JPS6129151A - 大規模集積回路装置 - Google Patents

大規模集積回路装置

Info

Publication number
JPS6129151A
JPS6129151A JP14942184A JP14942184A JPS6129151A JP S6129151 A JPS6129151 A JP S6129151A JP 14942184 A JP14942184 A JP 14942184A JP 14942184 A JP14942184 A JP 14942184A JP S6129151 A JPS6129151 A JP S6129151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
scale integrated
circuit device
block
functional block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14942184A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetaka Shigi
英孝 志儀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14942184A priority Critical patent/JPS6129151A/ja
Publication of JPS6129151A publication Critical patent/JPS6129151A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、大規模集積回路装置に関する。
〔発明の背景〕
大型半導体基体を用いた大規模集積回路装置に関連し、
て1文献rvLsx  II)ESIGN  1983
年9月」のPP、43−47にDouglars L 
P elterの論文”Wafer −S cale 
I nteBation :The Lim1ts o
f V L S I ’7 ”が掲載されテイル。
この論文には、ウェハー・スケールの大規模集積回路装
置における半導体欠陥等による歩留り低下に対処するた
めに、ウェハーを置き換え可能な多数の小規模回路に分
割し2、正常に機能しない小規模回路をバイパス論理に
よって他の部分から切り離し、あるいは易溶断配線によ
り回路構成を変更する技術が述べられている。しかし5
.このような方式は、予め不良となる可能性のある分だ
け小規模回路を余分に設け、またバイパス論理等を設け
る関係上1回路の冗長度が大きくなり集積度の低下を招
き、また回路設計も複雑化する等の問題がある。
また、実開昭55−49505号に、能動素子を形成し
た半導体基体上に別の半導体集積回路を搭載することに
より、所望の機能を有する集積回路装置を完成する技術
が開示されている。しかしこの技術は、皐−のチップで
は実現困難な機能を。
複数チップに分散することにより実現することを目的と
しており、初めから大規模な回路全体を昨−の大型半導
体基体上に実現することを目的とするものではない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、集積度の低下等の不利益を招くことな
く1歩留り良く製造できる大規模集積回路装置を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
本発明にあっては、嚇−の半導体基体に電子回路全体を
複数の機能ブロックに分割して形成し。
少なくとも一つの特定の機能ブロックと他の機能ブロッ
クとの相互配線を、その途中にて外部から破壊可能に形
成することにより、その特定機能ブロックが正常に機能
しない場合に、それを他の機能ブロックから容易に切り
離し得るようにする。
そして、その特定機能ブロックを別の集積回路装置で代
替できるようにするために、その接続用電極を特定機能
ブロックと他の機能ブロックとの相互配線に設ける。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例について1図面を参照しながら
説明する。
本実施例においては、第2図の平面図に略示するように
、一つの大型半導体基体1上に電子回路全体が複数の機
能ブロック2に分割されて形成される。各機能ブロック
2の相互接続は、第3図の断面図に示すように、アルミ
ニウム配線3.6によって為される。このアルミニュム
配線3,6は、その途中において外部(第3図の上方)
からレーザビーム等により容易に破壊できるように形成
されている。機能ブロック2相互間のアルミニュム配線
3,6からは、補修用の電極7が表面に引き出されてい
る。なお、4と5はパッシベーション膜である。
半導体基体1が大型になると、その全面に亘って完全な
電子回路を形成することは容易でなく、一部に欠陥を生
じやすい。その欠陥の補修が不可能であると、装置の製
造歩留りは著しく低下してしまい、装置は極めて高価に
なってしまう。
この問題に対して1本実施例においては、次のように簡
単な補修により対処することができる。
ち、製造上の欠陥により正常に機能しない機能ブロック
が生じた場合、第1図の断面図に略示するように、その
不良機能ブロック2aと他の機能ブロックとの相互接続
用アルミニウム配線3.6を。
レーザビームの照射等の方法により切断部8で破壊切断
し、不良機能ブロック2aを切り離す。そして、不良機
能ブロック2aと同等機能を有する小規模の集積回路チ
ップ10(フリップチップ)を電極7に接続する。なお
、この補修作業は、半導体基体1の畦体段階で行っても
よいし、あるいは、それをセラミックパッケージ等にダ
イボンドし、てから行ってもよい。
このようにすれば、不良機能ブロック2aの代わりに集
積回路チップ10が他の正常機能ブロックと接続され、
電子回路全体が正常に機能するようになる。そして、代
替用集積回路チップ10は一つの機能ブロックに相当す
る小規模のものでよく1歩留り良く製造できる。
このように、本実施例によれば、欠陥を簡明に補修する
ことができるから、大規模集積回路装置の歩留りを大幅
に向上し、コスト引き下げを達成できる。また、欠陥の
発生に備えて予め回路構成に冗長性を持たせる場合に比
較し、集積度を上げ得るし・1回路設計も一般に容易に
なる。
なお1代替用集積回路装置としては、上記実施例におい
て説明したようにフリップチップを使用するのが一般に
有利である。つまり、占有スペースを最小にできること
、大規模集積回路装置の半導体基体と同一材質で製造で
きるため、熱膨張率の差に起因する接続信頼性の低下を
懸念する。二となく、比較的自由な電極配置が可能とな
ること。
等の利点がある。
もっとも1代替用集積回路チップをワイヤボンティング
することも可能である。ただし・、フリップチップの場
合と比較すると、接続作業が面倒になり、また後工程の
温度ハイラーキのとり方が難し、くなる。
また、補修用電極は、総ての機能ブロックに対して設番
プるのが歩留りの面で好ましいが、場合によっては一部
の機能ブロックに対してだけ設けることも可能である。
さらに1機能ブロック相互配線は、レーザビーム照射以
外の方法により破壊できるように形成してもよい。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように5本発明によれば、集積
度の高い大規模集積回路装置を歩留り良く実現できる。
因に、n個の機能ブロックを有する大規模集積回路装置
において、1機能ブロック当りの歩留りをPとすると、
補修不可能の場合、最悪歩留りはPnであるが、1箇所
の機能ブロックを補修し、た場合1歩留はP” +n 
P”−”  (1−P)まで向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における大規模集積回路装置
の不良機能ブロックを補修した状態を示す概略部分断面
図、第2図は同実施例の大規模集積回路装置における機
能ブロックの配置を模式的に示す一路平面図、第3図は
同実施例の大規模集積回路装置における機能ブロック相
互間配線と代替集積回路装置接続用電極を示す概略部分
断面図である。 1・・・半導体基体、 2・・・機能ブロック。 3.6・・・アルミニウム配線、  4.5・・・パッ
シベーション膜、 7・・・電極、 8・・・切断部、
フリップチップ接続電極、  10・・・代替集積回路
装置チップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)単一の半導体基体に電子回路全体を複数の機能ブ
    ロックに分けて形成し、その少なくとも一つの特定の機
    能期ロックと他の機能ブロックとの相互配線を、その途
    中にて外部より破壊可能に形成するとともに、該特定機
    能ブロックの代替集積回路装置を接続するための電極を
    該相互配線に設けたことを特徴とする大規模集積回路装
    置。
JP14942184A 1984-07-20 1984-07-20 大規模集積回路装置 Pending JPS6129151A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14942184A JPS6129151A (ja) 1984-07-20 1984-07-20 大規模集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14942184A JPS6129151A (ja) 1984-07-20 1984-07-20 大規模集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6129151A true JPS6129151A (ja) 1986-02-10

Family

ID=15474740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14942184A Pending JPS6129151A (ja) 1984-07-20 1984-07-20 大規模集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6129151A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4817850A (en) Repairable flip-chip bumping
US7135378B2 (en) Process for fabricating a semiconductor device having a plurality of encrusted semiconductor chips
JPH0577184B2 (ja)
US5721151A (en) Method of fabricating a gate array integrated circuit including interconnectable macro-arrays
JPH0656874B2 (ja) 多層薄膜モジュール
US7105933B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of the same
JP3948393B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20040174646A1 (en) Input/output architecture for integrated circuits with efficeint positioning of integrated circuit elements
JP2001085526A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
EP0073721B1 (en) Large scala integration semiconductor device having monitor element and method of manufacturing the same
JPS6129151A (ja) 大規模集積回路装置
JP2760188B2 (ja) 半導体集積回路
JPH11154708A (ja) プログラミング可能な半導体装置
JP3018600B2 (ja) マルチチップ半導体集積回路
JP3531863B2 (ja) ウェーハ・レベルの集積回路の構造およびそれを製造するための方法
JPH02184063A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0230176A (ja) 半導体集積回路
JPS58202547A (ja) 集積回路装置
JPS61225845A (ja) 半導体装置
JPS62147746A (ja) 集積回路構造
KR20010088672A (ko) 반도체 적층 구조 및 이를 이용한 반도체
JP2576190B2 (ja) 大規模集積回路およびその製造方法
JPS612343A (ja) 半導体装置
JP2726993B2 (ja) 半導体装置
JPS61216339A (ja) 複合ウエハスケ−ル集積回路