JPS6144757A - アルミナ磁器組成物 - Google Patents
アルミナ磁器組成物Info
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- JPS6144757A JPS6144757A JP59166270A JP16627084A JPS6144757A JP S6144757 A JPS6144757 A JP S6144757A JP 59166270 A JP59166270 A JP 59166270A JP 16627084 A JP16627084 A JP 16627084A JP S6144757 A JPS6144757 A JP S6144757A
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- Japan
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- samples
- porcelain
- powder
- alumina
- ceramic composition
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、厚膜集積回路用基板等に使用されるアルミ
ナ磁器組成物に関し、特に９６重量％（重量比をいう、
以下同じ）のアルミナを含んだ磁器組成物に関する。
ナ磁器組成物に関し、特に９６重量％（重量比をいう、
以下同じ）のアルミナを含んだ磁器組成物に関する。
アルミナ磁器は、耐熱性、絶縁性、抗折強度等にすぐれ
た電子部品用磁器材料として広く利用されている。この
内厚膜集積回路用基板に使用される従来のアルミナ磁器
は、９６％のアルミナの他、３ ｉ０２ 、ＭｇＯ，Ｃ
ａＯ等を含むもので、その焼結温度は、 １５７０−１
６００℃である。
た電子部品用磁器材料として広く利用されている。この
内厚膜集積回路用基板に使用される従来のアルミナ磁器
は、９６％のアルミナの他、３ ｉ０２ 、ＭｇＯ，Ｃ
ａＯ等を含むもので、その焼結温度は、 １５７０−１
６００℃である。
アルミナ磁器を上記のような高温で焼成するためには、
炉壁材やサヤ等の高温による耐久性の低下を考慮しなけ
ればならず、また消費する電力等も大きくなることから
、できるだけ低い温度で焼結させることのできる磁器の
開発が望まれている。
炉壁材やサヤ等の高温による耐久性の低下を考慮しなけ
ればならず、また消費する電力等も大きくなることから
、できるだけ低い温度で焼結させることのできる磁器の
開発が望まれている。
従来、アルミナ磁器の焼結温度を下げる試みとして、磁
器原料粉末を振動ミル等で微粉末状に粉砕することによ
って、その反応性を高める方法が提案さている。しかし
、この方法は、工程が複雑化されることから、製造コス
トの上昇を招くと同時に、磁器の成形性を低下させると
いう欠点があり、磁器原料粉末を微粉末化するのも自ず
と限度がある。このため、従来ではせいぜい粒径１．２
μ程度のアルミナ原料粉末を使用し、 １５００°Ｃを
や＼越える温度域で焼成しているのが実情である。
器原料粉末を振動ミル等で微粉末状に粉砕することによ
って、その反応性を高める方法が提案さている。しかし
、この方法は、工程が複雑化されることから、製造コス
トの上昇を招くと同時に、磁器の成形性を低下させると
いう欠点があり、磁器原料粉末を微粉末化するのも自ず
と限度がある。このため、従来ではせいぜい粒径１．２
μ程度のアルミナ原料粉末を使用し、 １５００°Ｃを
や＼越える温度域で焼成しているのが実情である。
この発明は、従来の゛アルミナ磁器の上記問題点を解決
すべくなさたものであって、電気的。
すべくなさたものであって、電気的。
機械的な特性にすぐれ、しかも成形性を損なうような原
料粉末の微粉末化によらず、 １５００’Ｃ以下の温度
で焼結させることができるアルミナ磁器を提供すること
を目的とするものである。
料粉末の微粉末化によらず、 １５００’Ｃ以下の温度
で焼結させることができるアルミナ磁器を提供すること
を目的とするものである。
以下、この発明の詳細な説明すると、同発明のアルミナ
磁器組成物は、Ａｌ２Ｏ３を９６％と。
磁器組成物は、Ａｌ２Ｏ３を９６％と。
Ｓ ｉ ０２を１．０〜３．０％と、 Ｍ ｇ ０ｔｌ
−０，２〜２．２％と、ＣａＯを０．２〜２．２％と＋
Ｂ２ｏ：＋を０．５〜２．５％と、Ｌｉ２Ｏを０．０２
〜０．４％とを混合して焼成してなるものである。
−０，２〜２．２％と、ＣａＯを０．２〜２．２％と＋
Ｂ２ｏ：＋を０．５〜２．５％と、Ｌｉ２Ｏを０．０２
〜０．４％とを混合して焼成してなるものである。
組成をこのように限定した理由を要約して述べると次の
通りである。まず第一に＋ｓｉＯ２＋ＭｇＯ，ＣａＯの
何れかが、上記の組成比より多（とも、また少なくとも
焼成温度が１５００’ｃを越えるようになる。第二に＋
Ｂ２０３ ＋ Ｌ ｉ２０の何れかが上記組成比よ
り少ないとやはり焼成温度が高くなり、逆に少ないと抵
抗率ρが低くなる。
通りである。まず第一に＋ｓｉＯ２＋ＭｇＯ，ＣａＯの
何れかが、上記の組成比より多（とも、また少なくとも
焼成温度が１５００’ｃを越えるようになる。第二に＋
Ｂ２０３ ＋ Ｌ ｉ２０の何れかが上記組成比よ
り少ないとやはり焼成温度が高くなり、逆に少ないと抵
抗率ρが低くなる。
次ぎにこの発明の実施例として別表に示す１〜１９の試
料の製造方法と、これについて行った特性試験について
述べる。
料の製造方法と、これについて行った特性試験について
述べる。
まずＡｌ２Ｑ３粉末を９６ ’ｇ ＋ Ｓ ｈ ０２粉
末を２．０ｇ、ＭｇＯ粉末を０．５ｇ、ＣａＣＣ）３粉
末を０．８ｇ、Ｂ２’０３粉末を１．０ｇ 、 Ｌ ｉ
２ Ｃ０３粉末を０．１２ ｇ宛秤量し、これらをボ
ールミルで１０時間かけて混合した後、脱水乾燥した。
末を２．０ｇ、ＭｇＯ粉末を０．５ｇ、ＣａＣＣ）３粉
末を０．８ｇ、Ｂ２’０３粉末を１．０ｇ 、 Ｌ ｉ
２ Ｃ０３粉末を０．１２ ｇ宛秤量し、これらをボ
ールミルで１０時間かけて混合した後、脱水乾燥した。
次いでこの混合物５０ｇに対して６ｇのポリビニルアル
コールを加え、押潰機に１時間かけて混合した。
コールを加え、押潰機に１時間かけて混合した。
次いでこの磁器材料を３００ｋｇ／ｃｎｆの圧力で直径
１．６印、厚さ０．１ｃａの円板形に加圧成形し。
１．６印、厚さ０．１ｃａの円板形に加圧成形し。
これを全所要時間１４時間、最高温度１４５０”Ｃ，２
，５時間のプロファイルに設定されたトンネル炉で焼成
し、複数個の試料１を得た。
，５時間のプロファイルに設定されたトンネル炉で焼成
し、複数個の試料１を得た。
次ぎにこの試料１について１次の方法で特性試験を実施
した。まず上記試料の両面にインジウム−ガリウム合金
を塗布して直径１ 、４ ｃｍの電極を設け、比誘電率
ε、クォリティファクターＱ及び抵抗率ρ（０ｃｍ）を
測定した。比誘電率εは、２５℃の温度下でＩＭＨ２の
周波数で測定した静電容量から算出し、Ｑは、上記静電
容量と同様の条件で測定した。抵抗率ρは、１００Ｖの
電圧を印加し、印加開始から３０秒後の絶縁抵抗を測定
した。
した。まず上記試料の両面にインジウム−ガリウム合金
を塗布して直径１ 、４ ｃｍの電極を設け、比誘電率
ε、クォリティファクターＱ及び抵抗率ρ（０ｃｍ）を
測定した。比誘電率εは、２５℃の温度下でＩＭＨ２の
周波数で測定した静電容量から算出し、Ｑは、上記静電
容量と同様の条件で測定した。抵抗率ρは、１００Ｖの
電圧を印加し、印加開始から３０秒後の絶縁抵抗を測定
した。
以下、上記と同様にして別表各欄に示す２〜１９までの
試料を作製し、これらについて同様の特性試験を実施し
た。そしてこれら試料の焼成温度と、特性試験によって
得られた抵抗率ρの平均値を別表に掲げた。
試料を作製し、これらについて同様の特性試験を実施し
た。そしてこれら試料の焼成温度と、特性試験によって
得られた抵抗率ρの平均値を別表に掲げた。
この結果から明らかな通り、これら試料１〜１９の焼成
温度は、何れも１５００’ｃ以下であり、抵抗率ρは、
ｌＸｌ０１４Ω１以上であった。また。
温度は、何れも１５００’ｃ以下であり、抵抗率ρは、
ｌＸｌ０１４Ω１以上であった。また。
これら試料の比誘電率εは、何れも９．７以下。
クォリティファクターＱは、 ２５００〜３５０ｏであ
り。
り。
回路基板用磁器材料として実用的な数値が得られた。な
お、上記比誘電率εとクォリティファクターＱの各試料
毎の具体的数値の別表への掲載は省略した。
お、上記比誘電率εとクォリティファクターＱの各試料
毎の具体的数値の別表への掲載は省略した。
上記実施例と比較のため、別表の２０〜３１の各欄に掲
げる試料を上記実施例と同じ方法で作製し、同様の方法
でその特性試験を実施した。
げる試料を上記実施例と同じ方法で作製し、同様の方法
でその特性試験を実施した。
これらの試料は、何れもこの発明の構成要件を満たさな
い磁器組成物からなる試料であるが。
い磁器組成物からなる試料であるが。
これらはその焼結温度が１５００°Ｃを越えるか、また
は抵抗率ρが１ｘ１０＋４Ωｃｍに満たないかの何れか
であった。
は抵抗率ρが１ｘ１０＋４Ωｃｍに満たないかの何れか
であった。
特にＳ ｉｏ２．ＭｇＯ，ＣａＯの何れかが上記組成比
より少な過ぎるか、または多過ぎる試料では、焼結温度
が何れも１５００°Ｃを越えた（試料２０〜２５参照）
。また＋ ８２０３かＬｉ２Ｏの何れかが含まれてい
ないか、または上記組成比より少な過ぎる試料では、焼
結温度が１５００℃を越え（試料２６．２Ｂ、 ３０．
３１参照）、逆にこれらの何れかが多過ぎる試料では、
抵抗率ρが１×１０１ｄΩ印に満たなかった（試料２７
．２９参照）。
より少な過ぎるか、または多過ぎる試料では、焼結温度
が何れも１５００°Ｃを越えた（試料２０〜２５参照）
。また＋ ８２０３かＬｉ２Ｏの何れかが含まれてい
ないか、または上記組成比より少な過ぎる試料では、焼
結温度が１５００℃を越え（試料２６．２Ｂ、 ３０．
３１参照）、逆にこれらの何れかが多過ぎる試料では、
抵抗率ρが１×１０１ｄΩ印に満たなかった（試料２７
．２９参照）。
以上説明した通り、この発明によれば、成形性を損なう
ような磁器原料粉末の微粉末化Ｇ、こよらず、 １５０
０℃以下の温度で焼結させることができるアルミナ磁器
組成物を提供することができる。しかも、これらの電気
的１機械的な緒特性は、何れも実用的に優れた値のもの
であり、よって所期の目的を達成することができる。
ような磁器原料粉末の微粉末化Ｇ、こよらず、 １５０
０℃以下の温度で焼結させることができるアルミナ磁器
組成物を提供することができる。しかも、これらの電気
的１機械的な緒特性は、何れも実用的に優れた値のもの
であり、よって所期の目的を達成することができる。
Claims (1)
- Ａｌ＿２Ｏ＿３を９６重量％と、ＳｉＯ＿２を１．０〜
３．０重量％と、ＭｇＯを０．２〜２．２重量％と、Ｃ
ａＯを０．２〜２．２重量％と、Ｂ＿２Ｏ＿３を０．５
〜２．５重量％と、Ｌｉ＿２Ｏを０．０２〜０．４重量
％とを混合して焼成してなることを特徴とするアルミナ
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166270A JPS6144757A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | アルミナ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166270A JPS6144757A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | アルミナ磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144757A true JPS6144757A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0220582B2 JPH0220582B2 (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=15828267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166270A Granted JPS6144757A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | アルミナ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144757A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259905A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-10-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| EP0972755A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Alumina-based sintered material and process for producing the same |
| WO2013008919A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112815A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-05 | Fujitsu Ltd | Ceramics compositions |
| JPS5717474A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-29 | Nippon Electric Co | Multilayer ceramic substrate |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59166270A patent/JPS6144757A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112815A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-05 | Fujitsu Ltd | Ceramics compositions |
| JPS5717474A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-29 | Nippon Electric Co | Multilayer ceramic substrate |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259905A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-10-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| EP0972755A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Alumina-based sintered material and process for producing the same |
| US6069105A (en) * | 1998-07-14 | 2000-05-30 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Alumina-based sintered materials and process for producing the same |
| WO2013008919A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
| CN103492345A (zh) * | 2011-07-14 | 2014-01-01 | 株式会社东芝 | 陶瓷电路基板 |
| JPWO2013008919A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-02-23 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220582B2 (ja) | 1990-05-09 |
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