JPS6142345B2 - - Google Patents
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- JPS6142345B2 JPS6142345B2 JP1546577A JP1546577A JPS6142345B2 JP S6142345 B2 JPS6142345 B2 JP S6142345B2 JP 1546577 A JP1546577 A JP 1546577A JP 1546577 A JP1546577 A JP 1546577A JP S6142345 B2 JPS6142345 B2 JP S6142345B2
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- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 18
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は強誘電体装置（ferroeIectric
device）の製造方法に関する。該方法は基質を化
学的に洗浄し、次いて基質を電波エツチング
（radio freq uency etching）する工程を含む。
次いで基質を予熱し、第１電気接触体を基質上に
形成し、該接触体の少なくとも一部上に硝酸カリ
ウムの安定な薄膜を蒸着する。次に、第２接触体
を上記薄膜の少なくとも一部上に形成する。さら
にシリコンモノオキサイドの被膜をこの組合せ体
全体に亘つて真空蒸着し、これを約24時間約160
℃の温度でアニーリングする。 本発明の一実施態様によれば、第１の電気接触
体を形成し、しかる後１×10-5トルより大きくな
い圧力下での真空蒸着により上記接触体の少なく
とも一部上に硝酸カリウムの安定な薄膜を形成す
る工程を含む強誘電体装置の製造方法が提供され
る。次いで、第２の接触体を上記薄膜の少なくと
も一部上に形成し、さらに上記第１の接触体、上
記薄膜および上記第２の接触体上にシリコンモノ
オキサイドの被膜を真空蒸着する。この被膜を有
する組合せ体は次いで所定時間所定の温度で加熱
される。 本発明の好ましい別の実施態様によれば、基質
を化学的に洗浄し、次いで電波エツチングする工
程を含む強誘電体の製造方法が提供される。次い
で、該基質を予熱し、しかる後にその上に第１金
属層を真空蒸着する。次に、硝酸カリウムの薄膜
の真空蒸着を行う。さらに、この硝酸カリウムの
頂部に第２金属層を蒸着し、続いてこの第２層上
にシリコンモノオキサイド被膜の真空蒸着を行
う。最後に、かくして製造した装置をオーブン中
で約24時間約160℃の温度でアニーリングする。 本発明はまたこのような新規な方法により製造
した強誘電体装置を提供する。 従つて、本発明の１つの目的は、現在この技術
分野の製品により保証されている書き込み／読み
取りサイクル数を超えた強誘電体装置及びその製
造方法を提供することにある。 本発明の更なる目的は、相硝酸カリウムの相
硝酸カリウムへの戻りを防ぐ強誘電体装置の製
造方法およびそれにより製造した装置を提供する
ことにある。 本発明の好ましい実施態様による新規な強誘電
体の製造方法は、アルミニウム、銀、金等の適当
な金属物質の第１電気接触体を形成する工程を含
み、次いで１×10-5トルよりも大きくない圧力下
での真空蒸着により、上記第１接触体の少なくと
も一部上に硝酸カリウムの安定な薄膜を形成し、
次いで、上記した金属物質のいずれかである第２
電気接触体を上記薄膜の少なくとも一部上に形成
し、さらに、上記第１接触体、上記薄膜および上
記第２接触体上にシリコンモノオキサイドを真空
蒸着し、次に、かくして製造した装置を所定時間
所定の温度で加熱する。この結果、従来製造され
たいかなるものよりも優れた製品を得る。 薄膜の相硝酸カリウムは極めて潮解性であ
る。通常の室内環境にさらしたとき、この相結
晶構造はその潮解性のために相に戻る傾向を有
する。 本発明により装置を製造すれば、シリコンモノ
オキサイドの不動態層がその上に蒸着されて硝酸
カリウムを外的環境から保護する。 任意の工程として、装置を包装するときには、
装置をシリコンゲルで被覆してさらに保護しても
よい。 上記の方法により製造した実際の装置の具体例
として、ガラス被覆した28ピンセラミツク強誘電
体からなる包装メモリーを１パイントの水に挿入
しその中に約72時間セツトした装置を４時間毎に
チエツクしたところ、72時間後でまた十分に活性
あつた。次いで装置を棚上で貯蔵し１週間後にチ
エツクしたところ、依然として活性であつた。こ
の試験を３回繰返しても一貫した結果を得た。 本発明の別の実施態様によれば、基質を先ず化
学的に洗浄し、しかる後電波エツチングを行う。
次いで該基質を約160℃に予熱する。しかる後ア
ルミニウム、銀、金等の電気接触体の第１層を真
空蒸着する。そしてさらに、この組合せ体を約
160℃の温度で約15分間加熱する。 次に、その上に硝酸カリウムの薄膜を真空蒸着
し、この組合せ体をさらに約160℃で約15分間加
熱する。 続いて、その上にシリコンモノオキサイドの被
膜を真空蒸着する。必要ならば、さらにシリコン
ゲルを施し、次いで該組合せ体を約24時間160℃
の温度に加熱する。 変法としては、上記各工程の後の加熱工程は必
要としない。しかし、最終の加熱工程のみは用い
得る。 また、本発明の一つの特徴は硝酸カリウムの薄
膜を1500オングストローム単位の厚さに保つこと
である。 次の表Ａは本発明方法によつて製造した装置の
いくつかの具体例を示す。
device）の製造方法に関する。該方法は基質を化
学的に洗浄し、次いて基質を電波エツチング
（radio freq uency etching）する工程を含む。
次いで基質を予熱し、第１電気接触体を基質上に
形成し、該接触体の少なくとも一部上に硝酸カリ
ウムの安定な薄膜を蒸着する。次に、第２接触体
を上記薄膜の少なくとも一部上に形成する。さら
にシリコンモノオキサイドの被膜をこの組合せ体
全体に亘つて真空蒸着し、これを約24時間約160
℃の温度でアニーリングする。 本発明の一実施態様によれば、第１の電気接触
体を形成し、しかる後１×10-5トルより大きくな
い圧力下での真空蒸着により上記接触体の少なく
とも一部上に硝酸カリウムの安定な薄膜を形成す
る工程を含む強誘電体装置の製造方法が提供され
る。次いで、第２の接触体を上記薄膜の少なくと
も一部上に形成し、さらに上記第１の接触体、上
記薄膜および上記第２の接触体上にシリコンモノ
オキサイドの被膜を真空蒸着する。この被膜を有
する組合せ体は次いで所定時間所定の温度で加熱
される。 本発明の好ましい別の実施態様によれば、基質
を化学的に洗浄し、次いで電波エツチングする工
程を含む強誘電体の製造方法が提供される。次い
で、該基質を予熱し、しかる後にその上に第１金
属層を真空蒸着する。次に、硝酸カリウムの薄膜
の真空蒸着を行う。さらに、この硝酸カリウムの
頂部に第２金属層を蒸着し、続いてこの第２層上
にシリコンモノオキサイド被膜の真空蒸着を行
う。最後に、かくして製造した装置をオーブン中
で約24時間約160℃の温度でアニーリングする。 本発明はまたこのような新規な方法により製造
した強誘電体装置を提供する。 従つて、本発明の１つの目的は、現在この技術
分野の製品により保証されている書き込み／読み
取りサイクル数を超えた強誘電体装置及びその製
造方法を提供することにある。 本発明の更なる目的は、相硝酸カリウムの相
硝酸カリウムへの戻りを防ぐ強誘電体装置の製
造方法およびそれにより製造した装置を提供する
ことにある。 本発明の好ましい実施態様による新規な強誘電
体の製造方法は、アルミニウム、銀、金等の適当
な金属物質の第１電気接触体を形成する工程を含
み、次いで１×10-5トルよりも大きくない圧力下
での真空蒸着により、上記第１接触体の少なくと
も一部上に硝酸カリウムの安定な薄膜を形成し、
次いで、上記した金属物質のいずれかである第２
電気接触体を上記薄膜の少なくとも一部上に形成
し、さらに、上記第１接触体、上記薄膜および上
記第２接触体上にシリコンモノオキサイドを真空
蒸着し、次に、かくして製造した装置を所定時間
所定の温度で加熱する。この結果、従来製造され
たいかなるものよりも優れた製品を得る。 薄膜の相硝酸カリウムは極めて潮解性であ
る。通常の室内環境にさらしたとき、この相結
晶構造はその潮解性のために相に戻る傾向を有
する。 本発明により装置を製造すれば、シリコンモノ
オキサイドの不動態層がその上に蒸着されて硝酸
カリウムを外的環境から保護する。 任意の工程として、装置を包装するときには、
装置をシリコンゲルで被覆してさらに保護しても
よい。 上記の方法により製造した実際の装置の具体例
として、ガラス被覆した28ピンセラミツク強誘電
体からなる包装メモリーを１パイントの水に挿入
しその中に約72時間セツトした装置を４時間毎に
チエツクしたところ、72時間後でまた十分に活性
あつた。次いで装置を棚上で貯蔵し１週間後にチ
エツクしたところ、依然として活性であつた。こ
の試験を３回繰返しても一貫した結果を得た。 本発明の別の実施態様によれば、基質を先ず化
学的に洗浄し、しかる後電波エツチングを行う。
次いで該基質を約160℃に予熱する。しかる後ア
ルミニウム、銀、金等の電気接触体の第１層を真
空蒸着する。そしてさらに、この組合せ体を約
160℃の温度で約15分間加熱する。 次に、その上に硝酸カリウムの薄膜を真空蒸着
し、この組合せ体をさらに約160℃で約15分間加
熱する。 続いて、その上にシリコンモノオキサイドの被
膜を真空蒸着する。必要ならば、さらにシリコン
ゲルを施し、次いで該組合せ体を約24時間160℃
の温度に加熱する。 変法としては、上記各工程の後の加熱工程は必
要としない。しかし、最終の加熱工程のみは用い
得る。 また、本発明の一つの特徴は硝酸カリウムの薄
膜を1500オングストローム単位の厚さに保つこと
である。 次の表Ａは本発明方法によつて製造した装置の
いくつかの具体例を示す。
【表】
表Ａにおいて、蒸着時間の単位は分であり、試
験厚は結晶厚／速度モニターにより測定したセツ
トポイント厚および密度を示す。 これらの具体例から108〜1010サイクルで成功
裏に周波することのできる強誘電体装置が得られ
ることが判明した。これは主として硝酸カリウム
薄膜が1500オングストローム以下、好ましくは
600〜800オングストロームの範囲の厚さを有する
金電極によつて得られた。 また、シリコンモノオキサイド被膜を施した後
の加熱工程は、ゲル物質を施す前にあつては、
100℃〜300℃の温度、好ましくは約180℃の温度
で約15分間加熱乃至アニーリングするだけでよい
ことが明らかになつた。また、金電極の厚さを約
150オングストロームに保つことが好ましいこと
も明らかになつた。 使用寿命を決定する第２のパラメーターは強誘
電体電池を書き込みし、消去的に読み取り、また
その繰返す時間量即ち書き込み／読み取りサイク
ルの総数である。本発明によれば、書き込み／読
み取りサイクルは少なくとも108に改良される。
実験によれば850キロヘルツで1010サイクル周波
し、全出力はその本来の値即ち±５％であつた。
窒化物メモリー製品はわずかに106〜107書き込
み／読み取りサイクル寿命を保証したのみであつ
た。本発明により製造した装置は833333のレプ速
度で12026秒間スイツチした。この値は1.002×
1010サイクルを示す。 窒化物メモリーと異なり、本発明により製造し
た装置の滞留時間は書き込み時間の関数ではな
い。読み取りおよび書き込み時間は本発明の装置
にとつて対称的である。 また、本発明の装置は耐放射線性がある。本発
明の装置は107ガンマーの放射線を受けても正常
に機能しデータを残した。その際、該装置はガン
マー線源に近接して位置させておいた。これに対
し、双極装置は106ガンマーで破壊し、また市販
の他のメモリー装置は105ガンマーまたはそれ以
下で破壊した。
験厚は結晶厚／速度モニターにより測定したセツ
トポイント厚および密度を示す。 これらの具体例から108〜1010サイクルで成功
裏に周波することのできる強誘電体装置が得られ
ることが判明した。これは主として硝酸カリウム
薄膜が1500オングストローム以下、好ましくは
600〜800オングストロームの範囲の厚さを有する
金電極によつて得られた。 また、シリコンモノオキサイド被膜を施した後
の加熱工程は、ゲル物質を施す前にあつては、
100℃〜300℃の温度、好ましくは約180℃の温度
で約15分間加熱乃至アニーリングするだけでよい
ことが明らかになつた。また、金電極の厚さを約
150オングストロームに保つことが好ましいこと
も明らかになつた。 使用寿命を決定する第２のパラメーターは強誘
電体電池を書き込みし、消去的に読み取り、また
その繰返す時間量即ち書き込み／読み取りサイク
ルの総数である。本発明によれば、書き込み／読
み取りサイクルは少なくとも108に改良される。
実験によれば850キロヘルツで1010サイクル周波
し、全出力はその本来の値即ち±５％であつた。
窒化物メモリー製品はわずかに106〜107書き込
み／読み取りサイクル寿命を保証したのみであつ
た。本発明により製造した装置は833333のレプ速
度で12026秒間スイツチした。この値は1.002×
1010サイクルを示す。 窒化物メモリーと異なり、本発明により製造し
た装置の滞留時間は書き込み時間の関数ではな
い。読み取りおよび書き込み時間は本発明の装置
にとつて対称的である。 また、本発明の装置は耐放射線性がある。本発
明の装置は107ガンマーの放射線を受けても正常
に機能しデータを残した。その際、該装置はガン
マー線源に近接して位置させておいた。これに対
し、双極装置は106ガンマーで破壊し、また市販
の他のメモリー装置は105ガンマーまたはそれ以
下で破壊した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電気接触体を形成する工程； １×10-5トルより大きくない圧力での真空蒸着
により、硝酸カリウムの安定な薄膜を上記接触体
の少なくとも一部上に形成する工程； 第２の接触体を上記薄膜の少なくとも一部上に
形成する工程； シリコンモノオキサイドの被膜を上記第１の接
触体、上記薄膜および上記第２の接触体上に蒸着
させる工程；および 上記第１および第２の接触体、上記硝酸カリウ
ム薄膜および上記シリコンモノオキサイド被膜を
所定時間、所定温度下に加熱する工程； の諸工程からなる強誘電体装置の製造方法。 ２ 前記所定時間が約15分であり、上記所定温度
が約100℃〜300℃の範囲内にある特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ３ 前記第１および第２の接触体が金である特許
請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４ 前記硝酸カリウムの薄膜を1500オングストロ
ーム単位の厚さに蒸着させる特許請求の範囲第１
項、第２項または第３項記載の方法。 ５ 前記硝酸カリウムの薄膜を約600〜800オング
ストローム単位の範囲内の厚さに蒸着させる特許
請求の範囲の前記いずれかの項に記載の方法。 ６ 前記装置を、それを包装するとき、シリコン
ゲルにより被覆する工程を含む特許請求の範囲の
前記いずれかの項に記載の方法。 ７ 前記第１および第２の接触体が金であり、約
150オングストローム単位の厚さを有する特許請
求の範囲の前記いずれかの項記載の方法。 ８ 前記第１の接触体を形成する前に、基質を先
ず化学的に洗浄し、電波エツチングを行い、そし
て前記接触体を上記基質に蒸着させる前に予熱す
る特許請求の範囲の前記いずれかの項に記載の方
法。 ９ 前記第１の接触体を形成させた後および前記
シリコンモノオキサイドの被膜を蒸着させる前に
少なくとも１回の追加加熱工程を含む特許請求の
範囲前記いずれかの項に記載の方法。 １０ 第１の電気接触体と； １×10-5トルより大きくない圧力での真空蒸着
により、上記接触体の少なくとも一部上に形成さ
れた硝酸カリウムの安定な薄膜と； 上記薄膜の少なくとも一部上に形成された第２
の接触体； 上記第１の接触体、上記薄膜および上記第２の
接触体上に蒸着されたシリコンモノオキサイドの
被膜とからなり、 上記第１および第２の接触体、上記硝酸カリウ
ム薄膜および上記シリコンモノオキサイド被膜を
所定時間、所定温度で加熱することにより得られ
ることを特徴とする強誘電体装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/658,199 US4195355A (en) | 1970-09-28 | 1976-02-17 | Process for manufacturing a ferroelectric device and devices manufactured thereby |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52125245A JPS52125245A (en) | 1977-10-20 |
| JPS6142345B2 true JPS6142345B2 (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=24640306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1546577A Granted JPS52125245A (en) | 1976-02-17 | 1977-02-15 | Method of fabricating ferrodielectric device and device fabricated by said method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52125245A (ja) |
| AU (1) | AU2229577A (ja) |
| GB (1) | GB1527341A (ja) |
| IT (1) | IT1079574B (ja) |
| NL (1) | NL7701683A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2140460B (en) * | 1983-05-27 | 1986-06-25 | Dowty Electronics Ltd | Insulated metal substrates |
| US8519846B2 (en) | 2004-03-16 | 2013-08-27 | Newage Industries, Inc. | Tracking system for gamma radiation sterilized bags and disposable items |
| US8405508B2 (en) * | 2006-08-09 | 2013-03-26 | Emd Millipore Corporation | Use of gamma hardened RFID tags in pharmaceutical devices |
| US8957778B2 (en) | 2007-08-02 | 2015-02-17 | Emd Millipore Corporation | Sampling system |
-
1977
- 1977-02-10 GB GB557977A patent/GB1527341A/en not_active Expired
- 1977-02-15 AU AU22295/77A patent/AU2229577A/en not_active Expired
- 1977-02-15 JP JP1546577A patent/JPS52125245A/ja active Granted
- 1977-02-16 IT IT2034677A patent/IT1079574B/it active
- 1977-02-17 NL NL7701683A patent/NL7701683A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2229577A (en) | 1978-08-24 |
| JPS52125245A (en) | 1977-10-20 |
| GB1527341A (en) | 1978-10-04 |
| IT1079574B (it) | 1985-05-13 |
| NL7701683A (nl) | 1977-08-19 |
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