JPS6147003B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6147003B2 JPS6147003B2 JP55141566A JP14156680A JPS6147003B2 JP S6147003 B2 JPS6147003 B2 JP S6147003B2 JP 55141566 A JP55141566 A JP 55141566A JP 14156680 A JP14156680 A JP 14156680A JP S6147003 B2 JPS6147003 B2 JP S6147003B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- coupling
- controlled oscillator
- voltage controlled
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1805—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a coaxial resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は変調度を大きくする必要がある変調器
や、位相同期発振器に用いられる電圧制御発振器
に関する。
や、位相同期発振器に用いられる電圧制御発振器
に関する。
誘電体共振器を用いた発振器は小形軽量化が可
能であるという特徴を有する。この発振器を電圧
制御発振器として用いる場合には負荷Ｑ（Qex）
の低下を図り、変調度を上げることが望まれる。
能であるという特徴を有する。この発振器を電圧
制御発振器として用いる場合には負荷Ｑ（Qex）
の低下を図り、変調度を上げることが望まれる。
第１図ａは従来の誘電体共振器を用いた電圧制
御発振器の構造を示す図である。図において１は
円柱状高誘電体であり、図の斜線部はεr（比誘
電率）＝39の高誘電率誘電体であり、内部および
外部はメタライズされている。２は中空であり、
両端開放λｇ／２長TEMモード共振素子として
動作する。３はトランジスタ発振素子でありベー
スが結合素子４により共振素子２に結合してい
る。５は出力結合素子であり、６は電圧制御用バ
ラクタ７を共振器に結合する結合素子である。こ
の発振器はトランジスタのベースおよびエミツタ
に各々ベースおよびエミツタ電圧Ｖb、Ｖeが印加
され、共振器１の共振周波数で発振する。発振器
の他端にはバラクタ７が結合され、バラクタに変
調電圧Ｖを印加してバラクタ容量を変化させるこ
とにより発振周波数の周波数変調を行なう電圧制
御発振器として動作する。
御発振器の構造を示す図である。図において１は
円柱状高誘電体であり、図の斜線部はεr（比誘
電率）＝39の高誘電率誘電体であり、内部および
外部はメタライズされている。２は中空であり、
両端開放λｇ／２長TEMモード共振素子として
動作する。３はトランジスタ発振素子でありベー
スが結合素子４により共振素子２に結合してい
る。５は出力結合素子であり、６は電圧制御用バ
ラクタ７を共振器に結合する結合素子である。こ
の発振器はトランジスタのベースおよびエミツタ
に各々ベースおよびエミツタ電圧Ｖb、Ｖeが印加
され、共振器１の共振周波数で発振する。発振器
の他端にはバラクタ７が結合され、バラクタに変
調電圧Ｖを印加してバラクタ容量を変化させるこ
とにより発振周波数の周波数変調を行なう電圧制
御発振器として動作する。
第１図ｂに断面図および電磁界分布を示してあ
る。図において実線は電界分布であり破線は磁界
分布を示している。このような構造の発振器にお
いて、電圧制御発振器として動作させるには発振
器と外部回路の結合を強くして、負荷を軽くし、
すなわち外部Ｑ（Ｑex）を下げることにより、共
振器に結合するバラクタの容量変化による共振周
波数変化を大きくし変調度を上げるという方法が
採られる。しかし従来技術においては第１図の結
合素子５は誘電体共振器１の外部漏洩電磁界に結
合する構造となつており、一方共振器１の誘電率
が高いため電磁界は殆ど誘電体共振器内に閉じ込
められ、外部漏洩電磁界は僅かであるため共振器
と外部回路の結合には限度がありＱexは下がら
ず、変調度を大きくすることができないという欠
点があつた。すなわち高誘電率、低誘電損失の誘
電体共振器を用いて回路の小形化、高性能化が図
れる一方電圧制御発振器としては不適当であると
いう欠点を有していた。このような従来技術の欠
点は誘電体共振器が共振素子のみとして構成され
結合素子が誘電体共振器外に設けられていること
による。
る。図において実線は電界分布であり破線は磁界
分布を示している。このような構造の発振器にお
いて、電圧制御発振器として動作させるには発振
器と外部回路の結合を強くして、負荷を軽くし、
すなわち外部Ｑ（Ｑex）を下げることにより、共
振器に結合するバラクタの容量変化による共振周
波数変化を大きくし変調度を上げるという方法が
採られる。しかし従来技術においては第１図の結
合素子５は誘電体共振器１の外部漏洩電磁界に結
合する構造となつており、一方共振器１の誘電率
が高いため電磁界は殆ど誘電体共振器内に閉じ込
められ、外部漏洩電磁界は僅かであるため共振器
と外部回路の結合には限度がありＱexは下がら
ず、変調度を大きくすることができないという欠
点があつた。すなわち高誘電率、低誘電損失の誘
電体共振器を用いて回路の小形化、高性能化が図
れる一方電圧制御発振器としては不適当であると
いう欠点を有していた。このような従来技術の欠
点は誘電体共振器が共振素子のみとして構成され
結合素子が誘電体共振器外に設けられていること
による。
本発明の目的は円柱状誘電体を共振素子に用
い、この共振素子の一端に発振素子を結合し、他
端に電圧制御バラクタを結合して構成される電圧
制御発振器において、共振素子と外部の結合素子
間の結合を強くし、Ｑexを下げることにより変調
度を上げることができる誘電体共振器を用いた電
圧制御発振器を提供することにある。
い、この共振素子の一端に発振素子を結合し、他
端に電圧制御バラクタを結合して構成される電圧
制御発振器において、共振素子と外部の結合素子
間の結合を強くし、Ｑexを下げることにより変調
度を上げることができる誘電体共振器を用いた電
圧制御発振器を提供することにある。
前記目的を達成するために本発明による電圧制
御発振器は外表面をメタライズした円柱状誘電体
内に内表面をメタライズした、中空状λｇ／２長
TEMモード共振素子を設け、この共振素子の一
端に発振素子と結合し、他の一端に電圧制御バラ
クタを結合して構成される電圧制御発振器におい
て、前記誘電体内に前記共振素子と結合する内表
面をメタライズした第２中空状結合素子を設け、
この結合素子の一端を外部回路に接続して構成し
てある。
御発振器は外表面をメタライズした円柱状誘電体
内に内表面をメタライズした、中空状λｇ／２長
TEMモード共振素子を設け、この共振素子の一
端に発振素子と結合し、他の一端に電圧制御バラ
クタを結合して構成される電圧制御発振器におい
て、前記誘電体内に前記共振素子と結合する内表
面をメタライズした第２中空状結合素子を設け、
この結合素子の一端を外部回路に接続して構成し
てある。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説
明する。
明する。
第２図は本発明による誘電体共振器電圧制御発
振器の構造を示す図である。図において１は共振
器および結合回路を内蔵する、比誘電率εr＝39
の高誘電率誘電体である。形状は円柱状をしてお
り、その円周表面はメタライズされている。また
２は中空であり中空の内面はメタライズされて両
端開放λｇ／２長TEMモード共振器として動作
する、３はトランジスタ発振素子でありベースが
結合素子４により共振器１に結合している。６は
電圧制御用バラクタ７を共振器に結合する結合素
子である。発振器としての動作は第１図と同じで
ありバラクタ７への印加電圧Ｖにより発振周波数
を変化させる電圧制御発振器として動作する。こ
こで８は誘電体１内において共振素子２に結合す
るλｇ／２長中空状結合素子であり、中空の内面
はメタライズされている。また、この結合素子の
一端は外部出力端子に接続されている。
振器の構造を示す図である。図において１は共振
器および結合回路を内蔵する、比誘電率εr＝39
の高誘電率誘電体である。形状は円柱状をしてお
り、その円周表面はメタライズされている。また
２は中空であり中空の内面はメタライズされて両
端開放λｇ／２長TEMモード共振器として動作
する、３はトランジスタ発振素子でありベースが
結合素子４により共振器１に結合している。６は
電圧制御用バラクタ７を共振器に結合する結合素
子である。発振器としての動作は第１図と同じで
ありバラクタ７への印加電圧Ｖにより発振周波数
を変化させる電圧制御発振器として動作する。こ
こで８は誘電体１内において共振素子２に結合す
るλｇ／２長中空状結合素子であり、中空の内面
はメタライズされている。また、この結合素子の
一端は外部出力端子に接続されている。
第２図ｂは誘電体１内の電磁界分布を示すもの
で実線は電界分布、破線は磁界分布を示してい
る。第２図において共振素子２と結合素子８は間
隔ｄにより結合し、外部回路との結合度Ｑexはｄ
により調整することができる。すなわち間隔ｄが
大きければ結合は疎となりＱexが高くｄが小さけ
れば結合は密となつてＱexは下がる。このような
構造となつているから共振素子２と外部回路との
結合を密にすることによりＱexが下がり、前述し
たように変調度を上げることができる。
で実線は電界分布、破線は磁界分布を示してい
る。第２図において共振素子２と結合素子８は間
隔ｄにより結合し、外部回路との結合度Ｑexはｄ
により調整することができる。すなわち間隔ｄが
大きければ結合は疎となりＱexが高くｄが小さけ
れば結合は密となつてＱexは下がる。このような
構造となつているから共振素子２と外部回路との
結合を密にすることによりＱexが下がり、前述し
たように変調度を上げることができる。
以上の説明から明らかなように本発明は小形軽
量の高誘電率誘電体発振器を用いた電圧制御発振
器の変調度を上げることができ、さらに変調度の
調整も可能であるから、変調器や位相同期発振器
等に用いることによりこれらの回路を小形軽量に
できる等の効果を発揮するものである。
量の高誘電率誘電体発振器を用いた電圧制御発振
器の変調度を上げることができ、さらに変調度の
調整も可能であるから、変調器や位相同期発振器
等に用いることによりこれらの回路を小形軽量に
できる等の効果を発揮するものである。
第１図ａは従来の誘電体共振器を用いた電圧制
御発振器の構造を示す図、第１図ｂは電磁界分布
を示すための誘電体断面図、第２図ａは本発明に
よる誘電体共振器を用いた電圧制御発振器の実施
例を示す図、第２図ｂは電磁界分布を示すための
誘電体断面図である。 １……円柱状高誘電率誘電体、２……TEMモ
ードλｇ／２長共振素子、３……トランジスタ発
振素子、４……共振素子２とトランジスタのベー
スを結合する結合素子、５……誘電体共振器の外
部漏洩電磁界に結合する出力結合素子、６……変
調用バラクタ７と共振素子２を結合する結合素
子、７……変調用バラクタ、８……誘電体内の内
部において共振素子２に結合するλｇ／２長結合
素子。
御発振器の構造を示す図、第１図ｂは電磁界分布
を示すための誘電体断面図、第２図ａは本発明に
よる誘電体共振器を用いた電圧制御発振器の実施
例を示す図、第２図ｂは電磁界分布を示すための
誘電体断面図である。 １……円柱状高誘電率誘電体、２……TEMモ
ードλｇ／２長共振素子、３……トランジスタ発
振素子、４……共振素子２とトランジスタのベー
スを結合する結合素子、５……誘電体共振器の外
部漏洩電磁界に結合する出力結合素子、６……変
調用バラクタ７と共振素子２を結合する結合素
子、７……変調用バラクタ、８……誘電体内の内
部において共振素子２に結合するλｇ／２長結合
素子。
Claims (1)
- １ 外表面をメタライズした円柱状誘電体内に内
表面をメタライズした中空状λｇ／２長TEMモ
ード共振素子を設け、この共振素子の一端に発振
素子を結合し、他の一端に電圧制御用バラクタを
結合して構成される電圧制御発振器において、前
記誘電体内に前記共振素子と結合する内表面をメ
タライズした第２の中空状結合素子を設け、この
結合素子の一端を外部回路に接続した事を特徴と
する誘電体共振器を用いた電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14156680A JPS5765011A (en) | 1980-10-09 | 1980-10-09 | Voltage controlled oscillator using dielectric substance resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14156680A JPS5765011A (en) | 1980-10-09 | 1980-10-09 | Voltage controlled oscillator using dielectric substance resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5765011A JPS5765011A (en) | 1982-04-20 |
| JPS6147003B2 true JPS6147003B2 (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=15294948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14156680A Granted JPS5765011A (en) | 1980-10-09 | 1980-10-09 | Voltage controlled oscillator using dielectric substance resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5765011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453006U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-06 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4538122A (en) * | 1982-08-19 | 1985-08-27 | International Standard Electric Corporation | Diode oscillator with independently variable frequency and power |
| JPS6221305A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局部発振装置 |
| FR2789533B1 (fr) * | 1999-02-05 | 2001-04-27 | Thomson Csf | Oscillateur a resonateur dielectrique accordable en tension |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3659222A (en) * | 1970-09-01 | 1972-04-25 | Rca Corp | High efficiency mode avalanche diode oscillator |
-
1980
- 1980-10-09 JP JP14156680A patent/JPS5765011A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453006U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5765011A (en) | 1982-04-20 |
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