JPS61274365A - Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ - Google Patents

Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS61274365A
JPS61274365A JP11591385A JP11591385A JPS61274365A JP S61274365 A JPS61274365 A JP S61274365A JP 11591385 A JP11591385 A JP 11591385A JP 11591385 A JP11591385 A JP 11591385A JP S61274365 A JPS61274365 A JP S61274365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
drain
carriers
effect transistor
field effect
Prior art date
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Pending
Application number
JP11591385A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuchika Saitou
光親 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は浅くドープされたドレイン（Ｌ１ｇｈｔ１７Ｄ
ｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ略してＬＤＤ　）をもつＭＯＳ型
電界効果トランジスタに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来のＬｍ）Ｄ型Ｍ０８ＦＥＴ　（電界効果トランジス
タ）においては、微細ＬＤＤ型ＭＯＳＦＥＴのホットキ
ャリアによる劣化に対する対策が充分でないため、微細
化を制限するかまたは電源電圧を低くしていた。ＬＤＤ
型ＭＯＳＦＥＴの劣化は、浅（ドープされ・たドレイン
上の絶縁膜中にキャリアがトラップされ、そのキャリア
が上記ドレイン中のキャリ　　・ア数を減少させること
によっておこる。
しかしながら上記微細化を制限すれば、集積度が上がら
ずチップ面積が大きくなり、速度も遅くなる。また電源
電圧を下げれば速度が遅くなり、外部回路とのインター
フェース回路が新たに必要となるものである。
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ホットキャ
リアによる劣化を起こしにくいＭＯＳ型電界効果ト２ン
ジスタを提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するため、浅くドープされたド
レイン上に、薄い絶縁膜を介してまたは直接第２のゲー
ト電極を設け、その電極を例えばソースまたはドレイン
または？−）と接接することにより、上記第２ゲート電
極に適当な電位を与えるようＫしたものである。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。図は
同実施例のＬＤＤ型ＭＯＳＦＥＴであり、１はＰ型シリ
コン基板、２．は深くＮ型にドープされたドレイン（ま
たはソース）、２．は深くＮ型にドープされたソース（
またはドレイン）、３１は浅くＮ型にドープされたドレ
イン（また＋ｔソース）、ｓ、は浅くＮ型にドープされ
たソース（またはドレイン）、４は多結晶シリコンゲー
ト（第１のゲート）、５は５ｉｎ２膜、６は多結晶シリ
コンよりなる第２のｅ−）である。
即ち本発明にありテハ、Ｉ、ＤＤ型ＭＯＳＦＥＴ　Ｏｒ
　−ト、ソース及びドレインを薄い（例えば５ｏｏＸ）
８１０膜５で覆い、その上に多結晶シリ；ン膜６を例え
ばＬＰＣＶＤ（Ｌｏｖ　Ｐｒｅｓｓｕｒ＠Ｃｈ＠ｍ１ｅ
ａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｌｏｎ）法で堆積する
。そして多結晶シリコン膜６は、例えば絶縁膜５に開け
たコンタクト孔により、例えばグー）４に接続するもの
である。
しかして前述した如（ＬＤＤ型ＭＯＳＦＥＴの劣化は、
浅くドープされたドレイン３１上の絶縁膜中にキャリア
がドラッグされ、そのキャリアが上記ドレイン中のキャ
リア数を減少させることによって起こる。従ってこのド
レイン上に第２のゲート６を設け、そこに適当な電位を
与えることにより絶縁膜中へのキャリアの注入が抑制さ
れ、また注入・ドラッグされてもそれがドレイン中のキ
ャリア数の減少を引き起こさないよ５になる。これは、
第２のゲート電極６に逆極性の電荷が誘起され、トラ、
ｆされた電荷の効果を打ち消すためである。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、従来のものよりホッ
トキャリアによる劣化を起こしＫくいＬＤＤ型のＭＯＳ
電界効果ト２ンジスタが提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、ｊｌ　、’、−・・深くＮ
型にドープされたドレインまたはソース、３１゜！　、
−・・浅くＮ型にドープされたドレインまたはソース、
４・・・多結晶シリコンよりなる。第１Ｏｆ−ト、５・
・・８１０□膜、６・・・多結晶シリコンよりなる第２
のゲート・

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）浅くドープされたドレイン（いわゆるＬＤＤ）を
    もつＭＯＳ型電界効果トランジスタ本体と、該本体のチ
    ャネル領域上の第１のゲートとは別に前記本体の前記浅
    くドープされたドレイン上に設けられた第２のゲートと
    を具備したことを特徴とするＭＯＳ型電界効果トランジ
    スタ。
  2. （２）前記第２のゲートを第１のゲートに接続したこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＭＯＳ型電
    界効果トランジスタ。
  3. （３）前記第２のゲートをドレインに接続したことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＭＯＳ型電界効
    果トランジスタ。
  4. （４）前記第２のゲートをソースに接続したことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載のＭＯＳ型電界効果
    トランジスタ。
  5. （５）前記第２ゲートの材質に高抵抗多結晶シリコンを
    用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    ＭＯＳ型電界効果トランジスタ。
JP11591385A 1985-05-29 1985-05-29 Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ Pending JPS61274365A (ja)

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JP (1) JPS61274365A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5274261A (en) * 1990-07-31 1993-12-28 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit degradation resistant structure
KR100295450B1 (ko) * 1993-03-19 2001-09-17 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5274261A (en) * 1990-07-31 1993-12-28 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit degradation resistant structure
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