JPS6142855B2

JPS6142855B2 -

Info

Publication number: JPS6142855B2
Application number: JP53043853A
Authority: JP
Inventors: Takanori Hayafuji; Seiji Kawato; Yoshio Aoki; Shoji Wakayama
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1978-04-14
Filing date: 1978-04-14
Publication date: 1986-09-24
Also published as: JPS54136274A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はダイオード、トランジスタ、IC等の
半導体装置を製造するための方法に関するもので
ある。従来の半導体素子の製造にはCZ結晶とFZ結晶
とが使用されている。これらの結晶は素子の種
類、素子の製造条件によつて使いわけされている
が、いずれも一長一短の性質を有している。即ちまずCZ結晶について述べると、この結晶
は通常10¹⁸オーダー、例えば1.3×10¹⁸原子／cm³度
と高濃度の酸素を含有している。ところがCZ結
晶を例えば1100℃で熱処理すれば、この熱処理温
度での酸素固溶限界（４×10¹⁷原子／cm³）を越え
る過剰分の酸素が析出物として成長してしまい、
またこの析出物から積層欠陥や転位も発生する。
これらの結晶欠陥は素子の特性を悪化させること
になる。但、酸素やその析出物は、半導体ウエハ
の周辺や裏面で発生した転位がウエハ全体に伝播
するのを阻止するという、いわゆるピンニング
（Pinnin）効果を有している。他方、FZ結晶には通常５×10¹⁵原子／cm³以下
（例えば10¹⁵原子／cm³）の酸素しか含まれていな
いので、CZ結晶において見られたような上述の
欠陥は発生しないが、酸素濃度が低いために上記
のピンニング効果がなく、ウエハの周辺や裏面か
らの多くの転位が熱処理中に伝播してしまうとい
う欠点がある。本発明は上述の如き欠点を是正すべく発生され
たものであつて、半導体基板に対する熱処理工程
を含む半導体装置の製造方法において、５×10¹⁵
〜１×10¹⁸原子／cm³の酸素を含有するシリコン基
板を前記半導体基板として用い、前記熱処理工程
の後に前記シリコン基板に対する裏面ゲツタリン
グを行うようにしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法に係るものである。このように構成す
ることによつて、従来のCZ結晶及びFZ結晶の
夫々の長所を生かしつつ結晶欠陥の発生を皆無に
した装置を提供することができる。一般に、半導体素子の製造においては出発材料
として使用する結晶を問題にする場合、CZ結晶
がFZ結晶かという択一的な議論はなされてきた
が、その本質である酸素濃度については全く考慮
されていなかつた。本発明は従来に考え方を根本
的に変更し、結晶中の酸素濃度を従来のFZ結晶
より高い５×10¹⁵原子／cm³以上としてFZ結晶に
はなかつた上記のピンニング効果を具備せしめ、
またその酸素濃度を各種熱処理温度での固溶限界
以下である１×10¹⁸原子／cm³以下として過剰酸素
による析出物の成長を防止したのである。各熱処
理温度における酸素固溶限は下記に示す通りであ
る。熱処理温度（℃）酸素固溶限（原子／cm³） 900 １×10¹⁷ 1000 ２×10¹⁷ 1100 ４×10¹⁷ 1200 ７×10¹⁷ 1300 1.3×10¹⁸ 1400 1.8×10¹⁸ 本発明では、酸素濃度の下限はFZウエハの１
×10¹⁵原子／cm³以上とし、また上限は１×10¹⁸原
子／cm³以下とすれば、RZ結晶の利点を生かしつ
つその欠点を除去できる上に、酸素濃度最高温度
における10¹⁸オーダーの固溶限以下に保持し得て
1300〜1400℃以下、特に実用温度範囲である1000
〜1200℃において酸素の析出を有効に防止して欠
陥の発生をなくすことができる。この結果、雑音
特性、漏れ電流特性、スイツチング特性、CCD
等のストレイジ特性等を飛躍的に改善できる。次に、本発明を実施例に付き詳細に説明する。試料まず試料としては、酸素濃度が〜10¹⁸原子／cm³
（CZウエハ：試料１）、〜10¹⁷原子／cm³（試料
２）、〜10¹⁶原子／cm³（試料３）、〜10¹⁵原子／cm³
（FZウエハ：試料４）の４種類のシリコンウエハ
を使用した。このうち、酸素濃度が〜10¹⁷又は〜
10¹⁶原子／cm³のウエハ（試料２及び３）はEZウ
エハと称され、CZ法で得られたインゴツトをFZ
法によつて酸素濃度を減らしつつ結に育成し、こ
の育成結晶から切り出して得られたものである。そして素子特性の評価のために、上記の各ウエ
ハを用いてMOSキヤパシタ（図示せず）を製作
する。なお各ウエハは20〜30Ω−cmでデイスロケ
ーシヨンのないＰ型のものであり、表面は機械的
化学的研磨され、裏面は化学エツチングによつて
仕上げられている。そしてMOSキヤパシタを製
作するには次の各工程を経る。Ｏ工程：酸素の影響が結晶欠陥の発生及び素子
の特性に顕著に現われるように、高温
で長時間（1100℃、乾燥O₂中、100時
間）熱酸化する工程。Ｐ工程：酸素を裏面ゲツタリングで除去し得る
かどうかを明確にするため、燐を1100
℃で１時間裏面に付着させて拡散させ
る工程。Ｍ工程：熱酸化膜上に電極を形成して通常の
MOS素子を製作する工程。これら各工程を３通りに組合せて３種類の
MOSキヤパシタを製作した。即ち、(1)、Ｏ工程
→Ｐ工程→Ｍ工程（以下Ｏ―Ｐ―Ｍ工程と称す
る。）の順で製作する場合。(2)、Ｐ工程→Ｏ工程
→Ｍ工程（以下Ｐ―Ｏ―Ｍ工程と称する。）の順
で製作する場合。(3)、Ｏ工程→Ｍ工程（以下Ｏ―
Ｍ工程と称する。）の順で製作する場合の３通り
であつた。結晶欠陥の観察方法まずMOSキヤパシタに対して段階的に電圧を
印加して電極下に空乏層を発生させ、一旦低下し
たキヤパシタンスが定常状態に到達する迄の回復
時間tf（generation time）を測定した。しかる
後、工程中に発生した欠陥を観察するために、表
面及び裏面の酸化膜及び裏面に存在する拡散によ
るダメージ層を除去した。ウエハ内のデイスロケ
ーシヨンの分布はＸ線トラバーストポグラフイー
によつて、また表面から深さ方向への欠陥の分布
はＸ線セクシヨントポグラフイーによつて観察し
た。またＸ線トポグラフイーでは撮影できない小
さな結晶欠陥は、ウエハ表面を腐食処理して欠陥
を露出させてから光学顕微鏡で観察した。結果 (a) ウエハ周辺からのデイスロケーシヨンの伝播
デイスロケーシヨンの伝播範囲は明らかに酸素
濃度に関係しており、酸素濃度〜10¹⁸原子／cm³
の試料１では伝内播は殆んど見られなかつた。
またウエハ全体におけるデイスロケーシヨン密
度は、試料１（酸素濃度〜10¹⁸原子／cm³）→試
料２（酸素濃度〜10¹⁷原子／cm³）→試料３（酸
素濃度〜10¹⁶原子／cm³）→試料４（酸素濃度〜
10¹⁵原子／cm³）の順に多くなり、この順にデイ
スロケーシヨンの伝播範囲が拡くなつているこ
とが分つた。 (b) ウエハ断面内で欠陥分布試料１では多くの析出物と積層欠陥が一様に
成長したが、試料２及び３（EZウエハ）及び
試料４（FZウエハ）では析出物や積層欠陥が
発生しなかつた。但し、これらのウエハでもＰ
―Ｏ―Ｍ工程による素子では、Ｐ工程によるデ
イスロケーシヨンがＯ工程で動き易くなつて、
ウエハの周辺又は裏面からデイスロケシヨンが
伝播してきてウエハ全体に分布した。 (c) ウエハ表面での欠陥観察試料１では処理方法によらず一次積層欠陥
（Ｏ工程で発生したもの）をデイスロケーシヨ
ンとが多数観察された。試料２、３及び４では
欠陥の発生はウエハの処理方法に依存した。即
ち、Ｏ―Ｐ―Ｍ工程で処理されたウエハには欠
陥が殆んど発生しないが、Ｐ―Ｏ―Ｍ工程で処
理されたウエハには多数のデイスロケーシヨン
が発生した。またＯ―Ｍ工程で処理されたウエ
ハには二次積層欠陥（Ｍ工程で発生した微小な
積層欠陥）が観察された。以上の結果は下記表に示した。

【表】

【表】この表から、デイスロケーシヨン密度はＯ―Ｐ
―Ｍ工程及びＯ―Ｍ工程では非常に少なく、二次
積層欠陥はＯ―Ｐ―Ｍ工程及びＰ―Ｏ―Ｍ工程で
は非常に少ないことが分り、またこれらの工程に
おいて酸素濃度が10¹⁷原子／cm³より少ないと、デ
イスロケーシヨン密度及び一次積層欠陥密度が著
しく少なくなることが分る。デイスロケーシヨンの発生原因は２種類考えら
れる。まずCZウエハ（酸素濃度10¹⁸原子／cm³）
では、デイスロケーシヨンがＯ工程中にウエハ内
部で成長する析出物からパンチアウトされ、表面
近傍の析出物から出たものは容易に表面に到達す
る。EZウエハ（酸素濃度10¹⁷又は10¹⁶原子／cm³）
やFZウエハ（酸素濃度10¹⁵原子／cm³）では、酸
化温度1100℃での固溶限が４×10¹⁷原子／cm³であ
るために析出物は成長せず、従つてデイスロケー
シヨンも著しく少なくなる。一方、Ｐ―Ｏ―Ｍ工
程で処理されたウエハでは、上述したようにＰ工
程によるミスフイツトデイスロケーシヨンがＯ工
程中に表面にまで伝播する。CZウエハではこの
種の伝播は、上記のピンニング果のために殆んど
ない。EZウエハにおけるデイスロケーシヨンの
伝播がFZウエハの場合よりも起りにくいのは、
酸素原子又はそのクラスタのピンニング効果によ
るものと考えらる。一次積層欠陥はCZウエハのみに観察され、他
のウエハでは殆んど観察されなかつたがCZウエ
ハでの一次積層陥はウエハ内部の酸素に関与した
歪が原因であると思われる。二次積層欠陥は、長
時間酸化後にウエハを炉から引出す冷却過程で生
じる過剰の金属不純物等が表面近くに集まつてで
きた微小欠陥である。Ｏ―Ｐ―Ｍ及びＰ―Ｏ―Ｍ
工程ではそのような微小欠陥が発生しなかつたの
は、Ｐ拡散によるミスフイツトデイスロケーシヨ
ン（格子歪）が過剰の金属不純物等を吸収して微
小欠陥の発生を阻止したためであると思われる。
またＯ―Ｍ工程では、酸素濃度が10¹⁷又は10¹⁶原
子／cm³のものが10¹⁵原子／cm³のものより少ない
は、酸素と金属不純物等とが相互作用し、Si―
SiO₂界面に成長するはずの微小欠陥の発生をあ
る程度阻止したためと考えられる。CZウエハで
は、一次積層欠陥や析出物が過剰金属不純物等を
吸収する働きがあるので、その発生核である微小
欠陥の成長がなく、二次積層欠陥の発生がなくな
る。 (d) 回復時間と欠陥との関係一般に、工程中に発生した結晶欠陥の密度は
上述の回復時間tfに反比例し、tfが大きい程、
欠陥密度が小さくなる。上述の各ウエハに対し
て３通りの工程で処理したときに得られた結果
を第１図に示した。これによれば、いずれの処
理においても、ウエハの酸素濃度が10¹⁵（実際
には５×10¹⁵）原子／cm³以上、10¹⁸原子／cm³以
下、即ちEZウエハでは回復時間tfが大きくて
望ましいことが分る。特にEZウエハのうち、酸素濃度が10¹⁶〜７
×10¹⁷原子／cm³であるものが、回復時間が大き
いこと及び実用性の両面からみてより望まし
く、その範囲では酸素濃度が大きくて固溶限近
傍のものがデイスロケーシヨンの動きを防止し
易い点で更に望ましい。なおＯ―Ｍ工程の場合
は、７×10¹⁵〜10¹⁷原子／cm³の酸素濃度が良好
な結果をもたらす。第１図の結果を更に詳述すると、Ｐ―Ｏ―Ｍ工
程による素子では、主としてＰ拡散によるミスフ
イツトデイスロケーシヨンが素子特性を支配する
が、裏面のゲツタリグ効果が大きいためにデイス
ロケーシヨンは不純物によつてデコレートされて
おらず、特性への影響は比較的小さい。またＯ―
Ｍ工程による素子の特性が最も悪いのは、デコレ
ートされた積層欠陥が原因になつているものと思
われる。またＯ―Ｐ―Ｍ工程による素子では、デ
イスロケーシヨンも積層欠陥も少ないために最良
の特性を示すものと思われる。以上説明したように、この例によるウエハは熱
処理によつて生じ得る結晶欠陥の発生又は成長を
防止することができる。従つて、従来公知の方法
で、ウエハ内にダイオードやトランジスタ等の素
子を形成した場合、このプロセス温度では結晶欠
陥が現われないことから、素子動作時の雑音特
性、漏れ電流特性等を飛躍的に改善することがで
きる。なお、上述の熱処理よつてウエハ表面に成
長した熱酸化膜は除去してもよいし、或いはその
まゝ残して従来公知にのように拡散マスクとして
用いてもよい。次に、本発明による半導体装置の別の例を第２
図に付き述べる。第２図はいわゆるエピタキシヤルウエハを示
し、通常のCZ又はFZ結晶からなるシリコン板１
をラツピング、エツチング、研磨した後、その表
面にエピタキシヤル層２を成長させている。この
エピタキシヤル層には、上述した濃度、最も望ま
しくは２×10¹⁷原子／cm³の酸素が含まれている。
この酸素濃度は、素子の製造工程中、900℃以上
での熱処理のうちでの最低温度（例えば1000℃）
における固溶限に対応している。なおエピタキシ
ヤル成長前には、結晶性の良いエピタキシヤル層
を得るために、基板１の裏面にダメージを与えて
ゲツタリング作用をもたせ、更に引続いて、ダメ
ージを与えた後に不活性ガス中でニールする工程
を行つてもよい。またエピタキシヤル層２に酸素
を所定量ドープする方法は様々であつてよいが、
最も簡単な方法は、反応ガス中に酸素や炭酸ガス
（酸素供給源）を微量含させた状態で、エピタキ
シヤル成長を行う方法である。一搬に、従来のエピタキシヤルウエハではエピ
タキシヤル層にはドーパント以外のいわゆる不純
物は極力含まれないようにしている。しかしなが
ら、この例では、エピタキシヤル層に対して酸素
を所定量含有させることによつて、述したCZ及
びFZウエハの両方の長所を兼ね備えたウエハと
するとができる。なおエピタキシヤル層２には酸素以外にも、こ
れと同様の作用を行う他の不純物（例えばSn、
Ge、Ｃ）を含有させてもよい。なおエピタキシヤル層２にはダイオードやトラ
ンジスタ等の素子が形成される。次に、本発明による半導体装置の別の例を第３
図に付き述べる。第３図においては、基板１１として前述した濃
度範囲の酸素を含有するEZ結晶からなるものが
用いられる。特に基板１１の酸素濃度は、半導体
素子を形成する工程中、900℃以上の熱処理のう
ちで最も低い程度（例えば1000℃）における固溶
限以下、即ち２×10¹⁷原子／cm³以下であるのが望
ましい。また通常のエピタキシヤル層はウエハの
表面、即ち半導体素子を形成する側に成長させる
が、この例では基板１１の裏面にエピタキシヤル
層１２を成長させている。このエピタキシヤル層
１２自体は従来公知の方法で成長させるが、それ
には５×10¹⁵原子／cm³以上の酸素が含まれている
ことが必要である。酸素濃度がこれより少ない
と、前述したことから明らかなように、酸素によ
るピンニング効果に乏しくなつてウエハ内に転位
が伝播してしまう。この例では、基板１１が所定量の酸素を含有し
ているので前述したと同様に結晶欠陥の発生又は
成長を防止し、基板１１内に素子を形成したとき
に素子特性が有好になると共に、エピタキシヤル
層１２にゲツタリング効果をもたせている。即
ち、エピタキシヤル層１２は、低温（1000℃以
下）、高成長速度で裏面を予め荒らした状態で成
長させることにより、結晶性の悪いものとなつて
いる。この結晶性が悪い程、エピタキシヤル層１
２内に積層欠陥等の結晶欠陥が多くなり、基板１
１内の不純物等をゲツタリングする効果が向上す
る。然も上述したように５×10¹⁵原子／cm³以上と
FZ結晶よりも多くの酸素を含有しているので、
酸素によるピンニング効果にも優れている。なお
この例によるウエハは300μ以下と薄いときに特
に有効である。次に、本発明による半導体装置の別の例を第４
図及び第５図に付き述べる。この例では、酸素濃度が５×10¹⁵原子／cm³以下
のシリコン単結晶（望ましくはFZ結晶）を用い
て、通常の方法で鏡面仕上げされたウエハを製作
する。そしてこのウエハを高温で熱酸化し、この
熱酸化中にウエハ内へ拡散される酸素が次に述べ
る濃度分布を示すようになる迄熱酸化を継続す
る。熱酸化中にウエハ内へ拡散される酸素の濃度分
布Ｎ（ｘ）は、

【式】で表わされる。但、ｘはウエハ表面からの距離（単位cm）、Ns
はウエハ表面おける酸素濃度であつて酸化温度に
よるシリコン中の酸素の固溶限（例えば1300℃で
1.3×10¹⁸原子／cm³、1200℃で７×10¹⁷原子／cm³、
（100℃で４×10¹⁷原子／cm³、1000℃で２×10¹⁷原
子／cm³）、Ｄはシリコン中での酸素の拡散係数
（単位cm²／sec）、ｔは熱酸化時間（単位sec）であ
る。酸素濃度Ｎ（ｘ）は第４図に示すような分布を
有している。この例では、酸素濃度が表面濃度
Nsのの1/2になる地点迄の表面からの距離をXjと
すると、Xjが10μ以上となる迄上述の熱酸化を
継続させる。この場合、表面濃度Nsは１×10¹⁷〜
１×10¹⁸原子／cm³であるのが望ましい。Xjは熱酸
化温度及び時間によつて決まり、これらは上記表
に示す関係にあることが分つた。

【表】この熱酸化は乾燥O₂中又は湿潤O₂中で行つて
よく、或いはHClを含む酸化性雰囲気中で行つて
もよい。またこの熱酸化後に、従来公知の熱拡散等の方
法で素子を形成する工程は、上述の熱酸化温度よ
り高い温度（但、900℃以下は含まない。）で行う
のが望ましい。即ち、熱酸化温度より低温で行う
と、この低温での酸素固溶限が熱酸化時の酸素固
溶限より低いために、これらの差に基く過剰の酸
素が析出してしまうからである。なお900℃以下
の温度は実用的ではないし、酸素の析出速度が遅
くなつてその析出が無視できることになる。この
素子形成時の拡散マクとして、上述の熱酸化によ
る熱酸化膜を使用してもよい。以上のように、熱酸化すれば、表面及び裏面か
な距離Xj迄の領域２１ａ，２１ｂは酸素濃度が
高く、特に素子を形成すべき表面及び裏面近傍で
の酸素濃度は固溶限に近い値を有している。即
ち、領域２１ａ，２１ｂの酸素濃度は固溶限の1/
２〜１の範囲にあつて、1100〜1300℃で熱酸化し
た場合にはほゞ２×10¹⁷〜10¹⁸原子／cm³である。
従つて、領域２１ａ，２１ｂにおいては熱処理時
に転位の伝播が起こらず、また酸素固溶限より少
ない酸素濃度を有しているために析出物が発生し
ない。逆にXjが10μより短かいと、ウエハ内の
転位が表面及び裏面側へ現われ出しまつて望まし
くない。この場合、ウエハ２１の領域２１ａに形
成する素子の深さが表面から例えば10μに及ぶと
きには、上述のXjは20μ以上にするのが望まし
い。なおCCDのように長い製造工程を経て製造さ
れる素子の場合にこの例によるウエハを使用する
と、第５図のように転位２０がウエハの周辺から
酸素濃度の少ない中間領域２１ｃへと伝播する。
しかしながら、この転位２０はゲツタリング作用
を発揮するために、更に効果が大きくなる。なお、第４図に示した酸素濃度分布と類似の酸
素濃度分布を得るには、上述した方法に限らず、
従来公知のイオンインプランテーシヨンによつて
酸素を打込むことによつても得ることができる。
このイオンの注入では酸素がガウス分布に従つて
分布するとになるので、イオンのドーズ量、エネ
ルギー等を制御するだけで上述のXjを容易に得
ることができる。次に、本発明による半導体装置の更に別の例を
第６図に付き付べる。この例によるウエハは、通常のシリコン基板３
１とこの表面に成長させたエピタキシヤル層３２
と、スクライブラインとなるポリシリコン層３０
とによつて構成されている。エピタキシヤル層３
２は第２図で述べた方法等の従来公知の方法で成
長ち、熱酸化等の熱処理温度時の固溶限以下の前
述した濃度の酸素を含有している。またポリシリ
コン層３０も従来公知の方法で成長させるとがで
きるが、例えば基板３１をまず熱酸化し、この熱
酸化膜をスクライブラインに対応して所定パター
ンにエツチングし、しかる後に基板面にシリコン
をエピタキシヤル成長させる。この結果、熱酸化
膜の部分にはポリシリコン層３０が成長し、この
ポリシリコン層が存在しない領域にはエピタキシ
ヤル層３２が成長する。このように、エピタキシヤル層３２に固溶限以
下（但し、FZ結晶よりは多い）と少量の酸素を
含有させているので、酸素が関与する析出物や転
位、積層欠陥の発生を防止できることは明らかで
ある。従つてエピタキシヤル層３２に素子を形成
した場合に特性が著しく向上する。然も、スクラ
イブライン上にポリシリコン層３０を形成したの
で、ウエハ周辺から本来的に伝播してくる転位は
ポリシリコン層３０によつて伝播が阻止され、エ
ピタキシヤル層３２での欠陥発生の防止効果が更
に向上する。またスクライブラインがポリシリコ
ン層３０で形成されているために、従来のスクラ
イブライン形成時に不可避であつた機械的、熱的
応力がポリシリコン層３０で緩和され、そのダメ
ージが素子特性に何ら影響を与えない。即ち、通
常はスクライブライン上に必要以上に高濃度のリ
ンやボロン等のシリコンより原子半径の小さい不
純物を拡散しているために、こ拡散領域から発生
する転位等の結晶欠陥によつて素子特性が損われ
る。また近年利用されているレーザースクライバ
では熱応力が原因となるダメージによつて素子特
性が不良となる。なお、スクライブラインのみではなく、第６図
に一点鎖線で示すように、エピタキシヤル層のう
ち素子を形成すべき領域以外のすべての領域（即
ち素子の特性に関係のない領域）にポリシリコン
層３０を形成することもできる。この場合は素子
形成領域に対する転位の影響を更に良好に防止す
ることができる。なお基板３１として酸素濃度が５×10¹⁵〜１×
10¹⁸原子／cm³のものを予め用意し、しかる後に高
濃度のシリコンイオンをスクライブラインに対応
して基板中に打込み（打込み量は２×10²²個／cm³
程度）、基板内に上述のポリシリコン層３０と同
様の酸素高濃度領域をスクライブラインとして形
成することも可能である。この場合は、エピタキ
シヤル層は成長させないが、イオン打込み後に不
活性ガス（例えばN₂Ar）中にて高温（例えば
1100℃以上）で長時間アニールすることが必要で
ある。このようにスクライブラインを酸素高濃度
領域で形成しても、第６図の場合と同様にウエハ
周辺からの転位の伝播を防止して素子形成領域で
の欠陥の発生をなくすことができる。その上、基
板自体が所定濃度の酸素を含有しているために、
この酸素濃度が原因となる転位や析出物を有効に
抑止できる。なお参考迄に述べると、酸素高濃度領域でスク
ライブラインを形成すると、基板の酸素濃度が低
くても（例えばFZ結晶と同程度でも）、少なくと
もウエハ周辺からの素子形成領域への転位の伝播
は防止できる。以上、本発明を各種実施例に基いて説明した
が、これらの実施例は本発明の技術的思想に基い
て更に変形が可能であることが理解されるであろ
う。例えば形成すべき半導体素子は様々であつて
よいし、ICやCCDにも勿論適用できる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであつて、第
１図は第１の実施例によるウエハを用いて製作し
たMOSキヤパシタのキヤパシタンス回復時間tfと
酸素濃度との関係を示すグラフ、第２図は第２の
実施例によるウエハの断面図、第３図は第３の実
施例によるウエハの断面図、第４図は第４の実施
例によるウエハ内の醸素濃度分布を示すグラフ、
第５図は同実施例によるウエハの転位発生状況を
示す断面図、第６図は第５の実施例によるウエハ
の断面図である。なお図面に用いられている符号において、１，
１１，２１，３１……基板、２，１２，３２……
エピタキシヤル層、２０……転位、３０……ポリ
シリコン層、である。

Claims

【特許請求の範囲】

１半導体基板に対する熱処理工程を含む半導体
装置の製造方法において、５×10¹⁵〜１×10¹⁸原
子／cm³の酸素を含有するシリコン基板を前記半導
体基板として用い、前記熱処理工程の後に前記シ
リコン基板に対する裏面ゲツタリングを行うよう
にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。