JPS6146053B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6146053B2 JPS6146053B2 JP56211747A JP21174781A JPS6146053B2 JP S6146053 B2 JPS6146053 B2 JP S6146053B2 JP 56211747 A JP56211747 A JP 56211747A JP 21174781 A JP21174781 A JP 21174781A JP S6146053 B2 JPS6146053 B2 JP S6146053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- semiconductor element
- chip
- recognized
- cell section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体素子に対する溶液滴下方法にお
ける半導体素子の位置認識方法に関する。
ける半導体素子の位置認識方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体記憶装置がα線の照射を受けると、周知
の如く書き込まれていた情報が消失する。そこで
上記問題を解消するため、種々の対策がなされて
いる。
の如く書き込まれていた情報が消失する。そこで
上記問題を解消するため、種々の対策がなされて
いる。
この対策の一つに、半導体記憶装置の素子（以
下単にチツプと記す）を所定のパツケージに搭載
した後、上記チツプ上に樹脂を塗布する方法が用
いられている。
下単にチツプと記す）を所定のパツケージに搭載
した後、上記チツプ上に樹脂を塗布する方法が用
いられている。
上記樹脂を塗布するには、パツケージに搭載さ
れたチツプの位置を認識し、その位置に樹脂液の
滴下ツールを移動せしめて樹脂液をチツプ上に滴
下する。
れたチツプの位置を認識し、その位置に樹脂液の
滴下ツールを移動せしめて樹脂液をチツプ上に滴
下する。
ところがパツケージに搭載されたチツプの位置
認識は必ずしも容易ではない。即ち、チツプはパ
ツケージ上に通常金（Au）を主成分とする蝋材
により固着されるが、その際蝋材はチツプの周囲
に広がる。しかもこの蝋材表面の反射光の二値化
信号とチツプ表面の反射光の二値化信号との間に
は余り差がないので、両者を明確に識別すること
が出来ない。そのためチツプの位置を正確に検知
することが難しく、従つて上述の樹脂液を自動的
に塗布することが困難であるという問題がある。
認識は必ずしも容易ではない。即ち、チツプはパ
ツケージ上に通常金（Au）を主成分とする蝋材
により固着されるが、その際蝋材はチツプの周囲
に広がる。しかもこの蝋材表面の反射光の二値化
信号とチツプ表面の反射光の二値化信号との間に
は余り差がないので、両者を明確に識別すること
が出来ない。そのためチツプの位置を正確に検知
することが難しく、従つて上述の樹脂液を自動的
に塗布することが困難であるという問題がある。
(c) 発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、チツプ
の位置認識を容易にするチツプ位置認識方法を提
供することにある。
の位置認識を容易にするチツプ位置認識方法を提
供することにある。
(d) 発明の構成
本発明の特徴は、二値化データにおいてはメモ
リセル部が他の部分と識別し易いことを利用し、
半導体素子に照射した光の反射光量が低レベルで
あることを示すデータが低レベルであることを示
す二値化データが、一定数以上連続する領域を検
出し、その領域の外縁部で二値化データが変化す
る位置をメモリセル部の周縁として認識し、この
周縁の位置と予め記憶されているチツプに対する
メモリセル部の相互位置関係からチツプの中心位
置を求めることにある。
リセル部が他の部分と識別し易いことを利用し、
半導体素子に照射した光の反射光量が低レベルで
あることを示すデータが低レベルであることを示
す二値化データが、一定数以上連続する領域を検
出し、その領域の外縁部で二値化データが変化す
る位置をメモリセル部の周縁として認識し、この
周縁の位置と予め記憶されているチツプに対する
メモリセル部の相互位置関係からチツプの中心位
置を求めることにある。
(e) 発明の実施例
以下本発明を一実施例により説明する。
第１図は上記一実施例の要部を示すシステム構
成図で、１は被処理試料、２はチツプ、３はパツ
ケージ、４はステージ、５はTVカメラ、６はレ
ンズ系、７は溶液滴下ツール、８は駆動部、９は
TVカメラドライバ、１０はTVモニタ、１１は位
置検出回路、１２は制御系、１３は記憶装置、１
４は演算回路である。
成図で、１は被処理試料、２はチツプ、３はパツ
ケージ、４はステージ、５はTVカメラ、６はレ
ンズ系、７は溶液滴下ツール、８は駆動部、９は
TVカメラドライバ、１０はTVモニタ、１１は位
置検出回路、１２は制御系、１３は記憶装置、１
４は演算回路である。
本実施例においては、チツプに樹脂液を塗布す
る工程を開始するに先立ち、まずレンズ系６によ
りチツプ２上をTVカメラ５で撮像し、TVカメラ
ドライバ９を介してTVモニタ１０にチツプ２の
二値化画像〔第２図参照〕を表示せしめる。この
ときTVモニタ１０の画面に表示された二値化画
像においては、前述したように、チツプ２の像
と、周囲に広がつた蝋材１５とを明確に識別する
ことは困難である。
る工程を開始するに先立ち、まずレンズ系６によ
りチツプ２上をTVカメラ５で撮像し、TVカメラ
ドライバ９を介してTVモニタ１０にチツプ２の
二値化画像〔第２図参照〕を表示せしめる。この
ときTVモニタ１０の画面に表示された二値化画
像においては、前述したように、チツプ２の像
と、周囲に広がつた蝋材１５とを明確に識別する
ことは困難である。
これに対し本願発明者らは、チツプ２のメモリ
セル部３が周囲の他の部分より実効的な反射率が
低く、従つてスライスレベルを適当に選択するこ
とにより、二値化データにおいてはメモリセル部
３を容易に識別し得ることを見出した。これはメ
モリセル部３内では、チツプ２の他の部分に較べ
て配線の幅が細く、しかも配線パターンが稠密に
形成されているため、他の部分より凹凸が激し
い。そのため照射された光が乱反射されてTVカ
メラ１０に入射する光量が少なくなり、あたかも
反射率が低くなつたのと同様の結果となるものと
解される。
セル部３が周囲の他の部分より実効的な反射率が
低く、従つてスライスレベルを適当に選択するこ
とにより、二値化データにおいてはメモリセル部
３を容易に識別し得ることを見出した。これはメ
モリセル部３内では、チツプ２の他の部分に較べ
て配線の幅が細く、しかも配線パターンが稠密に
形成されているため、他の部分より凹凸が激し
い。そのため照射された光が乱反射されてTVカ
メラ１０に入射する光量が少なくなり、あたかも
反射率が低くなつたのと同様の結果となるものと
解される。
本発明はこの現象を利用してメモリセル部３の
位置認識を行おうとするものであつて、チツプ２
の撮像データにおいて、メモリセル部３に相当す
る部分は、信号レベルが周囲の他の部分より低く
なる。そこでこれを適当なスライスレベルで二値
化することにより、二値化データを、メモリセル
部３では“０”が連続し、メモリセル部３の周囲
では“１”となるようにすることができる。
位置認識を行おうとするものであつて、チツプ２
の撮像データにおいて、メモリセル部３に相当す
る部分は、信号レベルが周囲の他の部分より低く
なる。そこでこれを適当なスライスレベルで二値
化することにより、二値化データを、メモリセル
部３では“０”が連続し、メモリセル部３の周囲
では“１”となるようにすることができる。
従つてチツプ２の二値化データの中で“０”が
ある長さにわたつて連続すれば、その領域をメモ
リセル部３であると認識できるので、この判断基
準となる基準長をチツプの種別に対応して定めて
おき、チツプ２を撮像して得られた二値化データ
の中で、上述の基準長を越えて“０”が連続する
領域を検出し、これをメモリセル部３として認識
する。そしてこの領域の最外周部で二値化データ
が“０”から“１”に変化する位置を検出するこ
とによつて、メモリセル部３の周縁部の位置を認
識することができる。
ある長さにわたつて連続すれば、その領域をメモ
リセル部３であると認識できるので、この判断基
準となる基準長をチツプの種別に対応して定めて
おき、チツプ２を撮像して得られた二値化データ
の中で、上述の基準長を越えて“０”が連続する
領域を検出し、これをメモリセル部３として認識
する。そしてこの領域の最外周部で二値化データ
が“０”から“１”に変化する位置を検出するこ
とによつて、メモリセル部３の周縁部の位置を認
識することができる。
そこで先ず、TVモニタ１０上に、縦横各２本
ずつカーソル１６，１７を描かせ、これを図示せ
る如くメモリセル部３の４辺に一致せしめる。こ
のときのカーソル１６，１７の位置は位置検出回
路１１により検出され、この位置データは制御系
１２を介して記憶装置１３に格納される。
ずつカーソル１６，１７を描かせ、これを図示せ
る如くメモリセル部３の４辺に一致せしめる。こ
のときのカーソル１６，１７の位置は位置検出回
路１１により検出され、この位置データは制御系
１２を介して記憶装置１３に格納される。
次いでチツプ２の二値化しない画像を再度TV
モニタ１０上に表示する。今度はチツプ２の周縁
は明確に識別し得るので、カーソル１６，１７を
それぞれチツプ２の４辺に一致せしめる。このカ
ーソル１６，１７の位置も前と同様に記憶装置１
３に格納される。この二つの位置データから、チ
ツプ２に対するメモリセル部３の相互位置関係が
得られる。
モニタ１０上に表示する。今度はチツプ２の周縁
は明確に識別し得るので、カーソル１６，１７を
それぞれチツプ２の４辺に一致せしめる。このカ
ーソル１６，１７の位置も前と同様に記憶装置１
３に格納される。この二つの位置データから、チ
ツプ２に対するメモリセル部３の相互位置関係が
得られる。
以上によりチツプの位置検出の準備が完了し
た。
た。
チツプ２に樹脂液の塗布を行うには、前記メモ
リセル部３をTVカメラ５により撮像し、位置検
出回路１１によりその映像信号を二値化し、この
二値化データの中から光量が低レベルであること
を示す“０”が連続する長さが、予め設定された
基準長を越える領域を見出す。この領域が前述し
たようにメモリセル部３であるので、次にこの領
域の最外周部で二値化データが“０”から“１”
に変化する位置を検出する。以上によりメモリセ
ル部３の周縁の位置座標が検出された。
リセル部３をTVカメラ５により撮像し、位置検
出回路１１によりその映像信号を二値化し、この
二値化データの中から光量が低レベルであること
を示す“０”が連続する長さが、予め設定された
基準長を越える領域を見出す。この領域が前述し
たようにメモリセル部３であるので、次にこの領
域の最外周部で二値化データが“０”から“１”
に変化する位置を検出する。以上によりメモリセ
ル部３の周縁の位置座標が検出された。
この位置座標は前記演算回路１４に送られ、制
御系１２の指令に基づいて記憶装置１３から読み
出された前記２組の位置データを用いて補正演算
を施し、チツプ２の中心位置を算出する。そして
現在のTVカメラ５の位置座標との差を算出し、
補正量として出力する。この補正量に基づいて駆
動部８は溶液滴下ツール７をチツプ２の中心の直
上部に移動せしめる。
御系１２の指令に基づいて記憶装置１３から読み
出された前記２組の位置データを用いて補正演算
を施し、チツプ２の中心位置を算出する。そして
現在のTVカメラ５の位置座標との差を算出し、
補正量として出力する。この補正量に基づいて駆
動部８は溶液滴下ツール７をチツプ２の中心の直
上部に移動せしめる。
この後は通常の如く樹脂液を滴下し、チツプ２
表面を樹脂により被覆する。
表面を樹脂により被覆する。
上述した如く本実施例においては、チツプ内の
メモリセル部の実効的な反射率が、他の部分と異
なることを利用してメモリセル部３を検出するこ
とにより、パツケージ上に蝋材で固着されたチツ
プ２の位置を明確に検出し得る。
メモリセル部の実効的な反射率が、他の部分と異
なることを利用してメモリセル部３を検出するこ
とにより、パツケージ上に蝋材で固着されたチツ
プ２の位置を明確に検出し得る。
(f) 発明の効果
以上説明した如く本発明によれば、チツプの位
置認識が容易となり、樹脂液を自動的に塗布する
ことが可能となる。
置認識が容易となり、樹脂液を自動的に塗布する
ことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の要部を示すシステ
ム構成図、第２図は上記一実施例の位置検出方法
を説明するための図である。 図において、１は被処理試料、２は半導体素
子、３はパツケージ、５はTVカメラ、６はレン
ズ系、７は溶液滴下ツール、８は駆動部、１０は
TVモニタ、１１は位置検出回路、１２は制御
系、１３は記憶装置、１４は演算回路である。
ム構成図、第２図は上記一実施例の位置検出方法
を説明するための図である。 図において、１は被処理試料、２は半導体素
子、３はパツケージ、５はTVカメラ、６はレン
ズ系、７は溶液滴下ツール、８は駆動部、１０は
TVモニタ、１１は位置検出回路、１２は制御
系、１３は記憶装置、１４は演算回路である。
Claims (1)
- １ 半導体素子表面に形成されたメモリセル部の
前記半導体素子に対する相互位置関係と、前記メ
モリセル部の認識基準となる基準長とを予め記憶
しておき、パツケージに蝋材により固着された半
導体素子の位置決めを行うに際し、位置決め対象
の半導体素子の撮像画像の二値化データにおい
て、該半導体素子に照射した光の反射光量が低レ
ベルであることを示すデータが、前記基準長を越
えて連続する領域を検出し、該検出された領域を
メモリセル部として認識し、該認識されたメモリ
セル部とその周囲の他の部分との間で二値化デー
タが変化する位置を前記メモリセル部の周縁とし
て認識し、該認識されたメモリセル部の周縁位置
と前記相互位置関係とから前記半導体素子の中心
の位置を求めることを特徴とする半導体素子の位
置認識方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21174781A JPS58110051A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体素子の位置認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21174781A JPS58110051A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体素子の位置認識方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110051A JPS58110051A (ja) | 1983-06-30 |
| JPS6146053B2 true JPS6146053B2 (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=16610909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21174781A Granted JPS58110051A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 半導体素子の位置認識方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237939A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Mazda Motor Corp | 鋳型造型装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2901067B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1999-06-02 | 株式会社東芝 | 樹脂封止装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5197372A (ja) * | 1975-02-24 | 1976-08-26 | ||
| JPS6059736B2 (ja) * | 1978-05-24 | 1985-12-26 | 三菱電機株式会社 | 物品の位置検出方式 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP21174781A patent/JPS58110051A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237939A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Mazda Motor Corp | 鋳型造型装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58110051A (ja) | 1983-06-30 |
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