JPS61287032A - 磁性体薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61287032A JPS61287032A JP60127406A JP12740685A JPS61287032A JP S61287032 A JPS61287032 A JP S61287032A JP 60127406 A JP60127406 A JP 60127406A JP 12740685 A JP12740685 A JP 12740685A JP S61287032 A JPS61287032 A JP S61287032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic thin
- film according
- producing
- chemical formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度の垂直磁気記録を可能とする磁性体薄
膜の製造方法に関するものである。′従来の技術 近年磁気記録は、高密度化、ディジタル化の方向へ進み
つつある。磁気記録の方式として従来は、磁気記録媒体
の面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁化に
よる磁気記録方式が主であった。しかしながら本方式で
は、記録密度を上げれば上げるほど澁気記録媒体内の磁
化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密度化を計
るのが困難になってきている。そこで最近磁気記録の新
しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して垂直方向
に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化による磁気
記録方式が開発され〔例えば 岩崎。
膜の製造方法に関するものである。′従来の技術 近年磁気記録は、高密度化、ディジタル化の方向へ進み
つつある。磁気記録の方式として従来は、磁気記録媒体
の面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁化に
よる磁気記録方式が主であった。しかしながら本方式で
は、記録密度を上げれば上げるほど澁気記録媒体内の磁
化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密度化を計
るのが困難になってきている。そこで最近磁気記録の新
しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して垂直方向
に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化による磁気
記録方式が開発され〔例えば 岩崎。
“垂直磁化を用いた高密度磁気記録”日経エレクトロニ
クス（８，７）！１９２．ｐ、１００゜１９ア８．〕記
録密度が飛躍的に増大することが可能となった。この垂
直磁気記録方式にもちいられている記録媒体としては、
コバルト−クロム（Ｃｏ −Ｃｒ ）合金膜が主として
、スパッタ法、真空蒸着法〔例えば 岩崎、大内、′高
周波スパッタ法によるＣｏ−Ｃｘ垂直記録媒体”信学会
論文誌Ｖｏ１．６３−Ｃ，Ａ４． ｐｐ、 ２３８−２
４５゜Ａｐｒｉｌ、 １９８０．１等によって開発さ
れつつある。またＣｏ−Ｃｒ以外にもバリウムフェライ
ト（Ｂ ａｏ ・６ Ｆ ｅ ２０３ ）がスパッタ法
〔例えば 星、株間。
クス（８，７）！１９２．ｐ、１００゜１９ア８．〕記
録密度が飛躍的に増大することが可能となった。この垂
直磁気記録方式にもちいられている記録媒体としては、
コバルト−クロム（Ｃｏ −Ｃｒ ）合金膜が主として
、スパッタ法、真空蒸着法〔例えば 岩崎、大内、′高
周波スパッタ法によるＣｏ−Ｃｘ垂直記録媒体”信学会
論文誌Ｖｏ１．６３−Ｃ，Ａ４． ｐｐ、 ２３８−２
４５゜Ａｐｒｉｌ、 １９８０．１等によって開発さ
れつつある。またＣｏ−Ｃｒ以外にもバリウムフェライ
ト（Ｂ ａｏ ・６ Ｆ ｅ ２０３ ）がスパッタ法
〔例えば 星、株間。
直性、山中；対向ターゲット式スノくツタによるＣ軸配
向！ａ−フェライト膜の構造と磁気特性、信学論（ｑ、
Ｔ ａｓ−Ｃ，１，Ｐ、ｅ−１ｅ （昭和５８−ｏｌ）
）により得られている。
向！ａ−フェライト膜の構造と磁気特性、信学論（ｑ、
Ｔ ａｓ−Ｃ，１，Ｐ、ｅ−１ｅ （昭和５８−ｏｌ）
）により得られている。
発明が解決しようとする問題点
これらの垂直磁気記録媒体において、Ｇｏ −Ｃｒ合金
膜は、低温で作成することが可能であるが、垂直磁化の
大きさの目安となる垂直磁気異方性がバリウムフェライ
トよりちいさい。そのため完全な垂直磁化膜とはならず
ある程度面内の磁化成分をものこすという問題があり、
しかも記録媒体が金属であるため、さびの問題や磁気ヘ
ッドが媒体面を走行中に金属（Ｃｏ−Ｃτ合金）がくっ
つく、いわゆる金属の焼き付き現象等がおこるという欠
点を有している。
膜は、低温で作成することが可能であるが、垂直磁化の
大きさの目安となる垂直磁気異方性がバリウムフェライ
トよりちいさい。そのため完全な垂直磁化膜とはならず
ある程度面内の磁化成分をものこすという問題があり、
しかも記録媒体が金属であるため、さびの問題や磁気ヘ
ッドが媒体面を走行中に金属（Ｃｏ−Ｃτ合金）がくっ
つく、いわゆる金属の焼き付き現象等がおこるという欠
点を有している。
一方バリウムフエライトは、はぼ完全なＣ軸配向の膜が
得られるため、その結晶磁気異方性からほぼ完全な垂直
磁化膜が作成できる。しかしながらバリウムフェライト
を含むヘキサゴナルフェライト膜を作成するのには、５
００”Ｃ以上の基板温度が必要である、そのためポリイ
ミドやアルミニウム上にバリウムフェライトやヘキサゴ
ナルフェライトを作成することが困難である。
得られるため、その結晶磁気異方性からほぼ完全な垂直
磁化膜が作成できる。しかしながらバリウムフェライト
を含むヘキサゴナルフェライト膜を作成するのには、５
００”Ｃ以上の基板温度が必要である、そのためポリイ
ミドやアルミニウム上にバリウムフェライトやヘキサゴ
ナルフェライトを作成することが困難である。
またバリウムフェライト単独では、垂直磁気異方性が大
きく、磁気記録媒体としての保磁力（抗磁力）が、２０
００〜３０００エールステツド（Ｏｅ）と高くなるため
、例えばフェライトヘッド（Ｍｎ−Ｚｎ ７エライト
ヘツド）のごときヘッドでは、その飽和磁束密度（１３
ｇ ）がちいさいため、媒体を十分に磁化することが困
難である。〔例えば、スパッタ合金膜ヘッドによる高抗
磁力媒体への記録。
きく、磁気記録媒体としての保磁力（抗磁力）が、２０
００〜３０００エールステツド（Ｏｅ）と高くなるため
、例えばフェライトヘッド（Ｍｎ−Ｚｎ ７エライト
ヘツド）のごときヘッドでは、その飽和磁束密度（１３
ｇ ）がちいさいため、媒体を十分に磁化することが困
難である。〔例えば、スパッタ合金膜ヘッドによる高抗
磁力媒体への記録。
信学技報ＭＲ７７−２（１９７７）Ｐ、１１）７エ２イ
トヘツドで記録再生を行なうためには、抗磁力を下げな
ければならない、そのためにバリウムフェライトにコバ
ルト（Ｃ，）とチタン（Ｔｉ）を添加し抗磁力を下げる
試みがなされているが、バリウムフェライトの飽和磁化
も下げるという問照点を有している。
トヘツドで記録再生を行なうためには、抗磁力を下げな
ければならない、そのためにバリウムフェライトにコバ
ルト（Ｃ，）とチタン（Ｔｉ）を添加し抗磁力を下げる
試みがなされているが、バリウムフェライトの飽和磁化
も下げるという問照点を有している。
問題点を解決するための手段
本発明は、前記問題点を解決するため、従来のスパッタ
法や真空蒸着法ではなく、プラズマ中に反応ガスを流し
、プラズマの活性さを利用した、プラズマＣＶＤ法によ
って３５０”Ｃ以下の低温でバリウムフェライト単相よ
り保磁力（抗磁力）がちいさく、しかも飽和磁束密度（
Ｍｓ ）の大きいベキサゴナルフェライトを製造する方
法を提供するものである。
法や真空蒸着法ではなく、プラズマ中に反応ガスを流し
、プラズマの活性さを利用した、プラズマＣＶＤ法によ
って３５０”Ｃ以下の低温でバリウムフェライト単相よ
り保磁力（抗磁力）がちいさく、しかも飽和磁束密度（
Ｍｓ ）の大きいベキサゴナルフェライトを製造する方
法を提供するものである。
作 用
発明者らは、プラズマＣＶＤ法を用いることによって３
６０℃以下の低温で保磁力がちいさく、Ｍｓ の大き
いベキサゴナルフェライトが得られることを見いだした
。すなわち、Ｆｅ、 Ｂａ、 Ｇｏ、 Ｚｎを含有
する金属アルコオキサイド、あるいは、Ｆｅ、 Ｂａ、
Ｃｏ、 Ｚｎ を含有するβ−ジケトン金属キレート
を加熱し気化しやすくさせてアルゴン（Ａｒ）をキャリ
アガスとし、酸素を反応ガスとして、高周波プラズマ（
周波数１３．５６ ＭＨｚ ）中にこれらを導入して、
３５０”Ｃ以下の基板上で分解析出させることによりベ
キサゴナルフェライトを生成させるものである。
６０℃以下の低温で保磁力がちいさく、Ｍｓ の大き
いベキサゴナルフェライトが得られることを見いだした
。すなわち、Ｆｅ、 Ｂａ、 Ｇｏ、 Ｚｎを含有
する金属アルコオキサイド、あるいは、Ｆｅ、 Ｂａ、
Ｃｏ、 Ｚｎ を含有するβ−ジケトン金属キレート
を加熱し気化しやすくさせてアルゴン（Ａｒ）をキャリ
アガスとし、酸素を反応ガスとして、高周波プラズマ（
周波数１３．５６ ＭＨｚ ）中にこれらを導入して、
３５０”Ｃ以下の基板上で分解析出させることによりベ
キサゴナルフェライトを生成させるものである。
このように低温でベキサゴナルフェライトの析出が可能
となるのは、プラズマ中においては、化学反応を低温で
引きおこす活性なラジカルやイオン等の化学種が多く存
在し、通のＣＶＤ（熱による分解析出をおこなうＣＶＤ
）では、エネルギー的におこりえない反応がプラズマ中
では可能であるためである。〔例えば、薄膜ハンドブッ
ク ２２６ページ、オーム社 昭和５８年１２月１０日
〕また一般にプラズマＣＶＤ法は、通常の熱ＣＶＤ法に
くらべて、低温で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点物
質が合成できるばかりでなく、熱分解析出反応を伴うた
めに低温においても高純度でしかも結晶性の良い膜が得
られる。そのためへキサゴナルフェライトのような結晶
の配向性の良いことが必要でしかもそれを低温で合成す
るのには最適の方法であると考えられる。
となるのは、プラズマ中においては、化学反応を低温で
引きおこす活性なラジカルやイオン等の化学種が多く存
在し、通のＣＶＤ（熱による分解析出をおこなうＣＶＤ
）では、エネルギー的におこりえない反応がプラズマ中
では可能であるためである。〔例えば、薄膜ハンドブッ
ク ２２６ページ、オーム社 昭和５８年１２月１０日
〕また一般にプラズマＣＶＤ法は、通常の熱ＣＶＤ法に
くらべて、低温で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点物
質が合成できるばかりでなく、熱分解析出反応を伴うた
めに低温においても高純度でしかも結晶性の良い膜が得
られる。そのためへキサゴナルフェライトのような結晶
の配向性の良いことが必要でしかもそれを低温で合成す
るのには最適の方法であると考えられる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面にもとづいて説
明する。図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図を示すものである。）同図において、１
１は反応チャンバー、１２は高周波電極、１３は高周波
電源、１４は基板加熱ホルダー、１６は基板、１６はＦ
ｅ （ＯＲ）ｓあるいはＦ ｅ （Ｃ５Ｈ−、Ｏ）３の
バブラー、１７はＢ ａ （ＯＲ）２ あるいは、Ｂａ
（Ｃ６−０）２のバブラー、１８はＣｏ （ＯＲ）ｓ
アルイハＣ０（Ｃ５Ｈ７ｏ）３ツバフラー、１９ ハＺ
ｎ（ＯＲ）４匁あるいは、Ｚｎ（Ｃ６Ｈ７Ｑ）２のバブ
ラー、２０はキャリアガス（Ａｒ）のボンベ、２１は反
応ガス（Ｃ゜）のボンベ、２２はロータリーポンプであ
る。
明する。図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図を示すものである。）同図において、１
１は反応チャンバー、１２は高周波電極、１３は高周波
電源、１４は基板加熱ホルダー、１６は基板、１６はＦ
ｅ （ＯＲ）ｓあるいはＦ ｅ （Ｃ５Ｈ−、Ｏ）３の
バブラー、１７はＢ ａ （ＯＲ）２ あるいは、Ｂａ
（Ｃ６−０）２のバブラー、１８はＣｏ （ＯＲ）ｓ
アルイハＣ０（Ｃ５Ｈ７ｏ）３ツバフラー、１９ ハＺ
ｎ（ＯＲ）４匁あるいは、Ｚｎ（Ｃ６Ｈ７Ｑ）２のバブ
ラー、２０はキャリアガス（Ａｒ）のボンベ、２１は反
応ガス（Ｃ゜）のボンベ、２２はロータリーポンプであ
る。
まずジェトキシ鉄（Ｆｅ （Ｃ−０２Ｈ６）３〕、ジェ
トキシバリウム（Ｂａ （Ｃ・Ｃ２Ｈ６）２〕、ジェト
キシコバルト（： Ｃｏ （Ｃ−Ｃ２Ｈ５）３’］ 、
ジェトキシ亜鉛ＣＺ２１１ＣＯ−Ｃ２Ｈ６）４］の入っ
たバブラー１６．１７．１８．１９を１６０℃に加熱し
、これらのバブラーにバブル用のアルゴンガス２ｏをそ
れぞれ２ ｅｓ ｏ ｃｃ／分、８０ＣＣ／分。
トキシバリウム（Ｂａ （Ｃ・Ｃ２Ｈ６）２〕、ジェト
キシコバルト（： Ｃｏ （Ｃ−Ｃ２Ｈ５）３’］ 、
ジェトキシ亜鉛ＣＺ２１１ＣＯ−Ｃ２Ｈ６）４］の入っ
たバブラー１６．１７．１８．１９を１６０℃に加熱し
、これらのバブラーにバブル用のアルゴンガス２ｏをそ
れぞれ２ ｅｓ ｏ ｃｃ／分、８０ＣＣ／分。
１０ｃｃ／分、１０ａｃ／分の流量で流し、これらの蒸
気をロータリーポンプ２２によって減圧状態になった反
応チャンバー１１内の３４５℃に加熱されたポリイミド
基板上に導入する。次に同じく、反応ガスである酸素２
１を２５０ｃｃ／分の流量で同じくポリイミド基板上に
流す。この時のガス圧は１０Ｔｏｒｒであった。次いで
高周波電力（１３，５６ＭＨｚ ）をｓ ｏ ｏ Ｗ
（６Ｗ／ｃｉ）で６０分間印加し、反応させた。
気をロータリーポンプ２２によって減圧状態になった反
応チャンバー１１内の３４５℃に加熱されたポリイミド
基板上に導入する。次に同じく、反応ガスである酸素２
１を２５０ｃｃ／分の流量で同じくポリイミド基板上に
流す。この時のガス圧は１０Ｔｏｒｒであった。次いで
高周波電力（１３，５６ＭＨｚ ）をｓ ｏ ｏ Ｗ
（６Ｗ／ｃｉ）で６０分間印加し、反応させた。
次にこの時ポリイミド基板上に析出したベキサゴナルフ
ェライトの膜厚は、約２．４μｍであった。
ェライトの膜厚は、約２．４μｍであった。
次にこの膜について、Ｘ線解析、およびＶＳＭ（振動試
料型磁力計）による膜の磁気的特性を測定した。結果は
、第−表、試料番号１に示す。
料型磁力計）による膜の磁気的特性を測定した。結果は
、第−表、試料番号１に示す。
以下余白
以下同様にして、基板温度、金属アルコオキサイドの種
類、およびβ−ジケトン金属キレートの種類、バブラー
量（Ａｒ の流量）、反応チャンバー内の圧力、高周波
電力等を変化させた時のＸ線解析、ＶＳＭの結果を第−
表試料番号２〜１２に示す。また試料番号１３〜１９は
本願発明外の比較例である。
類、およびβ−ジケトン金属キレートの種類、バブラー
量（Ａｒ の流量）、反応チャンバー内の圧力、高周波
電力等を変化させた時のＸ線解析、ＶＳＭの結果を第−
表試料番号２〜１２に示す。また試料番号１３〜１９は
本願発明外の比較例である。
ここでＸ線解析は、ヘキサゴナルフェライトの単相でＣ
軸配向が得られたかどうかを調べた。またＶＳＭの結果
からヘキサゴナルフェライトの飽和磁化と、ヒステリシ
ス曲線（Ｂ−Ｈカーブ）を求めヘキサゴナルフエライト
の垂直方向（薄膜の膜面に対して垂直の方向）の残留磁
化と保磁力、および水平方向の残留磁化と保磁力を求め
た。（垂直方向の残留磁化および保磁力が水平方向の残
留磁化および保磁力にくらべて大きければ大きいほどよ
りすぐれた垂直磁化膜である。） 基板温度を３６０℃以下にするのがのぞましく、３５０
℃以上になると基板材料として使用されるポリイミドや
Ｍ等において熱的変形や劣化がおこり良質のへキサゴナ
ルフェライト膜が得られないためである。
軸配向が得られたかどうかを調べた。またＶＳＭの結果
からヘキサゴナルフェライトの飽和磁化と、ヒステリシ
ス曲線（Ｂ−Ｈカーブ）を求めヘキサゴナルフエライト
の垂直方向（薄膜の膜面に対して垂直の方向）の残留磁
化と保磁力、および水平方向の残留磁化と保磁力を求め
た。（垂直方向の残留磁化および保磁力が水平方向の残
留磁化および保磁力にくらべて大きければ大きいほどよ
りすぐれた垂直磁化膜である。） 基板温度を３６０℃以下にするのがのぞましく、３５０
℃以上になると基板材料として使用されるポリイミドや
Ｍ等において熱的変形や劣化がおこり良質のへキサゴナ
ルフェライト膜が得られないためである。
またプラズマ電力を０．６Ｗ〜１０Ｗと限定したのはα
ｓＷ／７以下のプラズマ電力では、十分に気相中で単相
のへキサゴナルフエライトが合成できないためでおり、
１ｏｗ／ＣＩＬ以上では、電力が強すぎて気相中で出来
たヘキサゴナルフエライトが再分解されヘキサゴナルフ
ェライト以外の相（Ｆｅ３０． （ＣｏＦｅ２０４）等
）が析出するためである。
ｓＷ／７以下のプラズマ電力では、十分に気相中で単相
のへキサゴナルフエライトが合成できないためでおり、
１ｏｗ／ＣＩＬ以上では、電力が強すぎて気相中で出来
たヘキサゴナルフエライトが再分解されヘキサゴナルフ
ェライト以外の相（Ｆｅ３０． （ＣｏＦｅ２０４）等
）が析出するためである。
またプラズマを維持する時の圧力をα１〜１０Ｔａｒτ
に限定したのは、ｏ、１Ｔｏττ以下では、反応生成物
（ヘキサゴナルフエライト）の製膜速度が遅く、実用上
問題があるためであり、１０ Ｔｏｒｒ以上では、基板
上に膜として成虫せず、空間でパウダー状物質となるた
めである。
に限定したのは、ｏ、１Ｔｏττ以下では、反応生成物
（ヘキサゴナルフエライト）の製膜速度が遅く、実用上
問題があるためであり、１０ Ｔｏｒｒ以上では、基板
上に膜として成虫せず、空間でパウダー状物質となるた
めである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、プラズマの活
性さを巧みに利用して、３６０℃以下の比較的低温で垂
直方向の残留磁化が大きく垂直方向の保磁力の比較的ち
いさいヘキサゴナルフェライト膜が作成できる方法であ
って、高密度の磁気記録を達成するのにきわめて有益な
発明である。
性さを巧みに利用して、３６０℃以下の比較的低温で垂
直方向の残留磁化が大きく垂直方向の保磁力の比較的ち
いさいヘキサゴナルフェライト膜が作成できる方法であ
って、高密度の磁気記録を達成するのにきわめて有益な
発明である。
図は、本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の
概略図である。 １１・・・・・・反応チャンバー、１２・・・・・・高
周波電極、１３・・・・・・高周波電源、１４・・・・
・・基板加熱ホルダー、１６・・・・・・基板、１６・
・・・・・Ｆ ｅ （ＯＲ）ｓのバブラー、１７・・・
・・・Ｂａ（ＯＲ）２のバブラー、１８・・・・・・Ｃ
０ｐＲ）３のバブラー、１９・・・・・・Ｚｎ （ＯＲ
）４のバブラー、に・・・・・・Ａｒ キャリアガスボ
ンベ、２１・・・・・・反応ガス（Ｏ２）ボンベ、２２
・・・・・・ロータリーホンプ。
概略図である。 １１・・・・・・反応チャンバー、１２・・・・・・高
周波電極、１３・・・・・・高周波電源、１４・・・・
・・基板加熱ホルダー、１６・・・・・・基板、１６・
・・・・・Ｆ ｅ （ＯＲ）ｓのバブラー、１７・・・
・・・Ｂａ（ＯＲ）２のバブラー、１８・・・・・・Ｃ
０ｐＲ）３のバブラー、１９・・・・・・Ｚｎ （ＯＲ
）４のバブラー、に・・・・・・Ａｒ キャリアガスボ
ンベ、２１・・・・・・反応ガス（Ｏ２）ボンベ、２２
・・・・・・ロータリーホンプ。
Claims (11)
- （１）鉄（Ｆｅ）、バリウム（Ｂａ）、コバルト（Ｃｏ
）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する金属アルコオキサイド
、あるいはβ−ジケトン金属キレートと、これらの蒸気
を輸送するガスとしてのアルゴン（Ａｒ）および反応ガ
スとしての酸素（Ｏ＿２）をプラズマ中で分解させ、加
熱された基板上にヘキサゴナルフェライトを析出させる
ことを特徴とする磁性体薄膜の製造方法。 - （２）鉄を含有するアルコオキサイド化合物として、化
学式がＦｅ（ＯＲ）＿３（ただしＲはアルキル基）、で
示されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁性体薄膜の製造方法。 - （３）鉄を含有するβ−ジケトン金属キレートとして、
化学式がＦｅ（Ｃ＿５Ｈ＿７Ｏ）＿３で示されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性体薄膜の製
造方法。 - （４）バリウムを含有するアルコオキサイド化合物とし
て、化学式がＢａ（ＯＲ）＿２（ただし、Ｒはアルキル
基）で示されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁性体薄膜の製造方法。 - （５）バリウムを含有するβ−ジケトン金属キレートと
して、化学式がＢａ（Ｃ＿５Ｈ＿７Ｏ）＿２で示される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性体薄
膜の製造方法。 - （６）コバルトを含有するアルコオキサイド化合物とし
て化学式がＣｏ（ＯＲ）＿３（ただし、Ｒはアルキル基
）で示されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁性体薄膜の製造方法。 - （７）コバルトを含有するβ−ジケトン金属キレートと
して、化学式がＣｏ（Ｃ＿５Ｈ＿７Ｏ）＿３で示される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性体薄
膜の製造方法。 - （８）亜鉛を含有するアルコオキサイド化合物として化
学式がＺｎ（ＯＲ）＿２（ただし、Ｒはアルキル基）で
示されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁性体薄膜の製造方法。 - （９）亜鉛を含有するβ−ジケトン金属キレートとして
、化学式がＺｎ（Ｃ＿５Ｈ＿７Ｏ）＿２で示されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性体薄膜の
製造方法。 - （１０）プラズマを発生させる時の電力（パワー）が０
．５Ｗ／ｃｍ＾２〜１０Ｗ／ｃｍ＾２（Ｗはワット）で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性
体薄膜の製造方法。 - （１１）プラズマを維持する時の圧力が０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒであることを特徴とする特許請求の範囲第９項記
載の磁性体薄膜の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12740685A JPH0664738B2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 磁性体薄膜の製造方法 |
| US06/826,386 US4717584A (en) | 1985-02-07 | 1986-02-05 | Method of manufacturing a magnetic thin film |
| DE8686300848T DE3685346D1 (de) | 1985-02-07 | 1986-02-07 | Magnetischer duenner film und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP86300848A EP0194748B1 (en) | 1985-02-07 | 1986-02-07 | Magnetic thin film and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12740685A JPH0664738B2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 磁性体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287032A true JPS61287032A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0664738B2 JPH0664738B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14959192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12740685A Expired - Lifetime JPH0664738B2 (ja) | 1985-02-07 | 1985-06-12 | 磁性体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664738B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01208468A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Riken Corp | バリウム系薄膜製造法 |
| JPH0296916A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性媒体およびその製造方法 |
| EP1221709A2 (en) * | 1995-12-15 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method |
| JP2008088511A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Adeka Corp | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び亜鉛化合物 |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12740685A patent/JPH0664738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01208468A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Riken Corp | バリウム系薄膜製造法 |
| JPH0296916A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性媒体およびその製造方法 |
| EP1221709A2 (en) * | 1995-12-15 | 2002-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method |
| USRE40647E1 (en) | 1995-12-15 | 2009-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing plasma display panel with protective layer of an alkaline earth oxide |
| USRE41503E1 (en) | 1995-12-15 | 2010-08-17 | Panasonic Corporation | Method of producing plasma display panel with protective layer of an alkaline earth oxide |
| JP2008088511A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Adeka Corp | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び亜鉛化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664738B2 (ja) | 1994-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4975324A (en) | Perpendicular magnetic film of spinel type iron oxide compound and its manufacturing process | |
| EP0194748A2 (en) | Magnetic thin film and method of manufacturing the same | |
| US4618542A (en) | Magnetic thin film | |
| Morisako et al. | Iron nitride thin films prepared by facing targets sputtering | |
| JPS61287032A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JPS63181305A (ja) | 酸化鉄垂直磁化薄膜の製造方法 | |
| JPH0247011B2 (ja) | Jiseitaihakumakunoseizohoho | |
| JPS61242330A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JPH0664737B2 (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JPS63133611A (ja) | 磁性体薄膜の製造方法 | |
| JPS62250625A (ja) | フエライト薄膜の製造方法 | |
| JPH0576547B2 (ja) | ||
| JPS63104313A (ja) | ガンマ酸化鉄薄膜の製造方法 | |
| JPS6347908A (ja) | ニツケルフエライト系スピネル薄膜 | |
| JPH03265105A (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JPS62279518A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62119732A (ja) | 垂直磁化膜の製造方法 | |
| JPS6015818A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61288071A (ja) | 強磁性材料の製造法 | |
| JPH0378114A (ja) | 酸化鉄磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63104312A (ja) | 酸化鉄磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS6031013B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01298029A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS63222322A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62246143A (ja) | 垂直磁化膜の製造方法 |