JPS6142894A - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
- Publication number
- JPS6142894A JPS6142894A JP59161812A JP16181284A JPS6142894A JP S6142894 A JPS6142894 A JP S6142894A JP 59161812 A JP59161812 A JP 59161812A JP 16181284 A JP16181284 A JP 16181284A JP S6142894 A JPS6142894 A JP S6142894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zns
- panel
- thin film
- insulating layer
- beo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は今後情報化社会の流れに沿って、特にＯＡの分
野において必要性が大きくなってくるフラットディスプ
レイパネルの中で、薄膜ＥＬパネルに関するものである
。ＥＬパネルは液晶やエレクトロクロミックディスプレ
イパネルと異シ全固体式の自己発光型で暗所でも見易く
、視野角依存性も少ない。また薄型、軽量で画面の高ｆ
＃細度化が容易であり、更にチラッキがないという特徴
を持つため、パソコンやワードプロセッサーのキャラク
タ−およびグラフィックディスプレイとして最適なもの
である。
野において必要性が大きくなってくるフラットディスプ
レイパネルの中で、薄膜ＥＬパネルに関するものである
。ＥＬパネルは液晶やエレクトロクロミックディスプレ
イパネルと異シ全固体式の自己発光型で暗所でも見易く
、視野角依存性も少ない。また薄型、軽量で画面の高ｆ
＃細度化が容易であり、更にチラッキがないという特徴
を持つため、パソコンやワードプロセッサーのキャラク
タ−およびグラフィックディスプレイとして最適なもの
である。
従来例の構成とその問題点
一般にＥＬフラットパネルは、ガラス基板の上に、透明
電極、第１絶縁層、螢光体層、第２絶縁層、および背面
電極の順に積層した構造を持つ。
電極、第１絶縁層、螢光体層、第２絶縁層、および背面
電極の順に積層した構造を持つ。
透明電極としては、ＩｎとＳｎ の混晶酸化物、絶縁
体層は、Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２０５．Ａ１２ｏ３．Ｓｉ３Ｎ
４゜Ｔ ｉＯ２、Ｓ ｒ Ｔ １０３． Ｂ ａ Ｔ
ｔ Ｏ３およびＰ ｂ Ｔ ｉＯｓ等が従来用いられて
きた。また螢光体層としてはＺｎＳ：ＭｎあるいはＺ
ｎ Ｓ ’、 Ｔ ｂ Ｆ ３が多く使用されている。
体層は、Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２０５．Ａ１２ｏ３．Ｓｉ３Ｎ
４゜Ｔ ｉＯ２、Ｓ ｒ Ｔ １０３． Ｂ ａ Ｔ
ｔ Ｏ３およびＰ ｂ Ｔ ｉＯｓ等が従来用いられて
きた。また螢光体層としてはＺｎＳ：ＭｎあるいはＺ
ｎ Ｓ ’、 Ｔ ｂ Ｆ ３が多く使用されている。
上記構成でストライプ状透明電極および背面電極で直交
マトリックスを形成し、線順次駆動方式で動作させた場
合、スキャン側すなわち横ライン電極の数が増すほどパ
ネルの輝度が下り、現在のところパネルの大型化に限度
がある、横ラインが５ｏｏ本以上は実用的に輝度が不足
している。
マトリックスを形成し、線順次駆動方式で動作させた場
合、スキャン側すなわち横ライン電極の数が増すほどパ
ネルの輝度が下り、現在のところパネルの大型化に限度
がある、横ラインが５ｏｏ本以上は実用的に輝度が不足
している。
発明の目的
本発明は従来より高い輝度を持つ薄膜ＥＬパネルを提供
することを目的とする。
することを目的とする。
発明の構成
ＥＬパネルの明るさは、たとえばＺｎＳ：Ｍｎ螢光体層
を用いた場合、その厚さが一定とすると、Ｍｎの濃度、
ＺｎＳ：Ｍｎ層と絶縁体層の界面状態およびＺｎＳ：Ｍ
ｎ層の結晶性に依存する。界面状態については不明な点
が多いが、Ｍｎ 濃度はほぼ０．８原子チが最適であり
、結晶性は良ければ良い程高い輝度が得られる。
を用いた場合、その厚さが一定とすると、Ｍｎの濃度、
ＺｎＳ：Ｍｎ層と絶縁体層の界面状態およびＺｎＳ：Ｍ
ｎ層の結晶性に依存する。界面状態については不明な点
が多いが、Ｍｎ 濃度はほぼ０．８原子チが最適であり
、結晶性は良ければ良い程高い輝度が得られる。
本発明はこの結晶性に着眼し、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜の形成
条件が同じなら、ＺｎＳ：Ｍｎを形成する下地の化合物
すなわち第１絶縁層の種類に結晶性が大きく影響を受け
ることを見い出し、種々検討した結果、ＢｅＯが下地の
場合極端にＺｎＳ：Ｍｎ膜の結晶性改善に効果的であっ
たので、それを応用してＥＬパネルの輝度向上を図るこ
とに成功したものである。このＢｅＯ薄膜で第１絶縁層
のすべてを形成してもよいし、また、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜
と接する一部分のみに形成した２層以上の第１絶縁層の
形であっても効果がある。後者の場合、絶縁破壊耐圧の
高い絶縁膜と組合せて第一絶縁層を形成し、安定なＥＬ
パネルを作成できる。
条件が同じなら、ＺｎＳ：Ｍｎを形成する下地の化合物
すなわち第１絶縁層の種類に結晶性が大きく影響を受け
ることを見い出し、種々検討した結果、ＢｅＯが下地の
場合極端にＺｎＳ：Ｍｎ膜の結晶性改善に効果的であっ
たので、それを応用してＥＬパネルの輝度向上を図るこ
とに成功したものである。このＢｅＯ薄膜で第１絶縁層
のすべてを形成してもよいし、また、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜
と接する一部分のみに形成した２層以上の第１絶縁層の
形であっても効果がある。後者の場合、絶縁破壊耐圧の
高い絶縁膜と組合せて第一絶縁層を形成し、安定なＥＬ
パネルを作成できる。
実施例の説明
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例 １
１ｎ、Ｓｎ混晶酸化物透明電極（ＩＴＯ）をＩｎ。
Ｓｎ合金をターゲットとした直流活性スパッター法でガ
ラス上に形成した基板を２枚用意した。一方に、Ｙメタ
ルを用いたＥＢ活性蒸着法でＹ２Ｏ３薄膜１２５００人
、他方にＢｅＯ酸化物をターゲットにした高周波スパッ
ター法でＢｅＯ薄膜を同じ（２５００Ａの厚さに形成し
た。両者とも基板温度は２００Ｃで、ガスおよびそ゛の
圧力はＹ２Ｏ３が４Ｘ１０ ｔｏｒｒの０２ 、 Ｂ
ｅ Ｏが６ Ｘ １０ ｔｏｒｒのＡｒ＋５０４０
２である。
ラス上に形成した基板を２枚用意した。一方に、Ｙメタ
ルを用いたＥＢ活性蒸着法でＹ２Ｏ３薄膜１２５００人
、他方にＢｅＯ酸化物をターゲットにした高周波スパッ
ター法でＢｅＯ薄膜を同じ（２５００Ａの厚さに形成し
た。両者とも基板温度は２００Ｃで、ガスおよびそ゛の
圧力はＹ２Ｏ３が４Ｘ１０ ｔｏｒｒの０２ 、 Ｂ
ｅ Ｏが６ Ｘ １０ ｔｏｒｒのＡｒ＋５０４０
２である。
以後の調造プロセスにおいては上記２枚の基板について
全く同時に作成していった。まず、Ｏ，Ｓ原子−のＭｎ
を含むＺｎＳ：Ｍｎ螢光体薄膜をＥＢ蒸着法で４０００
人の厚さに形成し、その後真空中で５６０℃の温度で１
時間アニールを行った。
全く同時に作成していった。まず、Ｏ，Ｓ原子−のＭｎ
を含むＺｎＳ：Ｍｎ螢光体薄膜をＥＢ蒸着法で４０００
人の厚さに形成し、その後真空中で５６０℃の温度で１
時間アニールを行った。
ついで前記Ｙ２Ｏ３膜を同じ製法で再び２６００人形成
し、最後忙背面電極としてＡ７金属を蒸着した。
し、最後忙背面電極としてＡ７金属を蒸着した。
以上のようにして作成したＥＬパネルを５ＫＨｚの正弦
波で駆動し、その電圧、輝度特性を第１図に示した。図
中曲線１はガラス／ＩＴｏ／Ｙ２Ｏ３／ Ｚ ｎ Ｓ
： Ｍｎ ／ Ｙ２Ｏ３／ Ａ、ｌｌパネルの、２はガ
ラス／ＩＴｏ／ＢｅＯ／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ｙ２Ｏ３／Ａｌ
パネルの特性を示した。ＺｎＳ：Ｍｎ螢光膜の厚さが同
じであるＫもかかわらず、第１絶縁層としてＢｅＯ薄膜
を使用したパネルは約１．５倍の輝度向上が見られる。
波で駆動し、その電圧、輝度特性を第１図に示した。図
中曲線１はガラス／ＩＴｏ／Ｙ２Ｏ３／ Ｚ ｎ Ｓ
： Ｍｎ ／ Ｙ２Ｏ３／ Ａ、ｌｌパネルの、２はガ
ラス／ＩＴｏ／ＢｅＯ／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ｙ２Ｏ３／Ａｌ
パネルの特性を示した。ＺｎＳ：Ｍｎ螢光膜の厚さが同
じであるＫもかかわらず、第１絶縁層としてＢｅＯ薄膜
を使用したパネルは約１．５倍の輝度向上が見られる。
Ｘ線回折で両者のＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を調べた結果、第１
絶縁層がＢｅＯの方が１１１ピークの強度が約２倍大き
かった。この結晶性の良さが輝度向上に結びついている
。
絶縁層がＢｅＯの方が１１１ピークの強度が約２倍大き
かった。この結晶性の良さが輝度向上に結びついている
。
実施例 ２
実施例１と同じＩＴＯをコートしたガラス基板上に、Ｓ
ｒＴｉＯ３薄膜をその酸化物セラミックをターゲットと
し、８Ｘ１０ ｔｏｒｒの８０％Ｏ２を含むＡｒガス
中、基板温度４００℃で高周波スパッター法でＥＳＯＯ
Ｏへの厚さに形成した。５ｒＴｉＱ３薄膜を付けた後そ
れを２分割し、一方に更に実施例１と同じ方法でＢｅＯ
薄膜を６００人積層した。
ｒＴｉＯ３薄膜をその酸化物セラミックをターゲットと
し、８Ｘ１０ ｔｏｒｒの８０％Ｏ２を含むＡｒガス
中、基板温度４００℃で高周波スパッター法でＥＳＯＯ
Ｏへの厚さに形成した。５ｒＴｉＱ３薄膜を付けた後そ
れを２分割し、一方に更に実施例１と同じ方法でＢｅＯ
薄膜を６００人積層した。
以後２枚とも実施例１と同様にして同時にＺｎＳ：Ｍｎ
。
。
Ｙ２Ｏ３およびＡｌと積み重ねてゆき、ＥＬパネルを完
成した。それらの電圧、輝度特性を図の３゜４曲線ニ示
しり。曲線３は、／７７ ス／ Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓ ｒ
’ｒ １０３／ Ｚ ｎ Ｓ ：Ｍｎ ／ Ｙ ２０
ｓ ／ Ａ ｌ 、 ４はガラス／ＩＴＯ／５ｒＴｉｏ
／Ｂｅｄ／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ｙ２Ｏ３／Ａ／ バネ
ルの特性を示した。ＳｒＴｉＯ３薄膜は誘電率が約１４
０と高いため、発光開始電圧が実施例１の第１絶縁層と
してＹ２Ｏ３やＢｏｏを用いた場合よりも低い。
成した。それらの電圧、輝度特性を図の３゜４曲線ニ示
しり。曲線３は、／７７ ス／ Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓ ｒ
’ｒ １０３／ Ｚ ｎ Ｓ ：Ｍｎ ／ Ｙ ２０
ｓ ／ Ａ ｌ 、 ４はガラス／ＩＴＯ／５ｒＴｉｏ
／Ｂｅｄ／ＺｎＳ：Ｍｎ／Ｙ２Ｏ３／Ａ／ バネ
ルの特性を示した。ＳｒＴｉＯ３薄膜は誘電率が約１４
０と高いため、発光開始電圧が実施例１の第１絶縁層と
してＹ２Ｏ３やＢｏｏを用いた場合よりも低い。
曲線３，４の比較からＢｏｏをＺｎＳ：Ｍｎ側にしたＳ
ｒ Ｔ １０３＋ Ｂ ｅ Ｏの２層形第１絶縁層の
方が単に５ｒＴｉＯｓの場合よシも約１．５倍輝度が高
い。
ｒ Ｔ １０３＋ Ｂ ｅ Ｏの２層形第１絶縁層の
方が単に５ｒＴｉＯｓの場合よシも約１．５倍輝度が高
い。
一般にＳｒＴｉＯ３上にＺｎＳ：Ｍｎを形成すると、Ｙ
２Ｏ３の場合と比較してもＺｎＳ：Ｍｎの１１１Ｘ線回
ビークはかなり弱い。しかし上記の様にＺｎＳ：１ｖｌ
ｎと接する側をＢｅＯにした２層形第１絶縁層の場合は
その上に積層するＺｎＳ：Ｍｎの１１１回折ピークがＢ
ｅＯがない場合に比較し４倍程度強くなる。このことが
ＥＬパネルの輝度向上に結びついている。
２Ｏ３の場合と比較してもＺｎＳ：Ｍｎの１１１Ｘ線回
ビークはかなり弱い。しかし上記の様にＺｎＳ：１ｖｌ
ｎと接する側をＢｅＯにした２層形第１絶縁層の場合は
その上に積層するＺｎＳ：Ｍｎの１１１回折ピークがＢ
ｅＯがない場合に比較し４倍程度強くなる。このことが
ＥＬパネルの輝度向上に結びついている。
実施例 ３
実施例２と全く同じ構造であるがＺｎＳ：Ｍｎのかわり
に緑色発光のＺ ｎ Ｓ ：Ｔ ｂ Ｆ ｓ螢光体薄膜
を用いた。ＺｎＳに対して２重量％のＴｂＦ３を含んだ
粉末をターゲットにして２Ｘ１０ ｔｏｒｒのＡｒ中
で、基板温度２００℃で高周波スパッター法にてＺ ｎ
Ｓ ”、 Ｔ ｂ Ｆ ｓ薄膜を作成した。その後の
アニール温度は４００℃で１時間である。ＥＬパネルの
電圧、輝度特性を第１図の６．６曲線で示した。６はガ
ラｘ ／ Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓ ｒ Ｔ １０３／ Ｚ
ｎ Ｓ ：Ｔ ｂ Ｆ ｓ／Ｙ２０ｓ／ＡＩ Ｉ ６は
ガラス／ＩＴｏ／ＳｒＴｉＯ３／ＢｅＯ／ＺｎＳ：Ｔｂ
Ｆ３／Ｙ２ｏ３／Ａｇ構造のＥＬパネルの特性を示した
。実施例１．２と同様なりｅＯの効果が観測された。
に緑色発光のＺ ｎ Ｓ ：Ｔ ｂ Ｆ ｓ螢光体薄膜
を用いた。ＺｎＳに対して２重量％のＴｂＦ３を含んだ
粉末をターゲットにして２Ｘ１０ ｔｏｒｒのＡｒ中
で、基板温度２００℃で高周波スパッター法にてＺ ｎ
Ｓ ”、 Ｔ ｂ Ｆ ｓ薄膜を作成した。その後の
アニール温度は４００℃で１時間である。ＥＬパネルの
電圧、輝度特性を第１図の６．６曲線で示した。６はガ
ラｘ ／ Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｓ ｒ Ｔ １０３／ Ｚ
ｎ Ｓ ：Ｔ ｂ Ｆ ｓ／Ｙ２０ｓ／ＡＩ Ｉ ６は
ガラス／ＩＴｏ／ＳｒＴｉＯ３／ＢｅＯ／ＺｎＳ：Ｔｂ
Ｆ３／Ｙ２ｏ３／Ａｇ構造のＥＬパネルの特性を示した
。実施例１．２と同様なりｅＯの効果が観測された。
発明の効果
以上のように本発明によれば実施例１，２．３で示され
たように、ＢｅＯまたはＢｏｏと他の絶縁層を重ねた複
合第１絶縁層を用いることによってＥＬパネルの輝度を
約１．６倍にでき、パネルの大型化に効果的で、ＥＬパ
ネルの実用性を一層高め得る。
たように、ＢｅＯまたはＢｏｏと他の絶縁層を重ねた複
合第１絶縁層を用いることによってＥＬパネルの輝度を
約１．６倍にでき、パネルの大型化に効果的で、ＥＬパ
ネルの実用性を一層高め得る。
図は本発明の薄膜ＥＬパネル説明のための特性図である
。
。
Claims (1)
- ガラス基板上に透明電極を、その上に第１絶緑層を、
その上にＺｎＳ系螢光体層をその上に第２絶縁層および
背面電極を積層し、前記第１絶縁層の全部あるいは一部
をＢｅＯで構成し、このＢｅＯが必ず螢光体層に接する
ようにしたことを特徴とする薄膜ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161812A JPS6142894A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161812A JPS6142894A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142894A true JPS6142894A (ja) | 1986-03-01 |
Family
ID=15742377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59161812A Pending JPS6142894A (ja) | 1984-08-01 | 1984-08-01 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142894A (ja) |
-
1984
- 1984-08-01 JP JP59161812A patent/JPS6142894A/ja active Pending
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