JPS6139728B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6139728B2 JPS6139728B2 JP52040938A JP4093877A JPS6139728B2 JP S6139728 B2 JPS6139728 B2 JP S6139728B2 JP 52040938 A JP52040938 A JP 52040938A JP 4093877 A JP4093877 A JP 4093877A JP S6139728 B2 JPS6139728 B2 JP S6139728B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- distance
- scanning
- pattern
- moving distance
- Prior art date
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光パターン寸法を微細なピツチで調
整することのできる電子線露光装置に関する。
整することのできる電子線露光装置に関する。
半導体集積回路のパターンを電子線を照射して
露光形成する場合、従来、光写真技術を用いて作
成されたマスクを用いて行つている。例えば0.1
μｍの寸法差を以つて形成された略2.0μｍ程度
のアパーチヤマスクを複数用意し、これらのマス
クを選択して用いていた。これは半導体基板の状
態にマスクを対応させ、集積回路（LSI）の歩留
りの向上をはかる為である。
露光形成する場合、従来、光写真技術を用いて作
成されたマスクを用いて行つている。例えば0.1
μｍの寸法差を以つて形成された略2.0μｍ程度
のアパーチヤマスクを複数用意し、これらのマス
クを選択して用いていた。これは半導体基板の状
態にマスクを対応させ、集積回路（LSI）の歩留
りの向上をはかる為である。
ところで、上記のようにマスクを択一的に用い
ることは製作工程上、非常にめんどうである。そ
こで、露光装置の電子線を電気的に偏向走査して
パターン形成する電子線露光装置が考えられた。
しかし、この種の電子線露光装置では上記マスク
の大きさに相当する最小パターン寸法を細かく変
化させることができないという大きな欠点があ
る。この為、この電子線露光装置では製作に於る
歩留りに向上をはかることが望めないと云う問題
を有していた。
ることは製作工程上、非常にめんどうである。そ
こで、露光装置の電子線を電気的に偏向走査して
パターン形成する電子線露光装置が考えられた。
しかし、この種の電子線露光装置では上記マスク
の大きさに相当する最小パターン寸法を細かく変
化させることができないという大きな欠点があ
る。この為、この電子線露光装置では製作に於る
歩留りに向上をはかることが望めないと云う問題
を有していた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、電子線を電気的
に偏向走査してパターンを形成するに際し、この
パターンの最小パターン寸法を細かく制御するこ
とができ、露光形成されるパターンの歩留りの向
上をはかることのできる電子線露光装置を提供す
ることにある。
ので、その目的とするところは、電子線を電気的
に偏向走査してパターンを形成するに際し、この
パターンの最小パターン寸法を細かく制御するこ
とができ、露光形成されるパターンの歩留りの向
上をはかることのできる電子線露光装置を提供す
ることにある。
まず、本発明の概要を説明する。
ハイブリツドラスタ走査型の電子線露光装置で
は、試料を載置したテーブルを一方向に連続移動
すると共に、この移動方向と直角の方向に電子線
を偏向走査するが、このとき電子線の走査ピツチ
はテーブルの移動速度及び電子線の１回の偏向走
査時間等により一義的に規定される。したがつ
て、電子線の走査ピツチをむやみに可変すること
はできず、これがために最小パターン寸法を細か
く制御することは不可能であつた。
は、試料を載置したテーブルを一方向に連続移動
すると共に、この移動方向と直角の方向に電子線
を偏向走査するが、このとき電子線の走査ピツチ
はテーブルの移動速度及び電子線の１回の偏向走
査時間等により一義的に規定される。したがつ
て、電子線の走査ピツチをむやみに可変すること
はできず、これがために最小パターン寸法を細か
く制御することは不可能であつた。
本発明では、電子線の偏向走査距離と走査ピツ
チとの比を一定の関係を保つて、偏向走査距離及
び走査ピツチを変化させている。さらに、電子線
の偏向走査の開始点をレーザ測長系の検出情報で
あるテーブルの移動距離を基に定めている。した
がつて、テーブル移動速度を可変する等の操作を
要することなく電子線の走査ピツチを可変するこ
とが可能となり、最小パターンの寸法を細かく制
御できるものである。しかも、テーブルの移動距
離を基に偏向走査の開始点を定めているので、テ
ーブル移動速度が変動したとしても試料に照射さ
れる電子線の走査ピツチが変動することはない。
チとの比を一定の関係を保つて、偏向走査距離及
び走査ピツチを変化させている。さらに、電子線
の偏向走査の開始点をレーザ測長系の検出情報で
あるテーブルの移動距離を基に定めている。した
がつて、テーブル移動速度を可変する等の操作を
要することなく電子線の走査ピツチを可変するこ
とが可能となり、最小パターンの寸法を細かく制
御できるものである。しかも、テーブルの移動距
離を基に偏向走査の開始点を定めているので、テ
ーブル移動速度が変動したとしても試料に照射さ
れる電子線の走査ピツチが変動することはない。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明装置の概略系統図で、電子線露
光に供される試料を一方向に連続移動すると共
に、この移動方向と直角の方向に電子ビームを偏
向走査するハイブリツドラスタ走査型の電子線露
光装置である。図中１はタングステン陰極等から
なる電子銃で、電子ビームを出力している。この
電子ビームはブランキング板２，２間を通つてプ
ランキング制御されたのち、コンデンサレンズ３
を介して集束されている。この集束された電子ビ
ームは静電偏向板４，４間を通つて偏向制御され
たのち、対物レンズ５を介して半導体素子等の被
露光物（試料）６に照射されている。この被露光
物６は試料室（図示せず）内のＸ―Ｙテーブル７
上に設置されたもので、テーブル駆動機構８によ
つて、上記電子ビームの照射方向、及び静電偏向
板４，４による電子ビームの走査方向にそれぞれ
直角な方向に移動され、位置設定されている。テ
ーブル駆動機構８はテーブル移動制御装置９から
の移動制御信号に基づいて作動するものである。
また前記Ｘ―Ｙテーブル７の側部にはレーザ参照
鏡１０が配設されており、レーザ測長系１１から
レーザ光１１ａが照射されている。そしてレーザ
参照鏡１０で反射されたレーザ光１１ａは前記レ
ーザ測長系１１に入力し、レーザ光１１ａの照射
及び反射光から前記Ｘ―Ｙテーブル７の移動距離
が測定されている。
光に供される試料を一方向に連続移動すると共
に、この移動方向と直角の方向に電子ビームを偏
向走査するハイブリツドラスタ走査型の電子線露
光装置である。図中１はタングステン陰極等から
なる電子銃で、電子ビームを出力している。この
電子ビームはブランキング板２，２間を通つてプ
ランキング制御されたのち、コンデンサレンズ３
を介して集束されている。この集束された電子ビ
ームは静電偏向板４，４間を通つて偏向制御され
たのち、対物レンズ５を介して半導体素子等の被
露光物（試料）６に照射されている。この被露光
物６は試料室（図示せず）内のＸ―Ｙテーブル７
上に設置されたもので、テーブル駆動機構８によ
つて、上記電子ビームの照射方向、及び静電偏向
板４，４による電子ビームの走査方向にそれぞれ
直角な方向に移動され、位置設定されている。テ
ーブル駆動機構８はテーブル移動制御装置９から
の移動制御信号に基づいて作動するものである。
また前記Ｘ―Ｙテーブル７の側部にはレーザ参照
鏡１０が配設されており、レーザ測長系１１から
レーザ光１１ａが照射されている。そしてレーザ
参照鏡１０で反射されたレーザ光１１ａは前記レ
ーザ測長系１１に入力し、レーザ光１１ａの照射
及び反射光から前記Ｘ―Ｙテーブル７の移動距離
が測定されている。
一方、レーザ測長系１１で測長された結果はパ
ルス発生回路１２に供給されると共に、作動制御
回路（インターフエース）１３に供給されてい
る。上記パルス発生回路１２は、前記レーザ光１
１ａの波長をλとした場合、前記Ｘ―Ｙテーブル
７がｍ／ｎ・λ移動する毎にパルス信号を出力するも のである。但し、ｍ及びｎは自然数であり、これ
らについては後述する。このパルス信号は後述す
る各部の同期信号として作用するもので、前記作
動制御回路（インターフエース）１３に入力して
いる。この作動制御回路（インターフエース）１
３は上記同期信号に基づいて偏向制御回路１４を
作動させたり、パターン発生器１５から入力され
るパターン情報を描画回路１６に供給したりす
る。また前記テーブル移動制御装置９にも同期信
号やテーブル移動指令信号等を供給している。こ
の作動制御回路（インターフエース）１３から供
給される信号によつて作動する偏向制御回路１４
は前記静電偏向板４，４間に偏向バイアス電圧を
印加して、前記電子ビームを偏向させるものであ
る。また描画回路１６は前記ブランキング板２，
２間にブランキング電圧を印加して電子ビームを
ブランキング制御するものである。
ルス発生回路１２に供給されると共に、作動制御
回路（インターフエース）１３に供給されてい
る。上記パルス発生回路１２は、前記レーザ光１
１ａの波長をλとした場合、前記Ｘ―Ｙテーブル
７がｍ／ｎ・λ移動する毎にパルス信号を出力するも のである。但し、ｍ及びｎは自然数であり、これ
らについては後述する。このパルス信号は後述す
る各部の同期信号として作用するもので、前記作
動制御回路（インターフエース）１３に入力して
いる。この作動制御回路（インターフエース）１
３は上記同期信号に基づいて偏向制御回路１４を
作動させたり、パターン発生器１５から入力され
るパターン情報を描画回路１６に供給したりす
る。また前記テーブル移動制御装置９にも同期信
号やテーブル移動指令信号等を供給している。こ
の作動制御回路（インターフエース）１３から供
給される信号によつて作動する偏向制御回路１４
は前記静電偏向板４，４間に偏向バイアス電圧を
印加して、前記電子ビームを偏向させるものであ
る。また描画回路１６は前記ブランキング板２，
２間にブランキング電圧を印加して電子ビームを
ブランキング制御するものである。
このように構成された装置は次のように作用す
る。この作用を第２図を参照して説明する。テー
ブル駆動機構８の作動によつてＸ―Ｙテーブル７
（被露光物６）が移動されると、この移動距離は
レーザ測長系１１によるレーザ光１１ａによつて
測定されている。この測定結果はパルス発生回路
１２に入力しており、レーザ光１１ａの波長λの
１／ｎを前記被露光物６の基準移動距離、つまり
移動距離単位として計測している。例えば被露光
物６が距離λ／ｎ移動する毎にパルス信号を発し
ている。このパルス信号はパルス発生回路１２内
に設けられたｍビツトのカウンタ（図示せず）に
入力され、ｍ回カウントされている。そしてパル
ス信号がｍ回カウントされたとき、つまり被露光
物６が距離ｍ／ｎ・λ（単位移動距離）移動したとき に同期信号を出力している。なお、上記カウント
数ｍは作動制御回路（インターフエース）１３を
介して設定されるものである。一方、この同期信
号によつて偏向制御回路１４は静電偏向板４，４
間に時間掃引されるランプ電圧を偏向バイアス信
号として印加している。このランプ電圧の最大信
号レベルは前記設定されたカウント数ｍの値に比
例するものである。この為、偏向バイアス信号の
変化幅が前記カウント数ｍと比例し、電子ビーム
の走査偏向幅も比例する。従つて、被露光物６が
距離ｍ／ｎ・λ移動したとき、前記電子銃１から放出 される電子ビームは上記被露光物６の移動方向と
直角の方向に距離Ｋ・ｍ／ｎ・λ偏向走査される。但 し、Ｋは比例定数である。即ち、設定されるｍが
m1である場合、第２図ａに示すように走査ピツ
チｍ１／ｎ・λに対して距離Ｋ・ｍ１／ｎ・λの電子ビ
ーム 走査が行われる。またm2＜m1なる数を設定した
場合には同図ｂに示すように走査ピツチｍ２／ｎ・λ に対してＫ・ｍ２／ｎ・λの電子ビームの走査が行わ れる。この図に示されるようにｍを適宜設定する
ことによつて電子ビームの走査ピツチ間隔と走査
幅が共に比例して変化する。
る。この作用を第２図を参照して説明する。テー
ブル駆動機構８の作動によつてＸ―Ｙテーブル７
（被露光物６）が移動されると、この移動距離は
レーザ測長系１１によるレーザ光１１ａによつて
測定されている。この測定結果はパルス発生回路
１２に入力しており、レーザ光１１ａの波長λの
１／ｎを前記被露光物６の基準移動距離、つまり
移動距離単位として計測している。例えば被露光
物６が距離λ／ｎ移動する毎にパルス信号を発し
ている。このパルス信号はパルス発生回路１２内
に設けられたｍビツトのカウンタ（図示せず）に
入力され、ｍ回カウントされている。そしてパル
ス信号がｍ回カウントされたとき、つまり被露光
物６が距離ｍ／ｎ・λ（単位移動距離）移動したとき に同期信号を出力している。なお、上記カウント
数ｍは作動制御回路（インターフエース）１３を
介して設定されるものである。一方、この同期信
号によつて偏向制御回路１４は静電偏向板４，４
間に時間掃引されるランプ電圧を偏向バイアス信
号として印加している。このランプ電圧の最大信
号レベルは前記設定されたカウント数ｍの値に比
例するものである。この為、偏向バイアス信号の
変化幅が前記カウント数ｍと比例し、電子ビーム
の走査偏向幅も比例する。従つて、被露光物６が
距離ｍ／ｎ・λ移動したとき、前記電子銃１から放出 される電子ビームは上記被露光物６の移動方向と
直角の方向に距離Ｋ・ｍ／ｎ・λ偏向走査される。但 し、Ｋは比例定数である。即ち、設定されるｍが
m1である場合、第２図ａに示すように走査ピツ
チｍ１／ｎ・λに対して距離Ｋ・ｍ１／ｎ・λの電子ビ
ーム 走査が行われる。またm2＜m1なる数を設定した
場合には同図ｂに示すように走査ピツチｍ２／ｎ・λ に対してＫ・ｍ２／ｎ・λの電子ビームの走査が行わ れる。この図に示されるようにｍを適宜設定する
ことによつて電子ビームの走査ピツチ間隔と走査
幅が共に比例して変化する。
一方、前記描画回路１６も上記同期信号に基づ
いて作動している。例えば、被露光物６が距離
ｍ／ｎ・λ移動する毎にパターン発生器１５からパタ ーン発生信号を直列的な信号に変換し、整形及び
電力増幅して前記ブランキング板２，２に印加し
ている。この直列的なパターン信号は前記静電偏
向板４，４による偏向時間に対応した時間幅を有
するものである。そしてブランキング板２，２間
の印加電圧をNO―OFFして、前記電子ビームの
通過をOFF―ONしている。つまりパターン信号
の情報信号が入力したときブランキング板２，２
間への電圧印加を停止して電子ビームを通過させ
る。そしてパターン信号の無情報信号が入力した
ときブランキング板２，２間に電圧を印加して電
子ビームの通過を阻止している。従つて描画回路
１６の作動によつて前記パターン発生器１５から
発せられるパターン信号、つまりパターンが被露
光物６上にパターン形成される。
いて作動している。例えば、被露光物６が距離
ｍ／ｎ・λ移動する毎にパターン発生器１５からパタ ーン発生信号を直列的な信号に変換し、整形及び
電力増幅して前記ブランキング板２，２に印加し
ている。この直列的なパターン信号は前記静電偏
向板４，４による偏向時間に対応した時間幅を有
するものである。そしてブランキング板２，２間
の印加電圧をNO―OFFして、前記電子ビームの
通過をOFF―ONしている。つまりパターン信号
の情報信号が入力したときブランキング板２，２
間への電圧印加を停止して電子ビームを通過させ
る。そしてパターン信号の無情報信号が入力した
ときブランキング板２，２間に電圧を印加して電
子ビームの通過を阻止している。従つて描画回路
１６の作動によつて前記パターン発生器１５から
発せられるパターン信号、つまりパターンが被露
光物６上にパターン形成される。
このように本装置によれば、設定されるｍの値
によつて、電子ビームの露光照射範囲が設定され
る。そして、被露光物６の移動距離の変化分に比
例して、電子ビームの走査幅も変化する。つま
り、電子ビームで走査露光される範囲は縦横の比
（移動距離と走査幅の比）を保つて変化すること
になる。したがつて、テーブル７の移動速度を変
えることなく電子ビーム走査ピツチを可変して露
光を行うことが可能となる。また、上記走査ピツ
チの変化する割合はレーザ光１１ａの波長λを基
準として、１／ｎλづつ変化させることができる。例 えば波長λが6328Åのレーザ光１１ａを用いて測
長し、その測長精度がｎ＝48のレーザ測長系１１
（例えばYHP社製レーザ測長システム）を用いた
場合には、ｍを１つづつ変化させることによつて
6328／48≒132Åづつパターン寸法を変えること
ができる。このような系を有する場合、４回の電
子ビーム走査によつて１つのパターンが形成され
るとすると、被露光物６の移動方向に、略500Å
の変化を以つてパターンを形成することができ
る。
によつて、電子ビームの露光照射範囲が設定され
る。そして、被露光物６の移動距離の変化分に比
例して、電子ビームの走査幅も変化する。つま
り、電子ビームで走査露光される範囲は縦横の比
（移動距離と走査幅の比）を保つて変化すること
になる。したがつて、テーブル７の移動速度を変
えることなく電子ビーム走査ピツチを可変して露
光を行うことが可能となる。また、上記走査ピツ
チの変化する割合はレーザ光１１ａの波長λを基
準として、１／ｎλづつ変化させることができる。例 えば波長λが6328Åのレーザ光１１ａを用いて測
長し、その測長精度がｎ＝48のレーザ測長系１１
（例えばYHP社製レーザ測長システム）を用いた
場合には、ｍを１つづつ変化させることによつて
6328／48≒132Åづつパターン寸法を変えること
ができる。このような系を有する場合、４回の電
子ビーム走査によつて１つのパターンが形成され
るとすると、被露光物６の移動方向に、略500Å
の変化を以つてパターンを形成することができ
る。
しかして本装置によれば、半導体基板上にパタ
ーン寸法２μｍのパターンを形成していて、その
歩留りが悪い場合には、前記設定されるｍの値を
再設定することによつて上記パターン寸法を容易
に1.9μｍにすることができる。この0.1μｍの縮
小によつて半導体基板のパターン形成面積が略10
％も削減される。この略10％のパターン形成面積
の削減によつて、例えばピンホール等によつて不
良となる、不良パターン発生の度合は極めて少く
なる。従つて製作に於る歩留りの向上に著しいも
のがある。例えば超高集積化半導体（LSI）のパ
ターニングには極めて効果的に作用する。
ーン寸法２μｍのパターンを形成していて、その
歩留りが悪い場合には、前記設定されるｍの値を
再設定することによつて上記パターン寸法を容易
に1.9μｍにすることができる。この0.1μｍの縮
小によつて半導体基板のパターン形成面積が略10
％も削減される。この略10％のパターン形成面積
の削減によつて、例えばピンホール等によつて不
良となる、不良パターン発生の度合は極めて少く
なる。従つて製作に於る歩留りの向上に著しいも
のがある。例えば超高集積化半導体（LSI）のパ
ターニングには極めて効果的に作用する。
また、テーブル７の移動距離、つまり電子ビー
ムの走査ピツチと偏向走査距離との比を一定に保
つてこれらを比例縮小することができるので、露
光データのソフト的な変更を殆んど要することな
く、露光パターンを比例縮小することが可能であ
る。さらに、レーザ測長系１１の検出情報である
テーブル７の移動距離に基づき電子ビームの偏向
走査を行つているので、何らかの要因でテーブル
７の移動速度が変動したとしても走査ピツチが変
動する等の不都合を避けることができる。したが
つて、テーブル７の移動速度の変動に拘わらず高
精度な露光を行い得る。また、走査ピツチを容易
に可変できることから、電子ビームのビーム幅と
走査ピツチとの関係で定まる露光ムラをなくすこ
とができる等の効果も奏する。
ムの走査ピツチと偏向走査距離との比を一定に保
つてこれらを比例縮小することができるので、露
光データのソフト的な変更を殆んど要することな
く、露光パターンを比例縮小することが可能であ
る。さらに、レーザ測長系１１の検出情報である
テーブル７の移動距離に基づき電子ビームの偏向
走査を行つているので、何らかの要因でテーブル
７の移動速度が変動したとしても走査ピツチが変
動する等の不都合を避けることができる。したが
つて、テーブル７の移動速度の変動に拘わらず高
精度な露光を行い得る。また、走査ピツチを容易
に可変できることから、電子ビームのビーム幅と
走査ピツチとの関係で定まる露光ムラをなくすこ
とができる等の効果も奏する。
なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。上記実施例では、測長系としてレーザ測
長系１１を用いたが、モアレパターンを用いた測
長系を用いるようにしてもよい。また基準とする
移動距離単位を安定なレーザ波長λを用いたが、
他のものを用いてもよい。また露光パターンの変
化させる割合や、パターン範囲等は勿論仕様や用
途に応じて適宜設定すればよい。このように本発
明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
はない。上記実施例では、測長系としてレーザ測
長系１１を用いたが、モアレパターンを用いた測
長系を用いるようにしてもよい。また基準とする
移動距離単位を安定なレーザ波長λを用いたが、
他のものを用いてもよい。また露光パターンの変
化させる割合や、パターン範囲等は勿論仕様や用
途に応じて適宜設定すればよい。このように本発
明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
以上詳述したように本発明によれば、試料を載
置したテーブルが単位移動距離を移動する毎に、
電子線を上記移動方向と直角な方向に上記単位移
動距離に比例した距離だけ偏向走査するようにし
ているので、上記単位移動距離を細かく変化させ
ることによつて、露光形成されるパターンの寸法
を微細な単位で変化させることができる。従つ
て、例えばパターンが露光される半導体基板の状
態に最適なパターン寸法のパターンを露光するこ
とができ、その歩留りを著しく向上させることが
できると云う効果を奏する。また、テーブルの移
動距離をレーザ測長計により検出し、この検出移
動距離と前記設定された単位移動距離との比較に
よつて電子線の偏向走査および偏向走査距離を規
定しているので、露光精度の向上をはかり得る等
の効果を奏する。
置したテーブルが単位移動距離を移動する毎に、
電子線を上記移動方向と直角な方向に上記単位移
動距離に比例した距離だけ偏向走査するようにし
ているので、上記単位移動距離を細かく変化させ
ることによつて、露光形成されるパターンの寸法
を微細な単位で変化させることができる。従つ
て、例えばパターンが露光される半導体基板の状
態に最適なパターン寸法のパターンを露光するこ
とができ、その歩留りを著しく向上させることが
できると云う効果を奏する。また、テーブルの移
動距離をレーザ測長計により検出し、この検出移
動距離と前記設定された単位移動距離との比較に
よつて電子線の偏向走査および偏向走査距離を規
定しているので、露光精度の向上をはかり得る等
の効果を奏する。
第１図は本発明装置の一実施例を示す概略系統
図、第２図は同実施例の作用を説明する為の図で
ある。 ６…被露光物、７…Ｘ―Ｙテーブル、８…テー
ブル駆動機構、１１…レーザ測長系、１２…パル
ス発生回路、１４…偏向制御回路。
図、第２図は同実施例の作用を説明する為の図で
ある。 ６…被露光物、７…Ｘ―Ｙテーブル、８…テー
ブル駆動機構、１１…レーザ測長系、１２…パル
ス発生回路、１４…偏向制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子線露光に供される試料を載置したテーブ
ルを一方向に移動すると共に、このテーブルの移
動方向と直角の方向に電子線を偏向走査する電子
線露光装置において、前記テーブルの移動距離を
検出するレーザ測長系と、前記テーブルの単位移
動距離を可変設定する手段と、前記レザー測長系
により検出された移動距離が上記設定された単位
移動距離と一致する毎にパルス信号を発生するパ
ルス信号発生回路と、上記パルス信号に同期して
電子線を偏向走査する手段と、上記電子線の偏光
走査距離を前記設定された単位移動距離に比例し
て可変する手段と、前記パルス信号に同期して前
記電子線のブランキングタイミングを制御する手
段とを具備してなることを特徴とする電子線露光
装置。 ２ 前記電子線の偏向走査距離は、前記レーザ測
長系のレーザ光波長を基準として前記単位移動距
離と比例関係にあるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電子線露光装置。 ３ 前記レーザ測長系のレーザ光波長をλとする
とき、前記テーブルの単位移動距離をｍ／ｎ・λ（た だし、ｍ，ｎは自然数）、前記電子線の偏向走査
距離をＫ・ｍ／ｎ・ｎ（ただし、Ｋは定数）に設定し てなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093877A JPS53126597A (en) | 1977-04-12 | 1977-04-12 | Electron ray exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4093877A JPS53126597A (en) | 1977-04-12 | 1977-04-12 | Electron ray exposing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53126597A JPS53126597A (en) | 1978-11-04 |
| JPS6139728B2 true JPS6139728B2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=12594433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4093877A Granted JPS53126597A (en) | 1977-04-12 | 1977-04-12 | Electron ray exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53126597A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568624A (en) * | 1978-11-18 | 1980-05-23 | Toshiba Corp | Electron beam drawing unit |
| JP2008266858A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Toyo Bussan Kogyo Kk | ヘルメット用カードホルダ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3900737A (en) * | 1974-04-18 | 1975-08-19 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam exposure system |
-
1977
- 1977-04-12 JP JP4093877A patent/JPS53126597A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53126597A (en) | 1978-11-04 |
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