JPS6141765A - 真空蒸着法及び真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着法及び真空蒸着装置

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JPS6141765A
JPS6141765A JP16342984A JP16342984A JPS6141765A JP S6141765 A JPS6141765 A JP S6141765A JP 16342984 A JP16342984 A JP 16342984A JP 16342984 A JP16342984 A JP 16342984A JP S6141765 A JPS6141765 A JP S6141765A
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JP
Japan
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vacuum
bell jar
evaporated
deposited
inert gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP16342984A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Watanabe
俊夫 渡辺
Yoshitaka Tamura
田村 芳孝
Fumio Takeshita
竹下 文男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koito Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Koito Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Koito Manufacturing Co Ltd filed Critical Koito Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16342984A priority Critical patent/JPS6141765A/ja
Publication of JPS6141765A publication Critical patent/JPS6141765A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な真空蒸着法及び真空蒸着装置に関する。
詳しくは、蒸着面の形状を問わず全蒸着面に略均−な膜
厚の蒸着膜を得ることができ、更には、蒸着膜の厚さを
薄くして7X着金屈の使用量を節約し、かつ、蒸着時間
を短縮して、コストを低くすることができる新規な真空
15着法及び真空7M着装置を提供しようとするもので
ある。
従来技術 真空蒸着法lす金斥片嗅を形哉する方法として一般的に
使用されているが、従来の真空蒸着法では、被蒸着物の
苺着面の形状が複雑になると均一な厚さの蒸着膜が得ら
れ難いという欠点がある。
従来の真空蒸着法においては、ベルジャ内を略5X10
→Torr位の真空度にして行なっているが、これには
2つの問題点がある。
先ず、第1に5XIO−’Tarr位の真空度であると
、まだ、かなりの酸素ガス(02)がベルジャ内に残存
しており、蒸発分子と結合してこれを酸化させるという
問題がある0例えば、蒸着金属としてアルミニウム(A
t)を使用してアルミニウム反射膜を得ようとする場合
、At分子のあるものが酸素と結合し、アルミナ(Al
2O2)となり、これが蒸着面に被着してしまう、そし
て、このアルミナ(Al2O2)は透明であって、これ
が被着したところは反射面としての機能を果さないので
、その分を見込んで蒸着膜を厚くしなければならない、
このため、従来の真空蒸着法によって自動車用前照灯の
反射膜を形成する場合にはアルミニウム蒸着膜の厚さを
1600Å以上としなければならなかった。
第2に、ベルジャ内を10″′5Torr位の真空度と
すると、蒸発分子の直進性が強く、蒸着面の形状が複雑
になると、均一な膜厚が得られない。
即ち、第6図に示すように、蒸着源aがら蒸発分子す、
b、−・・が直進するため、被蒸着物C,Cの蒸着面d
、dのうち、蒸着源aに対して死角となる部分eが出来
てしまい、この部分eの膜厚が極端に薄くなってしまう
このために、従来では、このような死角部分eを無くす
ために、被蒸着物を回転させたり、蒸着源の数を増やす
のなどの工夫をしているが、これらはいきおい装置の価
格を高いものとしてしまうし、また、これらの工夫をす
るといっても、それには限界があり、充分な対策とはな
っていない。
発明が解決しようとする問題点 そこで、本発明は、蒸発分子が酸化することがなく、ま
た、被蒸着物を回転させたり、あるいは蒸着源を増やし
たりすることなしに、複雑な形状の蒸着面に対しても死
角を生ずることなしに、従って、均一な膜厚の蒸着膜を
得ることのできる新規な真空蒸着法及び真空蒸tj′装
置を提供することを目的とする。
発明の概要 本発明は、上記した目的を達成するために為されたもの
で、その真空蒸着法は、ベルジャ内に被蒸着物を配置し
、ベルジャ内を減圧した雰囲気中で蒸着金属を蒸発させ
、その蒸発分子を前記被蒸着物に被着する方法において
、先ずベルジャ内を高真空度とした後、ベルジャ内に不
活性ガスを導入して低真空度とし、この低真空度雰囲気
中で蒸着金属を蒸発させてその蒸発分子を被蒸着物に被
着するようにしたことを特徴とする。また、本発明真空
蒸着装置は、被蒸着物が収容されると共に蒸着金属を蒸
発せしめる蒸発ボートが配置されたベルジャと、該ベル
ジャ内を減圧する手段と、更にベルジャ内に不活性ガス
を導入する手段とから成ることを特徴とする。
作用 従って、本発明真空蒸着法及び真空薄着装置によれば、
ベルジャ内を一旦高真空度とするためにベルジャ内の酸
素は略完全に除去され、蒸発分子が酸化される惧れかな
い、また、その後に不活性ガスをベルジャ内に導入して
真空度を低くするので、蒸発分子は不活性ガスの分子に
衝突して頻繁に方向を変えられるため、蒸着源からは死
角となるような部分にまで蒸発分子が良く回り込み、複
雑な形状をした蒸着面であっても、全体に厚み斑を生ず
ることなく、均一な膜厚の蒸着膜を得ることができる。
実施例 以下に、本発明真空蒸着法及び真空蒸着装置の詳細を図
示した実施例に従って説明する。
先ず、本発明に係る真空蒸着装置の一例について説明す
る。
図中1が真空蒸着機である。
2がベルジャであり、後面中央部が拡散ポンプ3と連結
され、また、不活性ガス供給パイプ4の一端が天面部に
連結されている。
5は被蒸着物ラックであり、ベルジャ2内の上方部に配
置され、該ラック5には複数の被蒸着物6,6、・φ畳
が配置支持されている0図面では被蒸着物として、自動
車用前照灯に用いるFRP製のりフレフタ6.6、・・
・を示しである。この被蒸着物ラック5はベルジャ2の
上方部−側に設けられた入ロアからベルジャ2内に導入
され、ベルジャ2の上方部他側に設けられた出口8から
ベルジャ2外へ導出される。尚、この被蒸着物ラック5
の移動機構は図示を省略した。また、入ロア及び出口8
はが蒸着時には当然密閉される。
9.9は蒸発ボートであり、ベルジャ2内において、被
蒸着物ラック5の下方に配置され、この上に、図示しな
いが、蒸着金属、例えばアルミニウム箔等が乗載される
しかして、被蒸着物6.6.・・争を支持したラック5
をベルジャ2内の所定の位置に配置し、蒸着金属、例え
ば、アルミニウムの箔や細片を蒸発ボート9.9上に乗
載し、入ロア及び出口8を密閉して準備が完了する。
そこで、先ず、拡散ポンプ3を駆動して、ベルジャ2内
が9 X 104Torr以上の真空度となるようにす
る。
E記のように、ベルジャ2内を高い真空度とした後に、
不活性ガス供給パイプ4から不活性ガスをベルジャ2内
に導入し、ベルジャ2内の真空度を低くする。この場合
のベルジャ2内の真空度は9X10−’↑orr乃至I
 X 10’Torr位とするのが適当である。また、
ベルジャz内に導入する不活性ガスは、その種類を問わ
ないが、アルゴン(Ar)かネオン(Ne)とするのが
好適である。クリプトンは高価であり、また、ヘリウム
(He)は分子が小さいためベルジャのリーク対策が大
変で、装置が高価となる。更に、キセノンは高価である
0以上のような理由からアルゴン(Ar)又はネオン(
N e)が好適であるが、アルゴン(Ar)の方がより
安価である。
そして、上記した雰囲気下において蒸着工程を行なう。
すると、蒸発分子、例えば、アルミニウムの蒸発分子は
、第4図に模型的に示すように、不活性ガスの分子、例
えば、Ar分子と衝突をしてその進路を変えられるため
、第5図に示すように、被蒸着物6の蒸着面10の隅々
にまで充分に行きわたり、蒸着面10に斑無く均一な膜
厚のアルミニウム蒸着膜11が形成されることになる。
しかも、ベルジャz内には酸素が殆ど無いか、仮りにあ
ったとしても、きわめて微量であるため、きわめて品位
の高い蒸着膜を得ることができ、従って、蒸着膜の厚さ
もそれ程厚くする必要がなく、自動重用前照灯のりフレ
フタの反射膜をアルミニウム蒸着膜によって形成する場
合でも800〜1000人の厚さに蒸着すれば充分であ
る− 発明の効果 以上に記載したところから明らかなように、本発明真空
蒸着法は、ベルジャ内に被蒸着物を配置し、ベルジャ内
を減圧した雰囲気中で蒸着金属を蒸発させ、その蒸発分
子を前記被蒸着物に被着する方法において、先ずベルジ
ャ内を高真空度とした後、ベルジャ内に不活性ガスを導
入して低真空度とし、この低真空度雰囲気中で蒸着金属
を蒸発させて蒸発分子を被蒸着物に被着するようにした
ことを特徴とする。また、本発明真空蒸着装置は、被蒸
着物が収容されると共に蒸着金属を茄発せしめる蒸発ボ
ートが配置されたベルジャと、該ベルジャ内を減圧する
手段と、更にベルジャ内に不活性ガスを導入する手段と
から成ることを特徴とする。
従って、本発明によれば、ベルジャ内を一旦高真空度と
するためにベルジャ内の酸素は略完全に除去され、蒸発
分子が酸化される惧れがない、また、その後に不活性ガ
スをベルジャ内に導入して真空度を低くするので、蒸発
分子は不活性ガスの分子に衝突して頻繁に方向を変えら
れるため、1に清涼からは死角となるような部分にまで
蒸発分子が良く回り込み、複雑な形状をした′IN着面
であっても、全体に厚み斑を生ずることなく、均一な膜
厚の蒸着膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明真空蒸着装置の一例を示すも
ので、第1図は平面図、第2図は第1図のTl−H線に
沿う断面図、第3図は一部を切欠いて示す側面図、第4
図及び第5図は大発明における蒸発分子の挙動を模型的
に示す図、第6図は従来の真空蒸着法における蒸発分子
の挙動を模型的に示す図である。 符号の説明 1嗜争・真空蒸着装置、  2・・・ベルジャ、3・・
・ベルジャ内を減圧する手段。 4・・―不活性ガスをベルジャ内に導入する手段 出 願 人 株式会社小糸製作所 代理人出願人  小  松  祐  拍第1図 第3図 第4図 15図 第6図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ベルジャ内に被蒸着物を配置し、ベルジャ内を減
    圧した雰囲気中で蒸着金属を蒸発させ、その蒸発分子を
    前記被蒸着物に被着する方法において、先ずベルジャ内
    を高真空度とした後、ベルジャ内に不活性ガスを導入し
    て低真空度とし、この低真空度雰囲気中で蒸着金属を蒸
    発させてその蒸発分子を被蒸着物に被着するようにした
    ことを特徴とする真空蒸着法
  2. (2)高真空度とは9×10^−^5Torr以上の真
    空度であり、低真空度とは1×10^−^4Torr乃
    至9×10^−^4Torrの真空度であることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の真空蒸着法
  3. (3)被蒸着物が収容されると共に蒸着金属を蒸発せし
    める蒸発ボートが配置されたベルジャと、該ベルジャ内
    を減圧する手段と、更にベルジャ内に不活性ガスを導入
    する手段とから成ることを特徴とする真空蒸着装置
JP16342984A 1984-08-02 1984-08-02 真空蒸着法及び真空蒸着装置 Pending JPS6141765A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04371569A (ja) * 1991-06-17 1992-12-24 Iwao Ogura 真空蒸着方法及びその装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50127883A (ja) * 1974-03-29 1975-10-08
JPS5844713A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 蒸着方法

Patent Citations (2)

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