JPS6128371B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6128371B2 JPS6128371B2 JP55064287A JP6428780A JPS6128371B2 JP S6128371 B2 JPS6128371 B2 JP S6128371B2 JP 55064287 A JP55064287 A JP 55064287A JP 6428780 A JP6428780 A JP 6428780A JP S6128371 B2 JPS6128371 B2 JP S6128371B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction
- gas
- reaction tube
- generation chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は減圧型気相成長装置に関し、特に反
応管内の洗滌機構を備えた減圧型気相成長装置に
係わるものである。
応管内の洗滌機構を備えた減圧型気相成長装置に
係わるものである。
従来の減圧型気相成長装置を第１図に示してあ
る。すなわち、この第１図において、１は反応
管、２は半導体基板３を載置保持してこの反応管
１内に装入される治具、４は反応管１の周囲に配
される加熱コイル、５は反応管１内を減圧排気す
る排気系に接続した排気管、６は反応管１内に反
応ガスを導入するガス導入管である。
る。すなわち、この第１図において、１は反応
管、２は半導体基板３を載置保持してこの反応管
１内に装入される治具、４は反応管１の周囲に配
される加熱コイル、５は反応管１内を減圧排気す
る排気系に接続した排気管、６は反応管１内に反
応ガスを導入するガス導入管である。
この従来構成の操作は、加熱コイル４により反
応管１内を反応生成物が充分に形成され得る温度
まで加熱し、ついでこの反応管１内に治具２に載
置保持した半導体基板３を装入した上で、排気管
５を通して管内を排気すると共に、ガス導入管６
より反応性ガスを管内に導入し、所定の減圧下で
前記基板面に反応生成物の薄膜を形成させる。
応管１内を反応生成物が充分に形成され得る温度
まで加熱し、ついでこの反応管１内に治具２に載
置保持した半導体基板３を装入した上で、排気管
５を通して管内を排気すると共に、ガス導入管６
より反応性ガスを管内に導入し、所定の減圧下で
前記基板面に反応生成物の薄膜を形成させる。
反応生成膜は、例えば反応性ガスにモノシラン
（SiH4）、窒素（N2）を用いると多結晶シリコン
が、またジクロルシラン（SiH2Cl2）、アンモニア
（NH3）を用いると窒化シリコンが得られる。しか
してこの生成に際しては、その生成物が基板面だ
けでなく、同時に反応管１の管壁および治具２の
表面にも堆積され、かつこれらの堆積物が一旦形
成されると、以後の反応過程での正常な膜生成を
妨げることになる。従つてこれらの余分な生成堆
積物はすみやかに除去する必要があるが、従来の
装置自体はこの機能を全く有していないために、
一旦、反応管を取外し治具と共に、例えば弗酸な
どの溶液で充分に洗滌しなければならないという
不便さがあつた。
（SiH4）、窒素（N2）を用いると多結晶シリコン
が、またジクロルシラン（SiH2Cl2）、アンモニア
（NH3）を用いると窒化シリコンが得られる。しか
してこの生成に際しては、その生成物が基板面だ
けでなく、同時に反応管１の管壁および治具２の
表面にも堆積され、かつこれらの堆積物が一旦形
成されると、以後の反応過程での正常な膜生成を
妨げることになる。従つてこれらの余分な生成堆
積物はすみやかに除去する必要があるが、従来の
装置自体はこの機能を全く有していないために、
一旦、反応管を取外し治具と共に、例えば弗酸な
どの溶液で充分に洗滌しなければならないという
不便さがあつた。
この発明は従来のこのような欠点を改善しよう
とするもので、反応管の前段であるガス管に洗滌
用プラズマ発生室を設けて、発生ガスプラズマに
より反応管を取外さずに洗滌し得るようにしたも
のである。
とするもので、反応管の前段であるガス管に洗滌
用プラズマ発生室を設けて、発生ガスプラズマに
より反応管を取外さずに洗滌し得るようにしたも
のである。
以下、この発明装置の一実施例につき、第２図
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
この第２図において、前記第２図と同一符号は
同一または相当部分を表わしており、この実施例
では前記ガス導入管６にプラズマ発生室７を設け
て、RF発振器９に接続したプラズマ発生用電極
８を配すると共に、洗滌用反応ガスの供給管１０
を分岐させ、かつ各々に管路切換えバルブ１１，
１２を介在させたものであり、プラズマ発生のた
めの電極８は容量型、誘導型のいずれでもよい。
なお１３はプラズマ遮蔽板である。
同一または相当部分を表わしており、この実施例
では前記ガス導入管６にプラズマ発生室７を設け
て、RF発振器９に接続したプラズマ発生用電極
８を配すると共に、洗滌用反応ガスの供給管１０
を分岐させ、かつ各々に管路切換えバルブ１１，
１２を介在させたものであり、プラズマ発生のた
めの電極８は容量型、誘導型のいずれでもよい。
なお１３はプラズマ遮蔽板である。
従つてこの実施例構成においても、基板面への
膜生成は前記した従来例と全く同様に行なわれる
が、このときバルブ１１を閉じ、バルブ１２を開
いておく。そして反応管１内を洗滌する際には、
これとは逆にバルブ１１を開け、バルブ１２を閉
じて、供給管１０よりプラズマ発生室７内に、例
えばCF4ガスなどの洗滌用ガスを供給し、かつ
RF発振器９の出力を電極８に印加してガスプラ
ズマを発生させ、これをガス導入管６から高温
（600〜800℃）、減圧（0.1〜0.5Torr）下にある反
応管１内に送り込み、プラズマラジカルとの反応
を生じさせて、その管壁に堆積された例えば多結
晶シリコン、窒化シリコンなどの堆積物を除去
し、かつこの除去された堆積物は排気管５から外
部に排出するのであり、この洗滌操作を所定時間
続けることにより、反応管１内を充分に洗滌でき
るのである。
膜生成は前記した従来例と全く同様に行なわれる
が、このときバルブ１１を閉じ、バルブ１２を開
いておく。そして反応管１内を洗滌する際には、
これとは逆にバルブ１１を開け、バルブ１２を閉
じて、供給管１０よりプラズマ発生室７内に、例
えばCF4ガスなどの洗滌用ガスを供給し、かつ
RF発振器９の出力を電極８に印加してガスプラ
ズマを発生させ、これをガス導入管６から高温
（600〜800℃）、減圧（0.1〜0.5Torr）下にある反
応管１内に送り込み、プラズマラジカルとの反応
を生じさせて、その管壁に堆積された例えば多結
晶シリコン、窒化シリコンなどの堆積物を除去
し、かつこの除去された堆積物は排気管５から外
部に排出するのであり、この洗滌操作を所定時間
続けることにより、反応管１内を充分に洗滌でき
るのである。
また前記実施例では、多結晶シリコン、窒化シ
リコンが堆積された場合について述べたが、配管
などのリークによる酸素あるいは水分などの混入
によつて生成される二酸化シリコンが管壁に堆積
した場合でも、この二酸化シリコンと反応するプ
ラズマラジカルとなるべき反応性ガス、例えば
C3F8ガスを用いることで、これを容易に除去す
ることができる。
リコンが堆積された場合について述べたが、配管
などのリークによる酸素あるいは水分などの混入
によつて生成される二酸化シリコンが管壁に堆積
した場合でも、この二酸化シリコンと反応するプ
ラズマラジカルとなるべき反応性ガス、例えば
C3F8ガスを用いることで、これを容易に除去す
ることができる。
以上詳述したようにこの発明によるときは、反
応管の前段ガス導入管にプラズマ発生室を設ける
と共に、このプラズマ発生室に洗滌用ガスを供給
し得るようにして、ガスプラズマにより反応管内
に堆積される反応生成物を除去するようにしたか
ら、この反応管を一々取外して洗滌する必要がな
く、装置の稼動効率を向上でき、かつこれによつ
て常に良好な品質の生成膜を高信頼性のもとに得
られるものである。
応管の前段ガス導入管にプラズマ発生室を設ける
と共に、このプラズマ発生室に洗滌用ガスを供給
し得るようにして、ガスプラズマにより反応管内
に堆積される反応生成物を除去するようにしたか
ら、この反応管を一々取外して洗滌する必要がな
く、装置の稼動効率を向上でき、かつこれによつ
て常に良好な品質の生成膜を高信頼性のもとに得
られるものである。
第１図は従来例による減圧型気相成長装置の、
また第２図はこの発明の一実施例を適用した減圧
型気相成長装置の、各々概要構成図である。 １……反応管、２……治具、３……半導体基
板、４……加熱コイル、５……排気管、６……ガ
ス導入管、７……プラズマ発生室、８……電極、
９……RF発振器、１０……洗滌用ガス供給管。
また第２図はこの発明の一実施例を適用した減圧
型気相成長装置の、各々概要構成図である。 １……反応管、２……治具、３……半導体基
板、４……加熱コイル、５……排気管、６……ガ
ス導入管、７……プラズマ発生室、８……電極、
９……RF発振器、１０……洗滌用ガス供給管。
Claims (1)
- １ 加熱手段をもつ反応管に対し、管内に反応ガ
スを導入するガス導入管、および管内を減圧排気
する排気系の排気管をそれぞれに接続した減圧型
気相成長装置において、前記ガス導入管に洗滌用
プラズマ発生室を設けると共に、このプラズマ発
生室に洗滌用反応ガスを供給して、前記プラズマ
発生室から発生されるガスプラズマにより前記反
応管内に堆積された反応生成物を除去するように
したことを特徴とする減圧型気相成長装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6428780A JPS56158143A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Reduced pressure type vapor phase growing device |
| DE19813118848 DE3118848C2 (de) | 1980-05-12 | 1981-05-12 | Niederdruck-Beschichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6428780A JPS56158143A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Reduced pressure type vapor phase growing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158143A JPS56158143A (en) | 1981-12-05 |
| JPS6128371B2 true JPS6128371B2 (ja) | 1986-06-30 |
Family
ID=13253861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6428780A Granted JPS56158143A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Reduced pressure type vapor phase growing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158143A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6061722U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置 |
| JPS60192327A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の洗浄方法 |
| JPS6114726A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の処理方法 |
| JPH0693454B2 (ja) * | 1985-10-03 | 1994-11-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216482A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Toshiba Corp | Surface treatment apparatus using activated gas |
-
1980
- 1980-05-12 JP JP6428780A patent/JPS56158143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158143A (en) | 1981-12-05 |
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