陽極酸化皮ＪＩＩ（４）を生成し、しか
るのち該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２ンの反対
側に位置する端面を除いた面上から前記余白部（２）面
上に例えば２．２′−ビピリジニウム（ＴＣＮＱ）２．
４−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣ
ＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，５，６一チトラメ
チルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリジニウム（ＴＣ
ＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチルτピリジニウム
（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−エチルキノリニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−（２−フェネチル）キノリニウム（ＴＣ
ＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半
導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５〕
の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面
上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして陰
極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。 しかして、該基本素子（７）を第１図に示すように必要
数８１層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥
するかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金
属をメタリコンし電極引出ｉ！！（８）を形成し、該電
極引出部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収
納するか樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成して
なるものである。 以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容聞の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実 施 例 ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を蒸着
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２，２′−ビピリジニ
ウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で真
空蒸着し厚さ５μｍの有機半導体膜を形成し、つぎに該
有機半導体膜上にＡｇをスパッタリングし厚さ５μｍの
陰極電極膜を形成し得た第２図に示すような構成からな
る基本素子を複数１１層し、両端面にＡＱペーストを塗
布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端
子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してな
る定格２５ＷＶ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（
Ａ）。 参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ−０，１
μＦの電解コンデンサ（８）。 なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例（Ａ）と従来の参考例
（Ｂ）の温度に対する静電容母変化率およびｔａｎδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果１１７図に示すようになった。 第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。 なお上記実施例では弁作用金属膜形成としてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３゛図中第２図と同一部分につ
いては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実
施例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用
金属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例
示して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにして
も同様の効果を得られることは言うまでもない。 ［発明の効果］ 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる双存の電解コン ｉデンサ構成
の枠を越えた全く新規な構成からなる実用的価値の高い
積層形電解コンデンサの製造方法を得ることができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係る基本素子を示す斜視図、第４図は温度
−静電容凶変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ
特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７
図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体ＩＥｉ （６）・・・・・・陰極電極膜（
７） （１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・
・・・電極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・―・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７）（
１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・電
極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式′会社 ―コンデンサの正１ＩＩｒ面図 第１図 藁本ホ子の− 第２図 周遁軟（Ｈ，） 第７図 賓１−沖酬 一ボゼｉ＠ ｇ 妹 手 続 補 正 書 （自発）昭和６１
年５月１９日 昭和６０年特許願第１１２８８０号 ２、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 山形県長井市幸町１番１号 電話 長井（０２３８）８４−２１３１ （大代表）郵
便番号 ９９３ 自発的 ５、補正の対象 、 明 細 書 １、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ２、特許請求の範囲 （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
し弁作用金ａ膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ
錯塩を真空゛蒸着し有機半導体膜を形成する手段と、該
有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜を
形成し基本素子を得る手段と、該基本素子を複数積層し
両端面に電極引出部を形成する手段とを具備したことを
特徴とする積層形電解コンデンサの製造方法。 （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスデックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 （３）ＴＣＮＱ錯塩が２．２′−ビピリジニウム（ＴＣ
ＮＱ＞２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニ
ウム（ＴＣＮＱ＞ 、 ４−アミノ−２，３，５，６
−チトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ピリ
ジニウム（ＴｅＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−
ピリジニラム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−エヂルキノリニ
ウム（ＴＣＮＱ＞２、 Ｎ−（２−フェネチル）キノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）２からなることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項記
載の積層形電解コンデンサの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明は新規な構成からなるＷＩｍ形電解コンデンサの
製造方法に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽隙極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の＆ｉ陰極箔相互
間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース間口部を密封して
なるものである。 一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式筒形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｇ／３３と
密度が比較的高く、またクラフト紙を構成する繊維の断
面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大きくなりｊａ
ｎδ特性を損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で
厚みは３０μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を
阻害する要因となっており、さらに過電圧、逆電圧印加
などによるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれ
があるなどの欠点をもっていた。そのため現在クラフト
紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎ
δ特性改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフ
ト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度
１をコンデンサの製造工程（特に巻取工程）に耐
えさせるためには厚さ４０μｍ以上のものを用いなけれ
ばならず依然として小形化の阻害要因となっていた。 また、液体の駆動用電解液を使用しているためｔａｎδ
特性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は
低温で比抵抗が増大しゃすく低温特性が極度に悪化し広
温度範囲で使用するには信頼性に欠けるなど実用上解決
ずべき問題をもっているばかりか、素子形状が巻回形で
しかも引出端子を途中挿入した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。 そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴ ＣＮ
Ｑ。 錯塩を固体電解質として用い、特性を改善したものが提
案されている。しかして、このようなＴＣＮＱ錯塩をｍ
ｍいてなる電解コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩
を溶融含浸して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ！塩を溶融
含浸するときに長時間加熱するためＴＣＮＱ錯塩の伝導
度が減少しゃすくｔａｎδ特性に問題があり、また素子
形状は従来どおり引出端子を巻回体の途中に挿入したタ
イプであるため高周波数での特性が悪く、しかもスペー
サを用いているため陽・陰極間（約４０〜５０μｍ）７
￥広く、等価直列抵抗が大きいなど依然として解決すべ
き問題は残っていた。さらに上記公報に開示されたＴＣ
ＮＱ錯塩は真空蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度
特性もそれほど良くない問題をも持っていた。 ［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 ［発明の概要１ 本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜を
形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極酸化皮膜
上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、
該有機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜
を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層し
両端面に電極引出部を形成することを特徴としたもので
ある。 ［発明の実施例］ 以下本発明の一実施例につき訂細に説明する。 すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたは、セラミックシートなどの絶縁
物（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニ
ウム金属を蒸着し弁作用金属！ＩＡ （３）を形成した
のち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属
膜（３）表面に陽極酸化皮ＪＩＩ（４）を生成し、しか
るのち該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２ンの反対
側に位置する端面を除いた面上から前記余白部（２）面
上に例えば２．２′−ビピリジニウム（ＴＣＮＱ）２．
４−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣ
ＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，５，６一チトラメ
チルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリジニウム（ＴＣ
ＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチルτピリジニウム
（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−エチルキノリニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−（２−フェネチル）キノリニウム（ＴＣ
ＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半
導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５〕
の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面
上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして陰
極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。 しかして、該基本素子（７）を第１図に示すように必要
数８１層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥
するかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金
属をメタリコンし電極引出ｉ！！（８）を形成し、該電
極引出部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収
納するか樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成して
なるものである。 以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容聞の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実 施 例 ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を蒸着
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２，２′−ビピリジニ
ウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で真
空蒸着し厚さ５μｍの有機半導体膜を形成し、つぎに該
有機半導体膜上にＡｇをスパッタリングし厚さ５μｍの
陰極電極膜を形成し得た第２図に示すような構成からな
る基本素子を複数１１層し、両端面にＡＱペーストを塗
布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端
子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してな
る定格２５ＷＶ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（
Ａ）。 参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ−０，１
μＦの電解コンデンサ（８）。 なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例（Ａ）と従来の参考例
（Ｂ）の温度に対する静電容母変化率およびｔａｎδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果１１７図に示すようになった。 第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。 なお上記実施例では弁作用金属膜形成としてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３゛図中第２図と同一部分につ
いては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実
施例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用
金属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例
示して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにして
も同様の効果を得られることは言うまでもない。 ［発明の効果］ 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる双存の電解コン ｉデンサ構成
の枠を越えた全く新規な構成からなる実用的価値の高い
積層形電解コンデンサの製造方法を得ることができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係る基本素子を示す斜視図、第４図は温度
−静電容凶変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ
特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７
図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体ＩＥｉ （６）・・・・・・陰極電極膜（
７） （１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・
・・・電極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社
Claims (3)
- （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
し弁作用金属膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ
錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成する手段と、該有
機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜を形
成し基本素子を得る手段と、該基本素子を複数積層し両
端面に電極引出部を形成する手段とを具備したことを特
徴とする積層形電解コンデンサの製造方法。 - （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 - （３）ＴＣＮＱ錯塩が２，２′−ビビリディニウム（Ｔ
ＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
リニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２，３，５，
６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ビリ
デイニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル−
ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリニ
ウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フエニチル）キノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項
記載の積層形電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288085A JPS61270809A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288085A JPS61270809A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270809A true JPS61270809A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14597836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11288085A Pending JPS61270809A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270809A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386460A (en) * | 1977-11-18 | 1978-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making thin film solid electrolytic capacitor |
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
| JPS59135719A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | マルコン電子株式会社 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11288085A patent/JPS61270809A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386460A (en) * | 1977-11-18 | 1978-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making thin film solid electrolytic capacitor |
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
| JPS59135719A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | マルコン電子株式会社 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
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