JPS61281567A - 金属イオンレ−ザ− - Google Patents
金属イオンレ−ザ−Info
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- JPS61281567A JPS61281567A JP12282385A JP12282385A JPS61281567A JP S61281567 A JPS61281567 A JP S61281567A JP 12282385 A JP12282385 A JP 12282385A JP 12282385 A JP12282385 A JP 12282385A JP S61281567 A JPS61281567 A JP S61281567A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、 〔産業上の利用分野〕 1、本発明は
放電に悪影響を及はす@界や発生をなくシ、レーザー出
力の安定性を向上させる↓うにした金属イオンレーザ−
に関する。 −・ 〔従来の技術〕 、
9 、 。
放電に悪影響を及はす@界や発生をなくシ、レーザー出
力の安定性を向上させる↓うにした金属イオンレーザ−
に関する。 −・ 〔従来の技術〕 、
9 、 。
一般にレーザー媒質として金属蒸気會、f!用するこの
種の金属イオンレーず−←おいては、カドミクム(ca
) eセレン□Be、)、−テルル(T、a)等の金、
属イオン発生材料を加熱もし1<鵜放電により蒸発させ
てその蒸気を得て諭る。その場合、・加熱する方式はレ
ーザー管に設けた溜部内に金属イオン発生材料を収容し
、千の4部をヒーーーで加熱している。!だ、レーザー
動作に必要な放電状轡を安定に維QQため、レーザー管
および電極部をヒーターで加熱し、これらをニ定温度に
設定保紳して!′4る− 〔発明が解決しようとする間畔点〕 しか!、レーザー管、W極部および金属イオン発生材料
9溜部をヒーターでそれぞれ加熱する作来?會属、イ、
オンレーザーにおいては、ヒーター線により発生する磁
界、が放電に悪影響を及はし、安定しfcv−f−出力
が得られな“という間シ“あった。、 〔問題点を解決するための手段〕 、本、発明
に係る金属イオンレーザ−は上述したような問題を解決
すべくなされたもので、レーザ一段および金属イオン頼
生材料を加熱する加熱手段を無n−竺一ター、でそれぞ
れ構成したもやである。
種の金属イオンレーず−←おいては、カドミクム(ca
) eセレン□Be、)、−テルル(T、a)等の金、
属イオン発生材料を加熱もし1<鵜放電により蒸発させ
てその蒸気を得て諭る。その場合、・加熱する方式はレ
ーザー管に設けた溜部内に金属イオン発生材料を収容し
、千の4部をヒーーーで加熱している。!だ、レーザー
動作に必要な放電状轡を安定に維QQため、レーザー管
および電極部をヒーターで加熱し、これらをニ定温度に
設定保紳して!′4る− 〔発明が解決しようとする間畔点〕 しか!、レーザー管、W極部および金属イオン発生材料
9溜部をヒーターでそれぞれ加熱する作来?會属、イ、
オンレーザーにおいては、ヒーター線により発生する磁
界、が放電に悪影響を及はし、安定しfcv−f−出力
が得られな“という間シ“あった。、 〔問題点を解決するための手段〕 、本、発明
に係る金属イオンレーザ−は上述したような問題を解決
すべくなされたもので、レーザ一段および金属イオン頼
生材料を加熱する加熱手段を無n−竺一ター、でそれぞ
れ構成したもやである。
〔作用〕、 、
本発明においては加熱手段を無誘導ヒーターで構成した
ので、放電に灯して恕影響を及ぼす磁界が発生せず、し
たがってレーザー出力の安定性を向上させる。
ので、放電に灯して恕影響を及ぼす磁界が発生せず、し
たがってレーザー出力の安定性を向上させる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
紀1図は本発明に係る金属イオンレーザ−の一実施例を
示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部
破断斜視図、第3図は第1図■−■線断面図である。こ
れらの図において、1は■eガスを封入したレーザー管
、2.3はブリュースター窓、4はホロー陰極、5a、
5b、5cは主陽極、6a、6bは補助陽極、7U陰極
a 8a# 8 b s8 c ii′cd金属尋の金
属イオン発生材料9を収容する溜部、10tよ主陽極5
a、5b、5cおよび補助陽極6..6bを加熱する加
熱手段、11は溜部8a、8b、8cを加熱し金属イオ
ン発生材料9を蒸発させる加熱手段、12i−L’ I
reガス供給源、13はレーザー管1内の不純物を取り
除くためのゲッター、14は陽光柱放電通路、15はグ
ロー領域、16は陰極暗部、17. 。
示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部
破断斜視図、第3図は第1図■−■線断面図である。こ
れらの図において、1は■eガスを封入したレーザー管
、2.3はブリュースター窓、4はホロー陰極、5a、
5b、5cは主陽極、6a、6bは補助陽極、7U陰極
a 8a# 8 b s8 c ii′cd金属尋の金
属イオン発生材料9を収容する溜部、10tよ主陽極5
a、5b、5cおよび補助陽極6..6bを加熱する加
熱手段、11は溜部8a、8b、8cを加熱し金属イオ
ン発生材料9を蒸発させる加熱手段、12i−L’ I
reガス供給源、13はレーザー管1内の不純物を取り
除くためのゲッター、14は陽光柱放電通路、15はグ
ロー領域、16は陰極暗部、17. 。
17b、17c、17(1はインバー、1Bは基台、1
Bは調整ねじ、20はカバー、21は排気ファン、22
はスリット孔、23はレーザー管1自体を加熱する加熱
手段である。なお、第1図においては加熱手段23を省
略し、第2図においては加熱手段10.11を省略して
いる。
Bは調整ねじ、20はカバー、21は排気ファン、22
はスリット孔、23はレーザー管1自体を加熱する加熱
手段である。なお、第1図においては加熱手段23を省
略し、第2図においては加熱手段10.11を省略して
いる。
前記ホロー陰極4は、例えばステンレス等から力る導電
性の肉厚パイプで形成されてその中心孔が前記グロー領
域15の発生する陰極ボア30を構成し、該ホロー陰極
40両端にはセラミックス静からなる筒状の絶縁体31
.32がそれぞれ嵌合され、また各主陽極5a*5bs
5cに対応する周面には透孔がそれぞれ形成され、との
透孔にもセラミックス等からなるリング状の絶縁体33
&933bm33Qがそれぞれ嵌合固定されている。こ
のような絶縁体31.32,33a、33b、33ci
t%neイオンによるスパッタリングによりホロー陰極
4の表面から飛び出した陰極物質が主陽極5a、5kl
s5eに付着装置したり、この陰極物質によりホロー陰
極4と主陽極5at5b、 5cまたは補助陽極6a#
6bとが短絡したりするのを防止する上で有効とされる
。
性の肉厚パイプで形成されてその中心孔が前記グロー領
域15の発生する陰極ボア30を構成し、該ホロー陰極
40両端にはセラミックス静からなる筒状の絶縁体31
.32がそれぞれ嵌合され、また各主陽極5a*5bs
5cに対応する周面には透孔がそれぞれ形成され、との
透孔にもセラミックス等からなるリング状の絶縁体33
&933bm33Qがそれぞれ嵌合固定されている。こ
のような絶縁体31.32,33a、33b、33ci
t%neイオンによるスパッタリングによりホロー陰極
4の表面から飛び出した陰極物質が主陽極5a、5kl
s5eに付着装置したり、この陰極物質によりホロー陰
極4と主陽極5at5b、 5cまたは補助陽極6a#
6bとが短絡したりするのを防止する上で有効とされる
。
前記主陽極5a、5bs5(!はタングステン、モリブ
デン等によって製作され、第4図に示すようにレーザー
管1に一体に設けられた筒状の取付部36に封着用ガラ
ス38を介して取付けられている。
デン等によって製作され、第4図に示すようにレーザー
管1に一体に設けられた筒状の取付部36に封着用ガラ
ス38を介して取付けられている。
また、各主陽極5a+5bJ(Hの挿入端は放電効果を
高めると共に放電に伴う焼損を防止するため略円錐形状
もしくは截頭円錐形状に形成されている。
高めると共に放電に伴う焼損を防止するため略円錐形状
もしくは截頭円錐形状に形成されている。
そして、隣接する主陽極s&55bssc間の間隔は比
較的小さく、例えは活性艮30 cm Lボア径D 0
.4 onの場合、2釧程度に設焙されている。
較的小さく、例えは活性艮30 cm Lボア径D 0
.4 onの場合、2釧程度に設焙されている。
前記各溜部8a、8b+8cけ、レーザー管1を略半楕
円形に膨出させることにより該管1に一体に設けられ、
ホロー陰極4に形成された軸方向のスリット39によっ
て前記陽光柱放電通路14とそれぞれ連通している。ま
た、各溜部8aJb*8cは、前記主陽極5a*5b+
5cの間隔ピッチとほぼ等しく、かつ半ピツチだけずれ
て設けられている。
円形に膨出させることにより該管1に一体に設けられ、
ホロー陰極4に形成された軸方向のスリット39によっ
て前記陽光柱放電通路14とそれぞれ連通している。ま
た、各溜部8aJb*8cは、前記主陽極5a*5b+
5cの間隔ピッチとほぼ等しく、かつ半ピツチだけずれ
て設けられている。
前記補助陽極sa、sbは金属蒸気をボア30内に吹き
返しブリュースター窓2,3を金属蒸気から保睦するも
ので、前記主陽極58*5by50と同様。
返しブリュースター窓2,3を金属蒸気から保睦するも
ので、前記主陽極58*5by50と同様。
封着用ガラス41を介してレーザー管1に取付けられ、
前記絶縁体31.32の側方に近接して設けられている
。同様に陰極7も封着用ガラス42を介してレーザー管
1に取付けられ、この陰極7とホロー陰極4とは導通さ
れている。
前記絶縁体31.32の側方に近接して設けられている
。同様に陰極7も封着用ガラス42を介してレーザー管
1に取付けられ、この陰極7とホロー陰極4とは導通さ
れている。
本発明を特徴づける加熱手段10,11.23は無誘導
ヒーター48によって構成されている。無誘導ヒーター
4Bはコイルを第5図に示すように二本並べて巻くこと
により簡単に製作でき、電流を流すと相隣る線の電流の
方向が互いに反対になるため、インダクタンス(L)が
相殺され、したがって磁界を発生することはない。この
場合、加熱手段10は各電極(5as5bjcy6a、
6b)部を取り巻くように螺旋状に巻いた無誘導ヒータ
ー48をセラミックス49に埋設して形成される。また
、加熱手段11も各溜部8 B # 81) a 8
cを取り巻くように螺旋状に巻いた無誘導ヒーター4B
をセラミックス50に埋設して形成される。そして、加
熱手段23は無誘導ヒーター48をレーザー管1の外周
に直接螺旋状に巻いて形成される。
ヒーター48によって構成されている。無誘導ヒーター
4Bはコイルを第5図に示すように二本並べて巻くこと
により簡単に製作でき、電流を流すと相隣る線の電流の
方向が互いに反対になるため、インダクタンス(L)が
相殺され、したがって磁界を発生することはない。この
場合、加熱手段10は各電極(5as5bjcy6a、
6b)部を取り巻くように螺旋状に巻いた無誘導ヒータ
ー48をセラミックス49に埋設して形成される。また
、加熱手段11も各溜部8 B # 81) a 8
cを取り巻くように螺旋状に巻いた無誘導ヒーター4B
をセラミックス50に埋設して形成される。そして、加
熱手段23は無誘導ヒーター48をレーザー管1の外周
に直接螺旋状に巻いて形成される。
このような構成からなる金属イオンレーザ−において、
主陽極5a+5by5cs補助陽極6B、6bおよびホ
ロー陰極4との間に所要の電圧を印加すると。
主陽極5a+5by5cs補助陽極6B、6bおよびホ
ロー陰極4との間に所要の電圧を印加すると。
主陽極5ajb、5eとホロー陰極4間に負グロー放電
が発生する。ここで、金属イオン発生材料9としてCd
を用いたHe Cd レーザーの場合について説明す
ると、加熱手段11による溜部8&JbJcの加熱およ
び上記負グロー放電の熱隼によりCd蒸気が発生し、こ
れが放電部に送り込まれ、馬イオンなどの励起粒子によ
って高いエネルギー準位へ遷移される。そして、とのC
d蒸気は陽光柱放電の電気泳動効果によってホロー陰極
4に−向って流れ、放電のプラズマ内に適当量のCd蒸
気が存在することになり、連続発振が得られる。
が発生する。ここで、金属イオン発生材料9としてCd
を用いたHe Cd レーザーの場合について説明す
ると、加熱手段11による溜部8&JbJcの加熱およ
び上記負グロー放電の熱隼によりCd蒸気が発生し、こ
れが放電部に送り込まれ、馬イオンなどの励起粒子によ
って高いエネルギー準位へ遷移される。そして、とのC
d蒸気は陽光柱放電の電気泳動効果によってホロー陰極
4に−向って流れ、放電のプラズマ内に適当量のCd蒸
気が存在することになり、連続発振が得られる。
この場合、加熱手段10,11.23として前述した通
り無誘導ヒーターを使用し、磁界が発生しないようにし
ているので、主陽極5aJbs5cとホロー陰極4間で
生ずる放電は安定で、したがって安定したレーザー光出
力育得ることができる。
り無誘導ヒーターを使用し、磁界が発生しないようにし
ているので、主陽極5aJbs5cとホロー陰極4間で
生ずる放電は安定で、したがって安定したレーザー光出
力育得ることができる。
第6図は本発明の他の実施例を示す要部断面図である。
この実施例は、溜部8を加熱する加熱手段11を、溜部
8の表面に接合したアルミ箔60と、アルミ箔60を覆
う断熱材61と、アルミ箔60と断熱材610間に介在
された無誘導ヒーター4Bとで構成したものである。こ
のような構成においては、アルミ箔60を介して熱が溜
部8に伝達されるため、溜部8の均一加熱が可能とされ
る。
8の表面に接合したアルミ箔60と、アルミ箔60を覆
う断熱材61と、アルミ箔60と断熱材610間に介在
された無誘導ヒーター4Bとで構成したものである。こ
のような構成においては、アルミ箔60を介して熱が溜
部8に伝達されるため、溜部8の均一加熱が可能とされ
る。
以上説明したように本発明に係る金属イオンレーザ−は
、レーザー管を加熱する加熱手段、電極部を加熱する加
熱手段を無誘導ヒーターでそれぞれ構成したので、磁界
が発生せず、したがって磁界による影替がなくなり、安
定した放電状態を得ることができる。また、放電が安定
であれば安定したレーザー発振を得ることができ、性能
を向上させる。
、レーザー管を加熱する加熱手段、電極部を加熱する加
熱手段を無誘導ヒーターでそれぞれ構成したので、磁界
が発生せず、したがって磁界による影替がなくなり、安
定した放電状態を得ることができる。また、放電が安定
であれば安定したレーザー発振を得ることができ、性能
を向上させる。
第1図は本発明に係る金属イオンレーザ−・の一実施例
を示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一
部破断斜視図、第3図は第1図m−■線断面図、第4図
はレーザー管の要部拡大断面図、第5図は無誘導ヒータ
ーの斜視図、第6図は加熱手段0他0実施例を1す断面
図であt・1−拳・・レーザー管、2,3・・・・ブリ
ュースター窓、4mmm@ホロー陰極、5a t5b’
s5c・・・・主陽極、gas6b・・・・補助陽極・
、7・・・拳隙極、L8as”be8c・・・・溜部、
9・・・・金属イオン発生材料、t、、o、 11”’
;2.s・・−・加熱手段、48・111・−無誘導ヒ
ーター。
を示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一
部破断斜視図、第3図は第1図m−■線断面図、第4図
はレーザー管の要部拡大断面図、第5図は無誘導ヒータ
ーの斜視図、第6図は加熱手段0他0実施例を1す断面
図であt・1−拳・・レーザー管、2,3・・・・ブリ
ュースター窓、4mmm@ホロー陰極、5a t5b’
s5c・・・・主陽極、gas6b・・・・補助陽極・
、7・・・拳隙極、L8as”be8c・・・・溜部、
9・・・・金属イオン発生材料、t、、o、 11”’
;2.s・・−・加熱手段、48・111・−無誘導ヒ
ーター。
Claims (1)
- レーザー管を加熱する加熱手段と、電極部を加熱する加
熱手段および金属イオン発生材料を加熱蒸発させる加熱
手段を無誘導ヒーターでそれぞれ構成したことを特徴と
する金属イオンレーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12282385A JPS61281567A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12282385A JPS61281567A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281567A true JPS61281567A (ja) | 1986-12-11 |
| JPH0480550B2 JPH0480550B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14845516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12282385A Granted JPS61281567A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281567A (ja) |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12282385A patent/JPS61281567A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480550B2 (ja) | 1992-12-18 |
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