JPS6127725B2 - - Google Patents
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- JPS6127725B2 JPS6127725B2 JP49032992A JP3299274A JPS6127725B2 JP S6127725 B2 JPS6127725 B2 JP S6127725B2 JP 49032992 A JP49032992 A JP 49032992A JP 3299274 A JP3299274 A JP 3299274A JP S6127725 B2 JPS6127725 B2 JP S6127725B2
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- Japan
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- electro
- electrodes
- series circuits
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- Eyeglasses (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学物質を利用した光絞り装置に
関するもので、EEカメラ、特にテレビカメラな
どの好適な自動光学絞り装置を提供するものであ
る。
関するもので、EEカメラ、特にテレビカメラな
どの好適な自動光学絞り装置を提供するものであ
る。
一般に電気光学物質に有機物液晶やある種の溶
液中にヘラバタイトなど結晶状の有機物微粒子も
しくは結晶状の無機物微粒子を懸濁させた人工液
晶などがある。このような電気光学物質の薄膜は
比較的に低い電界中で分子配列が容易に乱れ、特
異な光学的現象を呈する。例えば、数乃至10数μ
ｍの間隔をもつて対向する一対の損失を挟持せし
めた場合には、通常、電極間に数乃至15ボルト程
度の電界を加えることによつて電気光学物質の分
〓〓〓〓
子配列は乱れて特異な光学現象を呈し、そのとき
に要する消費電力はおよそ数乃至20μｗ／１cm2に
過ぎない。かかる電気光学物質は各種の電気光学
装置に極めて広く有用である。
液中にヘラバタイトなど結晶状の有機物微粒子も
しくは結晶状の無機物微粒子を懸濁させた人工液
晶などがある。このような電気光学物質の薄膜は
比較的に低い電界中で分子配列が容易に乱れ、特
異な光学的現象を呈する。例えば、数乃至10数μ
ｍの間隔をもつて対向する一対の損失を挟持せし
めた場合には、通常、電極間に数乃至15ボルト程
度の電界を加えることによつて電気光学物質の分
〓〓〓〓
子配列は乱れて特異な光学現象を呈し、そのとき
に要する消費電力はおよそ数乃至20μｗ／１cm2に
過ぎない。かかる電気光学物質は各種の電気光学
装置に極めて広く有用である。
いま、相互に対向する一対の透明な基材を設
け、両基材の内向面の対向する一部の領域にはそ
れぞれ透明な平板状の薄膜電極を設け、両基材の
間には電気光学物質を挟持せしめ、無電界におい
ては電気光学物質の各分子を秩序正しく垂直に配
列させた電気光学セルを構成し、この電気光学セ
ルを互いに偏光面が直交する一対の直線偏光板の
間に配置し、背面方向から散照光を照射しながら
上記対向する薄膜電極の相互間の電界を加える
と、電界が印加されない部位の電気光学物質は各
分子が秩序正しく垂直に配列して光学的に等方性
を呈し、電界が印加された部位では変位もしくは
乱流して光学的に異方性を呈し、透過光が部分的
に透過する。また、無電界において電気光学物質
の各分子を秩序正しくねじれ水平配向させた電気
光学セルを構成し、この電気光学セルを互いに偏
光面が直交する一対の直線偏光板の間に配置し
て、対向する薄膜電極の相互間に電界を加える
と、電界が印加された部位のみ各分子の配列が変
位して光学的に不透過となる。
け、両基材の内向面の対向する一部の領域にはそ
れぞれ透明な平板状の薄膜電極を設け、両基材の
間には電気光学物質を挟持せしめ、無電界におい
ては電気光学物質の各分子を秩序正しく垂直に配
列させた電気光学セルを構成し、この電気光学セ
ルを互いに偏光面が直交する一対の直線偏光板の
間に配置し、背面方向から散照光を照射しながら
上記対向する薄膜電極の相互間の電界を加える
と、電界が印加されない部位の電気光学物質は各
分子が秩序正しく垂直に配列して光学的に等方性
を呈し、電界が印加された部位では変位もしくは
乱流して光学的に異方性を呈し、透過光が部分的
に透過する。また、無電界において電気光学物質
の各分子を秩序正しくねじれ水平配向させた電気
光学セルを構成し、この電気光学セルを互いに偏
光面が直交する一対の直線偏光板の間に配置し
て、対向する薄膜電極の相互間に電界を加える
と、電界が印加された部位のみ各分子の配列が変
位して光学的に不透過となる。
本発明はかかる原理を利用して透過する光量を
自動的に絞る光学絞り装置を提供するものであ
る。
自動的に絞る光学絞り装置を提供するものであ
る。
以下図面につき本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１，２図示のように電気光学セルにおいてガ
ラス、プラスチツク等の透明な前面基材１の下面
にはそれぞれ面積がS1，S2……の複数個の環状の
電極a1，a2……を同心状に設け、更にこれら第１
の電極a1，a2……の下面には薄膜状の内部インピ
ーダンス素子１４を重層して設ける。
ラス、プラスチツク等の透明な前面基材１の下面
にはそれぞれ面積がS1，S2……の複数個の環状の
電極a1，a2……を同心状に設け、更にこれら第１
の電極a1，a2……の下面には薄膜状の内部インピ
ーダンス素子１４を重層して設ける。
これらの電極a1，a2……は電路b1，b2……によ
り端子として外部に接続しうるようにする。また
ガラス、プラスチツク等の透明な背面基材２の上
面には透明な第２の薄膜電極ｃを設ける。
り端子として外部に接続しうるようにする。また
ガラス、プラスチツク等の透明な背面基材２の上
面には透明な第２の薄膜電極ｃを設ける。
上記第１の薄膜電極a1，a2……および第２の薄
膜電極ｃは、例えば酸化錫や酸化インジウムなど
の金属もしくはこれらの金属化合物を真空蒸着法
あるいはスパツタ法、吹付法、化成法などによつ
て形成し、通常その膜厚は数百乃至2000Å程度で
ある。
膜電極ｃは、例えば酸化錫や酸化インジウムなど
の金属もしくはこれらの金属化合物を真空蒸着法
あるいはスパツタ法、吹付法、化成法などによつ
て形成し、通常その膜厚は数百乃至2000Å程度で
ある。
前面基材１の下面に背面基材２の上面を対向さ
せるように積層し、前面基材１と背面基材２の間
に電気光学物質の薄膜３を挟持させて電気光学セ
ルを構成する。通常、電気光学物質の薄膜３の膜
厚はその間に設けたスペーサによつて決定する。
せるように積層し、前面基材１と背面基材２の間
に電気光学物質の薄膜３を挟持させて電気光学セ
ルを構成する。通常、電気光学物質の薄膜３の膜
厚はその間に設けたスペーサによつて決定する。
ここで、電気光学物質には有機物液晶や人工液
晶すなわち無機物微粒子もしくは有機物微粒子を
溶媒中に分散させて人工的に製造したコロイド懸
濁液など電気的に光学的異方性が変わる液体結晶
を用いることができる。
晶すなわち無機物微粒子もしくは有機物微粒子を
溶媒中に分散させて人工的に製造したコロイド懸
濁液など電気的に光学的異方性が変わる液体結晶
を用いることができる。
有機物液晶としては、例えば、ｐ−アニサル−
p′−シアノアニリン、ｐ−メチルベンザル−p′−
ｎ−ブチルアニリン、ｐ−エトキシベンザル−
p′−シアノアニリン、ｐ−シアノベンザル−p′−
ｎ−ブチルアニリン、ｐ−シアノベンザル−p′−
アニシヂン、ｐ−シアノベンザルフエネチヂン、
ｐ−シアノフエニル−ｐ−ｎ−ブチルベンゾエイ
ト、ｐ−シアノフエニル−p′−ｎ−ヘプチルベン
ゾエイト、エチルｐ−（ｐ−アニサルアミノ）−シ
ンナメイト、エチルｐ−（ｐ−エトキシベンザル
アミノ）−シンナメイト、エチルｐ−（ｐ−シアノ
ベンザルアミノ）−シンナメイト、エチルｐ−（ｐ
−ｎ−ブチルアニサルアミノ）−シンナメイト、
ｎ−ブチルｐ−（ｐ−エトキシベンザルアミノ）−
シンナメイト、イソノアミル−ｐ−（ｐ−アニサ
ルアミノ）−シンナメイト、ｐ−ｎ−ヘキシルベ
ンザル−ｐ−シアノアニリン、ｐ−ｎ−プロピロ
ベンザル−p′−シアノアニリン、ｐ−アゾキシア
ニソール、アニサルアゾキシフエネトール、ｐ−
（アニサルアミノ）−フエニルアセテート、ｐ−メ
トキシベンザル−p′−ｎ−ブチルアニリン、ｐ−
メトキシホルミロキシベンザル−ｐ−ｎ−ブチル
アニリン、Ｎ−（ｐ−メトキシベンジリデン）−ｐ
−（２−プロポキシカルボニル−１−プロペニ
ル）−アニリン、ｐ−エトキシベンザル−p′−ｎ
−ブチルアニリン、ｐ−メトキシ−p′−ｎ−ベン
ジルカルボキシアゾベンゼン、ｐ−エトキシ−
p′−ブトキシカルボニルアゾベンゼン、ブチルｐ
−（ｐ−エトキシフエノキシカルボニル）−フエニ
ルカーボネイト、２−（ｐ−メトキシベンザルア
ミノ）−５−ｎ−ブチルフエノール、ｐ−（ｐ−エ
トキシフエニルアゾ）−フエニルヘキサノエイ
ト、ビス−（４−ｎ−オクチルオキシベンザル）−
〓〓〓〓
２−クロロフエニレンジアミノ、４，4′−ビス−
（ヘキシロキシ）−アゾキシベンゼン、４，4′−ビ
ス−（ヘプチロキシ）−アゾキシベンゼン、４−カ
プロキシ安息香酸−4′−エトキシフエニールエス
テル、４−カプロキシ安息香酸−４−ブトキシフ
エニールエステルなどのネマテイツクな液晶物質
もしくはこれ等のネマテイツクな液晶物質を２成
分以上含む混合物液晶が用いられる。後述するよ
うに、ある場合にはネマテイツクな液晶物質に少
量のコレステリツクな液晶物質を混合して用いる
こともある。またある場合にはネマテイツクな液
晶物質に双極子型附加物を混入して用いることも
ある。また、４−アルコオキシフエニル−アセチ
ル−クロライド、４−アルキルフエニル−アセチ
ル−クロライド、４−アセトオキシフエニルアセ
チルクロライドの混合物を用いることもある。
p′−シアノアニリン、ｐ−メチルベンザル−p′−
ｎ−ブチルアニリン、ｐ−エトキシベンザル−
p′−シアノアニリン、ｐ−シアノベンザル−p′−
ｎ−ブチルアニリン、ｐ−シアノベンザル−p′−
アニシヂン、ｐ−シアノベンザルフエネチヂン、
ｐ−シアノフエニル−ｐ−ｎ−ブチルベンゾエイ
ト、ｐ−シアノフエニル−p′−ｎ−ヘプチルベン
ゾエイト、エチルｐ−（ｐ−アニサルアミノ）−シ
ンナメイト、エチルｐ−（ｐ−エトキシベンザル
アミノ）−シンナメイト、エチルｐ−（ｐ−シアノ
ベンザルアミノ）−シンナメイト、エチルｐ−（ｐ
−ｎ−ブチルアニサルアミノ）−シンナメイト、
ｎ−ブチルｐ−（ｐ−エトキシベンザルアミノ）−
シンナメイト、イソノアミル−ｐ−（ｐ−アニサ
ルアミノ）−シンナメイト、ｐ−ｎ−ヘキシルベ
ンザル−ｐ−シアノアニリン、ｐ−ｎ−プロピロ
ベンザル−p′−シアノアニリン、ｐ−アゾキシア
ニソール、アニサルアゾキシフエネトール、ｐ−
（アニサルアミノ）−フエニルアセテート、ｐ−メ
トキシベンザル−p′−ｎ−ブチルアニリン、ｐ−
メトキシホルミロキシベンザル−ｐ−ｎ−ブチル
アニリン、Ｎ−（ｐ−メトキシベンジリデン）−ｐ
−（２−プロポキシカルボニル−１−プロペニ
ル）−アニリン、ｐ−エトキシベンザル−p′−ｎ
−ブチルアニリン、ｐ−メトキシ−p′−ｎ−ベン
ジルカルボキシアゾベンゼン、ｐ−エトキシ−
p′−ブトキシカルボニルアゾベンゼン、ブチルｐ
−（ｐ−エトキシフエノキシカルボニル）−フエニ
ルカーボネイト、２−（ｐ−メトキシベンザルア
ミノ）−５−ｎ−ブチルフエノール、ｐ−（ｐ−エ
トキシフエニルアゾ）−フエニルヘキサノエイ
ト、ビス−（４−ｎ−オクチルオキシベンザル）−
〓〓〓〓
２−クロロフエニレンジアミノ、４，4′−ビス−
（ヘキシロキシ）−アゾキシベンゼン、４，4′−ビ
ス−（ヘプチロキシ）−アゾキシベンゼン、４−カ
プロキシ安息香酸−4′−エトキシフエニールエス
テル、４−カプロキシ安息香酸−４−ブトキシフ
エニールエステルなどのネマテイツクな液晶物質
もしくはこれ等のネマテイツクな液晶物質を２成
分以上含む混合物液晶が用いられる。後述するよ
うに、ある場合にはネマテイツクな液晶物質に少
量のコレステリツクな液晶物質を混合して用いる
こともある。またある場合にはネマテイツクな液
晶物質に双極子型附加物を混入して用いることも
ある。また、４−アルコオキシフエニル−アセチ
ル−クロライド、４−アルキルフエニル−アセチ
ル−クロライド、４−アセトオキシフエニルアセ
チルクロライドの混合物を用いることもある。
人工液晶としては、例えばタングステン酸化物
やバナジウム酸化物、水晶などの異方性針状結
晶、もしくは炭酸蒼鉛や鉛結晶、ガラス片などの
層片状結晶、あるいはヘラバタイト、ポリ弗化ビ
ニリデンなど無機物微粒子もしくは有機物微粒子
をジプチールフタレイトやジフエニール、アルコ
ール、水などの溶媒中に分散させたコロイド懸濁
液を用いることができる。ある場合には、これ等
のコロイド懸濁液に双極子型附加物を混入して用
いることがある。
やバナジウム酸化物、水晶などの異方性針状結
晶、もしくは炭酸蒼鉛や鉛結晶、ガラス片などの
層片状結晶、あるいはヘラバタイト、ポリ弗化ビ
ニリデンなど無機物微粒子もしくは有機物微粒子
をジプチールフタレイトやジフエニール、アルコ
ール、水などの溶媒中に分散させたコロイド懸濁
液を用いることができる。ある場合には、これ等
のコロイド懸濁液に双極子型附加物を混入して用
いることがある。
なお、電気光学物質の薄膜３の膜厚は通常数乃
至20μｍ程度に設定される。
至20μｍ程度に設定される。
上記内部インピーダンス素子１４はSiO、
MgO、GeO、MgF2などの薄膜を用いる。またこ
れらの薄膜にTi，Ta，BaTiO3，Ba・SrTiO3な
どどを混入してインピーダンス素子１４の誘電率
を増加させるようにしたもよい。またはTiO2の
薄膜を用いてもよい。またはポリオレフイン系樹
脂の積層膜や、アセチルセルローズ、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリエス
テル、アクリルの溶液塗布膜や四弗化エチレンの
分散液法による形成膜、光硬化樹脂膜などで、通
常は誘電率の高いものが好ましい。図示のもので
はその素子１４の膜厚を部分的に変えてそのイン
ピーダンスを変えているが、その厚さを一定に
し、その材質を部分的に変えるようにしてもよ
い。
MgO、GeO、MgF2などの薄膜を用いる。またこ
れらの薄膜にTi，Ta，BaTiO3，Ba・SrTiO3な
どどを混入してインピーダンス素子１４の誘電率
を増加させるようにしたもよい。またはTiO2の
薄膜を用いてもよい。またはポリオレフイン系樹
脂の積層膜や、アセチルセルローズ、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリエス
テル、アクリルの溶液塗布膜や四弗化エチレンの
分散液法による形成膜、光硬化樹脂膜などで、通
常は誘電率の高いものが好ましい。図示のもので
はその素子１４の膜厚を部分的に変えてそのイン
ピーダンスを変えているが、その厚さを一定に
し、その材質を部分的に変えるようにしてもよ
い。
第３図示のように上記第１の電極a1，a2……は
電気光学セル内に設けた薄膜状の内部インピーダ
ンス素子１４（インピーダンスZ11，Z12……）及
び受光素子４を介して外部電源Ｅの一極に接続
し、第２の電極ｃはその外部電源Ｅの他極に接続
する。
電気光学セル内に設けた薄膜状の内部インピーダ
ンス素子１４（インピーダンスZ11，Z12……）及
び受光素子４を介して外部電源Ｅの一極に接続
し、第２の電極ｃはその外部電源Ｅの他極に接続
する。
次にこの装置の動作を説明する。今上記面積
S1，S2……が S1＞S2＞S3……＞S11ならば、第１の電極a1，
a2……と第２の電極ｃ間の容量c21，c22，……は c21＞c22＞c23…… またその間の内部抵抗r21，r22……は r21＜r22＜r23…… したがつてこれら容量および抵抗による電界効果
形の実効インピーダンスZ21，Z22……は容量成分
の値に大きく影響され、 Z21＞Z22＞…… となる。
S1，S2……が S1＞S2＞S3……＞S11ならば、第１の電極a1，
a2……と第２の電極ｃ間の容量c21，c22，……は c21＞c22＞c23…… またその間の内部抵抗r21，r22……は r21＜r22＜r23…… したがつてこれら容量および抵抗による電界効果
形の実効インピーダンスZ21，Z22……は容量成分
の値に大きく影響され、 Z21＞Z22＞…… となる。
また上記内部インピーダンス素子１４のインピ
ーダンスZ11，Z12……は Z11≦Z12≦Z13≦…… なる関係があるようにする。
ーダンスZ11，Z12……は Z11≦Z12≦Z13≦…… なる関係があるようにする。
したがつて第１の電極a1，a2……に作用する電
圧eZ21，eZ22……は eZ21＞eZ22＞…… となる。
圧eZ21，eZ22……は eZ21＞eZ22＞…… となる。
今受光素子４に当たる光量が増加するとその内
部抵抗は低下し、電圧eZ21，eZ22……の順で順次
電気光学物質３の電気光学効果に必要なしきい値
電圧を越え、電極a1，a2……の順で順次電気光学
現象を呈する。すなわち外部光量が増加するとそ
の透過光量が順次減少し、自動絞り効果を奏する
ものである。
部抵抗は低下し、電圧eZ21，eZ22……の順で順次
電気光学物質３の電気光学効果に必要なしきい値
電圧を越え、電極a1，a2……の順で順次電気光学
現象を呈する。すなわち外部光量が増加するとそ
の透過光量が順次減少し、自動絞り効果を奏する
ものである。
第４図は本発明の他の実施例を示すもので、第
１の電極a11，a12……は正方形枠状にしたもので
ある。なお第１，４図示の装置においてこの電路
部分には鎖線で示すように光不透過のマスクｄを
設けた方がよい場合もある。
１の電極a11，a12……は正方形枠状にしたもので
ある。なお第１，４図示の装置においてこの電路
部分には鎖線で示すように光不透過のマスクｄを
設けた方がよい場合もある。
第５図は電界の印加によつてその偏光面を変え
る電気光学物質を用いた場合を示すもので、電気
光学セル５の両側に偏光板６と検光板７を設けた
ものである。電界が零の状態において電気光学物
質中の各分子が規則正しくねじれ水平配向する電
気光学セルを用いたときには偏光板６と検光板７
の偏光面を直交するように配置する。
る電気光学物質を用いた場合を示すもので、電気
光学セル５の両側に偏光板６と検光板７を設けた
ものである。電界が零の状態において電気光学物
質中の各分子が規則正しくねじれ水平配向する電
気光学セルを用いたときには偏光板６と検光板７
の偏光面を直交するように配置する。
〓〓〓〓
この装置において外界が暗いときにはその第１
の電極と第２の電極間の電圧はしきい値以下で、
第５図イ示のように凡ての光線が透過するが、外
界が明るくなるに従つて第１の電極と第２の電極
間の電圧はその外側のものより順次しきい値電圧
を越え、第５図ロ示のように透過する光は中心の
ものと絞られるものである。
この装置において外界が暗いときにはその第１
の電極と第２の電極間の電圧はしきい値以下で、
第５図イ示のように凡ての光線が透過するが、外
界が明るくなるに従つて第１の電極と第２の電極
間の電圧はその外側のものより順次しきい値電圧
を越え、第５図ロ示のように透過する光は中心の
ものと絞られるものである。
前記第４図示の回路構成においては受光素子４
は電気光学セルの第１の電極a1，a2……に対し直
列に接続されているが、第３図示点線で示すよう
に受光素子４ａは抵抗Ｒを介して外部電源Ｅに直
列接続し、この受光素子４ａに並列に上記内部イ
ンピーダンス素子１４及びセルの第１の電極a1，
a2……を接続するようにしてもよい。この場合に
は電界が零の状態において電気光学物質中の各分
子が電極面に対して一様に垂直配向する電気光学
セルを用いたときには偏光板６と検光板７の偏向
面を直交するように配置し、また電界が零の状態
において電気光学物質の各分子が規則正しくねじ
れ水平配向する電気光学セルを用いたときには偏
光板θと検光板７の偏光面を平行に配置する。こ
れによつて外界が明るくなると光を自動的に絞る
ものである。
は電気光学セルの第１の電極a1，a2……に対し直
列に接続されているが、第３図示点線で示すよう
に受光素子４ａは抵抗Ｒを介して外部電源Ｅに直
列接続し、この受光素子４ａに並列に上記内部イ
ンピーダンス素子１４及びセルの第１の電極a1，
a2……を接続するようにしてもよい。この場合に
は電界が零の状態において電気光学物質中の各分
子が電極面に対して一様に垂直配向する電気光学
セルを用いたときには偏光板６と検光板７の偏向
面を直交するように配置し、また電界が零の状態
において電気光学物質の各分子が規則正しくねじ
れ水平配向する電気光学セルを用いたときには偏
光板θと検光板７の偏光面を平行に配置する。こ
れによつて外界が明るくなると光を自動的に絞る
ものである。
第６図は薄膜状の内部インピーダンス素子１４
を受光素子として利用した場合の実施例を示すも
ので、その電気光学セルの同心状の第１の電極
a22，a22……には光導電素子よりなる内部インピ
ーダンス素子１４（インピーダンスZ111，Z112…
…）を夫々重層したものである。
を受光素子として利用した場合の実施例を示すも
ので、その電気光学セルの同心状の第１の電極
a22，a22……には光導電素子よりなる内部インピ
ーダンス素子１４（インピーダンスZ111，Z112…
…）を夫々重層したものである。
本発明では各領域ごとに独立した内部インピー
ダンス素子よりなる直列回路を設け、電気光学物
質インピーダンスを通らない電流回路を全く形成
しないので、液晶や懸濁液などを用いた電気光学
装置で消費される電力以外の如何なる電力も消費
せず、液晶や懸濁液などを用いた電気光学装置の
特徴をそこなうものでなく、何れかの領域で電気
光学物質内インピーダンスが異常に変化しても他
の領域の動作に影響をもたらすことがないもので
ある。
ダンス素子よりなる直列回路を設け、電気光学物
質インピーダンスを通らない電流回路を全く形成
しないので、液晶や懸濁液などを用いた電気光学
装置で消費される電力以外の如何なる電力も消費
せず、液晶や懸濁液などを用いた電気光学装置の
特徴をそこなうものでなく、何れかの領域で電気
光学物質内インピーダンスが異常に変化しても他
の領域の動作に影響をもたらすことがないもので
ある。
また本願の第２の発明においては電気光学セル
内に設けた薄膜状の内部インピーダンス素子が光
素子の機能を兼ねるので、回路を更に簡単にする
ことができるものである。
内に設けた薄膜状の内部インピーダンス素子が光
素子の機能を兼ねるので、回路を更に簡単にする
ことができるものである。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は
第１図−線断面図、第３図はその等価回路
図、第４図は本発明の別の実施例の平面図、第５
図イ，ロはその更に別の実施例の断面図、第６図
は薄膜状の内部インピーダンス素子を光素子とし
て利用した場合の回路図である。 a1，a2……は第１の電極、ｃは第２の電極、３
は電気光学物質、１４は薄膜状の内部インピーダ
ンス素子、４は受光素子、Ｅは電源。 〓〓〓〓
第１図−線断面図、第３図はその等価回路
図、第４図は本発明の別の実施例の平面図、第５
図イ，ロはその更に別の実施例の断面図、第６図
は薄膜状の内部インピーダンス素子を光素子とし
て利用した場合の回路図である。 a1，a2……は第１の電極、ｃは第２の電極、３
は電気光学物質、１４は薄膜状の内部インピーダ
ンス素子、４は受光素子、Ｅは電源。 〓〓〓〓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気光学物質を介して同心状に設けた複数個
の第１の電極と該電極に対向する第２の電極とを
相互平行に対向させ、電気光学セル内において上
記第１の電極にはそれぞれ個別に薄膜状の内部イ
ンピーダンス素子を重層させて上記第２の電極と
直列に構成した複数個の直列回路を形成せしめ、
これらの直列回路はともに受光素子を介して周囲
の明るさに対応して変化する可変電圧源に接続し
て成り、上記隣接する直列回路ごとに上記第１の
電極と第２の電極間における電気光学物質のイン
ピーダンスと上記薄膜状の内部インピーダンス素
子の分圧比を順次相異ならしめ、上記第１の電極
と第２の電極間の電気光挙動しきい値を上記第１
の電極別に相異ならしめ、かつ上記の直列回路相
互間で電気的干渉がないように構成したことを特
徴とする光学絞り装置。 ２ 電気光学物質を介して同心状に設けた複数個
の第１の電極と該電極に対向する第２の電極とを
相互平行に対向させ、電気光学セル内において上
記第１の電極にはそれぞれ個別に薄膜状の内部イ
ンピーダンス素子を重層させて上記第２の電極と
直列に構成した複数個の直列回路を形成せしめ、
薄膜状の内部インピーダンス素子が光素子機能を
兼ねそなえ、第１の電極別に設けた複数個の直列
回路を固定電圧源に接続してなり、上記隣接する
直列回路ごとに上記第１の電極と第２の電極間に
おける電気光学物質のインピーダンスと上記薄膜
状の内部インピーダンス素子の分圧比を順次相異
ならしめ、上記第１の電極と第２の電極間の電気
光挙動しきい値を上記第１の電極別に相異ならし
め、かつ上記の直列回路相互間で電気的干渉がな
いように構成したことを特徴とする光学絞り装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49032992A JPS6127725B2 (ja) | 1974-03-23 | 1974-03-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49032992A JPS6127725B2 (ja) | 1974-03-23 | 1974-03-23 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033673A Division JPS61198119A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光学絞り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50126232A JPS50126232A (ja) | 1975-10-03 |
| JPS6127725B2 true JPS6127725B2 (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=12374340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49032992A Expired JPS6127725B2 (ja) | 1974-03-23 | 1974-03-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127725B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550219A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-11 | Toshiba Corp | Aperture device |
| JPS5595111U (ja) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | ||
| JPS5647021A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-28 | Seiko Epson Corp | Diaphragm device of electronic camera using liquid crystal panel |
| JPS6053921A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | Olympus Optical Co Ltd | 液晶フイルタを用いた内視鏡用自動調光装置 |
| JP2603697B2 (ja) * | 1988-08-08 | 1997-04-23 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡用結像光学系 |
| JP4543309B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-09-15 | ソニー株式会社 | 光学装置、レンズ鏡筒および撮像装置 |
| JP4596862B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2010-12-15 | シチズン電子株式会社 | ストロボ装置及びそれを備えたカメラ |
| RU2008139283A (ru) * | 2006-03-03 | 2010-04-10 | Юниверсите Лаваль (Ca) | Способ создания пространственно модулированного электрического поля и электрооптической настройки с использованием жидких кристаллов и устройство для его осуществления |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3741629A (en) * | 1971-10-26 | 1973-06-26 | Bell Telephone Labor Inc | Electronically variable iris or stop mechanisms |
-
1974
- 1974-03-23 JP JP49032992A patent/JPS6127725B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50126232A (ja) | 1975-10-03 |
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