JPS6132252B2 - - Google Patents
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- JPS6132252B2 JPS6132252B2 JP55134996A JP13499680A JPS6132252B2 JP S6132252 B2 JPS6132252 B2 JP S6132252B2 JP 55134996 A JP55134996 A JP 55134996A JP 13499680 A JP13499680 A JP 13499680A JP S6132252 B2 JPS6132252 B2 JP S6132252B2
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、たとえば高耐熱材料として使用され
るシリコンやチタン等の炭化物の超微粉末を製造
する方法および装置に関する。
るシリコンやチタン等の炭化物の超微粉末を製造
する方法および装置に関する。
従来、炭化珪素や炭化チタン等の微粉末の製造
法としては、気相反応法や液相反応法などが行な
われているが、それらの方法で得られた微粉末の
直径は、小さい場合でも0.2μm程度であり、不
純物などが混入されることが多い。
法としては、気相反応法や液相反応法などが行な
われているが、それらの方法で得られた微粉末の
直径は、小さい場合でも0.2μm程度であり、不
純物などが混入されることが多い。
ところで、炭化物の微粉末を焼結して、高強度
耐熱材を成型する際には、粒径が小さいほど焼結
温度が下がり、不純物の混入が少ないほど強度が
あがることが知られている。
耐熱材を成型する際には、粒径が小さいほど焼結
温度が下がり、不純物の混入が少ないほど強度が
あがることが知られている。
したがつて、粒径の小さい超微粉末を不純物の
混入なく製造する方法およびその装置の開発が望
まれていた。
混入なく製造する方法およびその装置の開発が望
まれていた。
本発明は、このような要請にこたえようとする
もので、いわゆるガス蒸発法を応用して、炭素成
分を含む化合物から成る所要圧の作用ガスを導入
される真空容器内で、シリコン、チタン等の炭化
物を粒径が小さく、かつ不純物の少ない超微粉末
として得られるようにした方法およびその装置を
提供することを目的とする。
もので、いわゆるガス蒸発法を応用して、炭素成
分を含む化合物から成る所要圧の作用ガスを導入
される真空容器内で、シリコン、チタン等の炭化
物を粒径が小さく、かつ不純物の少ない超微粉末
として得られるようにした方法およびその装置を
提供することを目的とする。
このため本発明の炭化物の超微粉末製造方法
は、所要圧の作用ガスを導入される真空容器内
で、シリコン、チタン等またはそれらの炭化物の
素材に炭素または上記炭化物の通電部材を接触さ
せて通電することにより、高温の反応で、上記の
シリコン、チタン等の炭化物の超微粉末を得る方
法において、上記作用ガスが炭素成分を含む化合
物であることを特徴としている。
は、所要圧の作用ガスを導入される真空容器内
で、シリコン、チタン等またはそれらの炭化物の
素材に炭素または上記炭化物の通電部材を接触さ
せて通電することにより、高温の反応で、上記の
シリコン、チタン等の炭化物の超微粉末を得る方
法において、上記作用ガスが炭素成分を含む化合
物であることを特徴としている。
また上記方法に用いられる本発明の製造装置
は、炭素成分を含む化合物からなる所要圧の作用
ガスを導入される真空容器をそなえ、この真空容
器内でシリコン、チタン等またはそれらの炭化物
の素材からシリコン、チタン等の炭化物の超微粉
末を生成させるべく、同素材を支持しうる支持台
と、同支持台上の上記素材へ接触可能に炭素また
はシリコン、チタン等の炭化物の通電部材を把持
しうる把持部材と、上記の素材と通電部材とにそ
れらの接触部および上記支持台を経て通電しうる
電気配線と、上記通電部材を上記素材に接触保持
しうる昇降機構とが設けられるとともに、上記素
材を包囲するように上記作用ガスを供給しうるガ
ス供給手段が設けられ、同ガス供給手段が、上記
支持台上に形成されて上記素材を包囲するように
作用ガスを噴出しうる環状ノズルと、同環状ノズ
ルへ作用ガス供給源から上記作用ガスを供給すべ
く上記支持台に穿設された作用ガス供給路とをそ
なえて構成されていることを特徴としている。
は、炭素成分を含む化合物からなる所要圧の作用
ガスを導入される真空容器をそなえ、この真空容
器内でシリコン、チタン等またはそれらの炭化物
の素材からシリコン、チタン等の炭化物の超微粉
末を生成させるべく、同素材を支持しうる支持台
と、同支持台上の上記素材へ接触可能に炭素また
はシリコン、チタン等の炭化物の通電部材を把持
しうる把持部材と、上記の素材と通電部材とにそ
れらの接触部および上記支持台を経て通電しうる
電気配線と、上記通電部材を上記素材に接触保持
しうる昇降機構とが設けられるとともに、上記素
材を包囲するように上記作用ガスを供給しうるガ
ス供給手段が設けられ、同ガス供給手段が、上記
支持台上に形成されて上記素材を包囲するように
作用ガスを噴出しうる環状ノズルと、同環状ノズ
ルへ作用ガス供給源から上記作用ガスを供給すべ
く上記支持台に穿設された作用ガス供給路とをそ
なえて構成されていることを特徴としている。
以下、図面により本発明の一実施例としての炭
化珪素超微粉末の製造法に用いられる装置につい
て説明すると、第1図はその縦断面図、第2,3
図はいずれもその作用を説明するためのグラフで
あつて、真空容器1内において、炭素材から成る
支持台2上に、素材としての固形のシリコンブロ
ツク3が載置されている。
化珪素超微粉末の製造法に用いられる装置につい
て説明すると、第1図はその縦断面図、第2,3
図はいずれもその作用を説明するためのグラフで
あつて、真空容器1内において、炭素材から成る
支持台2上に、素材としての固形のシリコンブロ
ツク3が載置されている。
そして、このシリコンブロツク3の上面に接触
する棒状の炭素材から成る通電部材4が、炭素材
製の把持部材5に把持されて垂下され、この把持
部材5は電気絶縁板6を介し昇降機構7に支持さ
れている。したがつて、通電部材4は、昇降機構
7にてシリコンブロツク3に接触保持されるが、
シリコンブロツク3を昇降させてもよい。
する棒状の炭素材から成る通電部材4が、炭素材
製の把持部材5に把持されて垂下され、この把持
部材5は電気絶縁板6を介し昇降機構7に支持さ
れている。したがつて、通電部材4は、昇降機構
7にてシリコンブロツク3に接触保持されるが、
シリコンブロツク3を昇降させてもよい。
また、支持台2には通電用電線8が接続されて
おり、更に把持部材5には他の通電用電線9が接
続されていて、各電線8,9は図示しない切換ス
イツチを切換えることにより、予熱用補助電源又
は主電源に接続できるようになつている。
おり、更に把持部材5には他の通電用電線9が接
続されていて、各電線8,9は図示しない切換ス
イツチを切換えることにより、予熱用補助電源又
は主電源に接続できるようになつている。
これにより、各電線8,9を補助電源に接続し
たときは、シリコンブロツク3を予熱してその電
気抵抗値を下げることができ、各電線8,9を主
電源に接続したときは、通電部材4、これとシリ
コンブロツク3との接触部10、シリコンブロツ
ク3および支持台2を通じて電流を流して、シリ
コンブロツク3や通電部材4自体を発熱させて加
熱できるようになつている。
たときは、シリコンブロツク3を予熱してその電
気抵抗値を下げることができ、各電線8,9を主
電源に接続したときは、通電部材4、これとシリ
コンブロツク3との接触部10、シリコンブロツ
ク3および支持台2を通じて電流を流して、シリ
コンブロツク3や通電部材4自体を発熱させて加
熱できるようになつている。
また、支持台2は、真空容器1の底面との間に
少し隙間が生じるようにインシユレータ2aを介
して真空容器底面に支持されており、この支持台
2の下方の真空容器1の底面には開口が形成され
ていて、この開口はダクト1aを介して真空ポン
プPに連通接続されている。
少し隙間が生じるようにインシユレータ2aを介
して真空容器底面に支持されており、この支持台
2の下方の真空容器1の底面には開口が形成され
ていて、この開口はダクト1aを介して真空ポン
プPに連通接続されている。
したがつて、真空容器1内の空気をダクト1a
を通じ真空ポンプPで抽出できるようになつてい
る。
を通じ真空ポンプPで抽出できるようになつてい
る。
ところで、支持台2におけるシリコンブロツク
3を載置している面には、円環状の溝を有するノ
ズル11が形成されており、この円環状ノズル1
1は、支持台2内に穿設された作用ガス供給路1
2の一端部に連通接続されている。
3を載置している面には、円環状の溝を有するノ
ズル11が形成されており、この円環状ノズル1
1は、支持台2内に穿設された作用ガス供給路1
2の一端部に連通接続されている。
そして、作用ガス供給路12の他端部は、支持
台2の側面に開口しており、この他端部開口はイ
ンシユレータ12aおよび開閉弁13付きの作用
ガス供給管14を介して炭素成分を含む化合物か
ら成る作用ガスとしてのメタンガスを供給する作
用ガス源(図示せず)に接続されている。
台2の側面に開口しており、この他端部開口はイ
ンシユレータ12aおよび開閉弁13付きの作用
ガス供給管14を介して炭素成分を含む化合物か
ら成る作用ガスとしてのメタンガスを供給する作
用ガス源(図示せず)に接続されている。
このように、円環状ノズル11や作用ガス供給
路12等で、ガス供給手段Gが構成され、このガ
ス供給手段Gによつて、第1図に矢印aで示すご
とく、シリコンブロツク3を包囲するように円環
状ノズル11からメタンガスを供給できるように
なつている。
路12等で、ガス供給手段Gが構成され、このガ
ス供給手段Gによつて、第1図に矢印aで示すご
とく、シリコンブロツク3を包囲するように円環
状ノズル11からメタンガスを供給できるように
なつている。
このようにシリコンブロツク3を包囲するよう
にメタンガスのカーテンが形成されて、シリコン
ブロツク3と通電部材4との接触部10も上記メ
タンガスのカーテンで包囲されるが、円環状ノズ
ル11から噴出されたメタンガスはこのようにガ
スカーテンを形成したのち、真空容器1内へ拡散
し、真空容器1内の圧力を上げてゆくが、このメ
タンガスは開閉弁15付き排気管16を通じて適
宜排気されているので、真空容器1内はほぼ所定
の圧力に保持されている。
にメタンガスのカーテンが形成されて、シリコン
ブロツク3と通電部材4との接触部10も上記メ
タンガスのカーテンで包囲されるが、円環状ノズ
ル11から噴出されたメタンガスはこのようにガ
スカーテンを形成したのち、真空容器1内へ拡散
し、真空容器1内の圧力を上げてゆくが、このメ
タンガスは開閉弁15付き排気管16を通じて適
宜排気されているので、真空容器1内はほぼ所定
の圧力に保持されている。
なお、昇降機構7は、真空容器1外に設けられ
たツマミ7aを引き上げたり押し込んだりするこ
とにより、把持部材5に電気絶縁板6を介して連
結されているロツド7bを昇降できるようにした
ものであるが、これを電動式にすることも可能で
ある。
たツマミ7aを引き上げたり押し込んだりするこ
とにより、把持部材5に電気絶縁板6を介して連
結されているロツド7bを昇降できるようにした
ものであるが、これを電動式にすることも可能で
ある。
上述の装置を用いて、本発明の方法は、次のよ
うに行なわれる。まず電線8,9を上記補助電源
に接続して、シリコンブロツク3を予熱して、こ
のシリコンブロツク3の電気抵抗値を減じてお
き、ついで上記切換スイツチを切換えることによ
り、電線8,9を上記主電源に接続して、支持台
2、シリコンブロツク3および通電部材4に通電
を行なうと、通電部材4は白熱化し、シリコンブ
ロツク3は通電部材4との接触部10で溶接し
て、表面張力で通電部材4を濡らしながら高温で
反応し、シリコンと炭素との化合物としての炭化
物すなわち炭化珪素の蒸気又はクラスターを発生
する。
うに行なわれる。まず電線8,9を上記補助電源
に接続して、シリコンブロツク3を予熱して、こ
のシリコンブロツク3の電気抵抗値を減じてお
き、ついで上記切換スイツチを切換えることによ
り、電線8,9を上記主電源に接続して、支持台
2、シリコンブロツク3および通電部材4に通電
を行なうと、通電部材4は白熱化し、シリコンブ
ロツク3は通電部材4との接触部10で溶接し
て、表面張力で通電部材4を濡らしながら高温で
反応し、シリコンと炭素との化合物としての炭化
物すなわち炭化珪素の蒸気又はクラスターを発生
する。
また、このとき未反応のシリコン蒸気又はクラ
スターも発生するが、円環状ノズル11からメタ
ンガスがシリコンブロツク3およびこれと通電部
材4との接触部10を包囲するように噴射されて
いるので、上記未反応シリコンが噴射されたメタ
ンガス中に含まれる炭素成分と効率良く反応して
炭化珪素の蒸気又はクラスターに変わるのであ
る。
スターも発生するが、円環状ノズル11からメタ
ンガスがシリコンブロツク3およびこれと通電部
材4との接触部10を包囲するように噴射されて
いるので、上記未反応シリコンが噴射されたメタ
ンガス中に含まれる炭素成分と効率良く反応して
炭化珪素の蒸気又はクラスターに変わるのであ
る。
そして、これらの炭化珪素の蒸気又はクラスタ
ーは、真空容器1内に導かれているメタンガスの
作用によつて、煙状に見える超微粉末に変えられ
る。
ーは、真空容器1内に導かれているメタンガスの
作用によつて、煙状に見える超微粉末に変えられ
る。
このようにして、未反応シリコンの少ない炭化
珪素の超微粉末を得ることができるが、これは第
2図からもわかるようにメタンガスの流量(CH4
Flux)が多いほど効率が良く、又真空容器1内
のメタンガス圧が高いほど効率が良い。
珪素の超微粉末を得ることができるが、これは第
2図からもわかるようにメタンガスの流量(CH4
Flux)が多いほど効率が良く、又真空容器1内
のメタンガス圧が高いほど効率が良い。
なお反応の進行に伴い、シリコンブロツク3と
通電部材4とが離隔しないように、適宜昇降機構
7を用いて通電部材4を降下させ、シリコンブロ
ツク3の溶融部に押込むようにする。
通電部材4とが離隔しないように、適宜昇降機構
7を用いて通電部材4を降下させ、シリコンブロ
ツク3の溶融部に押込むようにする。
このようにして生成される炭化珪素の超微粉末
は、真空容器1の内壁に付着するから、反応終了
後に、これをかき集めるようにして採集すること
ができる。
は、真空容器1の内壁に付着するから、反応終了
後に、これをかき集めるようにして採集すること
ができる。
なお実験例では通電部材4として直径5〜6mm
の炭素棒が用いられ、これに300アンペア程度の
電流を通じて、直径30nm以下の超微粉末が得ら
れた。
の炭素棒が用いられ、これに300アンペア程度の
電流を通じて、直径30nm以下の超微粉末が得ら
れた。
また、粒径の小さい超微粉末を得るためには、
第3図に示すごとく、真空容器1内のガス圧を低
くすれば良いこともわかつた。
第3図に示すごとく、真空容器1内のガス圧を低
くすれば良いこともわかつた。
なお、作用ガスとしては、メタンガスを用いる
ほか、アセチレンガスやベンゼンガスあるいはそ
れらと水素ガスや不活性ガスとの混合ガス等を用
いることもできる。
ほか、アセチレンガスやベンゼンガスあるいはそ
れらと水素ガスや不活性ガスとの混合ガス等を用
いることもできる。
また、前述の実施例のごとく、円環状の溝を有
するノズル11を通じて作用ガスを真空容器1内
へ供給する代わりに、シリコンブロツク3のまわ
りに作用ガス供給路12に連通する小孔を円環状
に配したノズルを通じて作用ガスを真空容器1内
へ供給することもできる。
するノズル11を通じて作用ガスを真空容器1内
へ供給する代わりに、シリコンブロツク3のまわ
りに作用ガス供給路12に連通する小孔を円環状
に配したノズルを通じて作用ガスを真空容器1内
へ供給することもできる。
さらに、真空容器1内を高圧にしておけば、作
用ガスを連続的に供給しなくても、純度の高い炭
化珪素を得ることができ、この場合は、環状ノズ
ル等から成るガス供給手段Gは不要となる。
用ガスを連続的に供給しなくても、純度の高い炭
化珪素を得ることができ、この場合は、環状ノズ
ル等から成るガス供給手段Gは不要となる。
素材としてシリコンの代わりにチタン等の金属
を用いる場合は、それ自体が十分な導電性を有す
るから、補助電源を通じての予熱は不要となる
が、金属を通電部材4との接触部で溶融させるた
めに、シリコンの場合よりも大きな電流を通じる
必要がある。
を用いる場合は、それ自体が十分な導電性を有す
るから、補助電源を通じての予熱は不要となる
が、金属を通電部材4との接触部で溶融させるた
めに、シリコンの場合よりも大きな電流を通じる
必要がある。
また、素材として、シリコンやチタン等を用い
るほか、それらの炭化物を用いることもでき、更
に通電部材として、炭素を用いる代わりに、シリ
コンやチタン等の炭化物を用いることもできる。
るほか、それらの炭化物を用いることもでき、更
に通電部材として、炭素を用いる代わりに、シリ
コンやチタン等の炭化物を用いることもできる。
以上詳述したように、本発明の炭化物の製造方
法によれば、シリコンやチタンあるいはこれらの
炭化物などの素材と炭素あるいはシリコンやチタ
ン等の炭化物の通電部材との反応が通電による高
温状態で促進されて、炭化物の超微粉末が極めて
効率よく製造できるようになり、しかも製造中に
反応器としての真空容器内にはシリコン等の素材
と通電部材のほかは、反応生成物を超微粉末にす
るとともに未反応のシリコンやチタン等と反応し
てその炭化物を作るための炭素成分を含む化合物
から成る作用ガスが導入されるだけであるから、
不純物の混入する可能性が極めて少なくなつて、
純度の高い炭化物の超微粉末を得られる利点があ
る。
法によれば、シリコンやチタンあるいはこれらの
炭化物などの素材と炭素あるいはシリコンやチタ
ン等の炭化物の通電部材との反応が通電による高
温状態で促進されて、炭化物の超微粉末が極めて
効率よく製造できるようになり、しかも製造中に
反応器としての真空容器内にはシリコン等の素材
と通電部材のほかは、反応生成物を超微粉末にす
るとともに未反応のシリコンやチタン等と反応し
てその炭化物を作るための炭素成分を含む化合物
から成る作用ガスが導入されるだけであるから、
不純物の混入する可能性が極めて少なくなつて、
純度の高い炭化物の超微粉末を得られる利点があ
る。
また本発明の製造装置によれば、通電部材を所
要のレベルに保持しうる昇降機構が設けられるの
で、素材への通電部材の接触を常に安定よく確実
に行なうことが可能となり、また環状ノズルと作
用ガス供給路とをそなえて構成されたガス供給手
段が設けられることにより、上記素材を包囲する
ように作用ガスを供給することができ、未反応の
シリコンやチタン等との反応を完全なものとする
ことができ、これにより純度の高い炭化物の超微
粉末を能率良く製造できる効果がある。
要のレベルに保持しうる昇降機構が設けられるの
で、素材への通電部材の接触を常に安定よく確実
に行なうことが可能となり、また環状ノズルと作
用ガス供給路とをそなえて構成されたガス供給手
段が設けられることにより、上記素材を包囲する
ように作用ガスを供給することができ、未反応の
シリコンやチタン等との反応を完全なものとする
ことができ、これにより純度の高い炭化物の超微
粉末を能率良く製造できる効果がある。
図は本発明の一実施例としての炭化物の超微粉
末製造方法に用いられる装置を示すもので、第1
図はその縦断面図、第2,3図はいずれもその作
用を説明するためのグラフである。 1……真空容器、1a……ダクト、2……支持
台、2a……インシユレータ、3……素材として
のシリコンブロツク、4……通電部材、5……把
持部材、6……電気絶縁板、7……昇降機構、7
a……ツマミ、7b……ロツド、8,9……電気
配線を構成する電線、10……シリコンブロツク
と通電部材との接触部、11……環状ノズル、1
2……作用ガス供給路、12a……インシユレー
タ、13……開閉弁、14……作用ガス供給管、
15……開閉弁、16……排気管、G……ガス供
給手段、P……真空ポンプ。
末製造方法に用いられる装置を示すもので、第1
図はその縦断面図、第2,3図はいずれもその作
用を説明するためのグラフである。 1……真空容器、1a……ダクト、2……支持
台、2a……インシユレータ、3……素材として
のシリコンブロツク、4……通電部材、5……把
持部材、6……電気絶縁板、7……昇降機構、7
a……ツマミ、7b……ロツド、8,9……電気
配線を構成する電線、10……シリコンブロツク
と通電部材との接触部、11……環状ノズル、1
2……作用ガス供給路、12a……インシユレー
タ、13……開閉弁、14……作用ガス供給管、
15……開閉弁、16……排気管、G……ガス供
給手段、P……真空ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所要圧の作用ガスを導入される真空容器内
で、シリコン、チタン等またはそれらの炭化物の
素材に炭素または上記炭化物の通電部材を接触さ
せて通電することにより、高温の反応で、上記の
シリコン、チタン等の炭化物の超微粉末を得る方
法において、上記作用ガスが炭素成分を含む化合
物であることを特徴とする、炭化物の超微粉末製
造方法。 2 炭素成分を含む化合物からなる所要圧の作用
ガスを導入される真空容器をそなえ、この真空容
器内でシリコン、チタン等またはそれらの炭化物
の素材からシリコン、チタン等の炭化物の超微粉
末を生成させるべく、同素材を支持しうる支持台
と、同支持台上の上記素材へ接触可能に炭素また
はシリコン、チタン等の炭化物の通電部材を把持
しうる把持部材と、上記の素材と通電部材とにそ
れらの接触部および上記支持台を経て通電しうる
電気配線と、上記通電部材を上記素材に接触保持
しうる昇降機構とが設けられるとともに、上記素
材を包囲するように上記作用ガスを供給しうる供
給手段が設けられ、同ガス供給手段が、上記支持
台上に形成されて上記素材を包囲するように作用
ガスを噴出しうる環状ノズルと、同環状ノズルへ
作用ガス供給源から上記作用ガスを供給すべく上
記支持台に穿設された作用ガス供給路とをそなえ
て構成されていることを特徴とする、炭化物の超
微粉末製造装置。 3 上記支持台が炭素材で構成されている特許請
求の範囲第2項に記載の炭化物の超微粉末製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134996A JPS5761611A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Preparation of ultrafine powder of carbide and its device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134996A JPS5761611A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Preparation of ultrafine powder of carbide and its device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5761611A JPS5761611A (en) | 1982-04-14 |
| JPS6132252B2 true JPS6132252B2 (ja) | 1986-07-25 |
Family
ID=15141494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55134996A Granted JPS5761611A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Preparation of ultrafine powder of carbide and its device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5761611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63130580U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 |
-
1980
- 1980-09-26 JP JP55134996A patent/JPS5761611A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63130580U (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5761611A (en) | 1982-04-14 |
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