JPS61280046A - 光記録方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、書換え可能な情報記録方式に関するものであ
る。

〔従来技術とその問題点〕

従来、書換え可能な情報記録方式としては、磁気光学材
料を用い磁気光学効果を利用した光磁気記録方式および
無機系材料を用い相変化を利用した書換え可能な情報記
録方式が知られている。

しかしながら光磁気記録方式においては、Ｓ／Ｎ比が〜
４０ｄＢと低いことに加え部分消去できないという欠点
を有する。また無機系材料を用い相変化を利用した記録
方式においては、Ｓ／Ｎ比が５９ｄＢと向上しているも
ののＳ／Ｎ比はまだ十分ではない。

また、このような記録方式に用いられる記録媒体の製法
においては、スパッタ等を用いているので製造コストが
かかるという欠点を有する。

以上のような従来技術の欠点を解消するために、高分子
液晶を用いた記録方式が特開昭５９−１０９３０号公報
および特開昭５９−３５９８９号公報において提案され
ている。かかる方式においては、書込みあるいは消去に
おいて液晶の無配向状態を用いるため、入射光が散乱さ
れ、検出機構が制限される為、Ｓ／Ｎ比が悪いという欠
点を有する。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高分子液晶を用いた記録方式であって
、高いＳ／Ｎ比を実現できる書換え可能な情報記録方式
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は、高分子液晶を用いた光記録媒体に情報を記録
し、記録された情報を消去する光記録方式において、均
一に初期分子配向した高分子液晶に対して、光ビームの
照射と光記録媒体の回転による分子配向力を与え、前期
初期配向とは異なる方向に均一配向させることにより情
報の書込みを行い、加熱と同時に電場を印加し、高分子
液晶を初期の均一配向に戻すことにより前期書込まれた
情報を消去することを特徴としている。

〔構成の詳細な説明〕

本発明の基本的動作原理を説明する。高分子液晶として
は、種々のものが知られているが（刊行物「表面Ｊ　、
　Ｖｏ　１，２０．　Ｎｏ、　９　（１９８２）、　　
Ｐ４７９〜４９１、広信社出版）、本発明には、温度。

電場およびせん断応力により変化する性質を有する高分
子液晶を用いる必要があり、これには主鎖ポリマーに液
晶基を付加したいわゆる側鎖型高分子液晶が特に適して
いる。本発明の動作は、液晶基の配向効果に基づくもの
である。

ガラス転移温度１等方相転移温度を適度に調整された高
分子液晶は、一般に室温では通常のポリマーと同様に固
体状態であるが、等方相近くもしくはそれ以上の温度で
は適度の粘土のため、低分子液晶と同様の外場応答性を
示す。即ち、例えば、誘電異方性が正の液晶基を有する
高分子液晶は、電場印加のもとで、液晶基の分子長軸方
向は電場方向に配向する。室温まで戻すとその配向状態
はそのまま保持される。同じく等方相近くもしくはそれ
以上の温度で高分子液晶を回転すると回転方向に流動配
向し、室温まで戻すとその配向状態はそのまま保持され
る。

本発明は、上記２つの異なる均一な配向状態にもとづき
、情報の記録及び消去を行うものである。

高分子液晶が相変化するのに必要な温度Ｔ１と配向する
のに必要な電圧■１を与えると高分子液晶は一定方向に
均一に配向する。この状態で冷却すると、電圧を切って
も高分子液晶の配向した状態は維持される。

以上のように均一に初期分子配向した高分子液晶に対し
て、高密度エネルギー光を照射し温度Ｔ１に上昇させ、
高分子液晶を回転させることによって、高分子液晶に回
転流動によるせん断応力を加えれば上記配向とは異なる
配向状態が得られ、冷却すればこの状態は維持される。

これにより光記録が可能になる。

以上のようにしてなされた記録を消去するには、高分子
液晶に電圧■１を印加した状態で全面を加熱し温度Ｔ１
にすれば高分子液晶を初期の均一配向に戻すことにより
記録の全面消去が可能である。

また、電圧■１を印加したままレーザー光等により局部
的に加熱し温度Ｔ、にすれば部分消去も可能になる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、本発明の一実施例の光記録方式に用いる光記
録媒体の一例を示す模式的断面図、第２図および第３図
は、情報の書込み（記録）および消去をそれぞれ説明す
るための図である。

第１図において、光記録媒体１は、例えば直径２０ｃｍ
のガラス基板２上にＩＴＯを透明電極として設けた上に
、下記構造式 ％式％ の高分子液晶４を加熱し、ディピングにより塗布し、ス
ペーサ（図示せず）にて厚みを１０μｍとし、さらにＩ
ＴＯを透明電極５として設けたガラス基板６を設けるこ
とにより構成される。光記録媒体の構造はこれに限るも
のではなく、光ビームの吸収効率を上げるため光吸収層
、もしくは光反射層を光記録媒体中に設置してもよい。

以上のような光記録媒体１の透明電極３−５間に電圧を
与え高分子液晶４に電場（＞３Ｖ／μｍ）を印加しなが
ら約９０℃に加熱すると液晶基がガラス基板に対し垂直
に配向し、冷却しても直交ニコル下において暗視野を与
える光記録媒体が作成される。

次に、第２図に示すように透明電極３−５間に電圧を印
加せずに光記録媒体１を中心軸の回りに６００〜１８０
０　ｒ　ｐ　ｍで回転させながら高密度エネルギー光７
、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ（１０ｍＷ、１０ｍ５）を照
射したところ、照射された部分の高分子液晶は、回転流
動によるせん断芯力により、初期配向とは異なる方向、
即ちガラス基板に対し平行に配向し、直交ニコル下で明
視野を与える情報記録ができた。Ｓ／Ｎ比は７０ｄＢで
あった。

以上のようにして記録された情報を消去するには、第３
図に示すように光記録媒体１の透明電極３−５間に電圧
を与え高分子液晶４に電場（〉３■／μｍ）を印加しな
がら、高分子液晶の記録された部分に高密度エネルギー
光７、例えばレーザを照射して局部的に約９０℃に加熱
すると、初期の均一配向に戻り、情報が消去され、再び
暗視野を与える情報記録媒体が再生された。以上は、部
分消去の場合であるが、適切な加熱手段により全面を加
熱すれば全面消去が可能となることは明らかである。

なお、以上の実施例は本発明の一例を述べたものであり
、本発明はこの実施例にのみ限定されるものではない。

例えば、加熱温度は用いる高分子液晶の等方相温度に依
存するものであり、種々の温度条件の材料により選択可
能なことは勿論である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、情報の記録および消去において液晶基
の異なる均一な配向状態を用いることにより、従来知ら
れている散乱状態を用いる場合と比較して高いＳ／Ｎ比
を持つ、書換え可能な情報記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に用いられる情報記録媒体の
一例を示す断面図、 第２図は第１図の情報記録媒体における記録を説明する
ための図、 第３図は、第１図の情報記録媒体における消去を説明す
るための図である。 １・・・光記録媒体 ２．６・・・ガラス基板 ３、訃・・透明電極 ４・・・高分子液晶 ７・・・高密度エネルギー光 代理人　弁理士　　岩　佐　義　幸 １　光ｔ！ｔｊｔｄ林 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子液晶を用いた光記録媒体に情報を記録し、
   記録された情報を消去する光記録方式において、均一に
   初期分子配向した高分子液晶に対して、光ビームの照射
   と光記録媒体の回転による分子配向力を与え、前期初期
   配向とは異なる方向に均一配向させることにより情報の
   書込みを行い、加熱と同時に電場を印加し、高分子液晶
   を初期の均一配向に戻すことにより前記書込まれた情報
   を消去することを特徴とする光記録方式。