JPS61275683A - 半導体放射線位置検出装置 - Google Patents
半導体放射線位置検出装置Info
- Publication number
- JPS61275683A JPS61275683A JP11805685A JP11805685A JPS61275683A JP S61275683 A JPS61275683 A JP S61275683A JP 11805685 A JP11805685 A JP 11805685A JP 11805685 A JP11805685 A JP 11805685A JP S61275683 A JPS61275683 A JP S61275683A
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- JP
- Japan
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- semiconductor radiation
- signal processing
- groups
- position detection
- processing circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体放射線位置検出装置の改良に関する
もので、この半導体放射線位置検出装置は、たとえば核
医学診断で通常使用されているシンチレーションカメラ
やエミッシ璽ンＣＴｉ９置（コンピュータ断層撮影装置
）のように特定のエネルギの放射線の２次元的位置を検
出することによって特定のＲＩ（ラジオアイソトープ）
核種の分布イメージを得るのに有用であり、あるいは他
に理工学の分野等で使用される。
もので、この半導体放射線位置検出装置は、たとえば核
医学診断で通常使用されているシンチレーションカメラ
やエミッシ璽ンＣＴｉ９置（コンピュータ断層撮影装置
）のように特定のエネルギの放射線の２次元的位置を検
出することによって特定のＲＩ（ラジオアイソトープ）
核種の分布イメージを得るのに有用であり、あるいは他
に理工学の分野等で使用される。
従来の技術
従来より、多数の半導体放射線検出素子をマトリクス状
に配列して放射線の２次元位置検出を行なう半導体放射
線位置検出装置が知られている（たとえば特願昭５８−
２４７１０９、特願昭５９−１３５４９３）、簡単に説
明すると、第３図のように、たとえばＧｅやＳｔまたは
ＣｄＴｅやＨｇ１．等の化合物半導体を用いた半導体放
射線検出素子を多数マトリクス状に配列した半導体放射
線検出素子配列ｌを有する０図では簡単のため、素子が
８×８に配列された半導体放射線検出素子配列ｌを示す
、各素子からの信号は信号処理回路２に入力され、放射
線入射事象毎に、位置検出、エネルギ信号の波形整形処
理および波高分析等が行なわれ、位置信号ｘ、Ｙ、エネ
ルギ信号ＺおよびＵＮＢＬＡＮＫ信号が出力される。
に配列して放射線の２次元位置検出を行なう半導体放射
線位置検出装置が知られている（たとえば特願昭５８−
２４７１０９、特願昭５９−１３５４９３）、簡単に説
明すると、第３図のように、たとえばＧｅやＳｔまたは
ＣｄＴｅやＨｇ１．等の化合物半導体を用いた半導体放
射線検出素子を多数マトリクス状に配列した半導体放射
線検出素子配列ｌを有する０図では簡単のため、素子が
８×８に配列された半導体放射線検出素子配列ｌを示す
、各素子からの信号は信号処理回路２に入力され、放射
線入射事象毎に、位置検出、エネルギ信号の波形整形処
理および波高分析等が行なわれ、位置信号ｘ、Ｙ、エネ
ルギ信号ＺおよびＵＮＢＬＡＮＫ信号が出力される。
信号処理回路２は１種々のものが考えられるが、たとえ
ばＩｓ４図のように構成される。Ｘ方向に並べられた各
行毎の信号が前置増幅器１１を経てディスクリミネータ
およびエンコーダ１３に送られ、スレッショルドレベル
より大きな信号を発生した行に対応する位置信号Ｘ（デ
ジタル信号）が出力される。他方、Ｙ方向に並べられた
各列毎の信号が前置増幅器１２を経てディスクリミネー
タおよびエンコーダ１４に送られ、スレッショルドレベ
ルより大きな信号を発生した列に対応する位置信号Ｙ（
デジタル信号）が出力される。前置増幅器１１を経た行
の信号が遅延およびマルチプレクサ１６に送られ、ディ
スクリミネータおよびエンコーダ１３の出力信号に基づ
き、スレッシ覆ルドレベルより大きな信号を発生した行
の信号が選択される。この信号は主増幅器１７で増幅さ
れてエネルギ信号Ｚとされ、波高分析器１８で波高分析
される。この波高分析結果に基づきタイミング制御回路
１５がＵＮＢＬＡＮＫ信号を出力する。
ばＩｓ４図のように構成される。Ｘ方向に並べられた各
行毎の信号が前置増幅器１１を経てディスクリミネータ
およびエンコーダ１３に送られ、スレッショルドレベル
より大きな信号を発生した行に対応する位置信号Ｘ（デ
ジタル信号）が出力される。他方、Ｙ方向に並べられた
各列毎の信号が前置増幅器１２を経てディスクリミネー
タおよびエンコーダ１４に送られ、スレッショルドレベ
ルより大きな信号を発生した列に対応する位置信号Ｙ（
デジタル信号）が出力される。前置増幅器１１を経た行
の信号が遅延およびマルチプレクサ１６に送られ、ディ
スクリミネータおよびエンコーダ１３の出力信号に基づ
き、スレッシ覆ルドレベルより大きな信号を発生した行
の信号が選択される。この信号は主増幅器１７で増幅さ
れてエネルギ信号Ｚとされ、波高分析器１８で波高分析
される。この波高分析結果に基づきタイミング制御回路
１５がＵＮＢＬＡＮＫ信号を出力する。
なお、ここでは、各行、各列毎に前置増幅器ｌｌ、１２
を設けたが、各素子毎に前置増幅器を設けることもでき
る。
を設けたが、各素子毎に前置増幅器を設けることもでき
る。
発明が解決しようとする問題点
ところで、信号処理回路２が１個だけの場合、計数率特
性が低いという問題がある。そのため、従来より、第５
図に示すように、マトリクス状の半導体放射線検出素子
配列ｌを複数の領域（図ではＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの４つの領
域）に分割し、その各々に独立の信号処理回路を設ける
ことが考えられている。
性が低いという問題がある。そのため、従来より、第５
図に示すように、マトリクス状の半導体放射線検出素子
配列ｌを複数の領域（図ではＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの４つの領
域）に分割し、その各々に独立の信号処理回路を設ける
ことが考えられている。
このように領域分割してその各領域に独立の信号処理回
路を設けると、たしかに、放射線の均一照射条件下では
、全体での計数率特性は、見かけ上、分割数に対応する
倍率だけ改善される。
路を設けると、たしかに、放射線の均一照射条件下では
、全体での計数率特性は、見かけ上、分割数に対応する
倍率だけ改善される。
しかしながら、核医学診断、特に心臓検査等の用途では
、高濃度のＲＩが局在していることが多く、そのような
条件下では、特定の領域についての信号処理回路のみが
主に動作することになり。
、高濃度のＲＩが局在していることが多く、そのような
条件下では、特定の領域についての信号処理回路のみが
主に動作することになり。
計数率特性は改善されない。
この発明は、簡単な回路構成で、高濃度のＲＩが局在し
ている条件下での計数率特性も、均一照射条件下と同様
に改善することのできる半導体放射線位置検出装置を提
供することを目的とする。
ている条件下での計数率特性も、均一照射条件下と同様
に改善することのできる半導体放射線位置検出装置を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この発明による半導体放射線位置検出装置では、多数の
半導体放射線検出素子が、互いに隣接する素子または素
子群同士は異なるグループに属するという規則で、複数
のグループに分けられ、これらグループの各々に対応し
て互いに独立な信号処理回路が設けられている。
半導体放射線検出素子が、互いに隣接する素子または素
子群同士は異なるグループに属するという規則で、複数
のグループに分けられ、これらグループの各々に対応し
て互いに独立な信号処理回路が設けられている。
作 用
多数の半導体放射線検出素子が、互いに隣接する素子ま
たは素子群同士は異なるグループに属するという規則で
、複数のグループに分けられているので、ＲＩ分布が局
在していても、領域を分けた場合と異なり大部分が常に
１つのグループにだけ入射するということがなくなって
、各グループに平均して入射する。そこで、各グループ
に設けた信号処理回路が同程度の頻度で動作することに
なり、高濃度のＲＩが局在している条件下での計数率特
性も、均一照射条件下と同様に改善することができる。
たは素子群同士は異なるグループに属するという規則で
、複数のグループに分けられているので、ＲＩ分布が局
在していても、領域を分けた場合と異なり大部分が常に
１つのグループにだけ入射するということがなくなって
、各グループに平均して入射する。そこで、各グループ
に設けた信号処理回路が同程度の頻度で動作することに
なり、高濃度のＲＩが局在している条件下での計数率特
性も、均一照射条件下と同様に改善することができる。
実施例
第１図において、半導体放射線検出素子配列１の多数の
半導体放射線検出素子の各々が、互いに隣接する素子同
士は異なるグループに属するという規則で、複数のグル
ープ、この図では４個のグループＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄに分け
られている。そして、グループＡに属する各素子が信号
処理回路２１に、グループＢに属する各素子が信号処理
回路２２に、グループＣに属する各素子が信号処理回路
２３に、グループＤに属する各素子が信号処理回路２４
に、それぞれ接続される。信号処理回路２１〜２４とし
ては、上記の第４図で示したような信号処理回路やある
いは他の信号処理回路を用いることができる。これらの
信号処理回路２１〜２４の各出力信号は画像作成装置３
に送られ、全体の画像が構成される。この画像作成装置
３はたとえばイメージメモリ（ＲＡＭ）や画像表示装置
などからなる。なお、各グループ毎に独立なイメージメ
モリを備えて、適当な時間間隔で各イメージメモリの内
容を別の全体のイメージメモリに転送するよう構成する
こともできる。
半導体放射線検出素子の各々が、互いに隣接する素子同
士は異なるグループに属するという規則で、複数のグル
ープ、この図では４個のグループＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄに分け
られている。そして、グループＡに属する各素子が信号
処理回路２１に、グループＢに属する各素子が信号処理
回路２２に、グループＣに属する各素子が信号処理回路
２３に、グループＤに属する各素子が信号処理回路２４
に、それぞれ接続される。信号処理回路２１〜２４とし
ては、上記の第４図で示したような信号処理回路やある
いは他の信号処理回路を用いることができる。これらの
信号処理回路２１〜２４の各出力信号は画像作成装置３
に送られ、全体の画像が構成される。この画像作成装置
３はたとえばイメージメモリ（ＲＡＭ）や画像表示装置
などからなる。なお、各グループ毎に独立なイメージメ
モリを備えて、適当な時間間隔で各イメージメモリの内
容を別の全体のイメージメモリに転送するよう構成する
こともできる。
このように、半導体放射線検出素子配列１を構成する多
数の半導体放射線検出素子が、互いに隣接する素子また
は素子群同士は異なるグループに属するという規則で、
４つのグループＡ−Ｄに分けられているので、ＲＩ力分
布局在していても、常に１つのグループにだけ入射する
ということがなくなって、各グループに平均して入射す
る。そこで、各グループＡ−Ｄに設けた信号処理回路２
１〜２４が同程度の頻度で動作することになり。
数の半導体放射線検出素子が、互いに隣接する素子また
は素子群同士は異なるグループに属するという規則で、
４つのグループＡ−Ｄに分けられているので、ＲＩ力分
布局在していても、常に１つのグループにだけ入射する
ということがなくなって、各グループに平均して入射す
る。そこで、各グループＡ−Ｄに設けた信号処理回路２
１〜２４が同程度の頻度で動作することになり。
高濃度のＲＩが局在している条件下での計数率特性も、
均一照射条件下と同様に改善することができる。
均一照射条件下と同様に改善することができる。
第２図は第２の実施例を示す、この図においては、半導
体放射線検出素子配列ｌの多数の半導体放射線検出素子
が、互いに隣接する素子群（図では１行単位の素子群）
同士は異なるグループに属するという規則で、複数の、
ここでは４つの、グループＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄに分類されて
いる。そして、各グループＡ−Ｄの出力信号を互いに独
立な４つの信号処理回路に送ることなどの構成は第１図
と同様である。
体放射線検出素子配列ｌの多数の半導体放射線検出素子
が、互いに隣接する素子群（図では１行単位の素子群）
同士は異なるグループに属するという規則で、複数の、
ここでは４つの、グループＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄに分類されて
いる。そして、各グループＡ−Ｄの出力信号を互いに独
立な４つの信号処理回路に送ることなどの構成は第１図
と同様である。
この第２図では、ＲＩ力分布行方向に局在している場合
に計数率特性が第１図に比べて劣るという欠点を有する
が、第２図のような信号処理回路を用いる場合に、各検
出素子の電極からの信号取り出しが簡単化され、容易に
適用できるという利点を持つ。
に計数率特性が第１図に比べて劣るという欠点を有する
が、第２図のような信号処理回路を用いる場合に、各検
出素子の電極からの信号取り出しが簡単化され、容易に
適用できるという利点を持つ。
なお１本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々に変更
が可能である。たとえば、第１図や第２図に示したグル
ープ分は以外のグループ分けも可能である。また、上記
では説明の便宜のため、８×８のマトリクスの場合につ
いて説明したが、他の配列の場合も同様に適用できるこ
とはもちろんである。さらに、信号処理回路としては第
４図のような信号処理回路以外の回路構成も可能である
。
が可能である。たとえば、第１図や第２図に示したグル
ープ分は以外のグループ分けも可能である。また、上記
では説明の便宜のため、８×８のマトリクスの場合につ
いて説明したが、他の配列の場合も同様に適用できるこ
とはもちろんである。さらに、信号処理回路としては第
４図のような信号処理回路以外の回路構成も可能である
。
また、本発明は１通常のガンマカメラなどの２次元放射
線検出装置以外に多層スライスのエミツションＣＴ装置
などに適用できる。
線検出装置以外に多層スライスのエミツションＣＴ装置
などに適用できる。
発明の効果
この発明によれば、簡単な回路構成で、位置分解能やエ
ネルギ分解能などの緒特性の劣化を伴なわずに、計数率
特性を改善できる。ＲＩ力分布均一な条件下ではもちろ
んのこと、ＲＩ局在条件下でも高計数率特性が得られる
。
ネルギ分解能などの緒特性の劣化を伴なわずに、計数率
特性を改善できる。ＲＩ力分布均一な条件下ではもちろ
んのこと、ＲＩ局在条件下でも高計数率特性が得られる
。
第１図はこの発明の一実施例のブロック図、第２図は第
２の実施例のブロック図、第３図、１４４図、第５図は
それぞれ従来例のブロック図である。 ｌ・・・半導体放射線検出素子配列 ２．２１〜２４・・・信号処理回路 ３・・・画像作成装置 １１．１２・・・前置増幅器
１３．１４・・・ディスクリミネータおよびエンコーダ
１５・・・タイミング制御回路 １６・・・遅延およびマルチプレクサ １７・・・主増幅器 １８・・・波高分析器答
１目 箋Ｚ目
２の実施例のブロック図、第３図、１４４図、第５図は
それぞれ従来例のブロック図である。 ｌ・・・半導体放射線検出素子配列 ２．２１〜２４・・・信号処理回路 ３・・・画像作成装置 １１．１２・・・前置増幅器
１３．１４・・・ディスクリミネータおよびエンコーダ
１５・・・タイミング制御回路 １６・・・遅延およびマルチプレクサ １７・・・主増幅器 １８・・・波高分析器答
１目 箋Ｚ目
Claims (1)
- （１）多数の半導体放射線検出素子をマトリクス状に配
列して放射線の２次元位置検出を行なう半導体放射線位
置検出装置において、上記各検出素子を、互いに隣接す
る素子または素子群同士は異なるグループに属するとい
う規則で、複数のグループに分け、これらグループの各
々に対応して互いに独立な信号処理回路を設けたことを
特徴とする半導体放射線位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11805685A JPH0627850B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体放射線位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11805685A JPH0627850B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体放射線位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275683A true JPS61275683A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0627850B2 JPH0627850B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14726922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11805685A Expired - Lifetime JPH0627850B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体放射線位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627850B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120960A (en) * | 1991-04-25 | 1992-06-09 | Westinghouse Electric Corp. | Infrared image detecting device and method |
| JP2014522118A (ja) * | 2011-08-03 | 2014-08-28 | アイシス イノヴェイション リミテッド | 半導体検出装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11805685A patent/JPH0627850B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120960A (en) * | 1991-04-25 | 1992-06-09 | Westinghouse Electric Corp. | Infrared image detecting device and method |
| JP2014522118A (ja) * | 2011-08-03 | 2014-08-28 | アイシス イノヴェイション リミテッド | 半導体検出装置 |
| US9698181B2 (en) | 2011-08-03 | 2017-07-04 | Oxford University Innovation Limited | Semiconductor detector device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0627850B2 (ja) | 1994-04-13 |
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