JPS61270815A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61270815A JPS61270815A JP60112856A JP11285685A JPS61270815A JP S61270815 A JPS61270815 A JP S61270815A JP 60112856 A JP60112856 A JP 60112856A JP 11285685 A JP11285685 A JP 11285685A JP S61270815 A JPS61270815 A JP S61270815A
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- JP
- Japan
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- vapor
- crucible
- filament
- ionized
- thin film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜形成装置の
蒸気噴出装置に関するものである。
蒸気噴出装置に関するものである。
第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、図に
おいて、（１）はるつぼ、（２）は該るつＡの蒸着物質
、（３）は上記るつぼ（１）に設けた噴出孔、（４）は
イオン化された金属蒸気の軌道、（４ａ）はイオン化さ
れない金属蒸気の軌道、（５）は上記るつぼ（１）加熱
用ボンバードフィラメント、（６）は、該フィラメント
（５）加熱用電源、（７）はボンバード電源％（８）は
グリッド、（９）は金属蒸気をイオン化するための電子
を放出する第１のイオン化フィラメント、αＱは該イオ
ン化フィラメント（９）加熱用電源、（ロ）はイオン化
電源、（ロ）はイオン加速電極、（至）は上記グリッド
（８）の支持板、α４はイオン加速用電源、（至）は基
板、αＱは蒸着膜、αηは熱シールド板、−明は真空容
器、α９は上記イオン厘速電極（２）、上記グリッド支
持板（至）及び上記グリッド（８）間に形成される等電
位線である０ 次に動作について説明する。
おいて、（１）はるつぼ、（２）は該るつＡの蒸着物質
、（３）は上記るつぼ（１）に設けた噴出孔、（４）は
イオン化された金属蒸気の軌道、（４ａ）はイオン化さ
れない金属蒸気の軌道、（５）は上記るつぼ（１）加熱
用ボンバードフィラメント、（６）は、該フィラメント
（５）加熱用電源、（７）はボンバード電源％（８）は
グリッド、（９）は金属蒸気をイオン化するための電子
を放出する第１のイオン化フィラメント、αＱは該イオ
ン化フィラメント（９）加熱用電源、（ロ）はイオン化
電源、（ロ）はイオン加速電極、（至）は上記グリッド
（８）の支持板、α４はイオン加速用電源、（至）は基
板、αＱは蒸着膜、αηは熱シールド板、−明は真空容
器、α９は上記イオン厘速電極（２）、上記グリッド支
持板（至）及び上記グリッド（８）間に形成される等電
位線である０ 次に動作について説明する。
フィラメント（５）は加熱用電源（６）により加熱され
てボンバード電源（７）により熱電子を放出する。該熱
電子はるつぼ（１）に衝突しるつぼ（１）を加熱する。
てボンバード電源（７）により熱電子を放出する。該熱
電子はるつぼ（１）に衝突しるつぼ（１）を加熱する。
そのことにより上記るつぼ（１）内の蒸着物質（２）は
蒸気を生じ、該蒸気は噴出孔（３）より噴出する０噴出
した上記蒸気は第１のイオン化フィラメント（９）より
放出された熱電子と衝突し、イオン化される０該イオン
化された金属蒸気はイオン加速電極（６）とグリッド支
持板（至）及びグリッド（８）間に形成される電界中に
８いて等電位線α９に略直交する方向に加速され、イオ
ン化されない金属蒸気がるつぼ（１）から噴出されると
きのエネルギーで基板（ｌＥ；）に衝突するのと共に、
基板（ト）に衝突し、該基板四上に薄膜を形成する。
蒸気を生じ、該蒸気は噴出孔（３）より噴出する０噴出
した上記蒸気は第１のイオン化フィラメント（９）より
放出された熱電子と衝突し、イオン化される０該イオン
化された金属蒸気はイオン加速電極（６）とグリッド支
持板（至）及びグリッド（８）間に形成される電界中に
８いて等電位線α９に略直交する方向に加速され、イオ
ン化されない金属蒸気がるつぼ（１）から噴出されると
きのエネルギーで基板（ｌＥ；）に衝突するのと共に、
基板（ト）に衝突し、該基板四上に薄膜を形成する。
従来の薄膜形成装置は以上の様に構成されているので、
るつぼから噴出した金属蒸気のうちるつぼの煙突部の側
面近傍を移動する金属蒸気はイオン化されにくり、該イ
オン化されない金属は電気力の作用を受けずに直進する
ので基板に到達しない。それ故に蒸気の一部は薄膜の形
成に寄与しないという問題点があった。
るつぼから噴出した金属蒸気のうちるつぼの煙突部の側
面近傍を移動する金属蒸気はイオン化されにくり、該イ
オン化されない金属は電気力の作用を受けずに直進する
ので基板に到達しない。それ故に蒸気の一部は薄膜の形
成に寄与しないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、蒸着効率の高い薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
れたもので、蒸着効率の高い薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、るつぼ上部の煙突部の
内部にも第２のイオン化フィラメントを設けたものであ
る。
内部にも第２のイオン化フィラメントを設けたものであ
る。
この発明に２いては、るつぼ上部の煙突部の側面近傍を
通る金属蒸気も煙突内部にて第２のイオン化フィラメン
トによりイオン化され、より多くのイオン化蒸気が得ら
れるから、蒸着効率を高めることができ、より多くのイ
オン化された金属魚肉 気を広い＃Ｐ度範囲から加速電界中に入れることができ
るので、広範囲にわたる均一な膜を得ることができる。
通る金属蒸気も煙突内部にて第２のイオン化フィラメン
トによりイオン化され、より多くのイオン化蒸気が得ら
れるから、蒸着効率を高めることができ、より多くのイ
オン化された金属魚肉 気を広い＃Ｐ度範囲から加速電界中に入れることができ
るので、広範囲にわたる均一な膜を得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による薄膜形成装置を示し、図中
、′ｓ２図と同一符号は同一部分を示す。■はるつぼ上
部の煙突部内部に設けられ金属蒸気をイオン化するため
のイオン化フィラメント、Ω１は該フィラメント■加熱
用電源である。
図は本発明の一実施例による薄膜形成装置を示し、図中
、′ｓ２図と同一符号は同一部分を示す。■はるつぼ上
部の煙突部内部に設けられ金属蒸気をイオン化するため
のイオン化フィラメント、Ω１は該フィラメント■加熱
用電源である。
次に動作について説明する。
従来の装置における場合と同様にるつぼ＋１）をフィラ
メント（５）により加熱すると、上記るつぼ口）内の蒸
着物質（２）は蒸気を生じ、該蒸気は噴出孔（３）より
噴出する。本実施例による薄膜形成装置ではるつぼの煙
突部内部に第２のイオン化フィラメント…を設けである
ので、煙突部側部近傍を通過する蒸気もイオン化され、
これによりイオン化される蒸気の量が増加する。そして
その第２のイオン化フィラメント囚によってイオン化さ
れた蒸気は、るつぼ煙突部の側面近傍の広い角度範囲か
ら従来よりも大きな弧を描いて加速電界中に入ることと
なり、該加速′４界中で収束されて広い角度範囲で基板
（ト）に到達する。その結果、基板（２）全体にわたっ
て、均一な薄膜を得ることができる。しかもこ゛の際、
イオン化された蒸気の量が多いことから蒸着効率も高め
られることとなる。
メント（５）により加熱すると、上記るつぼ口）内の蒸
着物質（２）は蒸気を生じ、該蒸気は噴出孔（３）より
噴出する。本実施例による薄膜形成装置ではるつぼの煙
突部内部に第２のイオン化フィラメント…を設けである
ので、煙突部側部近傍を通過する蒸気もイオン化され、
これによりイオン化される蒸気の量が増加する。そして
その第２のイオン化フィラメント囚によってイオン化さ
れた蒸気は、るつぼ煙突部の側面近傍の広い角度範囲か
ら従来よりも大きな弧を描いて加速電界中に入ることと
なり、該加速′４界中で収束されて広い角度範囲で基板
（ト）に到達する。その結果、基板（２）全体にわたっ
て、均一な薄膜を得ることができる。しかもこ゛の際、
イオン化された蒸気の量が多いことから蒸着効率も高め
られることとなる。
以上のように、この発明に係る薄膜形成装置によれば、
るつぼ上部の煙突部の側面近傍を通る金属蒸気をもイオ
ン化できるように煙突内部にイオン化フィラメントを設
けたので、蒸着効率を向上でき、かつ基板全体にわたっ
て均一は膜が得られる０
るつぼ上部の煙突部の側面近傍を通る金属蒸気をもイオ
ン化できるように煙突内部にイオン化フィラメントを設
けたので、蒸着効率を向上でき、かつ基板全体にわたっ
て均一は膜が得られる０
第１図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面側
面図である。 ４ａ・・・イオン化されない金属蒸気の一軌道、５・・
・ボンバードフィラメント、６・・・加熱用電源、７・
・・ボンバード用電源、８・・・グリッド、９・・・第
１のイオン化フィラメント、１０・・・加熱用電源、１
１・・・イオン化電源、１２・・・１オン加速電極、°
１３・・・グリッド支持板、１４・・・イオン加速用電
源、１５・・・基板、１６・・・蒸着膜、１７・・・熱
シールド板、１８・・・真空容器、１９・・・等電位線
、２０・・・第２のイオン化フィラメント、２１°゛・
カロ熱用電源０ なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面側面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面側
面図である。 ４ａ・・・イオン化されない金属蒸気の一軌道、５・・
・ボンバードフィラメント、６・・・加熱用電源、７・
・・ボンバード用電源、８・・・グリッド、９・・・第
１のイオン化フィラメント、１０・・・加熱用電源、１
１・・・イオン化電源、１２・・・１オン加速電極、°
１３・・・グリッド支持板、１４・・・イオン加速用電
源、１５・・・基板、１６・・・蒸着膜、１７・・・熱
シールド板、１８・・・真空容器、１９・・・等電位線
、２０・・・第２のイオン化フィラメント、２１°゛・
カロ熱用電源０ なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）所定の真空度を保持する真空槽と、該真空槽内に
設けた蒸着物質を収容するための煙突部を有するるつぼ
と、上記蒸着物質に蒸気を発生させるためのボンバード
フィラメントと、発生した蒸気をイオン化するための第
１のイオン化フィラメントと、上記蒸気のうちるつぼ上
部の煙突部の側面近傍を通るものをイオン化するために
煙突部内部に設けられた第２のイオン化フィラメントと
、上記イオン化した金属蒸気をイオン化されていない金
属蒸気と共に基板に衝突させて薄膜を形成させるための
電界加速手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112856A JPS61270815A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112856A JPS61270815A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270815A true JPS61270815A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14597244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112856A Pending JPS61270815A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270815A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623819A1 (fr) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Thomson Csf | Four a bombardement electronique pour evaporation sous vide |
-
1985
- 1985-05-25 JP JP60112856A patent/JPS61270815A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623819A1 (fr) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Thomson Csf | Four a bombardement electronique pour evaporation sous vide |
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