JPS6140767Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6140767Y2 JPS6140767Y2 JP6867282U JP6867282U JPS6140767Y2 JP S6140767 Y2 JPS6140767 Y2 JP S6140767Y2 JP 6867282 U JP6867282 U JP 6867282U JP 6867282 U JP6867282 U JP 6867282U JP S6140767 Y2 JPS6140767 Y2 JP S6140767Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- anode electrode
- plate
- filament
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は融点の低い材料からなる基板へカーボ
ン膜を成膜する装置に関する。
ン膜を成膜する装置に関する。
カーボン膜はその製法により固有の特性を示
す。第１図は炭素成分を持つた化合物のガスをイ
オン化して基板にカーボン膜を付着させるイオン
化成膜装置である。該装置において、先ず、被排
気室１内を、排気管２に外部で繋がつた排気系に
より高真空に排気し、石英棒３に巻いたカソード
フイラメント４を、加熱電源５の作動により加熱
する。同時に円盤状の二つの底面９Ａ，９Ｂと該
両底面間に適宜な間隔毎に金属線（例、タングス
テン線）を張り巡らした簾状の側面から成る円筒
状のアノード電極６と前記カソードフイラメント
４間に正の直流電圧を印加し、更に円筒状の基板
７と該フイラメント間に負の直流電圧を印加す
る。この状態で、ガス供給口８から前記被排気室
１内にアルゴンガスを入れ、前記フイラメント４
とアノード電極６間の電界内でプラズマ放電を生
じさせる。該放電によりアルゴンイオンAr″は前
記基板７方向に引き付けられ、該基板表面をボン
バートしてクリーニングする。該クリーニング
後、前記ガス供給口８からベンゼンガスの如き炭
化水素系のガスを前記被排気室１内へ導入する。
該ガスは前記カソードフイラメント４の熱により
加熱分解し、該フイラメントと前記アノード電極
６間の電界及び前記フイラメント４からの熱電子
の衝撃により電離する。該電離により生じた炭素
イオンは前記基板７とカソードフイラメント４間
に印加された負の高電圧により基板方向に加速さ
れ、該基板上にカーボン膜を成膜する。この様に
して炭素成分を持つた化合物のガスをイオン化し
て基板に付着させたカーボン膜は非常に硬く半透
明であることから、研削工具の刃先等種々のもの
に利用出来る。
す。第１図は炭素成分を持つた化合物のガスをイ
オン化して基板にカーボン膜を付着させるイオン
化成膜装置である。該装置において、先ず、被排
気室１内を、排気管２に外部で繋がつた排気系に
より高真空に排気し、石英棒３に巻いたカソード
フイラメント４を、加熱電源５の作動により加熱
する。同時に円盤状の二つの底面９Ａ，９Ｂと該
両底面間に適宜な間隔毎に金属線（例、タングス
テン線）を張り巡らした簾状の側面から成る円筒
状のアノード電極６と前記カソードフイラメント
４間に正の直流電圧を印加し、更に円筒状の基板
７と該フイラメント間に負の直流電圧を印加す
る。この状態で、ガス供給口８から前記被排気室
１内にアルゴンガスを入れ、前記フイラメント４
とアノード電極６間の電界内でプラズマ放電を生
じさせる。該放電によりアルゴンイオンAr″は前
記基板７方向に引き付けられ、該基板表面をボン
バートしてクリーニングする。該クリーニング
後、前記ガス供給口８からベンゼンガスの如き炭
化水素系のガスを前記被排気室１内へ導入する。
該ガスは前記カソードフイラメント４の熱により
加熱分解し、該フイラメントと前記アノード電極
６間の電界及び前記フイラメント４からの熱電子
の衝撃により電離する。該電離により生じた炭素
イオンは前記基板７とカソードフイラメント４間
に印加された負の高電圧により基板方向に加速さ
れ、該基板上にカーボン膜を成膜する。この様に
して炭素成分を持つた化合物のガスをイオン化し
て基板に付着させたカーボン膜は非常に硬く半透
明であることから、研削工具の刃先等種々のもの
に利用出来る。
所で、前記基板７として融点の低い材料（例、
プラスチツク）を用いた場合、前記カソードフイ
ラメント４からの輻射熱とイオンボンバードの効
果により、基板表面や基板自体が昇温（例、300
℃以上）して変形してしまう。そこで、基板７を
水冷する方法が考えられる。しかし、効果は少な
く、しかも水冷の設備が大へんである。
プラスチツク）を用いた場合、前記カソードフイ
ラメント４からの輻射熱とイオンボンバードの効
果により、基板表面や基板自体が昇温（例、300
℃以上）して変形してしまう。そこで、基板７を
水冷する方法が考えられる。しかし、効果は少な
く、しかも水冷の設備が大へんである。
本考案はこの様な点に鑑みてなされたもで、前
記アノード電極を複数の断面がくの字状の板状体
でなし、該板状体の角が前記基板方向に向く様に
且つ隣り合う板状体と間隔が明く様に各板状体を
配置した新規なイオン化成膜装置を提供するもの
である。
記アノード電極を複数の断面がくの字状の板状体
でなし、該板状体の角が前記基板方向に向く様に
且つ隣り合う板状体と間隔が明く様に各板状体を
配置した新規なイオン化成膜装置を提供するもの
である。
本考案は、例えば前記第１図にて示した様なイ
オン化成膜装置のアノード電極６の改良に特徴を
有する。第２図ａ及びｂは本考案に係るアノード
電極の一実施例を示したものである。本実施例に
おいて、アノード電極は円盤状の二つの底面９
Ａ，９Ｂと該両底面間に取り付けられた複数個の
高融点板状体（例、タンタル板）１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃ，…からなる。これらの板状体は、第
３図に示す様に断面がくの字状（内角は例えば60
°〜120°）をなしており、前記二つの底面９
Ａ，９Ｂ間に、該各板状体の角が基板７方向に向
く様に且つ隣り合う板状体と間隔（例、２〜10
mm）が明く様に取り付けられる。この様なアノー
ド電極を前記第１図に示す如きイオン化成膜装置
に設ければ、カソードフイラメント４からの輻射
熱の大部分はアノード電極をなす高融点板状体１
０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，…の内面に当たり、僅か
な量だけ各板状体の間隔から基板方向へ向かうだ
けである。又、フイラメント４とカソード電極間
で生じた炭素イオンは基板７とカソードフイラメ
ント４間に印加された負の高電圧により基板７方
向に加速され、第４図に示す様に、各板状体
（例、１０Ｍ，１０Ｎ）の間隙から、該各板状体
の斜面と斜面の間で、基板７方向へ広がつて吹き
出す様に飛翔し、該基板上に均一なカーボン膜を
成膜する。
オン化成膜装置のアノード電極６の改良に特徴を
有する。第２図ａ及びｂは本考案に係るアノード
電極の一実施例を示したものである。本実施例に
おいて、アノード電極は円盤状の二つの底面９
Ａ，９Ｂと該両底面間に取り付けられた複数個の
高融点板状体（例、タンタル板）１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃ，…からなる。これらの板状体は、第
３図に示す様に断面がくの字状（内角は例えば60
°〜120°）をなしており、前記二つの底面９
Ａ，９Ｂ間に、該各板状体の角が基板７方向に向
く様に且つ隣り合う板状体と間隔（例、２〜10
mm）が明く様に取り付けられる。この様なアノー
ド電極を前記第１図に示す如きイオン化成膜装置
に設ければ、カソードフイラメント４からの輻射
熱の大部分はアノード電極をなす高融点板状体１
０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，…の内面に当たり、僅か
な量だけ各板状体の間隔から基板方向へ向かうだ
けである。又、フイラメント４とカソード電極間
で生じた炭素イオンは基板７とカソードフイラメ
ント４間に印加された負の高電圧により基板７方
向に加速され、第４図に示す様に、各板状体
（例、１０Ｍ，１０Ｎ）の間隙から、該各板状体
の斜面と斜面の間で、基板７方向へ広がつて吹き
出す様に飛翔し、該基板上に均一なカーボン膜を
成膜する。
本考案によれば、直接基板表面に達するカソー
ドフイラメントからの輻射熱は極めて僅かである
ので、基板表面や基板自体が温度上昇することが
或る程度避けられ、例え、基板として融点の低い
材料（例、プラスチツク）を用いても、該基板が
変形したり、溶けたりすることは無い。
ドフイラメントからの輻射熱は極めて僅かである
ので、基板表面や基板自体が温度上昇することが
或る程度避けられ、例え、基板として融点の低い
材料（例、プラスチツク）を用いても、該基板が
変形したり、溶けたりすることは無い。
第１図は基板にカーボン膜を成膜する為のイオ
ン化成膜装置、第２図ａ及びｂは本考案に係るア
ノード電極の一実施例を示したもの、第３図はそ
の板状体の拡大図、第４図は、前記実施例の動作
の説明を補足する為の図である。 １：被排気室、３：石英棒、４：カソードフイ
ラメント、５：加熱電源、６：アノード電極、
７：基板、９Ａ，９Ｂ：底面、１０Ａ，１０Ｂ，
１０Ｃ，…：板状体。
ン化成膜装置、第２図ａ及びｂは本考案に係るア
ノード電極の一実施例を示したもの、第３図はそ
の板状体の拡大図、第４図は、前記実施例の動作
の説明を補足する為の図である。 １：被排気室、３：石英棒、４：カソードフイ
ラメント、５：加熱電源、６：アノード電極、
７：基板、９Ａ，９Ｂ：底面、１０Ａ，１０Ｂ，
１０Ｃ，…：板状体。
Claims (1)
- 被排気室内に、カソードフイラメント、該フイ
ラメントを囲う様にアノード電極、該アノード電
極の外に基板を各々配置し、前記カソードとアノ
ード電極間に負の電圧、前記カソードと基板間に
正の電圧を各々印加し、前記被排気室内に炭素成
分を持つ化合物のガスを導入して、前記基板にカ
ーボン膜を付着させるようになした装置におい
て、前記アノード電極を複数の断面がくの字状の
板状体でなし、該各板状体の角が前記基板方向に
向く様に且つ隣り合う板状体と間隔が明く様に各
板状体を配置したことを特徴とするイオン化成膜
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867282U JPS58172434U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | イオン化成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867282U JPS58172434U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | イオン化成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172434U JPS58172434U (ja) | 1983-11-17 |
| JPS6140767Y2 true JPS6140767Y2 (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=30078432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6867282U Granted JPS58172434U (ja) | 1982-05-11 | 1982-05-11 | イオン化成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172434U (ja) |
-
1982
- 1982-05-11 JP JP6867282U patent/JPS58172434U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58172434U (ja) | 1983-11-17 |
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