JPS6140739B2 - - Google Patents
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- JPS6140739B2 JPS6140739B2 JP20330181A JP20330181A JPS6140739B2 JP S6140739 B2 JPS6140739 B2 JP S6140739B2 JP 20330181 A JP20330181 A JP 20330181A JP 20330181 A JP20330181 A JP 20330181A JP S6140739 B2 JPS6140739 B2 JP S6140739B2
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
本発明は冶金に関し、特に貴金属の合金、更に
詳細にはパラジウムをベースとする水素透過性合
金に関するものである。 パラジウムをベースとする合金は、拡散による
水素の精製用の膜として、化学工業において水素
移動を伴なうプロセス用の触媒として、並びに医
学、電気工学および器具製造において電極、熱電
対、電気接点、電位差材料、半田付け組成物等と
して使用されている。 水素含有混合物の単離または商業的水素の拡散
による精製を経て超純粋な水素を得るために、パ
ラジウムおよびルテニウムをベースとする合金か
ら作られる水素透過性膜を使用している。現在、
40%までの銀を含有する合金を使用している(四
独特許第2305595号明細書;米国特許第3247648号
明細書;エー・エー・ロジナ等のジヤーナル・オ
ブ・フイジカル・ケミストリー、1979年、第5
号、第1350頁、ソ連)。 最大の水素透過性は、銀7.6〜9.6重量%含有の
合金において固有である。また、銀18〜25%含有
の合金も使用されている。後者の合金のより高い
安定性を得るために、他の元素、例えばインジウ
ムを配合する(エー・エー・ロジナ等のジヤーナ
ル・オブ・フイジカル・ケミストリー、1980年、
第6号、第1551頁参照)。 しかし、銀含有合金は水素添加および脱水素を
伴う化学的プロセスにおいて余り活性ではない。 水素精製に使用される金、銅、ホウ素、ニツケ
ル、ロジウム、セリウム、イツトリウムおよび白
金を含有するパラジウムをベースとする他の合金
は、機械的強度が不十分であるか(例えば、金お
よび銅を添加した合金)、水素および他の侵食性
媒体の影響下に破壊されてしまう(エー・ジー・
クナプトンの「プラチナン・メタルズ・レビユ
ー」、1977年、第21巻(2)、第44頁参照)。 パラジウムに金、銅および銀を配合すると、脱
水素反応におけるパラジウムの触媒活性が低下し
てしまう。白金を配合すると、パラジウムを更に
耐久性とし、触媒活性を増大させるが、合金の水
素透過性の値をかなり減少させる。更に、これら
の合金の大多数においては、2種の水素化物相α
およびβが生成され、一緒に存在する場合にはパ
ラジウム合金から作られた触媒の選択性を低下さ
せ、そして水素の影響下での破壊の理由となる。 米国特許第3238700号明細書は、ルテニウム4.5
重量%含有のパラジウム合金から作られる水素精
製用の膜を開示している。この合金の水素透過性
は純パラジウムの水素透過性を超えるが、この合
金は加熱および冷却の多サイクルで水素および炭
素の雰囲気中において操作する場合に短い寿命し
か有しておらず、そして2種の水素化物相(αお
よびβ)の存在を伴うと思われる接触法を実施す
る際に低い選択性を有する。膜の使用時に、α
βの転移が生じ、その結果膜の破膜が生ずる。更
に、これらの相の活性中心で生ずる反応が異なる
機構および速度論であるので、2種の水素化物相
の存在は水素添加および脱水素の接触法の選択性
を実質上低下させる。 本発明の目的は、水素の雰囲気下で破壊せず、
そして接触法の選択性を増大できるパラジウムを
ベースとする合金を提供することにある。 この目的は、ルテニウムおよび希土類元素を含
有し、そして次の組成 ルテニウム 4〜8重量% 希土類元素 0.3〜8重量% パラジウム 残 部 を有するパラジウムをベースとする合金によつて
達成される。 前記組成の合金は操作時により安定であり、ル
テニウム5%含有の従来の合金に比較して加熱−
冷却サイクルで4倍以上耐える。 前記のように、本発明の合金はルテニウム4〜
8重量%、希土類元素0.3〜8重量%およびパラ
ジウム残部からなる。 合金内のルテニウム含量の範囲は、特定の合金
の水素透過性および耐久性によつて限定される。
ルテニウムの最小含量(4%)および最大含量
(8%)における合金の水素透過性は、ルテニウ
ム6%の最適組成を有する合金の水素透過性と実
質上異ならない(ブイ・エム・グリアツノフ等
DAN SSSR、1973年、第211巻、第3号、第624
頁参照)。ルテニウムの含量が8%よりも多い場
合には、合金の水素透過性は実質上低下する。10
%よりも多いルテニウムを含有する合金は既に二
成分系合金であり、そして加工不可能である。 4%よりも少ないルテニウムを含有するパラジ
ウム合金は、十分な水素透過性を有するが、水素
の雰囲気中において操作時に不十分な耐久性しか
有していない。 希土類元素(REE)の含量の下限は、水素化
物相の存在によつて規定される。REE含量が0.3
重量%よりも少ない場合、望ましくいない第二の
水素化物β相がかなりの量で存在する。REE含
量が8%よりも多い場合、大多数の合金は二成分
であり、そして加工不可能である。 従つて、ルテニウムおよびREEの含量が前記
範囲内でない場合には、所期の結果が得られな
い。 本発明のパラジウム合金について各種の修正が
可能である。 ランタンおよびイツトリウムを含有する合金の
場合には、以下の組成物が接触法における高い水
素透過性、耐熱性および選択性のために最も効率
的であると推奨される。 ルテニウム 4〜8重量% ランタン 0.3〜2重量% パラジウム 残 部 及び ルテニウム 4〜8重量% イツトリウム 0.3〜8重量% パラジウム 残 部 ルテニウムおよびREEを有するパラジウム合
金を、非消耗性タングステン電極を有する電気ア
ーク真空炉内において水冷銅炉床上で精製ヘリウ
ムの雰囲気中において600〜800mmHgの圧力下で
溶融させる。炉室内の予備真空は3×10-4mmHg
以上である。合金化希土類元素を合金内に中間リ
ガーチヤー(ligature)を通して導入する。合金
の組成を化学的分析によつて制御する。 すべての溶融合金は微粒構造を有し、そして固
溶体の範囲内である。 厚さ100μmの膜−箔を、中間真空焼鈍を有す
る冷間変形法によつて合金から製造する。 水素透過性を測定する場合、このようにして作
られた箔を反応器セル内に周囲に沿つて固定し、
反応器セル内に水素を一方から導入する。箔を通
過した水素の量をクロマトグラフイーで測定す
る。操作時に、箔を50〜400℃の範囲内の温度に
おける循環加熱に付す。 添付の図面は、若干のパラジウム合金の水素透
過性と温度との関係を示すグラフである。即ち、
パラジウムおよびルテニウム(6%)の周知の合
金(曲線1)、およびランタンを添加した合金
で、パラジウム、ルテニウム6%、ランタン0.3
%の合金(曲線2)、パラジウム−ルテニウム6
%−ランタン0.6%(曲線3)、およびパラジウム
−ルテニウム6%−ランタン1%(曲線4)。曲
線における矢印は温度変化の方向を示す。 グラフから、調べられた温度範囲内では非常に
小さなヒステリシスが曲線2においては観察さ
れ、一方曲線3および曲線4の場合には存在して
いないことがわかる。パラジウム−ルテニウム6
%−ランタン0.6%の合金およびパラジウム−ル
テニウム6%−ランタン1%の合金の場合の水素
透過性曲線にヒステリシスが存在しないというこ
とは、水素または水素含有媒体の雰囲気中におけ
るこれらの合金の使用時に、これらの合金にはα
β転移が存在していないことを示す。 1種の水素化物α相のみが合金に存在している
と、耐熱性を実質上増大させ、そしてこれらの合
金から作られた膜の寿命を長くする。 同様の水素透過性および水素透過性と温度との
間の関係を示す曲線におけるヒステリシスの不存
在は、イツトリウム、セリウム、ネオジムおよび
サマリウムを添加したパラジウム−ルテニウム合
金の場合にも得られる。 接触法(ペンタジエンおよびニトロベンゼンの
水素添加)を実施する際、出発原料を10mmHgの
蒸気圧下で箔膜の一方から反応器を供給し、そし
て水素を他方から1気圧の圧力下で供給する。出
発化合物の蒸気の供給速度は75ml/分である。 例 1 パラジウム、ルテニウムおよびランタンの合金
を調製する。それらの組成および強度特性を以下
の表1に示す。
詳細にはパラジウムをベースとする水素透過性合
金に関するものである。 パラジウムをベースとする合金は、拡散による
水素の精製用の膜として、化学工業において水素
移動を伴なうプロセス用の触媒として、並びに医
学、電気工学および器具製造において電極、熱電
対、電気接点、電位差材料、半田付け組成物等と
して使用されている。 水素含有混合物の単離または商業的水素の拡散
による精製を経て超純粋な水素を得るために、パ
ラジウムおよびルテニウムをベースとする合金か
ら作られる水素透過性膜を使用している。現在、
40%までの銀を含有する合金を使用している(四
独特許第2305595号明細書;米国特許第3247648号
明細書;エー・エー・ロジナ等のジヤーナル・オ
ブ・フイジカル・ケミストリー、1979年、第5
号、第1350頁、ソ連)。 最大の水素透過性は、銀7.6〜9.6重量%含有の
合金において固有である。また、銀18〜25%含有
の合金も使用されている。後者の合金のより高い
安定性を得るために、他の元素、例えばインジウ
ムを配合する(エー・エー・ロジナ等のジヤーナ
ル・オブ・フイジカル・ケミストリー、1980年、
第6号、第1551頁参照)。 しかし、銀含有合金は水素添加および脱水素を
伴う化学的プロセスにおいて余り活性ではない。 水素精製に使用される金、銅、ホウ素、ニツケ
ル、ロジウム、セリウム、イツトリウムおよび白
金を含有するパラジウムをベースとする他の合金
は、機械的強度が不十分であるか(例えば、金お
よび銅を添加した合金)、水素および他の侵食性
媒体の影響下に破壊されてしまう(エー・ジー・
クナプトンの「プラチナン・メタルズ・レビユ
ー」、1977年、第21巻(2)、第44頁参照)。 パラジウムに金、銅および銀を配合すると、脱
水素反応におけるパラジウムの触媒活性が低下し
てしまう。白金を配合すると、パラジウムを更に
耐久性とし、触媒活性を増大させるが、合金の水
素透過性の値をかなり減少させる。更に、これら
の合金の大多数においては、2種の水素化物相α
およびβが生成され、一緒に存在する場合にはパ
ラジウム合金から作られた触媒の選択性を低下さ
せ、そして水素の影響下での破壊の理由となる。 米国特許第3238700号明細書は、ルテニウム4.5
重量%含有のパラジウム合金から作られる水素精
製用の膜を開示している。この合金の水素透過性
は純パラジウムの水素透過性を超えるが、この合
金は加熱および冷却の多サイクルで水素および炭
素の雰囲気中において操作する場合に短い寿命し
か有しておらず、そして2種の水素化物相(αお
よびβ)の存在を伴うと思われる接触法を実施す
る際に低い選択性を有する。膜の使用時に、α
βの転移が生じ、その結果膜の破膜が生ずる。更
に、これらの相の活性中心で生ずる反応が異なる
機構および速度論であるので、2種の水素化物相
の存在は水素添加および脱水素の接触法の選択性
を実質上低下させる。 本発明の目的は、水素の雰囲気下で破壊せず、
そして接触法の選択性を増大できるパラジウムを
ベースとする合金を提供することにある。 この目的は、ルテニウムおよび希土類元素を含
有し、そして次の組成 ルテニウム 4〜8重量% 希土類元素 0.3〜8重量% パラジウム 残 部 を有するパラジウムをベースとする合金によつて
達成される。 前記組成の合金は操作時により安定であり、ル
テニウム5%含有の従来の合金に比較して加熱−
冷却サイクルで4倍以上耐える。 前記のように、本発明の合金はルテニウム4〜
8重量%、希土類元素0.3〜8重量%およびパラ
ジウム残部からなる。 合金内のルテニウム含量の範囲は、特定の合金
の水素透過性および耐久性によつて限定される。
ルテニウムの最小含量(4%)および最大含量
(8%)における合金の水素透過性は、ルテニウ
ム6%の最適組成を有する合金の水素透過性と実
質上異ならない(ブイ・エム・グリアツノフ等
DAN SSSR、1973年、第211巻、第3号、第624
頁参照)。ルテニウムの含量が8%よりも多い場
合には、合金の水素透過性は実質上低下する。10
%よりも多いルテニウムを含有する合金は既に二
成分系合金であり、そして加工不可能である。 4%よりも少ないルテニウムを含有するパラジ
ウム合金は、十分な水素透過性を有するが、水素
の雰囲気中において操作時に不十分な耐久性しか
有していない。 希土類元素(REE)の含量の下限は、水素化
物相の存在によつて規定される。REE含量が0.3
重量%よりも少ない場合、望ましくいない第二の
水素化物β相がかなりの量で存在する。REE含
量が8%よりも多い場合、大多数の合金は二成分
であり、そして加工不可能である。 従つて、ルテニウムおよびREEの含量が前記
範囲内でない場合には、所期の結果が得られな
い。 本発明のパラジウム合金について各種の修正が
可能である。 ランタンおよびイツトリウムを含有する合金の
場合には、以下の組成物が接触法における高い水
素透過性、耐熱性および選択性のために最も効率
的であると推奨される。 ルテニウム 4〜8重量% ランタン 0.3〜2重量% パラジウム 残 部 及び ルテニウム 4〜8重量% イツトリウム 0.3〜8重量% パラジウム 残 部 ルテニウムおよびREEを有するパラジウム合
金を、非消耗性タングステン電極を有する電気ア
ーク真空炉内において水冷銅炉床上で精製ヘリウ
ムの雰囲気中において600〜800mmHgの圧力下で
溶融させる。炉室内の予備真空は3×10-4mmHg
以上である。合金化希土類元素を合金内に中間リ
ガーチヤー(ligature)を通して導入する。合金
の組成を化学的分析によつて制御する。 すべての溶融合金は微粒構造を有し、そして固
溶体の範囲内である。 厚さ100μmの膜−箔を、中間真空焼鈍を有す
る冷間変形法によつて合金から製造する。 水素透過性を測定する場合、このようにして作
られた箔を反応器セル内に周囲に沿つて固定し、
反応器セル内に水素を一方から導入する。箔を通
過した水素の量をクロマトグラフイーで測定す
る。操作時に、箔を50〜400℃の範囲内の温度に
おける循環加熱に付す。 添付の図面は、若干のパラジウム合金の水素透
過性と温度との関係を示すグラフである。即ち、
パラジウムおよびルテニウム(6%)の周知の合
金(曲線1)、およびランタンを添加した合金
で、パラジウム、ルテニウム6%、ランタン0.3
%の合金(曲線2)、パラジウム−ルテニウム6
%−ランタン0.6%(曲線3)、およびパラジウム
−ルテニウム6%−ランタン1%(曲線4)。曲
線における矢印は温度変化の方向を示す。 グラフから、調べられた温度範囲内では非常に
小さなヒステリシスが曲線2においては観察さ
れ、一方曲線3および曲線4の場合には存在して
いないことがわかる。パラジウム−ルテニウム6
%−ランタン0.6%の合金およびパラジウム−ル
テニウム6%−ランタン1%の合金の場合の水素
透過性曲線にヒステリシスが存在しないというこ
とは、水素または水素含有媒体の雰囲気中におけ
るこれらの合金の使用時に、これらの合金にはα
β転移が存在していないことを示す。 1種の水素化物α相のみが合金に存在している
と、耐熱性を実質上増大させ、そしてこれらの合
金から作られた膜の寿命を長くする。 同様の水素透過性および水素透過性と温度との
間の関係を示す曲線におけるヒステリシスの不存
在は、イツトリウム、セリウム、ネオジムおよび
サマリウムを添加したパラジウム−ルテニウム合
金の場合にも得られる。 接触法(ペンタジエンおよびニトロベンゼンの
水素添加)を実施する際、出発原料を10mmHgの
蒸気圧下で箔膜の一方から反応器を供給し、そし
て水素を他方から1気圧の圧力下で供給する。出
発化合物の蒸気の供給速度は75ml/分である。 例 1 パラジウム、ルテニウムおよびランタンの合金
を調製する。それらの組成および強度特性を以下
の表1に示す。
【表】
表1からランタンの添加は既知の合金の機械的
強度を増大させることがわかる。 ランタンを添加した合金からの膜についての接
触法のより高い選択性は、ペンタジエンの水素添
加反応において示される。プロセスパラメーター
を以下の表2に示す。
強度を増大させることがわかる。 ランタンを添加した合金からの膜についての接
触法のより高い選択性は、ペンタジエンの水素添
加反応において示される。プロセスパラメーター
を以下の表2に示す。
【表】
120℃の温度におけるペンタジエンの水素添加
反応において、ルテニウム6%を有するパラジウ
ム合金の膜は加熱および冷却の150回の熱サイク
ルに耐え、ルテニウム6%およびランタン0.3%
を有するパラジウム合金の膜は500サイクルに耐
え、一方ルテニウム6%およびランタン0.6%を
有するパラジウム合金およびルテニウム6%およ
びランタン1%を有するパラジウム合金から作ら
れた膜は全操作期間(800サイクル)の間破壊さ
れない。 例 2 パラジウム、ルテニウム、イツトリウムの合金
を調製する。それらの組成および強度特性を以下
の表3に示す。
反応において、ルテニウム6%を有するパラジウ
ム合金の膜は加熱および冷却の150回の熱サイク
ルに耐え、ルテニウム6%およびランタン0.3%
を有するパラジウム合金の膜は500サイクルに耐
え、一方ルテニウム6%およびランタン0.6%を
有するパラジウム合金およびルテニウム6%およ
びランタン1%を有するパラジウム合金から作ら
れた膜は全操作期間(800サイクル)の間破壊さ
れない。 例 2 パラジウム、ルテニウム、イツトリウムの合金
を調製する。それらの組成および強度特性を以下
の表3に示す。
【表】
イツトリウムの添加は既知の合金の機械的強度
を増大させることがわかる。 イツトリウムを添加した合金からの膜について
の接触法の選択性の改良は、ニトロベンゼンの水
素添加において示される。プロセス特性を以下の
表4に示す。
を増大させることがわかる。 イツトリウムを添加した合金からの膜について
の接触法の選択性の改良は、ニトロベンゼンの水
素添加において示される。プロセス特性を以下の
表4に示す。
【表】
250℃の温度における反応においてパラジウム
−ルテニウム6%およびイツトリウム2%を含有
する合金は、パラジウムおよびルテニウム6%か
らなる合金よりも4倍以上のサイクルに耐える。 イツトリウムの添加は、従来の合金の機械的強
度、耐熱性および選択性を増大させる。 例 3 同一の方法でパラジウム−ルテニウム−セリウ
ムの合金、パラジウム−ルテニウム−ネオジムの
合金およびパラジウム−サマリウムの合金を調製
する。それらの組成および機械的強度特性を以下
の表5に示す。
−ルテニウム6%およびイツトリウム2%を含有
する合金は、パラジウムおよびルテニウム6%か
らなる合金よりも4倍以上のサイクルに耐える。 イツトリウムの添加は、従来の合金の機械的強
度、耐熱性および選択性を増大させる。 例 3 同一の方法でパラジウム−ルテニウム−セリウ
ムの合金、パラジウム−ルテニウム−ネオジムの
合金およびパラジウム−サマリウムの合金を調製
する。それらの組成および機械的強度特性を以下
の表5に示す。
【表】
セリウム、ネオジムおよびサマリウムの添加は
パラジウムの機械的強度を増大させ、そしてラン
タンおよびイツトリウムと同様に耐熱性を増大さ
せ、かつこれらの合金から作られた膜の寿命を長
くし、並びにこれらの合金を使用して実施された
接触法の選択性を向上させる。
パラジウムの機械的強度を増大させ、そしてラン
タンおよびイツトリウムと同様に耐熱性を増大さ
せ、かつこれらの合金から作られた膜の寿命を長
くし、並びにこれらの合金を使用して実施された
接触法の選択性を向上させる。
図面はパラジウム合金の水素透過性と温度との
間の関係を示すグラフである。
間の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ルテニウムを配合したパラジウムをベースと
する合金において、希土類元素を含有し、そして
重量%で次の組成 ルテニウム 4〜8 希土類元素 0.3〜8 パラジウム 残 部 を有することを特徴とするパラジウムをベースと
する水素透過性合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20330181A JPS58107437A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | パラジウムをベ−スとする合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20330181A JPS58107437A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | パラジウムをベ−スとする合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107437A JPS58107437A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6140739B2 true JPS6140739B2 (ja) | 1986-09-10 |
Family
ID=16471758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20330181A Granted JPS58107437A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | パラジウムをベ−スとする合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107437A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HUP0402102A3 (en) * | 2001-11-08 | 2010-07-28 | Evonik Degussa Gmbh | Supported hydrogenating catalyst in powder form |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP20330181A patent/JPS58107437A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107437A (ja) | 1983-06-27 |
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