JPS613506A - 発振器‐ミクサ回路 - Google Patents
発振器‐ミクサ回路Info
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- JPS613506A JPS613506A JP60122382A JP12238285A JPS613506A JP S613506 A JPS613506 A JP S613506A JP 60122382 A JP60122382 A JP 60122382A JP 12238285 A JP12238285 A JP 12238285A JP S613506 A JPS613506 A JP S613506A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/52—Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
- H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
- H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
- H03C1/545—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
- H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0004—Circuit elements of modulators
- H03C2200/002—Filters with particular characteristics
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、能動的発振器回路が周波数決定用の受動回路
の接続によりＵＨＦ動作用および多重チャネルＶＨＦ動
作用として使用可能であり、またミクサ部が発振器信号
および利用信号、特にビデオおよび（または）オーディ
オ信号の混合の役割をする集積されたＵＨＦ／ＶＨＦ変
閣器回路の発振器−ミクサ回路に関する。
の接続によりＵＨＦ動作用および多重チャネルＶＨＦ動
作用として使用可能であり、またミクサ部が発振器信号
および利用信号、特にビデオおよび（または）オーディ
オ信号の混合の役割をする集積されたＵＨＦ／ＶＨＦ変
閣器回路の発振器−ミクサ回路に関する。
集積された変調器モジュールはナシロナルセミコンダク
ター（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
）社のしＭ２８８９ ＴＶビデオ変調器の暫定ＩＣ仕
様書、１９８３年４月、から公知である。この集積さ札
た回路はＶＨＦテレビ帯にのみ通しており、２つのテレ
ビチャネルへの同調のために２つの完全に別々のミクサ
および発振器回路を使用している。集積されたモジュー
ル自体は主として能動的回路を含んでおり、集積困難な
受動的要素すなわちインダクタンス、キャパシタンスお
よび抵抗を接続することにより発振器周波数が決定され
る。
ター（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
）社のしＭ２８８９ ＴＶビデオ変調器の暫定ＩＣ仕
様書、１９８３年４月、から公知である。この集積さ札
た回路はＶＨＦテレビ帯にのみ通しており、２つのテレ
ビチャネルへの同調のために２つの完全に別々のミクサ
および発振器回路を使用している。集積されたモジュー
ル自体は主として能動的回路を含んでおり、集積困難な
受動的要素すなわちインダクタンス、キャパシタンスお
よび抵抗を接続することにより発振器周波数が決定され
る。
この集積されたＴＶ変調器は発振器およびミクサ部に相
当の一路費用を必要とし、それにもかかわらずＵＨＦ範
囲での使用のために必要な、発振器段に対するビデオお
よび音声信号の絶縁が十分でない。
当の一路費用を必要とし、それにもかかわらずＵＨＦ範
囲での使用のために必要な、発振器段に対するビデオお
よび音声信号の絶縁が十分でない。
本発明の目的は、集積された変調器の発振器およびミク
サ部を、回路費用かわず示ですむように、また発振器部
に周波数決定用の受動的回路を接続することによりＵＨ
Ｆ動作も多重チャネルＶｌ（、Ｆ動作も可能なように改
良することである。
サ部を、回路費用かわず示ですむように、また発振器部
に周波数決定用の受動的回路を接続することによりＵＨ
Ｆ動作も多重チャネルＶｌ（、Ｆ動作も可能なように改
良することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第１項記
載の発振器−ミクサ回路により達成される。
載の発振器−ミクサ回路により達成される。
本発明の好ましい実施態様は特許請求の範囲第２項ない
し第６項に示されている。
し第６項に示されている。
ｒ実施例〕
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図には発振器−ミクサ部の本発明による回路がブロ
ック回路図で示されている。端子８から、電圧安定化段
９の入力端に接続されている集積された変調器モジュー
ルに正の供給電圧が与えられる。電圧安定化段９内で参
照電圧が発生され、それが変調器モジュールの端子２か
ら取り出され得る。それ自体は公知の電圧安定化段９の
他の２つの出力端は２つの抵抗Ｒ３およびＲ４を介して
各２つの節点に接続されており、これらの節点は変調器
モジュニルの接続端子３と能動的発振器部１のトランジ
スタＴ１のベースとに、薫たは変調器モジュールの接続
端子７と能動的発振器部１のトランジスタＴ２のベース
とに接続されている。
ック回路図で示されている。端子８から、電圧安定化段
９の入力端に接続されている集積された変調器モジュー
ルに正の供給電圧が与えられる。電圧安定化段９内で参
照電圧が発生され、それが変調器モジュールの端子２か
ら取り出され得る。それ自体は公知の電圧安定化段９の
他の２つの出力端は２つの抵抗Ｒ３およびＲ４を介して
各２つの節点に接続されており、これらの節点は変調器
モジュニルの接続端子３と能動的発振器部１のトランジ
スタＴ１のベースとに、薫たは変調器モジュールの接続
端子７と能動的発振器部１のトランジスタＴ２のベース
とに接続されている。
能動的発振器部１のトランジスタＴ１およびＴ２の両コ
レクタは直接に互いに接続されており、また変調器モジ
ュールの接続端子８を介して回路に対する正の供給電圧
に接続されている。モジュールの能動的発振器部１のト
ランジスタＴＩのエミッタは接続端子４に接続されてお
り、また抵抗Ｒ１を介して、同時に基準電位を導くモジ
ュールの接続端子５に接続されている。能動的発振器部
１のトランジスタＴ２のエミッタは集積された変調器の
接続端子６に接続されており、また抵抗Ｒ２を介して、
回路に対する基準電位を導く接続端子５に接続されてい
る。
レクタは直接に互いに接続されており、また変調器モジ
ュールの接続端子８を介して回路に対する正の供給電圧
に接続されている。モジュールの能動的発振器部１のト
ランジスタＴＩのエミッタは接続端子４に接続されてお
り、また抵抗Ｒ１を介して、同時に基準電位を導くモジ
ュールの接続端子５に接続されている。能動的発振器部
１のトランジスタＴ２のエミッタは集積された変調器の
接続端子６に接続されており、また抵抗Ｒ２を介して、
回路に対する基準電位を導く接続端子５に接続されてい
る。
接続端子３および４または回路に対する基準電位を導く
接続端子５に対して対称に接続されている集積された変
調器モジュールの端子７および６は、能動的発振器部１
に対する入力端を形成する。能動的発振器部１に外部の
受動的回路を接続することにより原理的に、特定の発振
器周波数を有するＬＣ振動回路が形成される。端子３お
よび４または７および、６に接続されている周波数決定
用の受動的回路は、集積された回路に対する基準電位を
導く接続端子５に対して対称に配置されていてもよいし
、非対称に配置されていてもよい。
接続端子５に対して対称に接続されている集積された変
調器モジュールの端子７および６は、能動的発振器部１
に対する入力端を形成する。能動的発振器部１に外部の
受動的回路を接続することにより原理的に、特定の発振
器周波数を有するＬＣ振動回路が形成される。端子３お
よび４または７および、６に接続されている周波数決定
用の受動的回路は、集積された回路に対する基準電位を
導く接続端子５に対して対称に配置されていてもよいし
、非対称に配置されていてもよい。
特にＵＨＦ帯に対しては、１つのＤＩＬケース内に位置
する集積された変調器回路に対して漏話減衰のために必
要な値を達成するため、発振器部の完全対称な回路が必
要である。ＶＨＦ範囲に対する対称な接続の際に同調ダ
イオードを用いれば、発振器周波数を同調ダイオードに
よりたとえばＶＨＦ帯の２つのチャネルに同調させるこ
とかできる。
する集積された変調器回路に対して漏話減衰のために必
要な値を達成するため、発振器部の完全対称な回路が必
要である。ＶＨＦ範囲に対する対称な接続の際に同調ダ
イオードを用いれば、発振器周波数を同調ダイオードに
よりたとえばＶＨＦ帯の２つのチャネルに同調させるこ
とかできる。
他方、ＶＨＦ範囲ではＤＩＬケースの漏話減衰が十分に
大きいので、完全対称な接続は必要でなく、非対称な接
続も可能である。特に能動的発振器部１の入力端子３お
よび４または７および６に接続されている回路の間の切
換により２つの別々のシングルエンド発振器を構成し得
るので、同調または切換ダイオードは省略し得る。その
際に端子４もしくは端子６が各１つの付属の抵抗を介し
て集積されたモジュールの正の供給電圧を導く端子８に
接続されており、その際にそれぞれ端子３もしくは端子
７が少なくとも１つのコンデンサにより供給電圧に対し
て阻止されることは目的にかなっている。正の供給電圧
に端子４を接続した際には集積された回路の発振器入力
端６および７が ）、また正の供給電圧に
端子６を接続した際には発振器入力端３および４がアク
ティブである。端子３および４または６および７に対応
付けられている受動的回路の適当な選択により、発振器
周波数をＶＨＦ帯のそれぞれ１つのチャネルに同調させ
、また発振器の振幅を、非対称発振器の漏話減衰が後記
の出力端１３または１５に対して十分に大きいように選
択することができる。
大きいので、完全対称な接続は必要でなく、非対称な接
続も可能である。特に能動的発振器部１の入力端子３お
よび４または７および６に接続されている回路の間の切
換により２つの別々のシングルエンド発振器を構成し得
るので、同調または切換ダイオードは省略し得る。その
際に端子４もしくは端子６が各１つの付属の抵抗を介し
て集積されたモジュールの正の供給電圧を導く端子８に
接続されており、その際にそれぞれ端子３もしくは端子
７が少なくとも１つのコンデンサにより供給電圧に対し
て阻止されることは目的にかなっている。正の供給電圧
に端子４を接続した際には集積された回路の発振器入力
端６および７が ）、また正の供給電圧に
端子６を接続した際には発振器入力端３および４がアク
ティブである。端子３および４または６および７に対応
付けられている受動的回路の適当な選択により、発振器
周波数をＶＨＦ帯のそれぞれ１つのチャネルに同調させ
、また発振器の振幅を、非対称発振器の漏話減衰が後記
の出力端１３または１５に対して十分に大きいように選
択することができる。
それ自体は公知のこの発振器構成の出力端を、集積され
た変調器モジュールの能動的発振器部ｌのトランジスタ
Ｔ１またはＴ２のエミ、ツタが形成し、これらのエミッ
タは発振器信号を結合コンデンサＣ１またはＣ２を介し
てバッファ段ＩＯに与える。それ自体は公知のこのバッ
ファ段１０から発振器信号は、同じくそれ自体は公知の
ミクサ回路１１の入力端に到達する。ミクサ回路１１は
別の入力端子２０および２１または２２および２３を有
し、それらにオーディオ信号および（または）ビデオ信
号が与えられ得る。オーディオ信号、ビデオ信号および
発振器信号からミクサ１１内で発生された混合信号は、
同じくそれ自体は公知の無線周波数−出力バッファ段１
２を介して集積された変調器モジュールの出力端子１３
および１５に到達し、またこの端子１３または１５と変
調器モジュールの基準電位を導く端子１４との間で取り
出され得る。
た変調器モジュールの能動的発振器部ｌのトランジスタ
Ｔ１またはＴ２のエミ、ツタが形成し、これらのエミッ
タは発振器信号を結合コンデンサＣ１またはＣ２を介し
てバッファ段ＩＯに与える。それ自体は公知のこのバッ
ファ段１０から発振器信号は、同じくそれ自体は公知の
ミクサ回路１１の入力端に到達する。ミクサ回路１１は
別の入力端子２０および２１または２２および２３を有
し、それらにオーディオ信号および（または）ビデオ信
号が与えられ得る。オーディオ信号、ビデオ信号および
発振器信号からミクサ１１内で発生された混合信号は、
同じくそれ自体は公知の無線周波数−出力バッファ段１
２を介して集積された変調器モジュールの出力端子１３
および１５に到達し、またこの端子１３または１５と変
調器モジュールの基準電位を導く端子１４との間で取り
出され得る。
本発明は、単一の能動的発振器１および単一のミクサ１
１の使用により回路費用をわずかにとどめ、またＵＨＦ
用として必要な高い漏話減衰をミクサ１１への発振器信
号の帰還作用のない結合により達成するという思想に基
づいている。そのために、それ自体は公知のバッファ段
１０が用いられている。このバッファ段ＩＯは主として
１つの差動増幅器と、その前に接続されており入力端を
形成するエミッタホロワとを含んでおり、このバッファ
段１０に発振器トランジスタ’１１およびＴ２の出力信
号が結合コンデンサＣ１およびＣ２を介して与えられ、
またその出力端はミクサ入力端に接続されている。発振
器トランジスタ１゛１およびＴ２はＵＨＦ帯での対称動
作でもＶＨＦ帯での非対称動作でもバッファ段１０また
はミクサ回路１１の制御に使用される。非対称なＶＨＦ
動作では結合コンデンサＣ１またはＣ２が、ミクサ制御
のための信号の対称化の役割をするバッファ段１０への
発振器信号あ結合を可能にする。ビデオ信号および音声
周波数信号はバッファ段１０と高域通過フィルタとして
作用するコンデンサＣｔおよびＣ２とにより十分に抑制
されるので、能動的発振器部１内で増幅器として作用す
るトランジスタＴ１およびＴ２が発振動作中に受ける擾
乱は最小であり、発振器は高いスペクトル純度で発振す
る。能動的な信号経路内でのミクサ１１から発振器部１
への減結合は本発明による回路では十分に大きい。ＤＩ
Ｌケースおよび共通の基板により生ずるような寄生的経
路を介しての発振器へのオーディオ信号またはビデオ信
号の高い無帰還作用性を保証するためには、結合コンデ
ンサＣＩおよびＣ２の寄生的基板部分゛のできるかぎり
小さいキャパシタンス値を保つことが必要である。
１の使用により回路費用をわずかにとどめ、またＵＨＦ
用として必要な高い漏話減衰をミクサ１１への発振器信
号の帰還作用のない結合により達成するという思想に基
づいている。そのために、それ自体は公知のバッファ段
１０が用いられている。このバッファ段ＩＯは主として
１つの差動増幅器と、その前に接続されており入力端を
形成するエミッタホロワとを含んでおり、このバッファ
段１０に発振器トランジスタ’１１およびＴ２の出力信
号が結合コンデンサＣ１およびＣ２を介して与えられ、
またその出力端はミクサ入力端に接続されている。発振
器トランジスタ１゛１およびＴ２はＵＨＦ帯での対称動
作でもＶＨＦ帯での非対称動作でもバッファ段１０また
はミクサ回路１１の制御に使用される。非対称なＶＨＦ
動作では結合コンデンサＣ１またはＣ２が、ミクサ制御
のための信号の対称化の役割をするバッファ段１０への
発振器信号あ結合を可能にする。ビデオ信号および音声
周波数信号はバッファ段１０と高域通過フィルタとして
作用するコンデンサＣｔおよびＣ２とにより十分に抑制
されるので、能動的発振器部１内で増幅器として作用す
るトランジスタＴ１およびＴ２が発振動作中に受ける擾
乱は最小であり、発振器は高いスペクトル純度で発振す
る。能動的な信号経路内でのミクサ１１から発振器部１
への減結合は本発明による回路では十分に大きい。ＤＩ
Ｌケースおよび共通の基板により生ずるような寄生的経
路を介しての発振器へのオーディオ信号またはビデオ信
号の高い無帰還作用性を保証するためには、結合コンデ
ンサＣＩおよびＣ２の寄生的基板部分゛のできるかぎり
小さいキャパシタンス値を保つことが必要である。
第２図には結合コンデンサＣ１およびＣ２の本発明によ
る配置が示されている。基板３ｏ上に、拡散または注入
により得られた高伝導性の帯域３２を含んでいるエピタ
キシャル層３１が取りつけられている。エピタキシャル
層３１および高伝導性の帯域３２の上に、誘電体として
の役割をし絶縁−不活性化材料たとえば５ｉ０２から成
る層３３が続いており、さらにその上にたとえばアルミ
ニウムから成る高伝導性の層３４が続いている。
る配置が示されている。基板３ｏ上に、拡散または注入
により得られた高伝導性の帯域３２を含んでいるエピタ
キシャル層３１が取りつけられている。エピタキシャル
層３１および高伝導性の帯域３２の上に、誘電体として
の役割をし絶縁−不活性化材料たとえば５ｉ０２から成
る層３３が続いており、さらにその上にたとえばアルミ
ニウムから成る高伝導性の層３４が続いている。
結合コンデンサＣＩまたはＣ２はＭＯＳキャパシタンス
により形成されている。このＭＯＳキャパシタンスは、
周縁効果を無視すれば、絶縁層３３のほうを向いた一方
の電極としての伝導帯域３２の表面の幾何学的寸法と、
第２の電極としての伝導層３４の等大の面と、それらの
間に位置する絶縁層３３の誘電体とにより生じている。
により形成されている。このＭＯＳキャパシタンスは、
周縁効果を無視すれば、絶縁層３３のほうを向いた一方
の電極としての伝導帯域３２の表面の幾何学的寸法と、
第２の電極としての伝導層３４の等大の面と、それらの
間に位置する絶縁層３３の誘電体とにより生じている。
基板３０および伝導帯域３２は同一の伝導形であり、他
方エピタキシャル層３１は他の伝導形であるので、本発
明による第２図の配置は基板３０からエピタキシャル層
３１への障壁層とエピタキシャル層３１から伝導帯域３
２への障壁層とに寄生的キャパシタンスを含んでいる゛
。本発明によれば、導電帯として構成された伝導性の層
３４は発振器のトランジスタＴＩまたはＴ２の出力端と
、また高伝導性の帯域３２はバッファ段１０の入力端と
接続されている。さらに、基板３０およびエピタキシャ
ル層３１は、本発明によれば、高抵抗の枝路Ｒを介して
１つの参照電位■ｒｅｆに接続されている。
方エピタキシャル層３１は他の伝導形であるので、本発
明による第２図の配置は基板３０からエピタキシャル層
３１への障壁層とエピタキシャル層３１から伝導帯域３
２への障壁層とに寄生的キャパシタンスを含んでいる゛
。本発明によれば、導電帯として構成された伝導性の層
３４は発振器のトランジスタＴＩまたはＴ２の出力端と
、また高伝導性の帯域３２はバッファ段１０の入力端と
接続されている。さらに、基板３０およびエピタキシャ
ル層３１は、本発明によれば、高抵抗の枝路Ｒを介して
１つの参照電位■ｒｅｆに接続されている。
それによって、結合コンデンサＣ１またはＣ２の寄生的
基板部分は２つの寄生的キャパシタンス、すなわち一方
では基板３０およびエピタキシャル層３１と他方ではエ
ピタキシャル層３１および高伝導性帯域３２との間の障
壁層キャパシタンス、の直列回路により形成されており
、これらの障壁層キャパシタンスは高抵抗を介して参照
電位Ｖｒｅｆに接続されている。同時に、これらの寄生
的キャパシタンスは発振器出力端、すなわちトランジス
タＴ１およびＴ２のエミッタと反対の側で結合コンデン
サＣ１およびＣ２に接続されている。
基板部分は２つの寄生的キャパシタンス、すなわち一方
では基板３０およびエピタキシャル層３１と他方ではエ
ピタキシャル層３１および高伝導性帯域３２との間の障
壁層キャパシタンス、の直列回路により形成されており
、これらの障壁層キャパシタンスは高抵抗を介して参照
電位Ｖｒｅｆに接続されている。同時に、これらの寄生
的キャパシタンスは発振器出力端、すなわちトランジス
タＴ１およびＴ２のエミッタと反対の側で結合コンデン
サＣ１およびＣ２に接続されている。
こうして発振器出力信号は結合コンデンサＣ１およびＣ
２を通過後に単一の寄生的キャパシタンスとして解釈す
べき前記寄生的キャパシタンス値ンスバッファ段１０の
入力キャパシタンスの直列回路の並列回路番見るが、場
合によってはミクサ１１から基板３０を芥して帰還され
る（基板３０とエピタキシャル層３１との間およびエピ
タ・キシャル層３１と高伝導性帯域３２との間の寄生的
キヤ、パシタンスと結合コンデンサＣＩまたはＣ２との
直列回路を介して発振器の出力端に到達し得る）信号は
十分に小さいので、発振器周波数に影響を与えない。他
方、基板３０およびエピタキシャル層３１は高抵抗Ｒを
介して１つの参照電位ｖｒｅｆに接続されているので、
これらの層内に生じ得る遅い電荷担体の運動は同じく発
振器周波数に影響を与えない。基板３０を経て能動的発
振器部ｌと周波数決定用の受動的回路との間の端子３お
よび４または６および７に帰還される（発振器周波数に
作用し得る）寄生的信号を消去するため、発振器端子３
および４または６および７および変調器出力端子１３お
よび１５は、第３図に実施例として示されている構造に
より形成される。基板３０上に取りつけられたエピタキ
シャル層３１のなかに、凹み３７を包囲する絶縁−拡散
領域３５および３６が位置している。半導体基板の上に
絶縁および不活性化層３３が位置しており、さらにその
上にたとえばアルミニウムから成る高伝導性の層３４が
位置している。伝導性の層３４の上にたとえば熱圧着に
よりチップ端子３８が形成され、これらのチップ端子は
集積回路のケース端子に通じている。一方の伝導形の基
板３０と他方の伝導形の凹み３７とにより形成される障
壁層キャパシタンスは、この場合、凹み３７と伝導性の
層３４との間に形成されるＭＯＳキャパシタンスと共に
（できるかぎり発振器回路への影響なしにとどまるべき
）１つの寄生的キャパシタンスを形成する。
２を通過後に単一の寄生的キャパシタンスとして解釈す
べき前記寄生的キャパシタンス値ンスバッファ段１０の
入力キャパシタンスの直列回路の並列回路番見るが、場
合によってはミクサ１１から基板３０を芥して帰還され
る（基板３０とエピタキシャル層３１との間およびエピ
タ・キシャル層３１と高伝導性帯域３２との間の寄生的
キヤ、パシタンスと結合コンデンサＣＩまたはＣ２との
直列回路を介して発振器の出力端に到達し得る）信号は
十分に小さいので、発振器周波数に影響を与えない。他
方、基板３０およびエピタキシャル層３１は高抵抗Ｒを
介して１つの参照電位ｖｒｅｆに接続されているので、
これらの層内に生じ得る遅い電荷担体の運動は同じく発
振器周波数に影響を与えない。基板３０を経て能動的発
振器部ｌと周波数決定用の受動的回路との間の端子３お
よび４または６および７に帰還される（発振器周波数に
作用し得る）寄生的信号を消去するため、発振器端子３
および４または６および７および変調器出力端子１３お
よび１５は、第３図に実施例として示されている構造に
より形成される。基板３０上に取りつけられたエピタキ
シャル層３１のなかに、凹み３７を包囲する絶縁−拡散
領域３５および３６が位置している。半導体基板の上に
絶縁および不活性化層３３が位置しており、さらにその
上にたとえばアルミニウムから成る高伝導性の層３４が
位置している。伝導性の層３４の上にたとえば熱圧着に
よりチップ端子３８が形成され、これらのチップ端子は
集積回路のケース端子に通じている。一方の伝導形の基
板３０と他方の伝導形の凹み３７とにより形成される障
壁層キャパシタンスは、この場合、凹み３７と伝導性の
層３４との間に形成されるＭＯＳキャパシタンスと共に
（できるかぎり発振器回路への影響なしにとどまるべき
）１つの寄生的キャパシタンスを形成する。
従って、本発明によれば、エピタキシャル層３７から形
成される凹みは同じく高抵抗Ｒを介して１つの参照電位
ｖｒ８ｆに接続されており、こうして２つの寄生的キャ
パシタンスの直列回路が生じており、その等価キャパシ
タンスは障壁層キャパシタンスまたはＭＯＳキャパシタ
ンスにくらべて相当に小さい。同時に凹み３７内に生じ
得る電荷担体運動に起因する発振器周波数への影響が回
避される
成される凹みは同じく高抵抗Ｒを介して１つの参照電位
ｖｒ８ｆに接続されており、こうして２つの寄生的キャ
パシタンスの直列回路が生じており、その等価キャパシ
タンスは障壁層キャパシタンスまたはＭＯＳキャパシタ
ンスにくらべて相当に小さい。同時に凹み３７内に生じ
得る電荷担体運動に起因する発振器周波数への影響が回
避される
第１図は集積された変調器モジュールの発振器−ミクサ
部の本発明による回路のブロック回路図、第２図は発振
器部とミクサ部との間の結合キャパシタンスの実施例の
断面図、第３図は能動的発振器回路と周波数決定用の受
動的回路との間の出力端子ならびにミクサの出力端子の
実施例の断面図である。
）１・・・能動的発振器
部、９・・・電圧安定化段、１ｏ・・・バッファ段、１
１・・・ミクサ回路、１２・・・無線周波数−出力バッ
ファ段、３０・・・半導体基板、３１・・パ エピタキ
シャル層、３２・・・高伝導領域、３３・・・絶縁−不
活性化層、３４・・・導電帯、３５．３６・・・絶縁−
拡散領域、３７・・・凹み、３８・・・チップ端子。 ＩＧ１
部の本発明による回路のブロック回路図、第２図は発振
器部とミクサ部との間の結合キャパシタンスの実施例の
断面図、第３図は能動的発振器回路と周波数決定用の受
動的回路との間の出力端子ならびにミクサの出力端子の
実施例の断面図である。
）１・・・能動的発振器
部、９・・・電圧安定化段、１ｏ・・・バッファ段、１
１・・・ミクサ回路、１２・・・無線周波数−出力バッ
ファ段、３０・・・半導体基板、３１・・パ エピタキ
シャル層、３２・・・高伝導領域、３３・・・絶縁−不
活性化層、３４・・・導電帯、３５．３６・・・絶縁−
拡散領域、３７・・・凹み、３８・・・チップ端子。 ＩＧ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）能動的発振器回路（１）が周波数決定用の受動回路
の接続によりＵＨＦ動作用および多重チャネルＶＨＦ動
作用として使用可能であり、またミクサ部（１１）が発
振器信号および利用信号、特にビデオおよび（または）
オーディオ信号の混合の役割をする集積されたＵＨＦ／
ＶＨＦ変調器回路の発振器−ミクサ回路において、単一
の能動的発振器回路（１）が帰還作用なしに単一のミク
サ（１１）と結合されていることを特徴とする発振器−
ミクサ回路。 ２）能動的発振器回路（１）とミクサ（１１）との間の
帰還作用のない結合が１つのバッファ段を介して行われ
ており、その入力端が容量性の帰還作用なしに能動的発
振器回路（１）の出力端に、またその出力端がミクサ（
１１）の入力端に接続されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の発振器−ミクサ回路。 ３）容量性の帰還作用なしの結合として、１つのＭＯＳ
キャパシタンス（Ｃ＿１、Ｃ＿２）および１つの障壁層
キャパシタンスの直列回路により形成されている集積さ
れたキャパシタンス配置が設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の発振器−
ミクサ回路。 ４）ＭＯＳキャパシタンス（Ｃ＿１、Ｃ＿２）が、集積
された回路を含んでいる半導体基板と、誘電体としての
半導体基板上の絶縁−不活性化層（３３）と、絶縁−不
活性化層（３３）の上を延びている導電帯（３４）とに
より形成されており、また障壁層キャパシタンスが集積
された回路の半導体基板内に位置するドープされた領域
（３０、３１、３２：３０、３７）の間に形成される少
なくとも１つのｐｎ接合により形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
に記載の発振器−ミクサ回路。 ５）能動的発振器回路（１）と周波数決定用の受動的回
路との間の端子（３、４、６、７）と、ミクサ回路（１
１、１２）の出力端子（１３、１５）とがキャパシタン
ス配置により形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の発振器−
ミクサ回路。 ６）障壁層キャパシタンスが高抵抗の枝路（Ｒ）を介し
て１つの参照電位（Ｖ＿ｒ＿ｅ＿ｆ）に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれかに記載の発振器−ミクサ回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3421278.7 | 1984-06-07 | ||
| DE3421278 | 1984-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613506A true JPS613506A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=6237869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60122382A Pending JPS613506A (ja) | 1984-06-07 | 1985-06-05 | 発振器‐ミクサ回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4635003A (ja) |
| EP (1) | EP0167007B1 (ja) |
| JP (1) | JPS613506A (ja) |
| KR (1) | KR860000748A (ja) |
| AT (1) | ATE49832T1 (ja) |
| DE (1) | DE3575641D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514054A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Canon Inc | 信号発生装置 |
| US5650754A (en) * | 1995-02-15 | 1997-07-22 | Synergy Microwave Corporation | Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits |
| CA2404721C (en) * | 2001-10-12 | 2005-06-07 | Research In Motion Limited | Integral mixer and oscillator device |
| CN108717186B (zh) * | 2018-08-06 | 2023-08-29 | 杰华智感(深圳)科技有限公司 | 微波感应模块 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS584851B2 (ja) * | 1975-10-27 | 1983-01-28 | ソニー株式会社 | シユウハスウヘンカンキ |
| US4052682A (en) * | 1976-09-20 | 1977-10-04 | National Semiconductor Corporation | Multiple oscillator modulator circuit |
| DE3166196D1 (en) * | 1980-11-03 | 1984-10-25 | Siemens Ag | Oscillation circuit which may take the form of an integrated circuit |
| DE3134936A1 (de) * | 1981-09-03 | 1983-03-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierbare signalverarbeitende halbleiterschaltung |
| FR2544929B1 (fr) * | 1983-04-20 | 1986-03-21 | Adret Electronique | Oscillateur a quartz a faible bruit |
-
1985
- 1985-05-29 KR KR1019850003712A patent/KR860000748A/ko not_active Ceased
- 1985-06-05 DE DE8585106992T patent/DE3575641D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-05 EP EP85106992A patent/EP0167007B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-05 AT AT85106992T patent/ATE49832T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-06-05 JP JP60122382A patent/JPS613506A/ja active Pending
- 1985-06-06 US US06/742,087 patent/US4635003A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE49832T1 (de) | 1990-02-15 |
| EP0167007B1 (de) | 1990-01-24 |
| EP0167007A1 (de) | 1986-01-08 |
| DE3575641D1 (de) | 1990-03-01 |
| US4635003A (en) | 1987-01-06 |
| KR860000748A (ko) | 1986-01-30 |
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