JPS6127558A

JPS6127558A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6127558A
Application number: JP59150189A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-07-18
Filing date: 1984-07-18
Publication date: 1986-02-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用い・るのに適した光受容部材に関
する。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容・部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭５４−８６３．４１号公報や特開昭５
６−８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を
含む非晶質材料（以後ｒａ−３ｉ」と略記する）から成
る光受容部材が注目されている。

丙午ら、光受容層を単層構成のａ−３ｔ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計」二の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層゛した二層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及
び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とした
りして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案さ
れている。

この様な提案によって、ａ−Ｓｔ系先光受容部材その商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、
ある層の層厚がなだらかに一以上の層　ｎ厚着で不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝　（ｍ＋
−！−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のど
ちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透過光
量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材」−に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
ｊ±無理であって、支持体表面での反射光は残存する。

又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ　−Ｓ’　ｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−３ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法の場合には、第３
図に示す様に、例えば入射光Ｉ０は、光受容層３０２の
表面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは
、光受容層３０２の内部に進入して透過光量１となる。

透過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光Ｋ　１　＋　Ｋ２　＋　Ｋ３・
・・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、
その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って
、反射光Ｒ４と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留す
る為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来な
い。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２０表面での反射光Ｒ２。

第２層での反射光Ｒ１，支持体４０１面での正反射光Ｒ
３の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって
干渉縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材に
おいては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、
干渉縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄｌ　＝　（ｍ＋ｙ２）λが成立ち、夫々明
部または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄＩ　＋　ｄ２１　ｄ３　＋　ｄ４の夫々−性があ
るため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、上記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を
提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、支持体と；シリコン原子とゲル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層
と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性
を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設けられ
た多層構成の光受容層と；を有し、前記光受容層がショ
ートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平
行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に
多数配列し、該非平行な界面が配列方向において各々な
めらかに連結している光受容部材において、前記第１の
層及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質が“含有されていることを特徴としている。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において、装置の要求解像力よりも微小でなめら
かな凹凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸
の傾斜面に沿って多層構成の光受容層を有する。該光受
容層は第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層
６０２の層厚ｄ５からｄｓと連続的に変化している為に
、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有してい
る。

従って、この微小部分（ショートレンジ）文に入射した
可干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉ０に対する
反射光Ｒ０と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７≠ｄｓ）でも同様にいえる為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
８２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＯに対し
て、反射光Ｒ，，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３が存在する。

その九番々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない、又、仮に画像
に現われているとして゛も眼の分解能以下なので実質的
には何隻支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、見≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄｓ）は、照射光の波
長をλとすると、であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部・公文の
層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくと
もいずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層
の層厚が各層の形成の際に微小カラム内に・於て制御さ
れるが、この条件を満足するならば該微小カラム内にい
ずれか２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が、以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
、本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚−を光学的レベルで正確に制御できることからプラ
ズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が
採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで、所望のなめらかな凹凸形状
、ピッチ、深さで形成される。　この様な切削加工法に
よって形成される凹凸が作り出す正弦関数形線状突起部
は、円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有す
る。この様な構造の一例を第９図に示す。第９図におい
てＬは支持体の長さであり、ｒは支持体の直径であり、
Ｐは螺旋ピッチであり゛、Ｄは溝の深さである。

正弦関数形突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋
構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−３ｉ層は１層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００　ｇｍ
”０　、３１Ｌｍ、より好ましくは２００ＪＬｍ−１４
ｍ、最適には５０ＩＬｍ〜５島ｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１７ｚｍ〜５ｐ
Ｌ−ｍ、より好ましくは０．３ルｍ〜３ＪＬｍ、最適に
は０．６ｐｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。支持体表
面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、
隣接する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値点とを結
ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、より好ま
しくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度とされるの
が望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＯ，
ｌｊＬｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．４　ｐＬｍ”　
１　、５　ｇ、ｍ、最適には０．２ｐｍ〜ＩＩＬｍとさ
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材における光受容層はシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導
電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含
む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設け
られた多層構成となっているため、極めて優れた電気的
、光学的、光尊重的特性、電気的耐圧性及び使用環境特
性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光領域において光
感度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に、半導体レーザーとのマツチングに優れ、
且つ光応答が早い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１ｏｏｉの上に、光受容層１０００を有す
る。

光受容層１０００は、支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを含有し必要に応じて水素原子
及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む非晶質
材料（以後ｒａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）
で構成された第１の層（Ｇ）１００２と必要に応じて水
素原子及びハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方を含む
ａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する
）で構成され光導電性を有する第２の層（Ｓ）１００３
と表面層１００５とが順に積層された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向及び支持体
１００１の表面と平行な面内方向に連続的均一に分布し
た状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含有
される。

本発明の好適な実施態様例の光受容部材１００４に於い
ては、少なくとも第１の層（Ｇ）１００２に伝導特性を
支配する物質（Ｃ）が含有されており、第１の層（Ｇ）
１００２に所望の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）１
００２の全層領域に万遍なく均一に含有されても良く−
、第１の層（Ｇ）１００２の一部の層に偏在する様に含
有されても良い、゛本発明に於いて伝導特性を支配する
物質（Ｃ）を第１の層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する
様に第１の層（Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質
（Ｃ）の含有される層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）
の端部層領域として設けられるのが望ましい、殊に、第
１の層（Ｇ）の支持体側の端部層領域として前記層領域
（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域（ＰＮ）中に
含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望
に応じて適宜選択することによって支持体から光受容層
中への特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止すること
が出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層ＣＧ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく或いは層厚方向に偏在する様に含有させるのが
好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）上に設
けられる第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させ
ても良い。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第２の層
（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類やその含有量、
及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）の
全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、その
一部の層領域に均でに含有させても良い。

第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中に含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は／及び
第２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い）の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ　−Ｓ　ｉ
　（Ｈ、’Ｘ）又は／及びａ−３ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ）に対
して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｉ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｉ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは。

Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて゛、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量
が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１”５Ｘ１０’　ａｔ　ｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、よ
り好適には０　、５〜ＩＸＩ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　　
ｐｐｍ、最適には、１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
好ましくは３０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ、ｐｐｍ以上
、より好適には５０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以」−１最
適には１００１００ａｔｏ　　ｐｐｍ以上とすることに
よって、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不
純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処
理を受けた際に支持体側からの光受容層中への電子注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光
受容中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来る
。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の極
性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ
）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に
含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有さ
せても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては１層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０．００１−１０００ａｔｍｉｃ　　ｐｐｍ、
より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ
、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波長連
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間にお
ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場合の、
第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を
第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収すること
が出来、支持体面からの反射による干渉を一層効果的に
防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは１
〜９．５Ｘ１０５　ａｔ　。

ｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜８ｘ１０’
ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ１０’
　ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢハ好ましく
は３０Ａ〜５０ＩＬ、より好ましくは、４０Ａ〜４０井
、最適には、５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ＩＬ、より好ましくは１〜８０ＩＬ最適には２〜５０
ＩＬとされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２層Ｃ５）の層厚Ｔの和
（ＴＢ十Ｔ）としては、両層に要求される特性と光受容
層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性に基
いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、適宜決
定される。。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００＃Ｌ、より好
適には１〜８０ＪＬ、最適には２〜５０ＩＬとされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択の
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係
が満足される様に層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定される
のが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウムニウム原子の含有量がｔｘｔｏ５ａｔｏｍｉｃ　
　ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと
しては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３
０ＩＬ以下、より好ましくは２５ＩＬ以下、最適には２
０ＩＬ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層ＣＧ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
　で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料力スとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ、）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ−３ｆＧｅ（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法↑形成する場合には、例えばＡ
ｒ、Ｈｅ等の′不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲット
、あるいは該ターゲットとＧｅで構成されたターゲット
の一二枚を使用して、又はＳｌとＧｅの混合されたター
ゲットを使用して。

必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の希釈ガスで希釈されたＧｅ
供給用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（ｘ）導入用のガスをスパッタリン
グ用の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を形
成して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば良
い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば、多結晶シ
リコン又゛は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッ
タリングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，５ｉ２）１６．Ｓｉ３Ｈ
ｇ、５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に１Ｍ作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳ　ｉ　Ｈａｓ　、　　Ｓ’ｉ２　Ｈ６が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４ＨＩ６．Ｇ
ｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１ａ、Ｇｅ７Ｈｌ、、Ｇｅａ　Ｈ
ｌ８．Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水
素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の
良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　Ｈ６
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、Ｃ見Ｆ３　、ＢｒＦ、、、Ｂ
ｒＦ３　、ＩＦ３、ＩＦ、。

ＩＣＵ、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出
来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ＼ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ、、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣｊＬａ、ＳｉＢ、ｒ４等
のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化ケイ素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１の層ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化ケイ素とＧｅ’供給用の原料
ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ，、、Ｈｅ等
のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１
の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易に
なる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素
原子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成
しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数混合
して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むケ
イ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２或いは前記したシラン類又は／及
び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用の
堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣＩ、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）ハロゲン
化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ７Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ立２
　、　Ｓ　ｉ　Ｉ（Ｃ見３、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｂ　ｒ２　、
Ｓ　１ＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化ケイ素、及びＧ
ｅＨＦ３　、ＧｅＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣｌ３
　、ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３　、
ＧｅＨ２Ｂ　ｒ２、ＧｅＨＢｒ３ＧｅＨ３■等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、Ｇ　ｅ　Ｆ
　４　、　Ｇ　ｅ　ＣｆＬ　４　、　Ｇ　ｅ　Ｂ　ｒ　
ａ、ＧｅＩ４．ＧｅＦ２．ＧｅＣＪ１２．ＧｅＢｒ２、
Ｇ　ｅ　Ｉ　２等のハロゲン化ゲルブニウム、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ
）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いはＳ　ｉ　Ｈ，、Ｓｉ２．Ｈ６，
Ｓｉ３Ｈｇ、５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３　Ｈ８，Ｇｅａ　Ｈ
□、、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈｔａ、　　　Ｇｅ、Ｈｔ
　　６　、　　　Ｇｅ６Ｈｔａ、、Ｇｅｓ　Ｈ２゜等の
水素化ゲルマニウムとＳｔを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容部材の
第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏｍｉｃ％
、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形“成するには、前記した第１の層（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形
成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（Ｇ）を
形成する場合と同様の方法と条件に従って行うことが出
来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例え
ば、グロー放電法によってａ−３ｉ（”Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料イスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ−ｓｉ（Ｈ，ｘ）からなる層を形
成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には５〜
２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、たとえば第■族原子あるいは第Ｖ前原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには１層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質あるいは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に光受容層を形成するための他の出発物質と
共に導入してやればよい、この様な第■族原子導入用の
出発物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状態
の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが好ましい、その様な第■族原子導入
用の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ６，Ｂ。

Ｈ１６，、Ｂｅ、Ｈｇ、Ｂ５Ｈ１＠　＊　Ｈ６Ｈｌ　６
　。

Ｂ６Ｈ□２．Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣ
１３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣｌ３　、Ｇａ　（ＣＨ３）３
．ＩｎＣｌ３．Ｔ−ＩＣ１３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
ｐ２Ｈ４等の水素化溝、ＰＨ４■、ＰＦ３　、ＰＦ５　
、ＰＣＩ３　、ＰＣＩｓ　。

ＰＢ　ｒ３　、ＰＢｒ３　、ＰＩ３等（１）　ハｔｆｆ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　
、ＡｓＣｌ３　、ＡｓＢｒ３．ＡｓＦｃ、、ＳｂＨ３，
５ｂＦｓ、５ｂＦｓ、５ｂＣ１ｓ、５ｂＣ１ｓ、ＳｉＨ
３，５ｉＣ１３，Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出
発物質の有効なものとして挙げることができる。

第１０図に示される光受容部材１００４においては、第
２の層１００３上に形成される表面層１００５は自由表
面を有し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、機械的耐久性、光受容特性において本
発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層１００５は、シリコン原子（Ｓｔ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
ｒａ−（ＳｉＣ１）ｘ　　　　　　−ｘｙ（Ｈ，Ｘ）Ｉ　　　Ｊと記す、但し、Ｏ＜ｘ、３Ｆ≦　
ｙ１）で構成される。

ａ−（Ｓｉ　Ｃ１）　（Ｈ，Ｘ）１　ｉ？ｘ　　　−ｘ
ｙ　　　　　　　−ｙ構成される表面層１００５の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光受容部□材を製
造するための作製条件の制御が比較的容易である、シリ
コン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する
表面層１００５中に導入するのが容易に行える等の利点
からグロー放電法或はスパッターリング法が好適に採用
され−る。更に、本発明に於いては、グロー放電法とス
パッターリング法とを同一装置系内で併用して表面層１
００５を形成してもよい。

グロー放電法によ７て表面層１００５を形成するには、＆　−（Ｓ　ｉ　　Ｃ１）　　　（Ｈ、Ｘ）　１ｘ　　
　−ｘｙ　　　　　　　−ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体」二に形成されで
ある層上にａ−（Ｓｉ　　Ｃ＋　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　。

ｘ　　　　　　−ｘｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉＣ＋）ｘ　　　　　　−ｘｙ（ｉ’ｔ　、　ｘ）　＋　　　形成用の原料ガスとして
は、シ　ｙリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）
、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘ（７）中（７）−ツトＬテ、Ｓｉを構
成原子とする原料ガスを使用する場合は、例えば、Ｓｉ
を構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料ガス又
は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比
で混合して使用するか、又はＳｔを構成原子とする原料
ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／及び
Ｃ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所
望の混合比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とす
る原料ガスと、Ｓｉ４、Ｃ及びＨの３つを構成原子とす
る原料ガス又は、Ｓｔ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別に−は、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合し゛て使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００５中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ。

ＣＭ、Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいもので
ある。

本発明に於いて、表面層１００５を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１０−０５形成用の原料ガスと
して有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とす
るＳ　ｉＨ４、Ｓ　ｉ、Ｈ６，Ｓ　１３ＨＢ　　、　Ｓ
　ｉｎ　Ｈｌ　ｏ等のシラン（ＳｉＪｌａｎｅ）類等の
水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば、
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水′素、
ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハ
ロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等
を挙げる事ができる。具体的には、飽和炭化水素としで
はメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（
Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ　　ＣａＨ＋ｏ）、ペンタ
ン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン炭化水素としては、エチレ
ン（Ｃ２Ｈ４）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−
１（Ｃａ　Ｈｅ　）　、ブテン−２（Ｃ，４Ｈｅ　）　
、　インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（ＣｓＨ＋。

）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２
Ｈ２）　、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチンＣＣ
４Ｈ＆　）、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、
ＦＨ，ＨＩ、ＨＣＪＩ、ＨＢｒ、ハロゲン間化合物とし
ては、ＢｒＦ、ＣｆＬＦ、ＣｆＬＦ３．ＣｆＬＦｓ　、
ＢｒＦ５．、ＢｒＦ３　、ＩＦ７　、ＩＦＳ　ＩＩｃＭ
、ＩＢｒ、ハロゲン化硅素としては、ＳｉＦ４．Ｓｉ２
Ｆ６　．５ｉＣｆＬ３Ｂｒ、５ｉＣ１ｚ　Ｂｒ２　．５
ｉＣＩＢｒ３　、Ｓｉ０文３　Ｉ　、ＳｉＢｒ４．ハｔ
ｆｆゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＨ２’Ｆ２，５
ｉＨ２Ｃ文２，５ｉＨＣ文３，５ｉＨ３Ｃ立、５ｔＨ３
Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨＢ　ｒ
３．水素化硅素としては、Ｓ　ｉＨ４＋Ｓｉ２　Ｈ６，
５ｉ３ＨＢ　、５ｉ４Ｈ，６等のシラーン（Ｓｉｉａｎ
ｅ）類、等々を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ４　、ＣＣ１ｏ　、ＣＢ　ｒ４　　、
ＣＨＦ３　　、ＣＨ２Ｆ２　　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３Ｃ
文、ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ３ＣＪＬ等ノハロゲ
ン置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４．ＳＦ６等のフッ
素化硫黄化合物、Ｓｔ　（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈｒ
、）４等のケイ化アルキルやＳｉＣ見（ＣＨ３）ａ、Ｓ
ｉＣ文２　（ＣＨ３）２．５ｉｃｘ、、ＣＨ３等のハロ
ゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なもの
として挙げることができる。

これ等の表面層１００５形成物質は形成される表面層１
００５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される
様に、表面層１００５の形成の際に所望に従って選択さ
れて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｔ
（ＣＨ３）ａと、ハロゲン原子を含有させるものとして
の５ｉＨＣｕ３　．５ｉＨ２Ｃ文７，５ｉＣｕ４．或い
は、５ｉＨＢＣ文等を所定の混合比にして、ガス状態で
表面層１００５形成用の装置内に導入してグロー放電を
生起させることによってａ　　（Ｓ　ｉ　Ｃ１）（ｃｘ
＋ｘ　　　　　　−ＸＨ）　１　　から成る表面層１００５を形成するこ−ｙとができる。

スパッターリング法によって表面層１００５を形成する
には、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェー
ハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲン
原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々のガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば
良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例で示した
表面層１００５形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００５をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ　、Ｎｅ　、Ａｒ
等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００５は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ（Ｓ　
ｉｘＣｒ　　　）　　　（Ｈ、Ｘ）　１ｙが形成される
様に、−Ｘ　　　ｙ所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、表面層１００５を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、ａ−（Ｓｉ　　Ｃ１）　　　（Ｈ＋Ｘ）ｔ　　。

ｘ　　　　　　−ｘｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００５が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ（Ｓ　ｉＣｒ　　　）　　　（Ｈ＋　Ｘ　）、　ｔ　
　、　ｙｘ　　　　　　−ｘｙが作成がされる。

第２の層表面にａ−（Ｓｔ　　　Ｃ１）　　　　（Ｈ，Ｘ）ｔｘ−＝ｘ
ｙ　　　　　　　　　　　　　　−ｙから成る表面層１
００５を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成さ
れる層の構造及び特性を　′左右する重要な因子であっ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有するａ　　（Ｓ　ｉ　ＣＩ　　）　　　（Ｈ＋　ｘ）　Ｉ　
ｙｘ　　　　　　−ｘｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて、表面層１００５の形成が実行されるが好ましく
は、２０〜４００℃、′より好適には５０〜３５０℃、
最適には１００〜３００°Ｃとされるのが望ましいもの
である。表面層１００５の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
、比較的容易である車等のために、グロー放電法やスパ
ッターリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成
法で表面層１００５を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ　　（Ｓ　ｉＣｓ　　　）　　　（Ｈｒ　ｘ）　ｒ　
　ｙｘ　　　　　−ｘｙの特性を左右する重要な因子の一つである６本発明に於
ける目的が達成されるための特性を有するａ　−（Ｓ’　Ｉ　　Ｃ１）　　　（ＨＴ　ｘ）　＋　
　ｙｘ　　　　　−ｘｙが生産性良く効果的に作成されるための放電バク−条件
としては好ましくは１Ｏ−１０００Ｗ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０ｌ−ＩＴ。

ｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層１００５を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ−（Ｓｉ　　Ｃ＋　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　。

ｘ　　　　　　−ｘｙから成る表面層１００５が形成される様に相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層１００５に含有され
る炭素原子の量は、表面層１００５の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００５が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層１００５に含有される炭素原子の
量は、表面層１００５を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣ＠）ｘ　　　　　−ｘｙ（Ｈ、Ｘ）　Ｉ　　で示される非晶質材料は、大別　ｙすると、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質
材料（以後、ｒａ−３ｉ　　Ｃ８Ｊと記ａ　　　　　　
−ａす、但し、０くａくｌ）、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料（以後。

ｒａ’−（Ｓｔ　　Ｃ＋　　　）　　ＨＴ　　　Ｊと記
す。

ｂ　　　　　−ｂｃ　　　　　−ｃ但シ、０＜ｂ、ｃａｌ）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒａ　　Ｃ３ｉａＣ＋　　　）　　　（
Ｈ，Ｘ）＋　　　１と記す、但し０−ｄ　　　　ｅ　　
　　　　　　　　　　　−ｅ＜ｄ、ｅ＜１）、に分類さ
れる。

本発明に於いて、表面層１００５がａ　　Ｓ　１ａＣＩ
　　で構成される場合、表面層１００５に含　ａ有される炭素原子の量は好ましくは、１×１０−３〜９
０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０　ａ　ｔ　ｏ
　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には１０〜７５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましものである。　即ち、先のａ−３ｉＣ
１のａの表示で肴テえ４ｆ、ａ　　　　　　−ａａが好ましくは０．１〜０．９９９９９、より好適には
０．２〜０．９９、最適には、０．２５〜０．９である
。

本発明に於いて、表面層１００５がａ　　（Ｓ　ｌ　ｂ
ＣＩ　　）　　Ｈｔ　　　で構成される場合１表面層ｂ
ｃ　　　　　−Ｃ１００５に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸ
ｌ０−３〜，９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましく
は、１〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最適には１０〜８０
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水素
原子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好ましくは２〜３５　ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ％
、最適には５〜３０ａｔｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのが
望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成
される光受容部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（Ｓｉ　Ｃ１−ｂ）。Ｈｌ−６の表示で
行なえばｂが好ましくは、０．１−０゜９９９９９、よ
り好適には、０．１〜０．９９、最適には、０．１５〜
０．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、より好適
には０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．９５で
あるのが望ましい。

表面層１００５が、ａ　　（Ｓ　ｌ　ｄＣ１，３）　ｅ
（Ｈ、Ｘ）　ｒ　　　で構成される場合には、表面層　
ｅ１００５中に含有される炭素原子の含有量としては、好
ましくは、ｌＸｌ０−３〜９０ａｔ　ｏｍｉＣ％、より
好適には、１〜９０ａｔ　ｏｍｆ　ｃ％、最適には１０
〜８０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましいもので
ある。ハロゲン原子の含有量としては、好ましくは、１
〜２０ａｔ　ｏｍｆ　ｃ％とされるのが望ましく、これ
等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成される
光受容部材を実際面に充分適用させ得るものである。必
要に応じて含有される水素原子の含有量としては、好ま
しくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔ
ｏｎｉｃ％以下とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉＣＨ）ｄ　　　−ｄｅ（Ｈ、Ｘ）　Ｉ　　のｄ、ｅの表示で行なえば、　ｅｄが好ましくは、０．１〜０．９９９９９、より好適に
は、０．１−０．９９、最適には０．１５〜０．９、ｅ
が好ましくは、０．８〜０．９９゜より好適には０．８
２〜０．９９、最適には　０．８５〜０．９８であるの
が望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚の数範囲は本発明
の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００５の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１の層、第２の層の層厚との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００５の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０ＩＬ、好適には０．００４〜２０
ＩＬ、最適には、０．００５〜１０ルとされるのが望ま
しいものである。

表面層１００５には、とりわけ、機械的耐久性に対する
保護層としての働き、及び光学的には反射防止層として
の働きを主に荷わせることができる。

表面層１００５は、次の条件を満すとき、反射防止層と
しての機能を果すのに適している。

即ち、表面層１００５の屈折率をｎ９層厚をｄ、入射光
の波長を入とすると、ｄ＝　　　− ｎのとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、第２の層の屈折率をｎ　とした
場合、表面層の屈折率ｎがｎ＝　　（ｎ　　）繕を満し、ηつ表面層の層厚ｄが λ ｄ＝　　　− ｎ又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−３ｉ：Ｈを第２の層として用いる場合
、ａ−３ｊ：Ｈの屈折率は、約３゜３であるので、表面
層としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−
３ｉＣ：ＨはＣの量を調整することにより、このような
値の屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、居間
の密着性及び電気的特性も十分に満足させることができ
るので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面層１００５を反射防止層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては。

０．０５〜２ｇｍとされるのがより望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては例え
ば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ４１１ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＪＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａ
ｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ−ｉ　。

ＰＬ、Ｐｄ′８の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２０３　。

Ｓ　ｎＯ２、Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ２０３　＋ｓ　ｎ０２
　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＭ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔ　ａ　、　Ｖ　、　Ｔ　ｉ　、　Ｐ　を等の金属の薄
膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される用
に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは１０ＩＬ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中、１１０２〜１１０６．１１４５のガスボンベには
、本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として例えば１１０２は、５ｉ）
（４ガス（純度９９．９９９％）ボン　ベ、１１０３は
Ｇ　ｅ　Ｈａガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１
０４はＳｉＦ４ガス（純度　９９．９９％）ボンベ、１
１０５はＨ２で希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９
９９％、以下Ｂ２Ｈ６７Ｈ２と略す）ボンベ、１１０６
はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１４５は
ＣＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６．１１４５のバルブ１１２２〜
１１２６．１１４４、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、また流入バルブ１１１２〜１１１
６．１１４３、流出バルブ１１１７〜１１２１．１１４
１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれていること
を確認して、先ずメインバルブ１１３４を開いて反応室
１１０１、及び各ガス配管内を排気する。　次に真空計
１１３６１７）読みが約５Ｘ１０−６Ｔｏｒｒになった
時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バルブ１１
１７〜１１２１．１１４１を閉じる。

次に、シリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉ
Ｈ４ガス、ガスポンベ１１０３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ポンベ１１０５よりＢ２Ｈ＆／Ｈ２ガス、ガスポンベ１
１０６よりＨ２ガスをバルブ１１２２．１１２３．１１
２５．１１２６を夫々間いて出口圧ゲージ１１２７．１
１２８．１１３０．１１３１の圧をＩ　Ｋ　ｇ　／　ｃ
　ｍ　２に調整し、流入バルブ１１１２．１１１３．．
１１１５．１１１６を徐々に開けて、マスフロコントロ
ーラ１１０７．１１０８．１１１０．１１１１内に夫々
流入させる。　引続いて流出バルブ１１１７．１ｌ１８
．１１２０．１１２１、補゛助バルブ１工３２．１１３
３を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入さ
せる。このときのＳｉＨ，ガス流量とＧｅＨ４ガス流量
とＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量とＨ２ガス流量との比が所望
の値になるように流出バルブ１１１７．１１１８．１１
２０．１１２１を調整し、また、反応室１１０１内の圧
力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見な
がらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そして、
基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５０
〜４９０　’（！の範囲の温度に設定されていることを
確認した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応
室１１０１内にグロー放電を生起させて基体１１３７上
に第１の層（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層（Ｇ
）が形成された段階において、流出バルブ１１１８を完
全に閉じること及び必要に応じて放電条件を変えること
以外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放電
を維持することで、第１（７７層（Ｇ）上にゲルマニウ
ム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）を形成す
ることができる。

第２の層（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させるには、第２の層（Ｓ）の形成の際に、たとえば
Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導入
する他のガスに加えてやればよい。

上記の第２の層（Ｓ）を形成した後、マスフロコントロ
ーラー１１０７と１１４２を所定の流量比に設定する以
外は同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電を
維持することで、第２の層（Ｓ）上にシリコン原子と炭
素原子から主に構成される表面層を所望層厚に形成する
ことができる。

この様にして、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とで構
成された光受容層が基体１１３７上に形成される。

層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るため基
体１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第９図に示される形状（長さくＬ）３５７ｍ　ｍ　、径
（ｒ）８０ｍｍ、ピッチ（Ｐ）２５ＩＬｍ、深さくＤ）
０．８ｇｍの螺旋溝表面形状）のＡｌ支持体を作製した
。

次に、第ｊ１図の堆積装置を使用し、第７表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、前述のＡｌ支持体上に
ａ−３ｉ光受容層を堆積した（試料Ｎｏ、１−１）。

尚、表面層の堆積は次の様にして行なわれた。

第２層の堆積後、第７表に示す様にＣＨ４ガス流量がＳ
ｉＨ４ガス流量に対して流量比がＳｉＨ４／ＣＨａ　＝
１／３０となる様に各ガスに対応するマスフロコントロ
ーラーを設定し、高周波電力１５０Ｗで０．５１Ｌｍ厚
のａ−３ｉＣ（Ｈ）を堆積した。

別に同一の表面性の円筒状Ａｌ支持体上に、第１層及び
第２層形成時の放電電力をいづれも５０Ｗとした以外は
上記の場合と同様にして、光受容層を形成したところ、
第１２図に示す様に表面層１２０５の表面は支持体１２
０１の表面に対して平行になっていた。　この場合、Ａ
ｌ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差はｌＩＬｍ
であった（試料Ｎｏ、１−２）。

また、前記試料Ｎｏ、１−１の場合には第１３図の様に
表面層１３０５の表面と支持体１３０１の表面とは非平
行であった。この場合、Ａｌ支持体の中央と両端部とで
の平均層厚の層厚差は２ＪＬｍであった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
ｍの半導体レーザーをスポット径８０＃Ｌｍで第１４図
に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。　　第１２図に示す表面性の光受容部材で
は干渉縞模様が観察された。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真時゛性を
示すものが得られた。

実施例２実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合と同様にして第２層
まで堆積した後、水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（
Ａ　ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カ
ソード電極上にＳｉからなるスパッタリング用ターゲッ
トとグラファイトからなるスパッタリング用ターゲット
とを面積比が第１表試料Ｎｏ、１０１に示す如くになる
様に一面に張る。前記光受容部材を設置し、堆積装置内
を拡散ポンプで十分に減圧する。その後アルゴンガスを
０．０１５Ｔｏｒｒまで導入し高周波電力１５０Ｗでグ
ロー放電を起して表面材料をスパッタリングして前記支
持体上に第１表試料Ｎｏ、１０１の表面層を堆積した。

同様にして、Ｓｔとグラファイトのターゲットの面積比
を変えて、表面層を第１表試料Ｎ００１０２〜１０７に
示される様に形成する以外は上記と同様の方法で光受容
部材を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第１表の如き結果を得た。

実施例３表面層の形成時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスとＣＨ４ガスの流量
比を変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は実施例１の試料Ｎｏ、１−
１の場合と全く同様な方法によって電子写真用光受容部
材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第２表の如き結果を得た。

実施例４表面層の形成時、５ｉＨａガス、５ｊＦ４ガス、ＣＨ４
ガス・の流量比を変えて、表面層におけるシリコン原子
と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の試
料Ｎｏ、ｌ−１の場合と全く同様な方法によって電子写
真用光受容部材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ、
第３表の如き結果を得た。

実施例５表面層の層厚を変える以外は実施例１の試料Ｎｏ、１−
１の場合と全く同様な方法によって電子写真用光受容部
材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様に、作像、現像、クリーニングの工程を
繰り返し、第４表の如き結果を得た。

実施例６表面層の作製時の放電電力を３００Ｗとし、平均層厚を
２４ｍとする以外は実施例１の試料Ｎ０６ｌ−１の場合
と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材を作製
した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の平均
層厚差は中央と両端で０　、５１Ｌｍであった。　　ま
た、微小部分での層厚差は０．ＩＩＬｍであった。

この様な電子写真用光受容部材では干渉縞は観察されず
、また実施例１と同様な装置で作像、現像、クリーニン
グの工程を繰り返し行ったが、実用に十分なものであっ
た。

実施例７シリンダー状ＡＲ支持体の表面を旋盤で、第５表のよう
に加工した。これ等（シリンダＮｏ、１０１〜１０８）
の円筒状のＡＩ支持体上に、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−
１の場合と同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製
した（試料Ｎ０９１１１〜１１８）、このときの電子写
真用光受容部材のＡＩ支持体の中央と両端部での平均層
厚の差は２．２ｐＬｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子類゛　微鏡
で観察し、光受容層のピッチ内での差を測定したところ
、第６表の様な結果を得た。これらの光受容部材につい
て実施例１と同様に第１４図の装置で波長７８０ｎｍの
半導体レーザーを使い、スポット径８０ＩＬｍで画像露
光を行ったところ、第６表の結果を得た。

実施例８第８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上は可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何等差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例９第９表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場合
と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った。

実施例１Ｏ第１０表に示す条件で実施例１の試料Ｎ０１１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

実施例１１第１１表に示す条件で実施例１の試料Ｎ００１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った拳この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何隻差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１２第１２表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何隻差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１３第１３表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１＝１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何′等差異はなく、高品質の画
像であった。

実施例１４第１４表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

実施例１５第１５表に示す条件で実施例１の試料Ｎ００１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

この場合に褥られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何隻差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１６第１６表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１＝１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な画像露光装置を用いて、画像露光を行ない、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続して行った・この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何隻差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１７第１７表に示す条件で実施例１の試料ＮＯ０１−１の場
合と同様にし、て電子写真用光受容部材を形成した。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０万回目の画像の間には何日差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１８第１８表に示す条件で実施例１の試料Ｎｏ、１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

この場合に得られた画像の全てにおいて、干渉縞は見ら
れず、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１
０Ｌ回目の画像の間には何日差異はなく、高品質の画像
であった。

実施例１９第１９表に示す条件で実施例１の試料Ｎ００１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

実施例２０第２０表に示す条件で実施例１の試料Ｎ００１−１の場
合と同様にして電子写真用光受容部材を形成した。

実施例２１実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合及び実施例８から実
施例２０までについて、Ｈ２で３０００ｖｏｌ　　ｐＰ
ｍに希釈したＢｚＨ６ガスの代りにＨ２で３０００ｖｏ
　１　　ｐｐｍに希釈したＰＨ３ガスを使用して、電子
写真用光受容部材を夫々作製した。なお、他の作製条件
は、実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場合及び実施例８か
ら実施例２０までと同様にした。

これら電子写真用光受容部材について第１４図に示す画
像露光装置（レーザー光の波長７８０ｍｍ、スポット径
８０ｉＬｍ）で画像露光を行い、それを現像転写して画
像を得た。いづれの画像にも干渉縞は観察されず実用に
十分なものであった。

比較例比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡｌ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｔ支持体の表面を粗面化したＡｌ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の試料Ｎｏ、ｌ−１の場
合と全く同様の方法でａ−３ｔ電子写真用光受容部材を
作製した。

この際のサンドブラスト法により表面粗面化処理したＡ
ｌ支持体の表面状態については光受容層を設ける前に小
板研究所の万能表面形状測定器（ＳＥ−３Ｃ）で測定し
たが、この時平均表面粗さは１１−８７Ｌであることが
判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
１４図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性、及び光受容特性に
優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。８８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図は支持体の表面状態の説明図である。第１θ図は、光受容部材の層構成の説明図である。 ′第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説
明図である。第１２図及び第１３図は、実施例で作製した光受容部材
の構造図である。第１４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。１０００・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・Ａｌｌ支持体１００２・・
・・・・・・・第１の層１００３・・・・・・・・・第２の層１００４・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・表面層１４０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１４
０２・・・・・・・・・半導体レーザー１４０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ１４０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー１４０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図１４０６・・・・・・・・・露光装置の側面図。＠　３　図第　４　図第　５　図第７図（Ａ）　　　　　　　　　　　　　（Ｂ）第１１図第１２図第１３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と；シリコン原子とゲルマニウム原子とを
含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層と
、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる
表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層と；を有し、前記光受容層がショートレンジ内に１
対以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方
向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非
平行な界面が配列方向において各々なめらかに連結して
いる光受容部材において、前記第１の層及び第２の層の
少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有されてい
ることを特徴とする、光受容部材。
（２）前記配列が規則的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
されている、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。
（６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
て形成されている、特許請求の範囲第５項に記載の光受
容部材。
（７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
いて螺旋構造を有する、特許請求の範囲第７項に記載の
光受容部材。
（９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である、特許請求の
範囲第８項に記載の光受容部材。
（１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
て区分されている、特許請求の範囲第６項に記載の光受
容部材。
（１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
持体の中心軸に沿っている、特許請求の範囲第７項に記
載の光受容部材。
（１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する、特許請
求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている、特許請求
の範囲第１２項に記載の光受容部材。
（１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
かな凹凸が形成されている、特許請求の範囲第５項に記
載の光受容部材。
（１５）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方に水素原子が含有されている、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。
（１６）第１の層及び第２の層の少なくともいづれか一
方にハロゲン原子が含有されている、特許請求の範囲第
１項又は第１５項に記載の光受容部材。
（１７）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。