JPS6130732B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130732B2 JPS6130732B2 JP54102237A JP10223779A JPS6130732B2 JP S6130732 B2 JPS6130732 B2 JP S6130732B2 JP 54102237 A JP54102237 A JP 54102237A JP 10223779 A JP10223779 A JP 10223779A JP S6130732 B2 JPS6130732 B2 JP S6130732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer support
- temperature
- heat block
- support stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウエーハ支持台を含むウエーハ支持装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来のウエーハ支持台たとえば露光装置におけ
るウエーハ支持台は、温度制御が行なわれていな
く、装置全体を定温に保つているのが一般的であ
る。
るウエーハ支持台は、温度制御が行なわれていな
く、装置全体を定温に保つているのが一般的であ
る。
これは、従来のこの種の装置においては、マス
ク及びウエーハが装置全体をクリーンベンチある
いはクリーンルーム等に入れておくだけで温度制
御が十分であると見做されており、温度変化によ
る露光上の問題が生じていないことによつている
と考えられる。
ク及びウエーハが装置全体をクリーンベンチある
いはクリーンルーム等に入れておくだけで温度制
御が十分であると見做されており、温度変化によ
る露光上の問題が生じていないことによつている
と考えられる。
しかしながら、この種の装置をクリーンベンチ
あるいはクリーンルームに入れておくだけでは、
ウエーハあるいはマスクのような極薄の材料で構
成されたもの（特に半導体製品を製作する材料と
なる半導体ウエーハのごとく各種処理を施すも
の）を常に一定の形状に保たせるのは困難であ
り、ウエーハの各部分においても温度分布の差に
よる凹凸が生じ、ウエーハ上にフオトリソ技術を
用いて描画あるいは転写される図形パターンが一
定の寸法で形成されないという問題があることを
見い出した。
あるいはクリーンルームに入れておくだけでは、
ウエーハあるいはマスクのような極薄の材料で構
成されたもの（特に半導体製品を製作する材料と
なる半導体ウエーハのごとく各種処理を施すも
の）を常に一定の形状に保たせるのは困難であ
り、ウエーハの各部分においても温度分布の差に
よる凹凸が生じ、ウエーハ上にフオトリソ技術を
用いて描画あるいは転写される図形パターンが一
定の寸法で形成されないという問題があることを
見い出した。
特にこれらの問題は、半導体ウエーハ等にフオ
トリソ技術を用いて微細加工する場合において顕
著に発生するものである。
トリソ技術を用いて微細加工する場合において顕
著に発生するものである。
そこで本発明は、フオトリソ技術を用いて半導
体ウエーハに微細パターンを形成する場合などに
多用されるウエーハ支持台において、温度変化に
よる不所望な処理が行なわれないウエーハ支持台
を含むウエーハ支持装置を提供することを目的と
するものである。
体ウエーハに微細パターンを形成する場合などに
多用されるウエーハ支持台において、温度変化に
よる不所望な処理が行なわれないウエーハ支持台
を含むウエーハ支持装置を提供することを目的と
するものである。
このような目的に適うために本発明において
は、複数のヒートブロツク体を有するウエーハ支
持台と、上記複数のヒートブロツク体のそれぞれ
の温度を独立に制御するための温度制御装置とを
備え、上記複数のヒートブロツク体の上面にウエ
ーハを支持する様にしたことを特徴とするもので
ある。
は、複数のヒートブロツク体を有するウエーハ支
持台と、上記複数のヒートブロツク体のそれぞれ
の温度を独立に制御するための温度制御装置とを
備え、上記複数のヒートブロツク体の上面にウエ
ーハを支持する様にしたことを特徴とするもので
ある。
以下、本発明の好適な実施例であるウエーハ支
持装置を用いて本発明を詳述する。
持装置を用いて本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例であるウエーハ支持
装置を構成するウエーハ支持台１を示す平面図で
あり、第２図は第１図におけるAA矢視断面図、
第３図は第１図に示すウエーハ支持台の温度制御
機構を示す図である。
装置を構成するウエーハ支持台１を示す平面図で
あり、第２図は第１図におけるAA矢視断面図、
第３図は第１図に示すウエーハ支持台の温度制御
機構を示す図である。
本発明にかかるウエーハ支持装置を構成するウ
エーハ支持台１は、半導体ウエーハ２を支持する
ものであつて露光装置などに組み込まれてなるも
のであつて、ステンレスからなる複数個のヒート
ブロツク体３がウエーハ支持台本体４に設けられ
てなり、相互のヒートブロツク体３がセラミツク
などからなる断熱材５によつて熱的分離されてな
り、それらのヒートブロツク体３の上面をもつて
平坦部を形成してなると共に、それらにウエーハ
２が支持された際真空吸引できるような真空吸引
孔６をヒートブロツク体３間に形成してなるもの
である。７はウエーハを真空吸引するための排気
孔である。
エーハ支持台１は、半導体ウエーハ２を支持する
ものであつて露光装置などに組み込まれてなるも
のであつて、ステンレスからなる複数個のヒート
ブロツク体３がウエーハ支持台本体４に設けられ
てなり、相互のヒートブロツク体３がセラミツク
などからなる断熱材５によつて熱的分離されてな
り、それらのヒートブロツク体３の上面をもつて
平坦部を形成してなると共に、それらにウエーハ
２が支持された際真空吸引できるような真空吸引
孔６をヒートブロツク体３間に形成してなるもの
である。７はウエーハを真空吸引するための排気
孔である。
８はウエーハ支持台１を温度制御するための温
度制御システムすなわち温度制御装置の一実施例
であり、ウエーハ支持装置の一部を構成する。９
はヒートブロツク体３を昇降温できるヒータであ
り、１０は熱電対である。これらのものからウエ
ーハ支持台の温度制御機構が構成されている。
度制御システムすなわち温度制御装置の一実施例
であり、ウエーハ支持装置の一部を構成する。９
はヒートブロツク体３を昇降温できるヒータであ
り、１０は熱電対である。これらのものからウエ
ーハ支持台の温度制御機構が構成されている。
このようなウエーハ支持台１にあつて、半導体
ウエーハ２を真空吸引チヤツクすると、ウエーハ
２の面歪によりウエーハの各部分に凹凸が生じた
とすると、ウエーハの凹部に対し周辺温度より△
t1だけ昇温させるとウエーハはその部分のみ膨張
し、その凹部が平坦としうる。また、ウエーハ２
の凸部を周辺温度より△t2だけ降温させるとウエ
ーハの凸部は収縮し、その凸部が平坦となり、こ
のようなことをウエーハの各部分に行なうとウエ
ーハ全面は平坦なものにすることができる。した
がつてウエーハ２の凹凸によるフオトリソ工程で
の転写あるいは描写のパターンの寸法変化及び
“ずれ”が是正され、ウエーハ２に対し微細加工
をもつて所望のパターンを形成することができ
る。
ウエーハ２を真空吸引チヤツクすると、ウエーハ
２の面歪によりウエーハの各部分に凹凸が生じた
とすると、ウエーハの凹部に対し周辺温度より△
t1だけ昇温させるとウエーハはその部分のみ膨張
し、その凹部が平坦としうる。また、ウエーハ２
の凸部を周辺温度より△t2だけ降温させるとウエ
ーハの凸部は収縮し、その凸部が平坦となり、こ
のようなことをウエーハの各部分に行なうとウエ
ーハ全面は平坦なものにすることができる。した
がつてウエーハ２の凹凸によるフオトリソ工程で
の転写あるいは描写のパターンの寸法変化及び
“ずれ”が是正され、ウエーハ２に対し微細加工
をもつて所望のパターンを形成することができ
る。
この様に、本発明にかかるウエーハ支持装置
は、ウエーハの分割温度制御を行ない得るので、
微細パターン加工特にサブミクロン微細パターン
加工ができサブミクロンオーダの図形形式を歪な
く所望の寸法構度をもつて行ないうるものであ
る。
は、ウエーハの分割温度制御を行ない得るので、
微細パターン加工特にサブミクロン微細パターン
加工ができサブミクロンオーダの図形形式を歪な
く所望の寸法構度をもつて行ないうるものであ
る。
本発明は、半導体ウエーハのみならず、マスク
等のウエーハまたは円形状、四角形状等の種々の
形状のウエーハ並びにシリコンなどの半導体材料
に限らずクロムやアルミニウム、ガラス等の種々
の材料からなるウエーハと支持するウエーハ支持
台に適用できるものである。
等のウエーハまたは円形状、四角形状等の種々の
形状のウエーハ並びにシリコンなどの半導体材料
に限らずクロムやアルミニウム、ガラス等の種々
の材料からなるウエーハと支持するウエーハ支持
台に適用できるものである。
第１図は本発明の一実施例であるウエーハ支持
装置を構成するウエーハ支持台１を示す平面図、
第２図は第１図におけるＡ−Ａ矢視断面図、第３
図は第１図に示すウエーハ支持台の温度制御機構
を示す図である。 １……ウエーハ支持台、２……半導体ウエー
ハ、３……ヒートブロツク体、４……ウエーハ支
持台本体、５……断熱材、６……真空吸引孔、７
……排気孔、８……温度制御システム、９……ヒ
ータ、１０……熱電対。
装置を構成するウエーハ支持台１を示す平面図、
第２図は第１図におけるＡ−Ａ矢視断面図、第３
図は第１図に示すウエーハ支持台の温度制御機構
を示す図である。 １……ウエーハ支持台、２……半導体ウエー
ハ、３……ヒートブロツク体、４……ウエーハ支
持台本体、５……断熱材、６……真空吸引孔、７
……排気孔、８……温度制御システム、９……ヒ
ータ、１０……熱電対。
Claims (1)
- １ 複数のヒートブロツク体を有するウエーハ支
持台と、上記複数のヒートブロツク体のそれぞれ
の温度を独立に制御するための温度制御装置とを
備え、上記複数のヒートブロツク体の上面にウエ
ーハを支持する様にしたことを特徴とするウエー
ハ支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223779A JPS5626437A (en) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | Wafer supporting base |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223779A JPS5626437A (en) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | Wafer supporting base |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5626437A JPS5626437A (en) | 1981-03-14 |
| JPS6130732B2 true JPS6130732B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=14322022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10223779A Granted JPS5626437A (en) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | Wafer supporting base |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5626437A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| DE3306999A1 (de) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Censor Patent Versuch | Einrichtung zum festhalten eines werkstueckes |
| JPS5946030A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Canon Inc | ウェハの吸着固定方法 |
| JPS60117667U (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-08 | 松下電器産業株式会社 | クラツチモ−タ |
| JPH05251544A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
| US6072157A (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-06 | Euv Llc | Thermophoretic vacuum wand |
| KR101849443B1 (ko) | 2010-12-20 | 2018-04-16 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
| CN102310262A (zh) * | 2011-08-23 | 2012-01-11 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 加热块装置 |
-
1979
- 1979-08-13 JP JP10223779A patent/JPS5626437A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5626437A (en) | 1981-03-14 |
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