JPS61275122A - 太陽電池級シリコン製造用還元剤の製造方法 - Google Patents
太陽電池級シリコン製造用還元剤の製造方法Info
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- JPS61275122A JPS61275122A JP11513385A JP11513385A JPS61275122A JP S61275122 A JPS61275122 A JP S61275122A JP 11513385 A JP11513385 A JP 11513385A JP 11513385 A JP11513385 A JP 11513385A JP S61275122 A JPS61275122 A JP S61275122A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、太陽電池級シリコンの製造に供する炭素質還
元剤の製造方法、特に高純度炭素質粉末を糖類の水溶液
によって塊成化処理して製造する方法に関する。
元剤の製造方法、特に高純度炭素質粉末を糖類の水溶液
によって塊成化処理して製造する方法に関する。
〈従来技術とその問題点〉
太陽電池級シリコン(Solar Grade−!Ji
、5OG−Siと略す)は現在珪石を還元して得た金属
シリコンを塩素化してガス体となし、このガスを精製会
還元する事により製造されているが、製造に要するエネ
ルギーは非常に大きく低コスト化には限界があるといわ
れている。
、5OG−Siと略す)は現在珪石を還元して得た金属
シリコンを塩素化してガス体となし、このガスを精製会
還元する事により製造されているが、製造に要するエネ
ルギーは非常に大きく低コスト化には限界があるといわ
れている。
一方、最近国産の低品位珪砂を5OG−5i原料となり
うる純度まで精製する技術が確立されつつある。このよ
うにSi02からシリコンを直接製造する際に、還元剤
として活性炭あるいはカーボンブラック等を高純度化し
た炭素粉を糖類、炭水化物等の結合剤と混合して構成化
して使用している。
うる純度まで精製する技術が確立されつつある。このよ
うにSi02からシリコンを直接製造する際に、還元剤
として活性炭あるいはカーボンブラック等を高純度化し
た炭素粉を糖類、炭水化物等の結合剤と混合して構成化
して使用している。
西独特許第3013319号明細書には、5OG−9i
生成のためのSin 2の還元工程に対する高温溶融法
において活性化された炭素を砂糖又はセルロースのよう
な結合剤で石英砂と結合した錠剤の形で使用する方法が
開示され、又特開昭58−190809号に記載されて
いるように炭素粉を好ましくはフェノール樹脂で粒状化
し、予め粒状化された高純度SiO2と共に高温化で還
元する方法が、開示されている。
生成のためのSin 2の還元工程に対する高温溶融法
において活性化された炭素を砂糖又はセルロースのよう
な結合剤で石英砂と結合した錠剤の形で使用する方法が
開示され、又特開昭58−190809号に記載されて
いるように炭素粉を好ましくはフェノール樹脂で粒状化
し、予め粒状化された高純度SiO2と共に高温化で還
元する方法が、開示されている。
又特開昭52−88895号には、カーボンブラックに
糖類水溶液を混入して造粒する方法、特開昭55−13
8118号には活性炭及びカーボンブラックと糖、デン
プン、セルロース等の結合剤でペレット化して使用する
方法などが開示されている。
糖類水溶液を混入して造粒する方法、特開昭55−13
8118号には活性炭及びカーボンブラックと糖、デン
プン、セルロース等の結合剤でペレット化して使用する
方法などが開示されている。
しかしながら、炭素質粉末を塊成化する5OG−5i製
造用の還元剤を種々検討した結果、還元剤の反応性及び
塊製品の強度の面で炭素質粉末の表面形状が特に重要で
あることを知見した。
造用の還元剤を種々検討した結果、還元剤の反応性及び
塊製品の強度の面で炭素質粉末の表面形状が特に重要で
あることを知見した。
表面形状が滑らかすぎる場合反応性が劣りSiO→Si
C反応が遅くなる。塊成品細孔中へのSiCの侵入速度
が停滞するなどで5rC−+S+反応が遅くなり5OG
−5iの生成速度が低下する。
C反応が遅くなる。塊成品細孔中へのSiCの侵入速度
が停滞するなどで5rC−+S+反応が遅くなり5OG
−5iの生成速度が低下する。
また1表面形状が粗らすぎる場合は炭素質粉末の塊成化
時に結合剤の消費量が多くなり、加熱下での熱分解量が
著しく増加する。この結果、熱割れ発生が顕著となり操
業中の微粉の発生増大及び棚つりなどによる操業困難を
引き起こす恐れがある。
時に結合剤の消費量が多くなり、加熱下での熱分解量が
著しく増加する。この結果、熱割れ発生が顕著となり操
業中の微粉の発生増大及び棚つりなどによる操業困難を
引き起こす恐れがある。
〈発明の目的〉
従って、本発明の目的は炭素質粉末の表面形状を適度な
レベルに管理して塊成品に適度な反応性と熱割れ安定性
をもたせることにより安定且つ高生産性をもって太陽電
池級シリコン製造用還元剤の製造方法を提供しようとす
るにある。
レベルに管理して塊成品に適度な反応性と熱割れ安定性
をもたせることにより安定且つ高生産性をもって太陽電
池級シリコン製造用還元剤の製造方法を提供しようとす
るにある。
〈発明の構成〉
本発明は、炭素質粉末を塊成化して太陽電池級シリコン
製造用の還元剤を製造する方法において1次素質粉末の
比表面積(m″/g)と平均粒径(−)との比がI X
1G3〜6 X103 (m/g) テアル炭素質粉末
を少なくとも1種の糖類の水溶液にて塊成化し、塊成化
した炭素粒を乾燥することを特徴とする太陽電池級シリ
コン製造用還元剤の製造方法を提供するものである。
製造用の還元剤を製造する方法において1次素質粉末の
比表面積(m″/g)と平均粒径(−)との比がI X
1G3〜6 X103 (m/g) テアル炭素質粉末
を少なくとも1種の糖類の水溶液にて塊成化し、塊成化
した炭素粒を乾燥することを特徴とする太陽電池級シリ
コン製造用還元剤の製造方法を提供するものである。
以下本発明を更に詳細に説明する。
炭素粒をシャフト炉へ装入し、底部からSiO2を導入
して還元する5OG−9i製造プロセスでは1粒径lO
〜20■、気孔率45〜55駕、圧潰強度3kgf以上
でさらに高反応性であり生成したSiCが炭素粒中の細
孔に侵入できるよう表面形状が粗である炭素粒が必要と
されている。
して還元する5OG−9i製造プロセスでは1粒径lO
〜20■、気孔率45〜55駕、圧潰強度3kgf以上
でさらに高反応性であり生成したSiCが炭素粒中の細
孔に侵入できるよう表面形状が粗である炭素粒が必要と
されている。
このような炭素粒の原料としてはタール蒸留より得られ
るクレオソート油、あるいはエチレンボトムなどを12
00〜1900℃の高温火炎中に噴霧して製造するカー
ボンブラックが反応性の他生産性、価格の面で優れてい
るといえる。
るクレオソート油、あるいはエチレンボトムなどを12
00〜1900℃の高温火炎中に噴霧して製造するカー
ボンブラックが反応性の他生産性、価格の面で優れてい
るといえる。
カーボンブラックは通常、平均粒径が20〜100−1
比表面積が20〜300 rn’/gのものが市販され
ている。
比表面積が20〜300 rn’/gのものが市販され
ている。
ピッチコークスや冶金用コークスと比べて1粒径が小さ
く、且つ比表面積が10〜100倍高いのが特徴である
。
く、且つ比表面積が10〜100倍高いのが特徴である
。
しかし粒径性布巾が狭い事1表面活性が低い事などから
塊成化しに〈<、塊成化しても強度が低い。
塊成化しに〈<、塊成化しても強度が低い。
しかしながら、カーボンブラックは糖類の水溶液にはな
じみが良好で、例えば庶糖10〜30%の水溶液の場合
は皿型造粒機などにて10〜20mmに塊成化すること
が可能である。
じみが良好で、例えば庶糖10〜30%の水溶液の場合
は皿型造粒機などにて10〜20mmに塊成化すること
が可能である。
しかし1本発明者らが知見した結果によると炭素質粉末
の表面形状が粗すぎると塊成品の強度が低下する。
の表面形状が粗すぎると塊成品の強度が低下する。
一方、表面形状が滑らかすぎると塊成品の強度は向上す
るものの、反応性が低下してシリコンの生成速度が遅く
なり生産性が低下する傾向がある。
るものの、反応性が低下してシリコンの生成速度が遅く
なり生産性が低下する傾向がある。
そこで本発明者らは炭素質粉末の表面特性と塊成品強度
及びシリコン生成速度について鋭意検討した結果、炭素
質粉末の表面特性として炭素質粉末の比表面積(m″/
g)と平均粒径(−)との比(s/g)で表わすことが
適しており、更にその値とL[I X103〜8 X1
03 、好ましくは2X1G3〜3X103に選択する
のが塊成品の強度及び反応性両面で良好であるとの事実
を見出した。
及びシリコン生成速度について鋭意検討した結果、炭素
質粉末の表面特性として炭素質粉末の比表面積(m″/
g)と平均粒径(−)との比(s/g)で表わすことが
適しており、更にその値とL[I X103〜8 X1
03 、好ましくは2X1G3〜3X103に選択する
のが塊成品の強度及び反応性両面で良好であるとの事実
を見出した。
比表面積と平均粒径との比に対する塊成品強度およびS
i生成速度の関係を第1図に示す、第1図は後述する実
施例に基くものである。同図において比表面積と平均粒
径との比(以下A値という)がI X 103 (m/
g)未満では表面の形状が滑らかになりすぎ、SiO→
SiC及びSiCq)炭素粒中への侵入が低下するため
Siの生産性が劣る。A値が8X103(■/g)をこ
えると塊成化時に使用する結合剤の量が増加し加熱時に
おける結合剤の熱分解に伴なう亀裂生成が顕著となり、
強度が著しく低下する。炭素質粉末の表面特性を示すA
値がlX103〜6X103〜6×103(m/g)の
範囲では塊成品の強度が3kgf以上でかつSiの生成
速度が20g/H以上と良好な結果を示している。
i生成速度の関係を第1図に示す、第1図は後述する実
施例に基くものである。同図において比表面積と平均粒
径との比(以下A値という)がI X 103 (m/
g)未満では表面の形状が滑らかになりすぎ、SiO→
SiC及びSiCq)炭素粒中への侵入が低下するため
Siの生産性が劣る。A値が8X103(■/g)をこ
えると塊成化時に使用する結合剤の量が増加し加熱時に
おける結合剤の熱分解に伴なう亀裂生成が顕著となり、
強度が著しく低下する。炭素質粉末の表面特性を示すA
値がlX103〜6X103〜6×103(m/g)の
範囲では塊成品の強度が3kgf以上でかつSiの生成
速度が20g/H以上と良好な結果を示している。
炭素質粉末としては、カーボンブラックが好ましいが、
活性炭や他の炭素質粉末でも前記の表面特性を示すもの
であれば本発明の目的に合う。
活性炭や他の炭素質粉末でも前記の表面特性を示すもの
であれば本発明の目的に合う。
この特性を示す炭素質粉末を原料として、糖類の水溶液
で塊成化する。糖類としては、カーボンブラックとのな
じみのよい血糖の他に、血糖と類似の熱分解特性を示す
糖類が適している0例えば、ブドウ糖などの単糖類、麦
芽糖、乳糖などの二糖類、さらにセルロース、ソグニン
などの多糖類にも適用でき、これらの糖類は1種で用い
てもよく、さらに2種以上混合して用いてもよい。
で塊成化する。糖類としては、カーボンブラックとのな
じみのよい血糖の他に、血糖と類似の熱分解特性を示す
糖類が適している0例えば、ブドウ糖などの単糖類、麦
芽糖、乳糖などの二糖類、さらにセルロース、ソグニン
などの多糖類にも適用でき、これらの糖類は1種で用い
てもよく、さらに2種以上混合して用いてもよい。
これらの糖類の水溶液により塊成化する際に、塊成化し
た炭素粒の強度を規定するために、糖類の量も重要であ
る。前述の表面特性に対して適する量としてはlO〜3
0wt$である。 10wtX未満では乾燥過程で亀裂
発生が起こり強度が低下する。
た炭素粒の強度を規定するために、糖類の量も重要であ
る。前述の表面特性に対して適する量としてはlO〜3
0wt$である。 10wtX未満では乾燥過程で亀裂
発生が起こり強度が低下する。
30wt$を越えるのは経済的ではない。
次に塊成化した炭素粒を乾燥することによって目的の還
元剤を製造する。この乾燥条件としては好ましくは12
0〜130℃で送風乾燥し、炭素粒の水分を8wH以下
に乾燥する。 8wt%を越えると炭素粒の強度が低く
、亀裂も発生する。 表面特性を管理した炭素質粉末を
原料として糖類の水溶液で塊成化し、乾燥することによ
り、圧潰強度が高く、Siの生成速度の良好な炭素粒が
得られる。
元剤を製造する。この乾燥条件としては好ましくは12
0〜130℃で送風乾燥し、炭素粒の水分を8wH以下
に乾燥する。 8wt%を越えると炭素粒の強度が低く
、亀裂も発生する。 表面特性を管理した炭素質粉末を
原料として糖類の水溶液で塊成化し、乾燥することによ
り、圧潰強度が高く、Siの生成速度の良好な炭素粒が
得られる。
更に、乾燥した後に、N2などの不活性雰囲気中で28
0〜320℃、好ましくは300℃近傍の温度で加熱処
理することにより、炭素粒の強度がより高くなり、亀裂
が発生せず、5OG−Si製造プロセスの還元剤として
最も適する炭素粒が得られる。
0〜320℃、好ましくは300℃近傍の温度で加熱処
理することにより、炭素粒の強度がより高くなり、亀裂
が発生せず、5OG−Si製造プロセスの還元剤として
最も適する炭素粒が得られる。
〈実施例〉
比表面積と平均粒径との比A値が0.lX103〜10
X 103 (+s/g)の範囲を示すカーボンブラッ
クを30駕濃度の血糖水溶液を用いて1000φ鵬■の
皿型造粒機で転勤造粒して血糖を17wtX含有した1
(1〜20■■の炭素粒を製造した。この時の炭素粒の
含水量は35〜4’0 %であった。これを125℃で
70分間送風乾燥して水分を8%とした後、マツフル炉
にてN2雰囲気下300℃で80分間保持した後冷却し
て成品を得た。
X 103 (+s/g)の範囲を示すカーボンブラッ
クを30駕濃度の血糖水溶液を用いて1000φ鵬■の
皿型造粒機で転勤造粒して血糖を17wtX含有した1
(1〜20■■の炭素粒を製造した。この時の炭素粒の
含水量は35〜4’0 %であった。これを125℃で
70分間送風乾燥して水分を8%とした後、マツフル炉
にてN2雰囲気下300℃で80分間保持した後冷却し
て成品を得た。
成品を1500℃に保持したタンマン炉に入れ、底部か
らSi02をIg#+inの速度で吹込み、Siの製造
実験を行った。
らSi02をIg#+inの速度で吹込み、Siの製造
実験を行った。
これらの結果を表1に示す、A値がlX103(m/g
)未満のものは圧潰強度は5kgF以上と高いもののS
iの生成速度が15g/H以下と低い、しかし本発明の
A値がlX103〜8X103(濁/1)を示すものは
圧潰強度は3kgf以上、Si生成速度は20〜22g
/)I 、収率70〜80%と良好な結果かえられた。
)未満のものは圧潰強度は5kgF以上と高いもののS
iの生成速度が15g/H以下と低い、しかし本発明の
A値がlX103〜8X103(濁/1)を示すものは
圧潰強度は3kgf以上、Si生成速度は20〜22g
/)I 、収率70〜80%と良好な結果かえられた。
一方、A値が8 X 103 (W/g)をこえるもの
の場合、圧潰強度がlltgf以下に低下し、実験中、
塊成品の棚つりが頻発し、円滑な実験が困難であった。
の場合、圧潰強度がlltgf以下に低下し、実験中、
塊成品の棚つりが頻発し、円滑な実験が困難であった。
表 1
第1図は炭素質粉末の表面特性(比表面積と平均粒径と
の比)と炭素粒の強度及び還元剤の反応性を表現するS
i生成速度の関係を示したグラフである。 なお、曲線(a)はA値とSi生成速度との関係を示し
1曲線(b)はA値と炭素粒の圧積強度との関係を示す
。
の比)と炭素粒の強度及び還元剤の反応性を表現するS
i生成速度の関係を示したグラフである。 なお、曲線(a)はA値とSi生成速度との関係を示し
1曲線(b)はA値と炭素粒の圧積強度との関係を示す
。
Claims (1)
- 炭素質粉末を塊成化して太陽電池級シリコン製造用の還
元剤を製造する方法において、炭素質粉末の比表面積(
m^2/g)と平均粒径(μm)との比が1×10^3
〜6×10^3(m/g)である炭素質粉末を少なくと
も1種の糖類の水溶液にて塊成化し、塊成化した炭素粒
を乾燥することを特徴とする太陽電池級シリコン製造用
還元剤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11513385A JPS61275122A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 太陽電池級シリコン製造用還元剤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11513385A JPS61275122A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 太陽電池級シリコン製造用還元剤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275122A true JPS61275122A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14655094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11513385A Pending JPS61275122A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 太陽電池級シリコン製造用還元剤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002081373A1 (fr) * | 2001-04-05 | 2002-10-17 | Kabushiki Kaisha B . M | Procede de production de silicium |
| JP2012504089A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 炭水化物の熱分解方法 |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP11513385A patent/JPS61275122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002081373A1 (fr) * | 2001-04-05 | 2002-10-17 | Kabushiki Kaisha B . M | Procede de production de silicium |
| JP2012504089A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 炭水化物の熱分解方法 |
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