JPS6130280Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130280Y2 JPS6130280Y2 JP6260980U JP6260980U JPS6130280Y2 JP S6130280 Y2 JPS6130280 Y2 JP S6130280Y2 JP 6260980 U JP6260980 U JP 6260980U JP 6260980 U JP6260980 U JP 6260980U JP S6130280 Y2 JPS6130280 Y2 JP S6130280Y2
- Authority
- JP
- Japan
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- mold
- heat sink
- resin
- power transistor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体素子の成形に用いられる半導体
素子モールド用金型に関する。
素子モールド用金型に関する。
従来より、トランジスタなどの半導体素子を水
分、埃等から防護する方法として気密封止となら
んで樹脂を用いて成形する樹脂モールドが知られ
ている。かかる樹脂モールドにおいては、たとえ
ば第１図ａ，ｂに示すような背部に放熱板１を備
えかつ該放熱板１を後方に突出させさらに前方に
リード２を突出させたパワートランジスタ３を成
形するのに第２図に示すような半導体素子モール
ド用金型４（以下金型と称する）を必要とする。
分、埃等から防護する方法として気密封止となら
んで樹脂を用いて成形する樹脂モールドが知られ
ている。かかる樹脂モールドにおいては、たとえ
ば第１図ａ，ｂに示すような背部に放熱板１を備
えかつ該放熱板１を後方に突出させさらに前方に
リード２を突出させたパワートランジスタ３を成
形するのに第２図に示すような半導体素子モール
ド用金型４（以下金型と称する）を必要とする。
図示する金型４は上型５と下型６とからなつて
おり、樹脂との密着性を向上すると共に水分の侵
入経路を延長するために設けられた切欠き１７を
側縁部に有する放熱板の端部７およびリード２を
前記上型５および下型６とによつて挟持して樹脂
モールドするよう構成され、そのモールドの工程
はつぎのように行なわれている。
おり、樹脂との密着性を向上すると共に水分の侵
入経路を延長するために設けられた切欠き１７を
側縁部に有する放熱板の端部７およびリード２を
前記上型５および下型６とによつて挟持して樹脂
モールドするよう構成され、そのモールドの工程
はつぎのように行なわれている。
下型６にパワートランジスタ３を載置する。次
いで上型５と下型６とを相対運動させパワートラ
ンジスタ３の放熱板端部７およびリード２を挟持
して固定する。次いで上型５と下型６とによつて
形成されたキヤビテイ８にエポキシなどの樹脂を
高圧注入する。そして樹脂を硬化して成形する
（第１図、第２図）。
いで上型５と下型６とを相対運動させパワートラ
ンジスタ３の放熱板端部７およびリード２を挟持
して固定する。次いで上型５と下型６とによつて
形成されたキヤビテイ８にエポキシなどの樹脂を
高圧注入する。そして樹脂を硬化して成形する
（第１図、第２図）。
以上が樹脂モールドの工程であるが、前記金型
４による成形はキヤビテイ８に配置されたパワー
トランジスタ３の放熱板端部７およびリード２を
挟持して行なわれているため、リード側の放熱板
１の下型への押圧力が弱い。そのためキヤビテイ
８の中に樹脂を高圧注入する際、放熱板４の揺動
が起こり前記パワートランジスタ３が変位をもつ
たまま成形されてしまい、放熱板４の背面に余分
な樹脂９が付着してしまう（第３図）。その結
果、製品となつた時動作中に発生する熱が十分に
放熱板によつて放出されず、製品の特性を下げた
り、さらに悪いことには製品の破壊または動作不
良を引き起こしていた。
４による成形はキヤビテイ８に配置されたパワー
トランジスタ３の放熱板端部７およびリード２を
挟持して行なわれているため、リード側の放熱板
１の下型への押圧力が弱い。そのためキヤビテイ
８の中に樹脂を高圧注入する際、放熱板４の揺動
が起こり前記パワートランジスタ３が変位をもつ
たまま成形されてしまい、放熱板４の背面に余分
な樹脂９が付着してしまう（第３図）。その結
果、製品となつた時動作中に発生する熱が十分に
放熱板によつて放出されず、製品の特性を下げた
り、さらに悪いことには製品の破壊または動作不
良を引き起こしていた。
本考案はかかる点に鑑みなされたもので、上型
と下型とによつて形成されるキヤビテイに半導体
素子などを配置させて樹脂を流し込み成形する半
導体素子モールド用金型において、前記上型およ
び下型のすくなくとも一方に、前記キヤビテイ内
で前記半導体素子を固定し前記半導体素子が変位
するのを防止する押え部を付設した半導体素子モ
ールド用金型を提供し、もつて樹脂モールドの信
頼性を向上させ製造歩留を高めることを目的とす
るものである。
と下型とによつて形成されるキヤビテイに半導体
素子などを配置させて樹脂を流し込み成形する半
導体素子モールド用金型において、前記上型およ
び下型のすくなくとも一方に、前記キヤビテイ内
で前記半導体素子を固定し前記半導体素子が変位
するのを防止する押え部を付設した半導体素子モ
ールド用金型を提供し、もつて樹脂モールドの信
頼性を向上させ製造歩留を高めることを目的とす
るものである。
以下図面に基づいて本考案の一実施例を詳細に
説明する。尚、第４図、第５図のパワートランジ
スタの符号は第１図、第２図と同符号とする。
説明する。尚、第４図、第５図のパワートランジ
スタの符号は第１図、第２図と同符号とする。
第４図に示す金型１０は上型１１と下型１２と
でなつており、背部に放熱板１を備えかつ放熱板
１を後方に突出させさらに前方にリード２を突出
させた第１図に示すパワートランジスタ３の成形
に用いられる本考案の一実施例を示し、放熱板端
部７およびリード２のほかに放熱板側縁部１３，
１４を挟持するための押え部１５が付設されてい
る。而してかかる金型１０を用いてのパワートラ
ンジスタ３の樹脂モールドはつぎのように行なわ
れる。
でなつており、背部に放熱板１を備えかつ放熱板
１を後方に突出させさらに前方にリード２を突出
させた第１図に示すパワートランジスタ３の成形
に用いられる本考案の一実施例を示し、放熱板端
部７およびリード２のほかに放熱板側縁部１３，
１４を挟持するための押え部１５が付設されてい
る。而してかかる金型１０を用いてのパワートラ
ンジスタ３の樹脂モールドはつぎのように行なわ
れる。
下型１２にパワートランジスタ３を載置する。
次いで上型１１と下型１２とを相対運動させパワ
ートランジスタ３の放熱板端部７、リード２、お
よび放熱板側縁部１３，１４を挟持し固定する。
この放熱板側縁部１３，１４の挟持位置はなるた
めリード２の方向へ近づくことが好ましい。次い
で上型１１と下型１２とによつて形成されたキヤ
ビテイ１６にエポキシ等の樹脂を高圧注入する。
そして樹脂を硬化して成形する（第４図、第５
図）。
次いで上型１１と下型１２とを相対運動させパワ
ートランジスタ３の放熱板端部７、リード２、お
よび放熱板側縁部１３，１４を挟持し固定する。
この放熱板側縁部１３，１４の挟持位置はなるた
めリード２の方向へ近づくことが好ましい。次い
で上型１１と下型１２とによつて形成されたキヤ
ビテイ１６にエポキシ等の樹脂を高圧注入する。
そして樹脂を硬化して成形する（第４図、第５
図）。
以上一実施例で示すように本考案によれば、キ
ヤビテイ１６に配置されたパワートランジスタ３
の放熱板端部７、リード２、および放熱板側縁部
１３，１４を挟持して成形を行なうことができる
ので、樹脂の高圧注入による放熱板１の揺動によ
るパワートランジスタ３の変位を防止することが
可能となり樹脂モールドの信頼性は向上し製造歩
留は高まる。
ヤビテイ１６に配置されたパワートランジスタ３
の放熱板端部７、リード２、および放熱板側縁部
１３，１４を挟持して成形を行なうことができる
ので、樹脂の高圧注入による放熱板１の揺動によ
るパワートランジスタ３の変位を防止することが
可能となり樹脂モールドの信頼性は向上し製造歩
留は高まる。
なお、本考案は上記のようなパワートランジス
タの樹脂モールドに限定されるものではなく、通
常の銃脂封止型半導体素子にも適用できるもので
ある。ただしその時には、必要に応じて上型およ
び下型の両方に押え部を設けてもよい。
タの樹脂モールドに限定されるものではなく、通
常の銃脂封止型半導体素子にも適用できるもので
ある。ただしその時には、必要に応じて上型およ
び下型の両方に押え部を設けてもよい。
第１図ａはパワートランジスタの表面説明図、
第１図ｂはパワートランジスタの裏面説明図、第
２図は従来の半導体素子モールド用金型による樹
脂モールドの説明図、第３図は従来の半導体素子
モールド用金型により成形されたパワートランジ
スタの裏面説明図、第４図は本考案の一実施例の
半導体素子モールド用金型の説明図、第５図は本
考案の一実施例の半導体素子モールド用金型によ
り成形されたパワートランジスタの表面説明図を
示す。 １……放熱板、２……リード、４，１０……金
型、５，１１……上型、６，１２……下型、８，
１６……キヤビテイ。
第１図ｂはパワートランジスタの裏面説明図、第
２図は従来の半導体素子モールド用金型による樹
脂モールドの説明図、第３図は従来の半導体素子
モールド用金型により成形されたパワートランジ
スタの裏面説明図、第４図は本考案の一実施例の
半導体素子モールド用金型の説明図、第５図は本
考案の一実施例の半導体素子モールド用金型によ
り成形されたパワートランジスタの表面説明図を
示す。 １……放熱板、２……リード、４，１０……金
型、５，１１……上型、６，１２……下型、８，
１６……キヤビテイ。
Claims (1)
- 半導体素子が配設された放熱板の一端と、この
放熱板の他端に固定されたリードとを挟持し少な
くとも前記半導体素子が配置される位置にキヤビ
テイを形成する上型および下型を具備すると共
に、前記キヤビテイ内において前記放熱板の相対
する側縁部の双方を前記一端とは離間して固定す
る押え部が前記上型および下型の少なくとも一方
に付設されたことを特徴とする半導体素子モール
ド用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260980U JPS6130280Y2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260980U JPS6130280Y2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56164553U JPS56164553U (ja) | 1981-12-07 |
| JPS6130280Y2 true JPS6130280Y2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=29656915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6260980U Expired JPS6130280Y2 (ja) | 1980-05-09 | 1980-05-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130280Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-05-09 JP JP6260980U patent/JPS6130280Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56164553U (ja) | 1981-12-07 |
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