JPS61277908A - 固体の調節固定方法と装置及びそれを用いて製造したデバイス - Google Patents

固体の調節固定方法と装置及びそれを用いて製造したデバイス

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JPS61277908A
JPS61277908A JP61122064A JP12206486A JPS61277908A JP S61277908 A JPS61277908 A JP S61277908A JP 61122064 A JP61122064 A JP 61122064A JP 12206486 A JP12206486 A JP 12206486A JP S61277908 A JPS61277908 A JP S61277908A
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ハンス、アルトハウス
ウエルナー、クールマン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野Ｊ この発明は、固体の一部を固定用材料と共に別の物体の
中に配置しかつ支持点上に固定する固体の調節固定方法
と装置及びそれを用いて製造したデバイスに関する。
［従来の技術］ この分野における技術的問題は固体を別の対象物に対す
る成る定められた空間的関係に調節固定することにある
。固体を別の対象物に対する関係において高い精度をも
って調節し、そして得られた精度を保って固定し、調節
の後に得られたそれぞれの位置に長期にわたって保持し
なければならないということがしばしば求められる。
例えば光導波路例えばガラスファイバはレーザダイオー
ドに対して相対的にゼロに等しいかそれよりも大きい定
められた間隔で固定しなければならない、適当な光学系
を用いる際には例えば光導波路はレーザダイオードの前
にゼロより大きい定められた間隔を保って固定しなけれ
ばならず、その際レーザダイオードから送り出される光
は光導波路に付属している相応する光学系を経て高い効
率で光導波路の中に送り込まれるべきである。適当な光
学系として例えばガラスファイバの端部に配置されたテ
ーパレンズを用いることができる。
光導波路をレーザダイオードに対し定められた間隔を置
いて固定する際には、特に光導波路として単一モードフ
ァイバを使用する際には１位置精度と運転及び保管条件
のもとでの位置精度の長期安定性とに対する特に高い要
求が出される。
その際単一モードファイバの位置精度は最大で±０．０
５ｇｍの公差をもって長期間安定でなければならない、
この最大公差は一４０°Ｃないし＋６０°Ｃの運転又は
保管条件のもとで超過することが許されない。
用いられるそれぞれの光導波路に応じて、光導波路の調
節とその固定のために多かれ少なかれ各レーザダイオー
ドの前の光導波路の位置精度を維持しなければならない
。
多重モードファイバ特に５０ＩＬｍの心直径を有するグ
レーデッド形ファイバの場合には、±約ＩＩＬｍの許容
し得る調節位置公差と長期位置公差ΔＸ、Δｙを維持し
なければならない０例えば５７Ｌｍの心を有する単一モ
ードファイバを使用する場合には、士約０．０５ｐｍの
許容し得る調節位置公差及び長期位置公差ΔＸ、Δｙを
維持しなければならない。
現在利用できる機械的な及び電気機械的な調節器具例え
ばステッピングモータ、圧電結晶などを用いれば、上記
調節精度を短時間で達成しかつ数秒又は場合によっては
数分を超える短い期間それを維持することは比較的問題
が無い。
しかしながら現在利用できる方法と装置とを用いても、
光導波路を十分な精度で固定し調節の後に得られたそれ
ぞれの光導波路の位置に長期間維持することは不可能で
ある。
従来から一連の種々の光導波路固定方法がレーザダイオ
ードモジュールの組み立てに用いられて来た。現在一般
に用いられているレーザモジュールの大半ではレーザダ
イオードが固有の副支持台上に固定され、そしてこの副
支持台自体が中間固定要素を介して光導波路固定点に結
合されている。その際光導波路は金属・石英又は類似の
物から成る毛管の中に又は支持点上に直接固定される。
その際光導波路の固定は下記の種々の方法により行われ
る。
ａ）光導波路を裸で支持点上に接着する。
ｂ）光導波路を毛管の中に接着し、かつ毛管自体に支持
点上への接着；ろう付け、溶接などを施す。
Ｃ）光導波路を金属化し次に毛管の中にろう付けし次に
この毛管自体に支持点上へのろう付けなどを施す。
別の対象物に関する光導波路のこれらの既知の全ての固
定方法は多かれ少なかれ種々の大きな欠点を有する。そ
れは例えば次のようなものである。
■）光導波路を支持点上に接着する際には光導波路を接
着剤の硬化時ＩＪＪＪを超えて支持点上にしっかりと保
持しなければならず、このことは従来の技術では±０．
０５１Ｌｍの精度をもってしては不可能である。
■）種々の接着剤の長期安定性については知識がまだ十
分でない。
■）レーザモジュール組み立ての従来の組み立て技術に
より光導波路を支持点上にろう付けする際にはろうの加
熱のために熱源が必要であり、この熱源はレーザダイオ
ードのかなりの部分を一緒に加熱するので、調節プロセ
ス期間中のレーザダイオードの運転は多くの場合不可能
であり、そのためにホトダイオード装置への光の送り込
み及び光学的な観察による調節は不可能であり、そのた
めに正確な調節は非常に困難である。
■）毛管の中に固定された光導波路の溶接又はろう付け
の際には特に溶接の際に冷却プロセスにあたって光導波
路の著しいひずみが発生し、このひずみは±０．０５ｐ
ｍより非常に大きい。
■）前記ａ）項ないしＣ）項に述べた全ての光導波路固
定方法において、光導波路は中間要素、例えば種々の金
属１種々の材料、ねじ止め及び／又はろう付は及び／又
は接着されたインタフェースを介してレーザダイオード
が固定された副支持台に結合されている。その際光導波
路の安定性はこの中間要素の機械的及び熱的特性に直接
結び付いている。このことは＋６０°Ｃないし一４０’
Ｃ間の温度変動の際に従来の技術で用いられた中間要素
の多数のもので避けることができないひずみ又は熱的変
形が光導波路・レーザ結合部上に直接伝達されるので、
要求される長期安定性は実際には維持できないというこ
とを意味する。
［発明が解決しようとする問題点Ｊ この発明は、固体を高い精度で調節し調節の後に得られ
た位置に高い長期安定性をもって固定できるような、頭
記の種類の方法と装置及びそれを用いて製造したデバイ
スを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この目的はこの発明に基づき、固体を少なくとも部分的
に固定用材料の中に埋め込み、この固定用材料を別の物
体の空所の中に埋め込み、固体及び／又は別の物体が固
定用材料の中又は上で移動できるような温度まで別の物
体を加熱し、固体及び／又は空所付きの別の物体を整列
し、固体の所望の調節が達成されたときに加熱エネルギ
ー供給の適切な低減により固定用材料を硬化するまで冷
却し、それにより固体をその位置に固定する方法と、二
つの空間次元で完全に、かつ第３の空間次元で部分的に
固定用材料の中に固体を埋め込み、この固定用材料を導
電性の別の物体の空所の中に埋め込み、通電により別の
物体を加熱するために別の物体を二つの電極の間に挟み
込む装置と、支持点と対象物とが共通の支持台上に設け
られるデバイスとにより達成される。
この発明の実施態様は特許請求の範囲第２項ないし第１
８項、第２０項ないし第２４項及び第２６項ないし第３
２項並びに下記の実施例に記載されている。
この発明は、上記の欠点を避けかつ従来の方法を著しく
簡単化するような、固体特に光導波路例えばガラスファ
イバのための固定方法及び調節固定方法に応用すると有
利である。
［実施例］ 次にこの発明の実施例を示す図面により、この発明の詳
細な説明する。
第１図及び第２図ではファイバ固定装置４゜５．６．７
とレーザダイオードチップｌとが共通の台３上に設けら
れている。それにより中間要素を用いることなく固体２
を別の対象物ｌに対して相対的に可能な限り最善に固定
することができる。
光導波路２は、レーザダイオードｌの前に定められた距
離を置いて固定するために、ろう６例えばＳｎＰｂＡｇ
又は他の材料から成るろうの中に埋め込まれている。可
能な限り最善の機械的なろう付は安定性を得るために、
ろう６自体は第１図及び第２図にＶ字形溝付きチップと
して構成された別の物体７により更に囲まれている。別
の物体７は半導体材料例えばシリコンから成る。別の物
体７のＶ字形溝はエツチングにより作ることができかつ
金属化層８を有することができる。レーザダイオードｌ
と光導波路２とに共通な支持台３へのろう結合は、ここ
では上面と下面がろう付は可能な低伝熱性のファイバ支
持点４を介して行われる。
支持点４は上面上に金属化層５を有することができ、ま
た下面上に同様な金属化層を有することができる。光導
波路固定装置４，５，６．７全体により２５°Ｃのレー
ザ温度でレーザ動作中に光導波路２の調節が可能である
。
このために支持点４のための低伝熱性材料として金属化
されたガラス、金属化されたセラミック、金属化された
石英又はステンレス鋼などのような金属が考えられる。
その際熱膨張差による光導波路の調節狂いを０．０５１
Ｌｍの範囲に抑えるために、支持点４の適切な材料選択
と適切な形状とにより光導波路支持点４の垂直方向の熱
膨張（Δｙ）をレーザダイオードの台３の垂直方向の熱
膨張に適合させることができる。横方向の熱膨張（ΔＸ
）の調節は、レーザダイオード１と光導波路２とを共通
の台３上に固定することにより根本的に回避される。
第１図は光導波路２の軸に沿ったこの発明に基づくデバ
イスの縦断面図を示す、光導波路２の軸は２軸と見なさ
れる。第２図は光導波路固定装置４．５，６．７のほぼ
中央を通る第１図に示すデバイスの横断面図を示す、第
３図は光導波路の調節固定方法を示す、第１図及び第２
図に既に示すように、基本的にはレーザダイオードｌに
対して相対的に定められた間隔を置いた光導波路の固定
は軟ろうの中で行われ、しかも光導波路固定装置４．５
，６．７の範囲において光導波路２をＸ方向とＸ方向と
において囲むことにより行われる。
光導波路２の２方向における固定は、レーザダイオード
モジュールのケースに付属した図示されていない毛管を
介して行われるか、又は光導波路２が支持点４の範囲に
金属化層を有するときには支持点４自体の上で行われる
。
光導波路の調節は液状に溶融したろう６の中で行われる
。光導波路２は調節プロセスの終了の際にろう６の冷却
と硬化により固定される。その際支持点４の高さは調節
遊隙の唯一の限界を形成し、しかしこの限界は相応の高
さ公差によりあらかじめ決定できる。
別の物体７は光導波路の固定用補助体として用いられ、
また同時に光導波路固定用ろう６の溶融のための熱源と
して用いられる。
この方法においては、そのため一般にレーザダイオード
ｌもまた一緒に熱せられるような外部の熱源により、例
えば加熱ガスにより、アークにより、加熱プレス型など
によりろう６が溶融されることは必要でない、それどこ
ろかこの方法では２方向に関しては光導波路２のろう６
が存在する範囲だけが熱せられるということが達成され
る。
その際通電の際の半導体７の損失仕事率が加熱のために
利用され（ショットキー接触と経路抵抗）、すなわち半
導体７は（電流制御された）電源の二つの電Ｊｉ１１ａ
、１１ｂの間に挟まれている。これらの電極１１ａ、１
１ｂはプライヤ状に形成されておりｘ、ｙ、ｚ軸周マニ
ピュレータ上に固定されている。温度管理のために加熱
プライヤの一つの脚上に温度センサ１１ｃが設けられて
いる。この温度センサ１１ｃはろう付は又は溶接又は接
着されている。
半導体７はこの実施例ではシリコンチップ又は他の半導
体チップとすることができる。
電圧がプライヤ状に形成された電極１１ａ。
１１ｂに印加されると、一定の降伏型）Ｅ（電極１１ａ
、１１ｂの金属と半導体７との間のショットキー接触）
以上では、半導体７をろう付は温度に加熱し得る加熱電
流ＩＨが半導体７を経て流れる。半導体７に対してシリ
コンチップを用いるときは降伏電圧は約８０Ｖであり、
ろう付は温度に加熱するために約１０ｍＡないし２０　
ｍ　Ａの加熱電流が必要である。この場合には電圧源は
電流制御されて必要な電圧を加熱のために必要な電流に
合わせて調節されることが重要である。それで半導体７
の中の所望の温度が加熱電流により直接制御され、かつ
温度センサｌｉｅにより監視される。
光導波路２の埋め込みのために必要なろう６は金属化さ
れた半導体７の前ろう付けによりそれぞれ所望の量を提
供される。この際支持点４は同様にその上面を同種のろ
うによりろう付けされている。
調節ろう６の中に光導波路２を埋め込むために半導体７
に詰めたろう６は、主として電極１１ａ、ｆｌｂから成
る加熱プライヤを用いて上述のように溶融され、そして
半導体７は加熱プライヤが固定さ、れたマニピュレータ
を用いて熱い状態で光導波路２の上にかぶせられる。
溶融したろう６は光導波路２を囲み、又は光導波路２の
金属化層が無い場合には光導波路２を濡らし、かつ支持
点４の上面上と場合によっては固定個所の範囲において
光導波路２の周りとに置かれた残りのろうと結合するの
で、それにより光導波路２の完全なろう埋め込みが行わ
れる。その際一方では付随して起こるろうの酸化が保護
ガス吹き付けにより防止でき、一様なろうの分散が液状
のろうの中でＸ方向とＸ方向とを組み合わせた方向に半
導体７を動かすことにより達成される。電極１１ａと１
１ｂとが付属している加熱プライヤ用マニピュレータを
用いれば、半導体７のＶ字形溝をｘ−ｙ−Ｘ方向に最善
に光導波路２に整列することが液状のろう状態において
可能であり、又は半導体７が光導波路２の調節の際に補
助の光導波路用マニピュレータ１０を介して再調節でき
るので１例えば光導波路２と半導体７のＶ字形溝と支持
点４との間のできる限り一様でかつ狭いろう隙間が生じ
、それにより良好な長期安定性が得られる。
光導波路２の所望の調節位置が得られた場合には、調節
ろう６は加熱電流を適切に低減することにより遅滞なく
かつ適切に冷却硬化され、それにより光導波路２は調節
位置に固定される。この場合ろう溶融兼調節プロセスは
任意に繰り返すことができる。
最終的な光導波路の固定の際には電極１１ａ。
１１ｂを有する加熱プライヤは半導体７に負荷を与える
ことなく開放され、そして光導波路固定装置４，５，６
．７は加熱プライヤ用マニピュレータから切り離される
。同様のことが補助の光導波路用マニピュレータ１０に
対しても成立する。
ろうの代わりに紫外線硬化可能な又は熱硬化可能な接着
剤又はセンメントを用いるときには、７字形溝を備えた
半導体７が接着剤の配量のために使用される。なぜなら
ば光導波路２の安定性のためには、固定用材料６の絶対
量と、光導波路２の下敷き上に垂直に立ちかつ光導波路
２の軸を含む平面に関して対称的な固定用材料６の一様
な分布が、光導波路２の周りに得られることが非常に重
要だからである。
一般に前記の方法は他の同様なデバイスの場合にも採用
される０例えば対象物１として赤外発光ダイオード又は
ホトダイオードを用いることができる。前記の方法はま
た、例えば別の対象物に関して高い精度で調節し大きい
長期安定性をもって固定しなければならない線又はその
他の対象物の調節固定のためのような、他の調節固定装
置においても採用することができる。
この発明に対しては別の物体７が固体２の固定のための
補助手段として、かつ同時に固定用ろう６の溶融のため
の熱源として働くということが重要である。従ってこの
方法の終りに硬化される固定用材料６と強固な結合に至
ることなしに別の物体７がこの特性を満足するときには
、固定用材料６の硬化の後に加熱プライヤと共に他の物
体７を再び切り離すことができる。その際更に別の物体
７を加熱プライヤの構成部分とすることができる。別の
物体７はこの特性を満たすために必ずしも半導体である
必要はない、固定用材料６の硬化の後に再び切り離し得
るかかる別の物体７として例えば熱陰極のための加熱装
置として知られているようなガラス状カーボンを用いる
ことができ、このガラス状カーボンはその空間的に異方
性の電子搬送特性のためにその他の機械的及び物理的特
性が良好な場合には高い熱容量を提供することが　　−
できる、場合によっては固定用材料６の硬化の後に別の
物体７の切り離しを可能にする表面被覆を補助的に備え
てかかる別の物体７の空所の適切な表面処理を行えば、
別の物体７は硬化した固定用材料６から再び切り離すこ
とができる。かかる被覆、例えば蒸着又はスパッタリン
グなどによりかぶせることができる硬い滑らかな薄い暦
の特性は専門家によく知られている。
この発明の重要な特徴は、低伝熱性の支持点４を使用し
た場合に固体２のごく近くの周囲だけが固定用材料６と
共に高い温度にもたらされるということである。支持点
４自体が台３の構成部分であるときには１台３全体が低
伝熱性の材料から成るときにこの長所が得られる。
支持点４と対象物ｌとは別の基板上に配置することがで
きる。固定用材料６としてはいずれの場合にもろう並び
に接着剤を用いることができる。
固定用材料６の加熱は別の物体７の通電により行うこと
は必ずしも必要ではない、別の物体７の加熱は誘導コイ
ルから別の物体７の方向をねらって放射される交番電界
を用いた誘導によっても行うことができる。その際固定
用材料の加熱に必要な熱は別の物体７の内部に発生する
。固定用材料６の加熱は別の物体７の中に吸収される熱
ふく射によっても行うことができる。この目的のために
は別の物体７の吸熱性の表面が有利である。その際熱ふ
く射は白金加熱抵抗から発生でき、補助的に適切な光学
系により別の物体７に向かって反射される。固定用材料
６の加熱は、別の物体７との直接の接触熱伝導状態にあ
り別の物体７を適宜加熱する加熱装置によっても行うこ
とができる０例えばはんだごて先端のような装置を分解
可能に別の物体７上に載せることができる。別の物体７
は通電によらないで加熱されるあらゆる場合に加熱プレ
ス型として作用する。
第４図は第１図に示す縦断面図と類似したこの発明に基
づく別の実施例の縦断面図を示す、別の物体７として凹
所（へこみ、溝）を備えた物体も用いることができ、そ
の際端部の凹所は固体２又は固体１２の調節固定のため
に用いられる。第４図においては別の物体７の凹所が上
に向いており１例えばレンズ、第４図の場合には球面レ
ンズ１２を支持している。その際このレンズ１２は別の
物体７に強固に結合されている。それにより第４図にお
ける別の物体７の調節固定を介して間接的に固体１２を
調節固定できる。
例えば別の物体７の凹所の中の固体１２は、第４図にお
いて支持点４と別の物体７との間に存在する固定用材料
６から成る層よりも高い融点を持っている固定用材料に
より固定されることができる。それにより別の物体７の
加熱の際に支持点４と別の物体７との間の固定用材料６
の層は液状に溶融するけれども、しかしながら固体１２
と別の物体７との間の固定用材料６はかかる温度では液
状に溶融しないということが達成される。
第４図における別の物体７は第１図ないし第３図に基づ
いて既に述べたのと全く同じ方法で加熱できる。別の物
体７は、支持点４の積載面と平行な共通平面を定める第
４図に示した青空間方向Ｘと２の中で調節できる１種々
の空間方向における調節は例えばマニピュレータを用い
て行うことができる。ｙ方向における調節すなわち支持
点４の積載面の法線に平行な調節は、固体１２を沈める
際には固定用材料６の一部が支持点４と別の物体７との
間の中間空間から押し出され、また固体１２を持ち上げ
る際の反対の場合には支持点４と別の物体７との間の中
間空間の中の固定用材料６がこの中間空間の内部に引き
込まれることにより、実際上固定用材料６を追加するこ
と無く行うことができる。
別の物体７は第４図において固定用材料６を液状に溶融
するためにこの固定用材料６に加熱エネルギーを移すた
めの補助体として働く。
支持点４と別の物体７との間の中間空間における固定用
材料６は０．１ｍｍないし０．２ｍｍの程度の厚さとす
ることができる。固体１２として球レンズを用いる場合
にはこの固体の直径は５００ＪＬｍとすることができる
。固体１２が球レンズでありこの球レンズの中心が対象
物ｌから放射される光束の光学軸上に在るときには、対
象物ｌから発散して放射される光束を球レンズにより平
行な光束に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に基づくデバイスの一実施例の縦断面
図、第２図は第１図に示すデバイスの横断面図、第３図
はこの発明に基づく装置の−実施例の斜視図、第４図は
デバイスの別の実施例の縦断面図である。 ｌ・・・対象物（レーザダイオード）、　　２゜１２−
ψ・固体（光導波路）、　　３・・・共通の台、　４・
・・支持点、　　　６・・・固定用材料（ろう）、　　
７番・・別の物体（半導体）、１０６・・マニピュＬ／
−タ、　　　１１ａ、１１ｂ参〇・電極、　　１１ｚ・
ｅ番温度測定センサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）固体（２、１２）の一部を固定用材料 （６）と共に別の物体（７）の中に配置しかつ支持点（
    ４）上に固定するようにした固体（２、１２）の調節固
    定方法において、固体（２、１２）を少なくとも部分的
    に固定用材料（６）の中に埋め込み、この固定用材料 （６）を別の物体（７）の空所の中に埋め込み、固体（
    ２、１２）及び／又は別の物体 （７）が固定用材料（６）の中又は上で移動できるよう
    な温度まで別の物体（７）を加熱し、固体（２、１２）
    及び／又は空所付きの別の物体（７）を整列し、固体（
    ２、１２）の所望の調節が達成されたときに加熱エネ ルギー供給の適切な低減により固定用材料 （６）を硬化するまで冷却し、それにより固体（２、１
    ２）をその位置に固定することを特徴とする固体の調節
    固定方法。 ２）別の物体（７）を通電により加熱することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）別の物体（７）を誘導により加熱することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４）別の物体（７）を接触熱伝導により加熱することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５）別の物体（７）を熱ふく射により加熱することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６）まず固定用材料（６）を別の物体（７）の空所の中
    に埋め込み、続いて固定用材料 （６）が軟化するまで別の物体（７）を加熱し、続いて
    固体（２）を固定用材料（６）の中に埋め込むことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７）固体（２）を固定用材料（６）の中に埋め込みかつ
    固定用材料（６）を別の物体（７）の空所の中に埋め込
    み、続いて別の物体 （７）を加熱し、続いて固定用材料（６）の中に埋め込
    んだ固体（２）を更に別の物体 （７）の空所の中に埋め込んだ固定用材料 （６）の中に埋め込むことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の方法。 ８）固体（２）を固定用材料（６）の中に埋め込む前に
    、固定用材料（６）の中の固体 （２）の固定を改善する被覆を固体に部分的にかぶせる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項の
    いずれか１項に記載の方法。 ９）固定用材料（６）として調節固定のために別の物体
    （７）の加熱により液状に溶融するろうを用いることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれ
    か１項に記載の方法。 １０）別の物体（７）を電源の二つの電極 （１１ａ、１１ｂ）の間に挟み込むことを特徴とする特
    許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれか１項に記載
    の方法。 １１）別の物体（７）として半導体を用いることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれか
    １項に記載の方法。 １２）別の物体（７）として炭素体を用いることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項ないし第１０のいずれか１
    項に記載の方法。 １３）別の物体（７）の中の所望の温度を別の物体（７
    ）を加熱する加熱電流により直接制御することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれか１
    項に記載の方法。 １４）固体（２）の調節とかつ場合によっては別の物体
    （７）の調節とを少なくとも一つのマニピュレータ（１
    ０、１１ａ、１１ｂ）を用いて行うことを特徴とする特
    許請求の範囲第１項ないし第１３項のいずれか１項に記
    載の方法。 １５）固定用材料（６）の酸化を保護ガス吹き付けによ
    り防止することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
    し第１４項のいずれか １項に記載の方法。 １６）空所を有する別の物体（７）を固定用材料（６）
    の配量のために使用することを特徴とする特許請求の範
    囲第１項ないし第１５項のいずれか１項に記載の方法。 １７）固体の長軸（２）を含みかつ固体（２）の下敷き
    （４）上に垂直に立つ平面に関して対称に固定用材料（
    ６）を配分することを特徴とする特許請求の範囲第１項
    ないし第１６項のいずれか１項に記載の方法。 １８）固体（２）を別の物体（７）と共に支持点（４）
    上に固定することを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第１７項のいずれか１項に記載の方法。 １９）固体（２）の一部を固定用材料（６）と共に別の
    物体（７）の中に配置しかつ支持点（４）上に固定する
    固体（２）の調節固定装置において、二つの空間次元（
    ｘ、ｙ）で完全に、かつ第３の空間次元（２）で部分的
    に固定用材料（６）の中に固体（２）が埋め込まれ、こ
    の固定用材料が導電性の別の物体 （７）の空所の中に埋め込まれ、通電により別の物体（
    ７）を加熱するために別の物体 （７）が二つの電極（１１ａ、１１ｂ）の間に挟み込ま
    れていることを特徴とする固体の調節固定装置。 ２０）別の物体（７）が空所としてＶ字形溝を備えた半
    導体であることを特徴とする特許請求の範囲第１９項記
    載の装置。 ２１）電極（１１ａ、１１ｂ）がプライヤ形に形成され
    かつマニピュレータ上に固定されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１９項又は第２０項記載の装置。 ２２）温度管理のために温度測定装置 （１１ｚ）がプライヤ形の電極（１１ａ、 １１ｂ）上に固定されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第１９項ないし第２１項のいずれか１項に記載の
    装置。 ２３）固体（２）の調節のために補助の固体用マニピュ
    レータ（１０）が用いられることを特徴とする特許請求
    の範囲第１９項ないし 第２２項のいずれか１項に記載の装置。 ２４）別の物体（７）の空所が、固体（２）の下敷き（
    ４）上に垂直に立ちかつ固体（２）の長軸（ｚ）を含む
    平面に関して対称であることを特徴とする特許請求の範
    囲第１９項ないし第２３項のいずれか１項に記載の装置
    。 ２５）固体（２）としての光導波路の部分が固定用材料
    （６）と共に支持点（４）上に固定され、その際光導波
    路（２）が別の対象物 （１）に関して調節固定されるデバイスにおいて、支持
    点（４）と対象物（１）とが共通の台（３）上に設けら
    れることを特徴とするデバイス。 ２６）光導波路（２）が平行にその長軸（ｚ）の一部分
    で固定用材料（６）の中に完全に埋め込まれ、この固定
    用材料（６）が別の物体（７）の空所の中に埋め込まれ
    、光導波路 （２）が固定用材料（６）及び別の物体 （７）と共に支持点（４）上に固定されることを特徴と
    する特許請求の範囲第２５項記載のデバイス。 ２７）支持点（４）が共通の台（３）の一部であること
    を特徴とする特許請求の範囲第２５項又は第２６項記載
    のデバイス。 ２８）支持点（４）が低伝熱性であることを特徴とする
    特許請求の範囲第２５項ないし 第２７項のいずれか１項に記載のデバイス。 ２９）適切な材料選択と形状とにより支持点（４）の垂
    直方向の熱膨張が対象物台（３）の垂直方向の熱膨張に
    適合していることを 特徴とする特許請求の範囲第２５項ないし 第２８項のいずれか１項に記載のデバイス。 ３０）対象物（１）としてレーザダイオードを用いるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲 第２５項ないし第２９項のいずれか１項に記載のデバイ
    ス。 ３１）対象物（１）として赤外発光ダイオードを用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲 第２５項ないし第２９項のいずれか１項に記載のデバイ
    ス。 ３２）対象物（１）としてホトダイオードを用いること
    を特徴とする特許請求の範囲第２５項ないし第２９項の
    いずれか１項に記載のデバイス。
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