JPS61285738A - マイクロ波集積回路用外囲器とその接続方法 - Google Patents
マイクロ波集積回路用外囲器とその接続方法Info
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- JPS61285738A JPS61285738A JP60126188A JP12618885A JPS61285738A JP S61285738 A JPS61285738 A JP S61285738A JP 60126188 A JP60126188 A JP 60126188A JP 12618885 A JP12618885 A JP 12618885A JP S61285738 A JPS61285738 A JP S61285738A
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- Japan
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- input
- ceramic substrate
- integrated circuit
- envelope
- microwave integrated
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はマイクロ波帯周波数で用いられる半導体装置を
収容するマイクロ波用集積回路の外囲器及びその接続方
法に関する。
収容するマイクロ波用集積回路の外囲器及びその接続方
法に関する。
マイクロ波帯で用いられる半導体装置として、Ｇ ａ
Ａ： ｓ等の半絶赦性半導体基板上に整合回路、バイア
ス回路およびＦＥＴ等の半導体素子を一体化する七ツク
リンク・マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣと称す）は
小形・軽量化・量産時の低価格化の点で注目されている
。このＭＭＩＣは信頼性の点から気密封じの外囲器に組
込む必要があシ、その外囲器の一例を第５図に示す。第
５図ｔａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図（→のｘ−
ｘ’における断面図、第５図（Ｃ）は側面図。
Ａ： ｓ等の半絶赦性半導体基板上に整合回路、バイア
ス回路およびＦＥＴ等の半導体素子を一体化する七ツク
リンク・マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣと称す）は
小形・軽量化・量産時の低価格化の点で注目されている
。このＭＭＩＣは信頼性の点から気密封じの外囲器に組
込む必要があシ、その外囲器の一例を第５図に示す。第
５図ｔａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図（→のｘ−
ｘ’における断面図、第５図（Ｃ）は側面図。
第５図（ｄ）は裏面図である。セラピンク基板１の表面
には複数個の入出力端子２を設けこれらの入出力端子２
に所定の間隔を設けた接地導体３がセラミック基板ｌの
表面全域に設置されている。又セラミック基板ｌ上の細
辺部にはその中心部を囲むようにセラミック基板ｌの外
形と同様な形状であるセラミックの側壁４を設けている
。さらにこのセラミックの側壁４の上部を閉じる蓋５が
設けられている。又接地導体３上にはＭＭＩＣ６が取り
付けられ、このＭＭＩＣ６の高周波入出力端子部及びバ
イアス端子部はそれぞれボンディングワイヤ７によシ入
出力端子２に接続されている。−万ＭＭ Ｉ Ｃ６の接
地電極は、ＭＭＩＣ６内のスルーホール等により接地４
体３に直接接続されている。ここで外囲器の各々の入出
力端子２及び接地導体３はそれぞれセラミック基板１の
側面に設けられた金ｇｇ８及び接地用金楓膜９を介して
、セラミック基板ｌの裏面に設けられた外部接続端子１
ｏ及び外部接地端子１１に接続されている。
には複数個の入出力端子２を設けこれらの入出力端子２
に所定の間隔を設けた接地導体３がセラミック基板ｌの
表面全域に設置されている。又セラミック基板ｌ上の細
辺部にはその中心部を囲むようにセラミック基板ｌの外
形と同様な形状であるセラミックの側壁４を設けている
。さらにこのセラミックの側壁４の上部を閉じる蓋５が
設けられている。又接地導体３上にはＭＭＩＣ６が取り
付けられ、このＭＭＩＣ６の高周波入出力端子部及びバ
イアス端子部はそれぞれボンディングワイヤ７によシ入
出力端子２に接続されている。−万ＭＭ Ｉ Ｃ６の接
地電極は、ＭＭＩＣ６内のスルーホール等により接地４
体３に直接接続されている。ここで外囲器の各々の入出
力端子２及び接地導体３はそれぞれセラミック基板１の
側面に設けられた金ｇｇ８及び接地用金楓膜９を介して
、セラミック基板ｌの裏面に設けられた外部接続端子１
ｏ及び外部接地端子１１に接続されている。
ところでこの外囲器をマイクロストリップ線路を形成し
た誘電体基板を介して相互に接続する場合の構造を第６
図に示す。第６図ｔａ）は平面図、第６図（ｂ）及び第
６図（Ｃ）はそれぞれ第６図（ａ）のｘ−ｘ’及びＹ−
Ｙ’における断面図である。
た誘電体基板を介して相互に接続する場合の構造を第６
図に示す。第６図ｔａ）は平面図、第６図（ｂ）及び第
６図（Ｃ）はそれぞれ第６図（ａ）のｘ−ｘ’及びＹ−
Ｙ’における断面図である。
すなわち外囲器（Ａ、Ｂ）は金属性キャリアプレート２
１上に設けられた誘電体基板２２に実装され、外囲器（
Ａ、Ｂ）の外部接続端子１０は誘電体基板２２上に形成
されたマイクロストリップ線路の中心導体２３に接続さ
れている。
１上に設けられた誘電体基板２２に実装され、外囲器（
Ａ、Ｂ）の外部接続端子１０は誘電体基板２２上に形成
されたマイクロストリップ線路の中心導体２３に接続さ
れている。
又、外囲器の外部接地端子１１は誘電体基板２２上に形
成された表面接地導体２４に接続され、スルーホール２
５を介して誘電体基板２２裏面の裏面接地導体２６に接
続されている。
成された表面接地導体２４に接続され、スルーホール２
５を介して誘電体基板２２裏面の裏面接地導体２６に接
続されている。
しかしながら第５図、第６図の構造では外囲器（Ａ、Ｂ
）内の接地導体３は外囲器（Ａ、Ｂ）の側壁の接地用金
楓膜９．外部接地端子１１゜及びＩｉ！電体基板２２の
スルーホール２５を介しテ接地すレるため、接地インダ
クタンスカ大キくなって外囲器（Ａ、Ｂ）に収納された
ＭＭＩＣ６の特性が悪くなるという欠点があった。
）内の接地導体３は外囲器（Ａ、Ｂ）の側壁の接地用金
楓膜９．外部接地端子１１゜及びＩｉ！電体基板２２の
スルーホール２５を介しテ接地すレるため、接地インダ
クタンスカ大キくなって外囲器（Ａ、Ｂ）に収納された
ＭＭＩＣ６の特性が悪くなるという欠点があった。
又２個以上の外囲器を縦続接続する場合、外囲器の股間
にはマイクロストリング線路を形成した誘電体基板を介
して接続する必要があるので、寸法が大きくなシかつコ
ストが上昇するという欠点があった。
にはマイクロストリング線路を形成した誘電体基板を介
して接続する必要があるので、寸法が大きくなシかつコ
ストが上昇するという欠点があった。
本発明は上記の欠点を除去するものであり、マイクＣＩ
波集積回路を組め込む外囲器において、接地インダクタ
ンスを小さくシ、マイクロ波特性を低下させない外囲器
を提供する。又外囲器とマイクロストリップ線路を形成
する場合、接地インダクタンスの小さいＪｉ［７７法を
提供する◇又複数の外囲器を縦続接続する場合、接地イ
ンダクタンスが小さく、マイクロ波損失の少ない接続力
法を提供する。
波集積回路を組め込む外囲器において、接地インダクタ
ンスを小さくシ、マイクロ波特性を低下させない外囲器
を提供する。又外囲器とマイクロストリップ線路を形成
する場合、接地インダクタンスの小さいＪｉ［７７法を
提供する◇又複数の外囲器を縦続接続する場合、接地イ
ンダクタンスが小さく、マイクロ波損失の少ない接続力
法を提供する。
上記目的を達成するために本発明においては。
外囲器内のＭＭＩＣの取り付けられたセラミック基板の
接地導体をこの外囲器に直接接続することにより、接地
インダクタンスが小さい外囲器を提供することができる
。又、この外囲器を蓋を下にして金属性午ヤリアブレー
トに直接マクントシ、さらにマイクロストリップ線路を
有した誘電体基板をその接地部を下罠して外囲器に隣接
させ、外囲器の接続端子とマイクロストリップ線路の中
心導体を接続続くよシ接続することによって接地インダ
クタンスの少ないマイクロストリップ線路と外囲器との
接続方法を提供することができる◇又、複数の外囲器を
それぞれの蓋を下にしてそれぞれ隣接してマウントし、
さらに複数の外囲器の隣接した接続端子をそれぞれ接続
線により接続することによって接地インダクタンスが少
なくマイクロ波損失の少ない複数の外囲器を相互に接続
する接続方法を提供することができる。
接地導体をこの外囲器に直接接続することにより、接地
インダクタンスが小さい外囲器を提供することができる
。又、この外囲器を蓋を下にして金属性午ヤリアブレー
トに直接マクントシ、さらにマイクロストリップ線路を
有した誘電体基板をその接地部を下罠して外囲器に隣接
させ、外囲器の接続端子とマイクロストリップ線路の中
心導体を接続続くよシ接続することによって接地インダ
クタンスの少ないマイクロストリップ線路と外囲器との
接続方法を提供することができる◇又、複数の外囲器を
それぞれの蓋を下にしてそれぞれ隣接してマウントし、
さらに複数の外囲器の隣接した接続端子をそれぞれ接続
線により接続することによって接地インダクタンスが少
なくマイクロ波損失の少ない複数の外囲器を相互に接続
する接続方法を提供することができる。
以下、本発明の一つの実施例を図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の外囲器の構造を示しておシ、ａｔ図（
ａ）は平面図、第１図（ｂ）はｘ−ｘ’ Ｉｃおける断
面図％第１図（Ｃ）は側面図、第１図（ｄ）は裏画図で
ある０セラミツク基収゛ｌの表面・には複数個の入出力
端子２を設けこれらの入出力端子２に所定の間隔を設け
た接地導体３がセラミック基板ｌの表面全域に設置され
ている◎なお各々の入出力端子２と接地導体３との間に
所定の間隔を設けることで、コグレーナ線路を形成して
いる。又接地導体３上にはＭＭＩＣ６が取り付けられ、
このＭＭＩＣ６の・高周波入出力端子部及びバイアス端
子部はそれぞれボンディングワイヤ７によシ入出力端子
２に接続されている。−万ＭＭＩＣ６の接地電極は、Ｍ
ＭＩＣ６内のスルーホール等によシ接地導体３に直接接
続されている。
ａ）は平面図、第１図（ｂ）はｘ−ｘ’ Ｉｃおける断
面図％第１図（Ｃ）は側面図、第１図（ｄ）は裏画図で
ある０セラミツク基収゛ｌの表面・には複数個の入出力
端子２を設けこれらの入出力端子２に所定の間隔を設け
た接地導体３がセラミック基板ｌの表面全域に設置され
ている◎なお各々の入出力端子２と接地導体３との間に
所定の間隔を設けることで、コグレーナ線路を形成して
いる。又接地導体３上にはＭＭＩＣ６が取り付けられ、
このＭＭＩＣ６の・高周波入出力端子部及びバイアス端
子部はそれぞれボンディングワイヤ７によシ入出力端子
２に接続されている。−万ＭＭＩＣ６の接地電極は、Ｍ
ＭＩＣ６内のスルーホール等によシ接地導体３に直接接
続されている。
又、セラミック基板ｌ上の周辺部にはその中心部を囲む
ようにセラミック基板ｌの外形と同様な形状であるセラ
ミックの側壁４を設け、さらにこのセラミックの１１壁
４の上部を閉じる金属性の蓋５が設けられている。ここ
で外囲器の各々の入出力端子２は側壁４に設けられ−た
金属膜８を介してセラミック基板１の裏面に設けられた
外部接続端子ｌＯに接続され、一方接地導体３は側壁４
に設けられた接地用金属膜９を介して金属性の蓋５に接
続している。
ようにセラミック基板ｌの外形と同様な形状であるセラ
ミックの側壁４を設け、さらにこのセラミックの１１壁
４の上部を閉じる金属性の蓋５が設けられている。ここ
で外囲器の各々の入出力端子２は側壁４に設けられ−た
金属膜８を介してセラミック基板１の裏面に設けられた
外部接続端子ｌＯに接続され、一方接地導体３は側壁４
に設けられた接地用金属膜９を介して金属性の蓋５に接
続している。
次に第２図に本発明の外囲器をマイクロストリップ線路
を形成した誘電体基板２２を介して相互に接続する構造
を示す。第２図（１）は平面図。
を形成した誘電体基板２２を介して相互に接続する構造
を示す。第２図（１）は平面図。
第２図（ｂ）はｘ−ｘ’の断面図である。第２図に示す
ように外囲器（Ａ、Ｂ）は誘電体基板２２を介し、金属
性の蓋５を下にして直接金属性中ヤリアゲレート２１に
マウントされる。又外部接続端子ｌＯは、誘電体基板２
２上く形成されたマイクロストリップ線路の中心導体２
３に金属箔２７等の接続線で接続される。
ように外囲器（Ａ、Ｂ）は誘電体基板２２を介し、金属
性の蓋５を下にして直接金属性中ヤリアゲレート２１に
マウントされる。又外部接続端子ｌＯは、誘電体基板２
２上く形成されたマイクロストリップ線路の中心導体２
３に金属箔２７等の接続線で接続される。
以上の構成の外囲器（Ａ、Ｂ）を相互に接続し九場合に
は、外囲器（Ａ、Ｂ）内の各々の接地導体３は接地用金
属膜９及び金輌性の蓋５を介して直接接地されるので、
従来に比べて接地インダクタンスを大幅に減少させるこ
とができる。したがって外囲器（Ａ、Ｂ）内の各々のＭ
ＭＩＣ６の性能の低下を十分少なくすることができる。
は、外囲器（Ａ、Ｂ）内の各々の接地導体３は接地用金
属膜９及び金輌性の蓋５を介して直接接地されるので、
従来に比べて接地インダクタンスを大幅に減少させるこ
とができる。したがって外囲器（Ａ、Ｂ）内の各々のＭ
ＭＩＣ６の性能の低下を十分少なくすることができる。
第３図は本発明の外囲器（Ａ、Ｂ）を誘電体基板を介さ
ないで縦続接続した場合の構造を示しており、第３図（
ａ）は上面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＸ−Ｘ’
における断面図である。すなわち各々の外囲器（Ａ、Ｂ
）は第２図と同様に外囲器（Ａ、Ｂ）の蓋５を下にして
直接キャリアプレート２１に隣接してマクントされる０
−号外囲器（Ａ、Ｂ）の各々の外部接続端子１０は互い
に対向している部分を金属箔２７等で各々接続される。
ないで縦続接続した場合の構造を示しており、第３図（
ａ）は上面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＸ−Ｘ’
における断面図である。すなわち各々の外囲器（Ａ、Ｂ
）は第２図と同様に外囲器（Ａ、Ｂ）の蓋５を下にして
直接キャリアプレート２１に隣接してマクントされる０
−号外囲器（Ａ、Ｂ）の各々の外部接続端子１０は互い
に対向している部分を金属箔２７等で各々接続される。
以上の第３図の構造では、外囲器（Ａ、Ｂ）内の各々の
接地導体３は接地用金属膜９及び蓋５を介して直接接地
されるので上記実施例と同様な効果が生じる。又、外囲
器（Ａ、Ｂ）の股間にマイクロストリップ線路２３を介
していないので、マイクロ波損失を減少させるとともに
、回路の小形・軽量化及び低価格化が可能となる０なお
第４図は外囲器（Ａ、Ｂ）を相互接続した接続部を示す
ものであシ、外囲器（Ａ、Ｂ）を直接接続する場合、接
続部では不連続によるインピーダンス不整合が生ずるこ
とがあシ、この場合外部接続端子１０の周辺部に容量を
もった島状の電極１２を設けておき、この電極１２と外
部接続端子ｌＯとの間を接続線１３等により接続するこ
とで接続部のインピーダンス不整合を小さくすることが
できる。
接地導体３は接地用金属膜９及び蓋５を介して直接接地
されるので上記実施例と同様な効果が生じる。又、外囲
器（Ａ、Ｂ）の股間にマイクロストリップ線路２３を介
していないので、マイクロ波損失を減少させるとともに
、回路の小形・軽量化及び低価格化が可能となる０なお
第４図は外囲器（Ａ、Ｂ）を相互接続した接続部を示す
ものであシ、外囲器（Ａ、Ｂ）を直接接続する場合、接
続部では不連続によるインピーダンス不整合が生ずるこ
とがあシ、この場合外部接続端子１０の周辺部に容量を
もった島状の電極１２を設けておき、この電極１２と外
部接続端子ｌＯとの間を接続線１３等により接続するこ
とで接続部のインピーダンス不整合を小さくすることが
できる。
以上述べたように本発明によれば、マイクロ波集積回路
を組み込む外囲器罠おいて、マイクロ波集積回路の接地
部を外囲器の蓋に接続することで接地インダクタンスを
小さくできるマイクロ波集積回路用外囲器を提供するこ
とができる。又マイクロ波集積回路用外囲器とマイクロ
ストリップ線路を接続する場合、外囲器の蓋を下にして
直接キャリアプレートにマクントすることによって接続
するので、接地インダクタンスの小さなマイクロ波集積
回路用外囲器の接続方法を提供することができる。又複
数のマイクロ波集積回路用外囲器を相互に接続する場合
、それぞれの外囲器の蓋を下にして直接キャリアプレー
トにマワントし、さらＫそれぞれの外部接続端子を接続
線によって接続するので、接地インダクタンスが小さく
マイクロ波損失の少ないマイクロ波集積回路用外囲器の
接続方法を提供することができる。
を組み込む外囲器罠おいて、マイクロ波集積回路の接地
部を外囲器の蓋に接続することで接地インダクタンスを
小さくできるマイクロ波集積回路用外囲器を提供するこ
とができる。又マイクロ波集積回路用外囲器とマイクロ
ストリップ線路を接続する場合、外囲器の蓋を下にして
直接キャリアプレートにマクントすることによって接続
するので、接地インダクタンスの小さなマイクロ波集積
回路用外囲器の接続方法を提供することができる。又複
数のマイクロ波集積回路用外囲器を相互に接続する場合
、それぞれの外囲器の蓋を下にして直接キャリアプレー
トにマワントし、さらＫそれぞれの外部接続端子を接続
線によって接続するので、接地インダクタンスが小さく
マイクロ波損失の少ないマイクロ波集積回路用外囲器の
接続方法を提供することができる。
第１図ｔａ）は本発明による外囲器にマイクロ波集積回
路を組込んだ平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）にお
けるｘ−ｘ’断面図、第１図（ｅ）は第１図ｔａ）の側
面図、第１図（ｄ）は第１図（ａｌの裏面図、第２図＋
８）は本発明による接続方法によって第１図の外囲器を
マイクロストリップ線路に接続した平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ） Ｋおけるｘ−ｘ’断面図、第３図（
ａ）は本発明による接続方法によっで第１図の外囲器を
複数個相互に接続した平面図、第３図（ｂ）は第３図ｔ
ａ）におけるｘ−ｘ’断面図、第４図は島状の電極をも
った外囲器を相互に接続した接続部の一部を示す平面図
、第５図（ａ）は従来の外囲器にマイクロ波集積回路を
組込んだ平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）における
Ｘ−Ｘ ／断面図、第５図（Ｃ）は第５図（ａ）の側面
図、第５図（ｄ）は箒５図（ａ）の裏面図、第６図＋８
）は第５図の外囲器とマイクロストリップ線路を接続し
た平面図、第６図（ｂ）及び第６図（Ｃ）は第６図（ａ
）のｘ−ｘ’及びＹ ＋、 Ｙ ’断面図である。 ｌ・・・セラミック基板、２・・・入出力端子、３・・
・接地導体、４・・・側壁、５・・・蓋、７・・・ボン
ディングワイヤ、８・・・金属膜、９・・・接地用金属
膜、１０’・・・外部接続端子、２１・・・キャリアプ
レート、２２・・・誘電体基板、２３・・・中心導体、
２７・・・接続線。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） （ｃ＞（ｂ） 光Ｊ図
路を組込んだ平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）にお
けるｘ−ｘ’断面図、第１図（ｅ）は第１図ｔａ）の側
面図、第１図（ｄ）は第１図（ａｌの裏面図、第２図＋
８）は本発明による接続方法によって第１図の外囲器を
マイクロストリップ線路に接続した平面図、第２図（ｂ
）は第２図（ａ） Ｋおけるｘ−ｘ’断面図、第３図（
ａ）は本発明による接続方法によっで第１図の外囲器を
複数個相互に接続した平面図、第３図（ｂ）は第３図ｔ
ａ）におけるｘ−ｘ’断面図、第４図は島状の電極をも
った外囲器を相互に接続した接続部の一部を示す平面図
、第５図（ａ）は従来の外囲器にマイクロ波集積回路を
組込んだ平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）における
Ｘ−Ｘ ／断面図、第５図（Ｃ）は第５図（ａ）の側面
図、第５図（ｄ）は箒５図（ａ）の裏面図、第６図＋８
）は第５図の外囲器とマイクロストリップ線路を接続し
た平面図、第６図（ｂ）及び第６図（Ｃ）は第６図（ａ
）のｘ−ｘ’及びＹ ＋、 Ｙ ’断面図である。 ｌ・・・セラミック基板、２・・・入出力端子、３・・
・接地導体、４・・・側壁、５・・・蓋、７・・・ボン
ディングワイヤ、８・・・金属膜、９・・・接地用金属
膜、１０’・・・外部接続端子、２１・・・キャリアプ
レート、２２・・・誘電体基板、２３・・・中心導体、
２７・・・接続線。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） （ｃ＞（ｂ） 光Ｊ図
Claims (3)
- （１）セラミック基板と、このセラミック基板の表面上
の周辺部に設けられた少なくとも１個の入出力端子と、
この入出力端子の周囲に所定の間隔を有して前記セラミ
ック基板の表面上に設けられたマイクロ波集積回路を取
り付ける接地導体と、この接地導体に取り付けられたマ
イクロ波集積回路の入出力部と前記入出力端子を接続す
る接続体と、前記入出力端子の位置に対応する前記セラ
ミック基板の裏面上の位置に設けられる接続端子と、前
記セラミック基板の表面上の周辺部に前記セラミック基
板の中心部を囲むように設けられた側壁部と、この側壁
部の上部を閉じる金属性の蓋と、前記入出力端子と前記
接続端子及び前記接地導体と前記蓋とをそれぞれ接続す
る導体とを具備するマイクロ波集積回路用外囲器。 - （２）セラミック基板と、このセラミック基板の表面上
の周辺部に設けられた少なくとも１個の入出力端子と、
この入出力端子の周囲に所定の間隔を有して前記セラミ
ック基板の表面上に設けられたマイクロ波集積回路を取
り付ける接地導体と、この接地導体に取り付けられたマ
イクロ波集積回路の入出力部と前記入出力端子を接続す
る接続体と、前記入出力端子の位置に対応する前記セラ
ミック基板の裏面上の位置に設けられる接続端子と、前
記セラミック基板の表面上の周辺部に前記セラミック基
板の中心部を囲むように設けられた側壁部と、この側壁
部の上部を閉じる金属性の蓋と、前記入出力端子と前記
接続端子及び前記接地導体と前記蓋とをそれぞれ接線す
る導体とを具備するマイクロ波集積回路用外囲器を金属
性キャリアプレート上に前記蓋を下にして装着し、前記
外囲器に隣接するようにマイクロストリップ線路を形成
した誘電体基板を前記キャリアプレート上にその接地面
を下にして、前記外囲器に隣接するように装着し、前記
外囲器の接続端子と前記マイクロストリップ線路の中心
導体とを接続線により接続し、前記外囲器と前記マイク
ロストリップ線路を接続することを特徴とするマイクロ
波集積回路用外囲器の接続方法。 - （３）セラミック基板と、このセラミック基板の表面上
の周辺部に設けられた少なくとも１個の入出力端子と、
この入出力端子の周囲に所定の間隔を有して前記セラミ
ック基板の表面上に設けられたマイクロ波集積回路を取
り付ける接地導体と、この接地導体に取り付けられたマ
イクロ波集積回路の入出力部と前記入出力端子を接続す
る接続体と、前記入出力端子の位置に対応する前記セラ
ミック基板の裏面上の位置に設けられる接続端子と、前
記セラミック基板の表面上の周辺部に前記セラミック基
板の中心部を囲むように設けられた側壁部と、この側壁
部の上部を閉じる金属性の蓋と、前記入出力端子と前記
接続端子及び前記接地導体と前記蓋とをそれぞれ接続す
る導体とを具備する複数のマイクロ波集積回路用外囲器
を金属性キャリアプレート上に前記蓋を下にしてそれぞ
れ隣接して装着し、前記複数の外囲器の隣接した前記接
続端子をそれぞれ接続線により接続し、前記複数の外囲
器を接続することを特徴とするマイクロ波集積回路用外
囲器の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126188A JPS61285738A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | マイクロ波集積回路用外囲器とその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126188A JPS61285738A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | マイクロ波集積回路用外囲器とその接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285738A true JPS61285738A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14928870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60126188A Pending JPS61285738A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | マイクロ波集積回路用外囲器とその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61285738A (ja) |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP60126188A patent/JPS61285738A/ja active Pending
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