JPS61280013A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61280013A JPS61280013A JP12043185A JP12043185A JPS61280013A JP S61280013 A JPS61280013 A JP S61280013A JP 12043185 A JP12043185 A JP 12043185A JP 12043185 A JP12043185 A JP 12043185A JP S61280013 A JPS61280013 A JP S61280013A
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- JP
- Japan
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- magnetoresistive
- magnetoresistive element
- bias
- magnetic
- guide
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッドに係り
、特にバルクハウゼンノイズを防止するのに好適な磁気
抵抗効果型再生ヘッドに関する。
、特にバルクハウゼンノイズを防止するのに好適な磁気
抵抗効果型再生ヘッドに関する。
従来、マルチトラック方式ＰＣＭレコータノ再生ヘッド
としては、狭トラツク＠においても高感度であり％また
比較的容易に多素子化が可能な磁気抵抗効果塵ヘッド（
Ｍａｇｎｅｔｏｖｅｓｉｓｔ １ｖｅＨｅａｄ ）が用
いられている。特に磁気抵抗効果素子を記録媒体との摺
動面に露出しない。いわゆるリア屋構造の磁気抵抗効果
型ヘッドは、≠が良好でかつ信頼性に優れる利点を持ち
、有望視されている。
としては、狭トラツク＠においても高感度であり％また
比較的容易に多素子化が可能な磁気抵抗効果塵ヘッド（
Ｍａｇｎｅｔｏｖｅｓｉｓｔ １ｖｅＨｅａｄ ）が用
いられている。特に磁気抵抗効果素子を記録媒体との摺
動面に露出しない。いわゆるリア屋構造の磁気抵抗効果
型ヘッドは、≠が良好でかつ信頼性に優れる利点を持ち
、有望視されている。
このヘッドの構造は、磁気抵抗効果素子を基板上の磁気
記録媒体との摺動面から退避した位置に設け、上記摺動
面と磁気抵抗効果素子との間には、該素子と同程度の厚
さの高透磁率磁性薄膜よりなるフロントフラックスガイ
ドが設けられ、これＫより磁気記録媒体からの再生磁束
が上記の磁気抵抗効果素子に導びかれるようになってい
る。さらに上記磁気抵抗効果素子の背面にも高透磁率磁
性薄膜を設は再生磁束の帰路としている。また、上記磁
気抵抗効果素子をりニアリテイ良く用いるために、素子
近傍に導体を形成し、この導体に電流を流すことにより
バイアス磁界を印加するようになっている。
記録媒体との摺動面から退避した位置に設け、上記摺動
面と磁気抵抗効果素子との間には、該素子と同程度の厚
さの高透磁率磁性薄膜よりなるフロントフラックスガイ
ドが設けられ、これＫより磁気記録媒体からの再生磁束
が上記の磁気抵抗効果素子に導びかれるようになってい
る。さらに上記磁気抵抗効果素子の背面にも高透磁率磁
性薄膜を設は再生磁束の帰路としている。また、上記磁
気抵抗効果素子をりニアリテイ良く用いるために、素子
近傍に導体を形成し、この導体に電流を流すことにより
バイアス磁界を印加するようになっている。
従来、このような構造の磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いては、バルクハウゼンノイズを発生し、磁気特性を大
きく悪化させていた。
いては、バルクハウゼンノイズを発生し、磁気特性を大
きく悪化させていた。
バルクハウゼンノイズは、外部磁界が印加された時に強
磁性体が磁区分割し、磁化が一様に回転せずＩｃ、磁壁
が非可逆的に移動することによって発生することが知ら
れている。
磁性体が磁区分割し、磁化が一様に回転せずＩｃ、磁壁
が非可逆的に移動することによって発生することが知ら
れている。
バルクハウゼンノイズの対策法としては、磁気抵抗効果
素子に還流磁路を付加して磁壁の発生を押えることが知
られている（特開昭５８−２２０２４１号、特開昭５９
−５６２１０号、特開昭５１−１１２３２０号）。また
、特開昭５８−５７６１７号に記載されているように、
磁気抵抗効果素子を二層構造とし、その中間に非磁性層
を設け、磁壁を安定化させる方法も報告されている。
素子に還流磁路を付加して磁壁の発生を押えることが知
られている（特開昭５８−２２０２４１号、特開昭５９
−５６２１０号、特開昭５１−１１２３２０号）。また
、特開昭５８−５７６１７号に記載されているように、
磁気抵抗効果素子を二層構造とし、その中間に非磁性層
を設け、磁壁を安定化させる方法も報告されている。
しかし、磁壁の発生は、磁気抵抗効果素子の成膜条件、
バクーンニング形状などＫよっても左右されるため、磁
壁を完全になくすことは極めて困難であった。また、バ
ルク／）ウゼンノイズは、磁気抵抗効果素子だけでなく
、同じく強磁性体であるフシックスガイドにおいても発
生し、上記の方法はとの点について考慮されていなかっ
た。
バクーンニング形状などＫよっても左右されるため、磁
壁を完全になくすことは極めて困難であった。また、バ
ルク／）ウゼンノイズは、磁気抵抗効果素子だけでなく
、同じく強磁性体であるフシックスガイドにおいても発
生し、上記の方法はとの点について考慮されていなかっ
た。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き磁気抵抗効
果素子において外部磁界に対する磁壁の移動速度は磁化
の回転速度よりも充分遅いものであることに着目し、パ
ルクツ１ウゼンノイズの発生を防止した磁気抵抗効果型
再生ヘッドを提供するにある。
果素子において外部磁界に対する磁壁の移動速度は磁化
の回転速度よりも充分遅いものであることに着目し、パ
ルクツ１ウゼンノイズの発生を防止した磁気抵抗効果型
再生ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、磁気抵抗効果素
子およびブラックスガイドに入力される磁界を磁壁の移
動速度より充分速い速度で変化させ、バルクハウゼンノ
イズの原因となる磁壁の非可逆的移動を生じさせず、磁
化の回転のみとすることによって、パルクツ・ウゼンノ
イズを無くすようにした点に特徴がある。
子およびブラックスガイドに入力される磁界を磁壁の移
動速度より充分速い速度で変化させ、バルクハウゼンノ
イズの原因となる磁壁の非可逆的移動を生じさせず、磁
化の回転のみとすることによって、パルクツ・ウゼンノ
イズを無くすようにした点に特徴がある。
以下１本発明の実施例を図面でもって説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を、所用電気部品と接続された状態で示す構成図で
あって、１は、たとえば。
施例を、所用電気部品と接続された状態で示す構成図で
あって、１は、たとえば。
プ７アイアなどの非磁性体の基板、２は磁気抵抗効果素
子、４はフロントフラックスガイド。
子、４はフロントフラックスガイド。
５はリア７ラツクスガイド、７は磁気抵抗効果素子用バ
イアス導体、８はフラククスガイド用バイアス導体、１
１は駆動電流回路、１２はプリアンプ、１３は検波整流
回路、１４は高周波バイアス回路、１５ａ、１５４は磁
気抵抗効果素子接続端子、 １６ａ 、 １６＆はバイ
アス導体接続端子である。
イアス導体、８はフラククスガイド用バイアス導体、１
１は駆動電流回路、１２はプリアンプ、１３は検波整流
回路、１４は高周波バイアス回路、１５ａ、１５４は磁
気抵抗効果素子接続端子、 １６ａ 、 １６＆はバイ
アス導体接続端子である。
第２図は、第１図で示した本発明に用いる磁気抵抗効果
型再生ヘッドの断面図である。第１図と同一部を表わす
ものＫついては同一の番号で示しており、３は磁気抵抗
効果素子２と、フロントフラックスガイド４およびリア
７ラツクスガイド５を絶縁するための第１の絶縁層、６
は両フシックスガイド４，５と両バイアス導体７．８を
絶縁するための第２の絶縁層、９は記録媒体、１０は記
録磁化である。
型再生ヘッドの断面図である。第１図と同一部を表わす
ものＫついては同一の番号で示しており、３は磁気抵抗
効果素子２と、フロントフラックスガイド４およびリア
７ラツクスガイド５を絶縁するための第１の絶縁層、６
は両フシックスガイド４，５と両バイアス導体７．８を
絶縁するための第２の絶縁層、９は記録媒体、１０は記
録磁化である。
まず、ヘッド部の構造およびその動作について説明する
。
。
記録媒体９の記録磁化１０から生じる再生磁束は、７０
ント７ラツクスガイド４によって磁気抵抗効果素子２に
導びかれ、その後リアフラックスガイド５．基板１を経
由して記録媒体９に戻る。この＠、磁気抵抗効果素子２
中を通過する再生磁束の変化に応じて磁気抵抗効果素子
２の電気抵抗値が変り、との電気抵抗値の変化を適宜検
出することにより、記録磁化１０に応じた再生出力が得
られることは周知のとおりである。
ント７ラツクスガイド４によって磁気抵抗効果素子２に
導びかれ、その後リアフラックスガイド５．基板１を経
由して記録媒体９に戻る。この＠、磁気抵抗効果素子２
中を通過する再生磁束の変化に応じて磁気抵抗効果素子
２の電気抵抗値が変り、との電気抵抗値の変化を適宜検
出することにより、記録磁化１０に応じた再生出力が得
られることは周知のとおりである。
この抵抗値の検出方法としては、第１図に示した駆動電
流回路１１によって供給される直流定電流を磁気抵抗効
果素子２の長手方向に流し、素子両端に現れる電圧変化
で読むのが一般的である。
流回路１１によって供給される直流定電流を磁気抵抗効
果素子２の長手方向に流し、素子両端に現れる電圧変化
で読むのが一般的である。
また、磁気抵抗効果素子２をＩＪ ニアリテイ良く用い
るために、磁気抵抗効果素子用バイアス導体７に電流を
流し、その時発生する磁界が磁気抵抗効果素子２の磁化
を該素子の幅方向に回転させておく。
るために、磁気抵抗効果素子用バイアス導体７に電流を
流し、その時発生する磁界が磁気抵抗効果素子２の磁化
を該素子の幅方向に回転させておく。
第３図は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの抵抗変化率曲線
の一例を示す。図を見て明らかなように、素子の磁気抵
抗変化率の直線性が良好な点（図中Ａ）まで直流バイア
ス磁界Ｈｂｉａｓをかければ、感度の点でも有利であり
、一般的にはこのバイアス磁界が選ばれる。第１図にお
いて、磁気抵抗効果素子２に直流バイアス磁界を印加す
るためには、バイアス導体接続端子１６ａ 、 １６４
に直流電流を流せばよい。
の一例を示す。図を見て明らかなように、素子の磁気抵
抗変化率の直線性が良好な点（図中Ａ）まで直流バイア
ス磁界Ｈｂｉａｓをかければ、感度の点でも有利であり
、一般的にはこのバイアス磁界が選ばれる。第１図にお
いて、磁気抵抗効果素子２に直流バイアス磁界を印加す
るためには、バイアス導体接続端子１６ａ 、 １６４
に直流電流を流せばよい。
しかし、以上の動作ではバルクハウゼンノイズが多発し
、ヘッドとしての性能を著しく悪化させる。そのため、
本発明においては、リアフラックスガイド５上にも７ラ
ツクスガイド用バイアス導体８を設け、さらに高周波バ
イアス回路１４によって生成される交流信号によってバ
イアスし、バルクハウゼンノイズの防止を図っている。
、ヘッドとしての性能を著しく悪化させる。そのため、
本発明においては、リアフラックスガイド５上にも７ラ
ツクスガイド用バイアス導体８を設け、さらに高周波バ
イアス回路１４によって生成される交流信号によってバ
イアスし、バルクハウゼンノイズの防止を図っている。
第１図において駆動電流回路１１より直流電流を流すの
は従来と同様である。この時、高周波バイアス回路１４
をバイアス導体接続端子１６４に接続し、磁気抵抗効果
素子用バイアス導体７゜７ラツクスガイド用バイアス導
体８に高周波電流を流す。この高周波電流の周波数は、
磁気抵抗効果素子２およびリアフラックスガイド５の磁
壁の応答速度より充分速いものとすればよく本実施例で
は５００ｋＨｚを用いた。
は従来と同様である。この時、高周波バイアス回路１４
をバイアス導体接続端子１６４に接続し、磁気抵抗効果
素子用バイアス導体７゜７ラツクスガイド用バイアス導
体８に高周波電流を流す。この高周波電流の周波数は、
磁気抵抗効果素子２およびリアフラックスガイド５の磁
壁の応答速度より充分速いものとすればよく本実施例で
は５００ｋＨｚを用いた。
第４図は１本発明による磁気抵抗効果素子生ヘッドの抵
抗変化率曲線の動作説明図である。
抗変化率曲線の動作説明図である。
第４図における動作点は、高周波バイアス電流によりｌ
１ｒｂ＋ 、 Ｈｘｂｔの間を交互に変化している。
１ｒｂ＋ 、 Ｈｘｂｔの間を交互に変化している。
したがって７０ントフラツクスガイド４から導びかれた
磁束は、高周波バイアス電流による発生する磁界Ｋｔ量
された状態で磁気抵抗効果素子２．リア７ラツクスガイ
ド５に入力する。したがって磁気抵抗効果素子２．リア
フラックスガイド５には、高周波磁界として入力される
ことになり、入力信号磁界に対しても磁気抵抗効果素子
２およびリアフラックスガイド５に存在する磁壁は動け
ない状態になりている。このため、出力信号は、エンベ
ロープが入力信号となった高周波信号となり、この信号
をプリアンプ１２で必要値まで増幅し、検波整流回路１
３を通せば、所望の再生信号が得られる。前述したよう
に、磁気抵抗効果素子２およびリア７ラツクスガイド５
に存在する磁壁は、高周波バイアス磁界により動けない
状態になっているので、磁壁移動により発生するバルク
ハウゼンノイズを防止できる。
磁束は、高周波バイアス電流による発生する磁界Ｋｔ量
された状態で磁気抵抗効果素子２．リア７ラツクスガイ
ド５に入力する。したがって磁気抵抗効果素子２．リア
フラックスガイド５には、高周波磁界として入力される
ことになり、入力信号磁界に対しても磁気抵抗効果素子
２およびリアフラックスガイド５に存在する磁壁は動け
ない状態になりている。このため、出力信号は、エンベ
ロープが入力信号となった高周波信号となり、この信号
をプリアンプ１２で必要値まで増幅し、検波整流回路１
３を通せば、所望の再生信号が得られる。前述したよう
に、磁気抵抗効果素子２およびリア７ラツクスガイド５
に存在する磁壁は、高周波バイアス磁界により動けない
状態になっているので、磁壁移動により発生するバルク
ハウゼンノイズを防止できる。
また、高周波バイアス動作点のうち、深いバイアス点Ｈ
ｚｂ＋を、磁気抵抗効果素子２およびリア７ラツクスガ
イド５を幅方向に磁化し、はぼ磁区が消失する点に選ぶ
ことによって、浅いバイアス点Ｈｘｂｚまでの動作は磁
化の回転のみとなるので、バルクハウゼンノイズをより
確実に防止することができる。さらにバイアス点Ｈより
２の設定を第３図で説明したＡ点にすれば、リニアリテ
ィ、感度の点で優れることは言うまでもない。
ｚｂ＋を、磁気抵抗効果素子２およびリア７ラツクスガ
イド５を幅方向に磁化し、はぼ磁区が消失する点に選ぶ
ことによって、浅いバイアス点Ｈｘｂｚまでの動作は磁
化の回転のみとなるので、バルクハウゼンノイズをより
確実に防止することができる。さらにバイアス点Ｈより
２の設定を第３図で説明したＡ点にすれば、リニアリテ
ィ、感度の点で優れることは言うまでもない。
また、第１図の実施例において磁気抵抗効果用バイアス
導体７と７ラツクスガイド用バイアス導体８をバイアス
導体接続端子１６４で共通化することなく、独立に端子
を設はバイアス電流値を調整しても良い。また以上の説
明は、バイアス導体接続端子１６α、１６６間に磁気抵
抗効果用バイアス導体７，７ランクスガイド用バイア
□ス導体８をそれぞれ独立に設けていたが、これら
を一体構造としてもよい。
導体７と７ラツクスガイド用バイアス導体８をバイアス
導体接続端子１６４で共通化することなく、独立に端子
を設はバイアス電流値を調整しても良い。また以上の説
明は、バイアス導体接続端子１６α、１６６間に磁気抵
抗効果用バイアス導体７，７ランクスガイド用バイア
□ス導体８をそれぞれ独立に設けていたが、これら
を一体構造としてもよい。
第５−は、本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの他
の実施例を示す断面図である。第５図において１７は一
体化バイアス導体であり、他の部品については、第２図
と同様である。
の実施例を示す断面図である。第５図において１７は一
体化バイアス導体であり、他の部品については、第２図
と同様である。
一体化バイアス導体１７にバイアス電流を流すことによ
り、磁気抵抗効果索子２およびリア７ラツクスガイド５
にバイアス磁界をかける動作については前述したものと
同様であり、バルクハウゼンノイズを防止できる。
り、磁気抵抗効果索子２およびリア７ラツクスガイド５
にバイアス磁界をかける動作については前述したものと
同様であり、バルクハウゼンノイズを防止できる。
以上の説明では、フロンドブラックスガイド４によるバ
ルクハウゼンノイズについては触れなかったが、フロン
ドブラックスガイドの場合幅が非常に狭くなる（約５μ
ｍ）ので素子の縦横比が大きく、バルクノ−クゼンノイ
ズを発生しにくい。それでも発生する場合４Ｃは、第２
図で述べた独立型のバイアス導体を７０ント７ラツクス
４上に設けるか、第５図で述べた一体化バイアス導体を
ヘッドの摺動面側に延長すれば防止出来る。
ルクハウゼンノイズについては触れなかったが、フロン
ドブラックスガイドの場合幅が非常に狭くなる（約５μ
ｍ）ので素子の縦横比が大きく、バルクノ−クゼンノイ
ズを発生しにくい。それでも発生する場合４Ｃは、第２
図で述べた独立型のバイアス導体を７０ント７ラツクス
４上に設けるか、第５図で述べた一体化バイアス導体を
ヘッドの摺動面側に延長すれば防止出来る。
以上説明したように１本発明によれば、磁気抵抗効果素
子単体で回避が困難な磁壁の発生防止を、動作上磁壁の
移動を防止することによって、バルクハウゼンノイズの
発生を防止することができ、さらに７ラツクスガイド部
において発生するバルクハウゼンノイズをも防止できる
ので、 Ｓ／Ｎを良好ならしめることが出来、上記従
来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生
ヘッドを提供することが出来る。
子単体で回避が困難な磁壁の発生防止を、動作上磁壁の
移動を防止することによって、バルクハウゼンノイズの
発生を防止することができ、さらに７ラツクスガイド部
において発生するバルクハウゼンノイズをも防止できる
ので、 Ｓ／Ｎを良好ならしめることが出来、上記従
来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生
ヘッドを提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドの一実施例を示す構成図、第２図はこの実施例の磁
気抵抗効果型再生ヘッドの断面図、第３図はこの実施例
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの抵抗変化率曲線の一例を
示す特性図、第４図はこの実施例の磁気抵抗変化率曲線
の動作説明図、第５図は本発明による磁気抵抗効果型再
生ヘッドの他の実施例を示す断面図である。 ２・・・磁気抵抗効果素子 ４・・・７０ント７ラツクスガイド ５・・・リア７ラツクスガイド ７・・・磁気抵抗効果素子用バイアス導体８・・・フラ
ククスガイド用バイアス導体１１・・・駆動′鑞流回路 １２・・・プリ１ング １３・・・検波整流回路 １４・・・高周波バイアス回路。 ８１ 図 第 ２ 図 ＩＵ 第 ３ 図 第 ＋ 図 第 ５ 図
ッドの一実施例を示す構成図、第２図はこの実施例の磁
気抵抗効果型再生ヘッドの断面図、第３図はこの実施例
の磁気抵抗効果型再生ヘッドの抵抗変化率曲線の一例を
示す特性図、第４図はこの実施例の磁気抵抗変化率曲線
の動作説明図、第５図は本発明による磁気抵抗効果型再
生ヘッドの他の実施例を示す断面図である。 ２・・・磁気抵抗効果素子 ４・・・７０ント７ラツクスガイド ５・・・リア７ラツクスガイド ７・・・磁気抵抗効果素子用バイアス導体８・・・フラ
ククスガイド用バイアス導体１１・・・駆動′鑞流回路 １２・・・プリ１ング １３・・・検波整流回路 １４・・・高周波バイアス回路。 ８１ 図 第 ２ 図 ＩＵ 第 ３ 図 第 ＋ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 基板上に、該基板の磁気記録媒体との摺接面から退避し
た位置に設けられた磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効
果素子に前記磁気記録媒体からの磁束を導く高透磁率磁
性薄膜よりなるフロントフラックスガイドと、前記磁気
抵抗効果素子に導かれた前記磁束の帰路の一部となる高
透磁率磁性薄膜よりなるリアフラックスガイドと、該磁
気抵抗効果素子の動作点を定めるために該磁気抵抗効果
素子に近接して設けた第１のバイアス導体からなる磁気
抵抗効果型再生ヘッドにおいて、該リアフラックガイド
に近接して第２のバイアス導体を設け、該第１、第２の
バイアス導体に高周波電流を印加するとともに、該磁気
抵抗効果素子の出力を検波整流手段を介して出力するよ
うに構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12043185A JPS61280013A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12043185A JPS61280013A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61280013A true JPS61280013A (ja) | 1986-12-10 |
Family
ID=14786041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12043185A Pending JPS61280013A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61280013A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2696037A1 (fr) * | 1992-09-18 | 1994-03-25 | Thomson Csf | Dispositif de lecture magnétique. |
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5233508A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-14 | Ibm | Magnetic converter |
| JPS5357810A (en) * | 1976-11-04 | 1978-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic head device |
| JPS53139513A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Reproducer using magnetoresistance effect type head |
| JPS53139512A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Information detector |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12043185A patent/JPS61280013A/ja active Pending
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