JPS6136170A - 誘電体磁器組成物及びその製造法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造法Info
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- JPS6136170A JPS6136170A JP59157001A JP15700184A JPS6136170A JP S6136170 A JPS6136170 A JP S6136170A JP 59157001 A JP59157001 A JP 59157001A JP 15700184 A JP15700184 A JP 15700184A JP S6136170 A JPS6136170 A JP S6136170A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非還元性誘電体磁器組成物に係シ、特に高誘電
率でかつ誘電率の温度変化が少く、誘電体損失が小さく
、比抵抗の高い特性を有する誘電体磁器組成物に係る。
率でかつ誘電率の温度変化が少く、誘電体損失が小さく
、比抵抗の高い特性を有する誘電体磁器組成物に係る。
例えばチタン酸バリウムにニオブ酸コバルト。
又はタンタル、サマリウム、又はスズ酸ビスマス。
ジルコン酸ビスマスとタンタル、ニオブ等を添加するこ
とにより、高誘電率でかつその誘電率の温度変化が少く
、損失の小さい誘電体磁器組成物が得られている。これ
等の誘電体材料を使用するととによシ小型で大容量の積
層セラミック・コンデンサを製造することができる。そ
してこのようにして製造された積層セラミック・コンデ
ンサは通信機、電子計算機、テレビ受像機等においてI
C回路素子等に広く使用されている。
とにより、高誘電率でかつその誘電率の温度変化が少く
、損失の小さい誘電体磁器組成物が得られている。これ
等の誘電体材料を使用するととによシ小型で大容量の積
層セラミック・コンデンサを製造することができる。そ
してこのようにして製造された積層セラミック・コンデ
ンサは通信機、電子計算機、テレビ受像機等においてI
C回路素子等に広く使用されている。
従来、積層セラミック・コンデンサを製造する方法は大
別して印刷法およびシート法がある。前者の方法によれ
ば誘電体のスラリーを作ったのちこれを例えばスクリー
ン印刷によシ所定形に印刷し、乾燥後その上に電極ペー
ストを印刷し、この電極ペーストが乾燥したのちに次の
誘電体スラリーを印刷するという方法を繰返すことによ
)誘電体層と内部電極層を積層するものである。そして
後者の方法によれば誘電体シートを例えばドクターブレ
ード法で作成し、その上に電極ペーストを印刷し、これ
を複数枚積み重ねて熱圧着し、積層化する。このように
して適当な方法によりi層化したものを自然雰囲気中で
1250℃〜1400℃で焼成して焼結体を作シ、内部
電極と導通ずる外部引出電極をこれに焼付けることによ
多積層セラミツク・コンデンサを得ていた。
別して印刷法およびシート法がある。前者の方法によれ
ば誘電体のスラリーを作ったのちこれを例えばスクリー
ン印刷によシ所定形に印刷し、乾燥後その上に電極ペー
ストを印刷し、この電極ペーストが乾燥したのちに次の
誘電体スラリーを印刷するという方法を繰返すことによ
)誘電体層と内部電極層を積層するものである。そして
後者の方法によれば誘電体シートを例えばドクターブレ
ード法で作成し、その上に電極ペーストを印刷し、これ
を複数枚積み重ねて熱圧着し、積層化する。このように
して適当な方法によりi層化したものを自然雰囲気中で
1250℃〜1400℃で焼成して焼結体を作シ、内部
電極と導通ずる外部引出電極をこれに焼付けることによ
多積層セラミツク・コンデンサを得ていた。
この場合、コンデンサの電極となる内部電極と誘電体を
同時に焼成するため、内部電極の材料としては誘電体が
焼結する温度内で電極が形成できること、および自然雰
囲気中で上記の温度に加熱しても酸化した夛あるいは誘
電体と反応しないことが必要であシ、このためにこれら
の条件を満すものとして白金やパラジウムなどの貴金属
が主に使用されていた。しかしながらこれらの貴金属は
非常に安定ではあるが、高価であって積層セラミック・
コンデンサのコストに占める割合が20〜50%程度と
非常に大きく、そのコストアップの最大の原因になって
いた。
同時に焼成するため、内部電極の材料としては誘電体が
焼結する温度内で電極が形成できること、および自然雰
囲気中で上記の温度に加熱しても酸化した夛あるいは誘
電体と反応しないことが必要であシ、このためにこれら
の条件を満すものとして白金やパラジウムなどの貴金属
が主に使用されていた。しかしながらこれらの貴金属は
非常に安定ではあるが、高価であって積層セラミック・
コンデンサのコストに占める割合が20〜50%程度と
非常に大きく、そのコストアップの最大の原因になって
いた。
このような問題に対処するために、安価な卑金属を電極
として使用する試みが従来から行われている。しかしな
がら卑金属としてニッケルを使用すれば、ニッケルは酸
化性雰囲気中で加熱されたときに酸化し、誘電体と反応
して電極形成が不可能となる。それ故ニッケルの酸化を
防止するために中性あるいは還元性雰囲気中で焼成する
ことになる〃嶋今度は誘電体材料が還元され、比抵抗が
非常に低いものになってコンデンサ用誘電体材料として
使用できない。
として使用する試みが従来から行われている。しかしな
がら卑金属としてニッケルを使用すれば、ニッケルは酸
化性雰囲気中で加熱されたときに酸化し、誘電体と反応
して電極形成が不可能となる。それ故ニッケルの酸化を
防止するために中性あるいは還元性雰囲気中で焼成する
ことになる〃嶋今度は誘電体材料が還元され、比抵抗が
非常に低いものになってコンデンサ用誘電体材料として
使用できない。
本発明は、前記の如き、中性あるいは還元性雰囲気中で
焼成したとき還元されて比抵抗が非常に低いものとなシ
コンデンサ用の誘電体材料としては使用できないという
問題点を解決するものである0 〔問題点を解決するだめの手段〕 前記の問題点を解決するため2本発明では9組成式が (BaO)、 TiOx+x (SnO)bTios+
yMn。
焼成したとき還元されて比抵抗が非常に低いものとなシ
コンデンサ用の誘電体材料としては使用できないという
問題点を解決するものである0 〔問題点を解決するだめの手段〕 前記の問題点を解決するため2本発明では9組成式が (BaO)、 TiOx+x (SnO)bTios+
yMn。
で示される組成物においてl alb+及びx、yが次
の範囲、すなわち 0.10≦x≦30.OOmOぎ%、 0.010
< Y < 20.00モル翳0.990≦(a+b−
x/100)/(1+X/100)≦1.020の範囲
にある組成の誘電体磁器組成物を提供するものである。
の範囲、すなわち 0.10≦x≦30.OOmOぎ%、 0.010
< Y < 20.00モル翳0.990≦(a+b−
x/100)/(1+X/100)≦1.020の範囲
にある組成の誘電体磁器組成物を提供するものである。
本発明の一実施例について説明する。
出発原料としテBaCO5、5rCOs 、 Ti1t
を用い、仮焼成後の組成が各’r r (BaO)m
T ’Os * (S rO)b T ’Os、!:
ナルヨウK BaC0,トTie、 、 5rCO,と
T i 02を別々に秤量して混合せしめ、脱水乾燥後
1000〜1240’Cで2時間保持して仮焼せしめ、
その後の仮焼成体を微粉砕して(BaO)、TiO,、
(SrO)bTio、の微粉末を得た。これ等の微粉末
とMn、04を最終的焼結後に第1表に示す組成になる
様に混合せしめ、脱水。
を用い、仮焼成後の組成が各’r r (BaO)m
T ’Os * (S rO)b T ’Os、!:
ナルヨウK BaC0,トTie、 、 5rCO,と
T i 02を別々に秤量して混合せしめ、脱水乾燥後
1000〜1240’Cで2時間保持して仮焼せしめ、
その後の仮焼成体を微粉砕して(BaO)、TiO,、
(SrO)bTio、の微粉末を得た。これ等の微粉末
とMn、04を最終的焼結後に第1表に示す組成になる
様に混合せしめ、脱水。
乾燥して粉末とした。
このようにして得られた粉末に適当量の有機バインダー
を加え、16.5.mX0.6Mの円板に加圧成型した
。これをジルコニア板の上にのせ匣鉢の中に入れて50
0℃まで自然雰囲気中で有機バインダーを焼成し、その
後N2中で1250℃〜1350℃で2時間焼成した。
を加え、16.5.mX0.6Mの円板に加圧成型した
。これをジルコニア板の上にのせ匣鉢の中に入れて50
0℃まで自然雰囲気中で有機バインダーを焼成し、その
後N2中で1250℃〜1350℃で2時間焼成した。
このようにして得たサンプルにIn −()a電極を塗
布して誘電率(ε、)、誘電体損失(tanδ%)(測
定周波数IKHz ) 、絶縁抵抗(IR,Ω−cm)
および125℃で絶縁抵抗(工R2Ω・cfn)をそれ
ぞれ測定したところ第1表に示す如き値が得られた。な
お第1表におけるx+ Y +及びa。
布して誘電率(ε、)、誘電体損失(tanδ%)(測
定周波数IKHz ) 、絶縁抵抗(IR,Ω−cm)
および125℃で絶縁抵抗(工R2Ω・cfn)をそれ
ぞれ測定したところ第1表に示す如き値が得られた。な
お第1表におけるx+ Y +及びa。
bは上記組成式におけるX+y、a、bを示す。
以下余白
この第1表において*印の付与されているものは本発明
の範囲外のものであシ1本発明の実施例のものと比較の
ため提示した。
の範囲外のものであシ1本発明の実施例のものと比較の
ため提示した。
第1表より明らかな如く1本発明のものは比誘電率が約
1500〜4000と高(,125℃から一55℃にお
ける比誘電率の変化率が小さく、tanδは0.1〜1
.0%と小さな値を示している。又。
1500〜4000と高(,125℃から一55℃にお
ける比誘電率の変化率が小さく、tanδは0.1〜1
.0%と小さな値を示している。又。
常温及び125℃における絶縁抵抗も高い値を示してい
る事が分る。
る事が分る。
かかる特徴のある誘電体磁器組成物は2組成式%式%
で示される組成物において、a、b及びx、yが0.1
0≦x≦30.00 (mol%)0.010≦y≦2
0.00 (mol% )0.990≦(a +b−x
/100 )/ (1+x/100 )≦1.020の
範囲にある組成によシ得られる。
0≦x≦30.00 (mol%)0.010≦y≦2
0.00 (mol% )0.990≦(a +b−x
/100 )/ (1+x/100 )≦1.020の
範囲にある組成によシ得られる。
なおaとbは0.990≦a≦1.030.0.990
≦b≦1.030の範囲にあることが好適である。
≦b≦1.030の範囲にあることが好適である。
次にこのような本発明の各数値限定の理由について説明
する。Xが0.10moI!%以下では誘電率の温度変
化が犬きくな)、焼結性が低下する。3゜m01%を超
えると、これまた誘電率の温度変化が大きくなる。yが
0.010 m01%以下ではtanδが犬きくなシ、
焼結性が低下する。20mo1%を超えると誘電率が低
下し、又、125°Cでの絶縁抵抗が低くなる。(a+
b−x/1oo )/(1+X/100 )が0.99
0以下では絶縁抵抗が低下する。1.020を超すと焼
結性が悪くなる。
する。Xが0.10moI!%以下では誘電率の温度変
化が犬きくな)、焼結性が低下する。3゜m01%を超
えると、これまた誘電率の温度変化が大きくなる。yが
0.010 m01%以下ではtanδが犬きくなシ、
焼結性が低下する。20mo1%を超えると誘電率が低
下し、又、125°Cでの絶縁抵抗が低くなる。(a+
b−x/1oo )/(1+X/100 )が0.99
0以下では絶縁抵抗が低下する。1.020を超すと焼
結性が悪くなる。
また添付図面に本発明の実施例である第1表の試料N(
L7,9.12における比誘電率ε、および誘電体損失
tanδに対する温度特性図を示す、これによシ明らか
な如く、これらのものの温度変化が通常の使用範囲では
あまシ大きくないことがわかる0 なお上記実施例ではBa 、 Srは炭酸塩、 Mn
はMns O4,T rはTie、を用いたが、もちろ
ん他の形のものでも本発明で使用できることは明らかで
ある。
L7,9.12における比誘電率ε、および誘電体損失
tanδに対する温度特性図を示す、これによシ明らか
な如く、これらのものの温度変化が通常の使用範囲では
あまシ大きくないことがわかる0 なお上記実施例ではBa 、 Srは炭酸塩、 Mn
はMns O4,T rはTie、を用いたが、もちろ
ん他の形のものでも本発明で使用できることは明らかで
ある。
本発明によれば、中性又は還元性雰囲気中で焼成しても
、誘電率が高く、誘電率の温度変化が少く、誘電体損失
が小さく、また絶縁抵抗が高く。
、誘電率が高く、誘電率の温度変化が少く、誘電体損失
が小さく、また絶縁抵抗が高く。
しだがって高信頼性の誘電体磁器組成物を得る事ができ
る。
る。
添付図面は本発明における試料Nα7,9,12の比誘
電率及び誘電体損失の温度特性図である。
電率及び誘電体損失の温度特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、組成式が (BaO)_a・TiO_3+x(SrO)_b・Ti
O_3+yMnOで示される組成物において、x、y及
びa、bが下記の範囲にあることを特徴とする非還元性
の誘電体磁器組成物。 0.10≦x≦30.00(mol%) 0.010≦y≦20.00(mol%) 0.990≦(a+b・x/100)/(1+x/10
0)≦1.0202、(BaO)_a・TiO_3と(
SrO)_b・TiO_3を別々に合成した後、微粉砕
し、これ等を用いて所定の組成物に混合し、所定の形状
に成型して中性又は還元性雰囲気中で焼成することを特
徴とする、組成式が(BaO)_a・TiO_3+x(
SrO)_b・TiO_3+yNnOであつて、x、y
及びa、bが下記の範囲にあることを特徴とする非還元
性の誘電体磁器組成物の製造法。 0.10≦x≦30.00(mol%) 0.010≦y≦20.00(mol%) 0.990≦(a+b/100)/(1+x/100)
≦1.020
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59157001A JPS6136170A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59157001A JPS6136170A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136170A true JPS6136170A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15640015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59157001A Pending JPS6136170A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 誘電体磁器組成物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136170A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4925817A (en) * | 1988-09-20 | 1990-05-15 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US5128445A (en) * | 1990-06-14 | 1992-07-07 | Phillips Petroleum Company | Method to recover poly(arylene sulfide) polymers with water-polar organic compound |
| US5668694A (en) * | 1994-10-19 | 1997-09-16 | Sato; Akira | Multilayer ceramic chip capacitor |
| US6876538B1 (en) | 2003-12-18 | 2005-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition for multilayer ceramic capacitor, multilayer ceramic capacitor, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
| US7351676B2 (en) | 2003-08-14 | 2008-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP59157001A patent/JPS6136170A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4925817A (en) * | 1988-09-20 | 1990-05-15 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition |
| US5128445A (en) * | 1990-06-14 | 1992-07-07 | Phillips Petroleum Company | Method to recover poly(arylene sulfide) polymers with water-polar organic compound |
| US5668694A (en) * | 1994-10-19 | 1997-09-16 | Sato; Akira | Multilayer ceramic chip capacitor |
| US7351676B2 (en) | 2003-08-14 | 2008-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component |
| US6876538B1 (en) | 2003-12-18 | 2005-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition for multilayer ceramic capacitor, multilayer ceramic capacitor, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
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