JPS6147628A - 半導体薄膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体原料ガスを用いて、それを構成してい
る半導体のエピタキシャル成長にＪ：る半導体薄膜を、
半導体基板上に形成さぼる半導体薄膜形成法、及びそれ
に用いる装置に関する。

従来の技術 半導体原料ガスを用いて、それを構成している半導体の
エピタキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上
に形成させる半導体薄膜形成法として、従来、半導体薄
膜形成用室で半導体原料ガスのプラズマを生成させるこ
とによって、半導体原料ガスを構成している半導体のエ
ピタキシ１１ル成長による半導体ＷＪ膜を、半導体基板
上に形成させるという方法が、プラズマＣＶＤ法による
半導体薄膜形成法として、Ｗ？案されている。

このようなプラズマＣＶＤ法による半導体薄膜形成法は
、半導体原料ガスをプラズマ化さゼずに、半導体原料ガ
スを構成している半導体のエピタキシャル成長による半
導体薄膜を、半導体基板上に形成さける方法（ＣＶ　Ｄ
　ｔｉｉによる半導体薄膜形成法）や、半導体の分子線
を用いて、半導体のエピタキシ＋１ル成長による半導体
薄膜を、半導体基板上に形成させる方法（分子線成長法
による半導体薄膜形成法）などに比し、低い半導体基板
の温度で、半導体薄膜を形成さゼることができる、とい
う特徴を右づる。

１豆り見火旦主ユ左１ゑ月１謔 しかしながら、上述したプラズマＣＶ　Ｄ　払による半
導体薄膜形成法の場合、上述したＣＶＤ法による半導体
薄膜形成法や、分子線成長法による半導体薄ｌ１ｔＡ形
成法などに比し、低い゛Ｖｎ体基板基板度で、半導体薄
膜を形成することができるとは言え、その半導体基板の
温度は、３００℃またはそれ以上であり、決して十分低
い値でない。

このため、半導体基板としてマスクを形成した半導体基
板を用い、その半導体基板上に、選択的に半導体薄膜を
形成Ｕんとする場合、半導体基板上に、プラズマＣＶＤ
法によって半導体薄膜を形成づるとぎの温度十分耐え得
る特別の４４料を用いたマスクを形成する必要がある。

従って、半導体基板上にマスクを用いて選択的に半導体
薄膜を形成するのに多くの困難を伴う、という欠点を有
していた。

また、半轡体桔板上に、それとは異なる格子定数を右す
る半導体薄膜を形成する場合、半導１４、　薄膜に、そ
れと半導体基板との間の熱膨服係数の差に基く応力が大
なる値で生ずる。このため、半導体薄膜を、半導体基板
に十分近い格子定数を右するものとして形成せんとして
も、その半導体１１１９を結晶歪の少ないものとして容
易に形成Ｊることができない、という欠点を有していた
。

さらに、半導体基板上に半導体薄膜を形成して後、半導
体基板の温度を室温に戻す過程で、半導体薄膜に、半導
体基板の半導体薄膜側とそれとは反対側との間の温度差
に基く応力が大なる値で生ずる。このため、大なる面積
を有する半導体基板上に、半導体薄膜を大なる面積を有
するものとして形成せんとしても、その半導体薄膜を結
晶歪の少ないものとして容易に形成することができない
、という欠点を有していた。

問題点を解決するための手段 よって、本発明は上述した欠点のない新規な半導体薄膜
形成法、及びそれに用いる装置を提案せんとするもので
ある。

本願第１番目の発明による？１４尋体？７ｇ膜形成法に
よれば、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法で、
キャリアガスの電子°リーイクロ］−ロン共鳴プラズマ
を生成させ、その電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマを
、半導体基板を配している半導体薄膜形成用案内に導入
させ、その半導体薄膜形成用室内で、電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマによって半導体原料ガスのプラズマを生
成させ、よって、半導体薄膜形成用室で、半導体原料ガ
スを構成している半導体の■ビタキシＶル成長による半
導体薄膜を、半導体基板上に形成さμる。

また、本願第２番目の発明による半導体源ζ形成法によ
れば、電子リイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で、キ
ャリアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成さ
じ、その電子サイクロ１′−ロン共鳴プラズマを、半導
体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導入させ、
その半導体薄膜形成用室で、電子リイクロトロン共鳴プ
ラズマによって、半導体基板の表面を清浄化さμ、次で
、電子ナイクロトロン共鳴プラズマによって、半導体原
料ガスのプラズマを生成さＵｏ、よって、半導体薄膜形
成用室で、半導体原料ガスを構成している半導体のエピ
タキシャル成長による半導体薄膜を、半導体基板上に形
成さＵる。

さらに、本願第３番目の発明による半導体薄膜形成法に
よれば、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で、
半導体原料ガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを生
成させ、その電子サイクロトロン共鳴プラズマを、半導
体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導入させ、
よって、半導体薄膜形成用室で、半導体原料ガスを構成
している半導体のエピタキシャル成長による半導体薄膜
を、半導体薄膜上に形成ざ往る。

さらに、本願第４番目の発明による半導体薄膜形成用装
置によれば、ガス導入口と、マスクロ波導入窓とを有す
る電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室と、マイク
ロ波導入窓から導入されるマイクロ波と共働して、ガス
導入［１から導入されるガスの電子サイクロ１−ロン共
鳴プラズマを生成させる磁場を、電子サイクロトロン共
鳴プラズマ生成用室内に与える磁場付与手段と、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ生成用室に電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ引出用窓を介して連通し、且つ排気口を
有する、半導体薄膜が形成される半導体基板を配置する
半導体薄膜形成用室と、電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用室で生成する電子サイクロトロン共鳴プラズマ
を、電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓を通じて
半導体薄膜形成用室内に引出して半導体基板側に向わせ
る電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用手段とを有す
る。

作　　　用 本願第１番目の発明にＪ：る半導体薄膜形成法によれば
、半導体基板上に、それを加熱しなくても、エピタキシ
ャル成長による半導体薄膜が形成される。

また、本発明による半導体薄膜形成法によれば、半導体
基板の表面がその上に半導体基板を形成づる前に清浄化
され、そして、本願第１番目の発明の場合と同様に、半
導体基板ひ加熱しなくても、その半導体基板の清浄化さ
れた表面上に、エピタキシャル成長による半導体薄膜が
形成される。

さらに、本願第３番目の発明薄膜による半導体薄膜形成
法によれば、本願第１番目の発明の場合と同様に、半導
体基板を加熱しなくても、その半導体基板上に半導体薄
膜が形成される。

また、本願第４番目の発明による半導体？膜形成用装置
によれば、半導体薄膜形成用室内に半導体基板を配して
いる状態で、電子り′イクロトロン共鳴プラズマ生成用
至内に、そのガス導入口を介してキャリアガスを導入さ
せるとともにマイクロ波導入窓を介してマイク１丁１波
を導入させ、また、半導体薄膜形成用室内に、′−１（
導体原料ガスを導入さぜることによって、または、電子
サイクロ１−ロン共鳴プラズマ生成用γ内に、そのガス
導入【」を介して半導体原料ガスをヵ人させるとどもに
マイク１コ波導入窓を介してマイクロ波を導入さゼるこ
とによって、半導体薄膜形成用室において、半導体基板
を加熱しなくても、半導体基板上に、半導イホ薄膜を形
成させることができる。

発明の効果 本願第１番目、第２番目及び第３番目の発明による半導
体薄膜形成法によれば、半導体基板を加熱しなくても、
その半導体基板上に半導体薄膜を形成することができる
ので、半導体基板としてマスクを形成した半導体基板を
用い、その半導体基板上に選択的に半導体薄膜を形成せ
んとＪ゛る場合、マスクとして、特別の材わ１を用いた
ものを、半導体基板上に形成Ｊる必要がなく、従って、
半導体基板上にマスクを用いて選択的に半導体薄膜を容
易に形成づることができる。

また、木に１第１番目、第２番目及び第３番目の発明に
よる半導体薄膜形成法によれば、半導体基板を加熱しな
くても、その半導体基板上に半導体層膜を形成すること
ができるので、半導体薄膜を半導体基板とＩ：１異なる
格子定数を右づるｂのとして形成しても、また、大なる
面積をイ′ｉりる２１′専体入（板上に、半導体薄膜を
大なる面積を右Ｊ８ものとして形成しても、その半導体
薄膜を結晶歪の十分少ないものどじて容易に形成するこ
とができる。

ざらに、本願第２番目の発明による半導体薄膜形成法に
よれば、半導（４１基板の清浄化された表面上に半導体
薄膜が形成されるので、その半導体層膜を高品位を有す
るものとして容易に形成することができる。

また、本願第４番目の発明による半導体薄膜形成用装置
によれば、半導体基板上に、その半導体基板を加熱しな
くても、高品位の半導体薄膜を容易に形成させることが
できる。

さらに、本願第４番目の発明による半導体薄膜形成用装
置によれば、半導体基板の表面を清浄化さけ、その清浄
化された半導体基板の表面上に、その半導体基板を加熱
さけずに、高品位の半導体薄膜を容易に形成さけること
かできる。

まず、本願第４番目の発明にＪ、る半導体薄膜形成用装
置の実施例を、第１図を伴なって述べよう。

第１図に示づ半導体薄膜形成法装ｄは、次に述べる構成
を有する。

すなわち、電子サイクロトロン其鳴プラズマ生成用室１
を有づる。

この電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１は、導
電性（４で製造された中空容器２ににって形成され、そ
の中空容器２の上壁３に、ガス導入管６に連結されてい
るガス導入口４と、マイク１」波導波管に連結されてい
る例えば石英でなるマスクロ波導入窓５とを右づる。マ
イクロ波導波管１３は、導電性材で製造された取付用環
体１４によって、中空容！ａ２に電気的に連結されてい
る態様で、その中空容器２に取付【プられ′Ｃいる。

また、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を構
成している中空容器２は、内側側壁７と、外側側壁８ど
を有し、それら間に冷却用媒体路９を形成している。

この冷却用媒体路９には、冷却用媒体導入管１０と、冷
却用媒体導出管１１とが連結されている。

電子リイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１の周りには
、中空容器２の周りにおいて、電磁石１２が配され、電
子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に、磁場を
与えるようになされ、また、半導体薄膜形成用室２１内
に、発散磁場を与えるようになされている。

また、第１図に示す′４′導体薄膜形成用装置は、半導
体薄膜形成用字２１を右する。

この半導体薄膜形成用室２１は、電子サイクロ１−ロン
共鳴プラズマ生成用室１と同様に導電性材で製造された
中空容器２２によって形成され、その中空容器２２の下
壁２３の位置に、排気用管３８に連結されている排気口
３７を右し、また、側壁２４の上方寄り位置に、ガス導
入管２６を連結しているガス導入口２５を右する。

半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容器２２は
、電子リーイクロ１〜ロン共鳴ブラズ７生成用室１を形
成している中空容器２に比し人なる大きさを有し、その
中空容器２２の上壁２７には窓３４を右する。

一方、上述した電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマ生成
用室１を形成している中空容器２の下壁２８にも、中空
容器２２の窓３４に対応している窓３５を有する。

しかして、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
を形成している中空容器２が、その窓３５と、半導体薄
膜形成用室２１を形成している中空容器２２の窓３４と
がほぼ一致するように、中空容器２２に電気的に載置さ
れている状態で、導電性材で製造された取付用環体３３
によって、中空容器２２に電気的に連結されている状態
で、その中空容器２２上に取付（プられている。

また、半導体薄膜形成用室２１を形成している中空使用
器２２は、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
を形成している中空容器２２に、それら中空容器２２の
窓３４及び中空容器２の窓３５を閉塞するように上述し
た取付用環体３３を用いて配された電子サイクロトロン
共鳴プラズマ引出用窓３０を介して連通している。

この電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３０は、
多数の細孔３１を穿設している導電性板３２でなる。

さらに、半導体薄膜形成用室２１内には、基板載置台４
１が、中空容器２２から電気的に浮かされている状態に
、適当な手段（図示せず）を用いて配されるようになさ
れている。

さらに、半導体薄膜形成用室２１内には、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマ引出用意３０を開閉するシャツタ板
４２が、適当’ｃＫ手段（図示せず）を用いて配されて
いる。

以上が、本願第４番目の発明による半導体薄膜形成用装
置の実施例の構成である。　　　　　・本願第１番目の
一明による半導体薄膜ｎノーの実施例 次に、上述した本願第４番目の発明による半導体薄膜形
成用装置を用いた、本願第１番目の発明による半；９体
薄膜形成法の実施例を述べよう。

半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容器２２内
に、基板載置台４１を用いて、半導体基板５１を配Ｊる
。この場合、半導体基板５１は、加熱用板４３を介して
、基板載置台４１上に配置さけ°てもよい。

次に、中空容器２２の排気口３７に連結している排気用
管３８に、排気用ポンプ（図示せず）を連結し、電子力
イクＯトＯン共鳴プラズマ生成用至１及び半導体薄膜形
成法宅２１を１Ｏ−７Ｔｏｒｒ稈疫の真空状態にづる。

次に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１を形
成している中空容器２のガス導入口４に連結しているガ
ス導入管６に、キャリアガス源（図示せず）を連結し、
そのキャリアガス源から、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ生成用全１内に、水素ガス、アルゴンガス、窒素ガ
スなどでなるキレリアガスＣを導入し、また、半導体薄
膜形成用室２１を形成している中空容器２２のガス導入
口２５に連結しているガス導入管２６に半導体原料ガス
源（図示せ？１″）を連結し、その半導体原料ガス源か
ら例えばシラン（Ｓ、Ｈ４）ガスなどの半導体原料ガス
Ｇを半導体薄膜形成用室２１内に導入させる。この場合
、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用至１及び半導
体薄膜形成用室２１内が１０−５〜１ｏ４程度の圧力に
なるように、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
１及び半導体薄膜形成用室２１を、排気用管３Ｂを介し
て、排気しながら、上述したキャリアガスＣ及び半導体
原料ガスＧ（７）導入−を行う。

また、このとき、電子１ノイク０１〜ロン共鳴プラズマ
生成用室１内に、マイクロ波導波管１３及びマスクロ波
導入窓５を介して、例えば２゜４５　ＧＩＩＺの周波数
を有づるマイクロ波Ｍを導入させる。また、電磁石１２
を作動させ、電子り゛イクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１内に、例えば８７５ガウス程度の強さの磁場を与え
るとともに、半導体ａ股形成用掌２１内に発散磁場を与
える。

なお、中空容器２に形成されている冷却用媒体路９に、
冷却用媒体導入管１０及び冷却用媒体導出管１１を介し
て、例えば冷却用水を流し、中空容器２を冷却させて置
（。

しかるときは、電磁石１２への通電化の調整によって、
電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用全１内の磁場の
強さを適当に調整ザることによって、電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマ生成用室１内に、キャリアガスの電子サ
イクロトロン共鳴プラズマＰ１が生成する。

この電子り゛イクロｒ−［１ン共鳴プラズマＰ　１　＋
よ、半導体薄膜形成用室２１に、電子Ｖイクロトロン共
鳴プラズマ引出用窓３０下において、電磁石１２によっ
て１、半導体基板５１側に向うに従い外側方に発散する
磁場が生成されているので、電子リイクロトロン共鳴プ
ラズマ引出用窓３０を介して、半導体薄膜形成用室２１
内に引　′出される。

このため、半導体薄膜形成用室２１内に、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＰ１によって半導体原料ガスＧのプ
ラズマＰ２が大なるエネルギーを有するものとして生成
し、それが半導体基板５１側に向う。

よって、半導体基板５１上に、それを加熱用板４３を用
いて加熱しなくても、半導体原料ガスＧを組成している
半導体のエピタ４−シＶル成長による半導体薄膜５２が
形成される 次に、上述した本願第４番目の発明による半導体薄膜形
成用装首を用いた、本願第２？ｒｒ目の発明による半導
体ａ９膜形成仏の実施例を述べよう。

本願第１番目の発明による半導体薄膜形成法の場合と同
様に、半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容器
２２内に、Ｊ：４板４＆首台４１を用いて、半導体基板
５１を配する。

次に、中空容器２２の排気口３７に連結している排気用
管３８に排気用ポンプを連結して、電子サイクロトロン
共鳴プラズマ生成用￥、１及び半導体薄膜形成用室２１
を１０　’丁ｏｒｒＰ１度の真空状態とする。

次に、本願第１番目の発明による半導体薄膜形成法の場
合と同様に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室
１を形成している中空容器２のガス５．Ｑ人口４に連結
しているガス導入管６にキャリアガス源を連結し、電子
サイクロトロンＪｔ鳴プラズマ生成用室１内に、水素ガ
ス、アルゴンカス、窒素ガスなどのキャリアガスＣを尋
人さＩる。しかしながら、半導体薄膜形成用３ぎ２１内
には半導体原料ガスＧを導入させない。

この場合、本願用１Ｍ口の発明の場合と同様に、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形
成用室２１を排気しながら、電子１ノイクロト１」ン共
鳴プラズマ生成用室１内に千１／リアガスＣを導入させ
る。

よ１．：、このどぎ、マイクロ波導波管１３及びマイク
ロ波導入窓５を介して、電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用全１内にマイクロ波を導入さ１１また、電磁石
１２を作動させ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成
用室１内に磁場を与えるとどもに、半導体薄膜形成用室
２１内に発散磁場を与える。

しかるとぎは、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１で、キャリアガスＣの電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマＰ１が得られ、その電子サイクロトロン共鳴プラズ
マＰ１が、電子Ｖイクロトロン共鳴プラズマ引出用窓３
０を通じて半導体薄膜形成用室２１内に引出され、半導
体基板５１側に向かう。

このため、半導体基板５１の表面が、キャリアガスＣの
電子サイクロトロン共鳴プラズマＰ１によって清浄化さ
れる。

次に、中空容器２２のガス導入口２５に連結しているガ
ス導入管２６に、半導体原料ガス諒を連結し、」グ導体
薄膜形成用室２１内に半導体原料ガスＧを導入させる。

しかるときは、本願第１番目の発明による半導体薄膜形
成法の実施例の場合と同様に、半導体薄膜形成用室２１
内に、主導体原料ガスＧのプラズマＰ２が生成し、よっ
て、半導体Ｍ　＆　５１の清浄化された表面上に、半導
体原料ガスＧを構成している半導体のエピタキシャル成
長による半導体薄膜５２が形成される。

本願第３番目の　明による半導体薄膜チ゛、の実施例 次に、上述した本願第４番目の発明による半導体源１１
ジ形成用装置を用いた、本願第３番目の発明にＪ：る半
導体薄膜形成法の実施例を述べよう。

本願ａ１１番目の発明による半導体薄膜形成法の場合と
同様に、半導体薄膜形成用室２１内に、基板載ｉｉ？、
１台４１を用いて、半導体基板５１を配置る。

次に、本願第１番目の発明による半導体薄膜形成法の場
合と同様に半導体薄膜形成用室２１を形成している中空
容器２２の排気口３７に連結している排気用管３８を排
気用ポンプに連結して、電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ生成用室１及び半導体薄膜形成用室２１を１０−７Ｔ
ｏｒｒ稈度の真空状１ｇにする。

次に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室を形成
している中空容器２のガス導入口４に連結しているガス
導入管６を、半導体原料ガス（図示せず）に連結し、ま
た、必要に応じてキャリアガス源に連結し、電子サイク
ロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に、半導体原料ガス
Ｇを、必要に応じてキャリアガスＣとともに導入させる
。

この場合、本願第１番目の発明の場合と同様に、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ生成用室１及び半導体薄膜形
成用室２１を排気しながら、電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマ生成用全１内に半導体原石ガスＧを導入させる。

また、このとき、マイクロ波導波管１３及びマイクロ波
導入窓５を介して、電子リイク［１トロン共鳴プラズマ
生成用室１内にマイクロ波を導入させ、また、電磁石１
２を作動させ、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
全１内に磁場を与えるとともに、半導体薄膜形成用室２
１内に発散磁場を与える。

しかるときは、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用
室１で、半導体原料ガスＧの電子サイクロトロン共鳴プ
ラズマＰ３が得られ、その電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマＰ３が、電子４ノイクロ１〜ロン共鳴プラズマ引出
用窓３０を通じて、半導体薄膜形成用室２１内に引出さ
れ、半導体基板５１側に向かう。

このため、半導体基板５１上に、半導体原料ガスを構成
している半導体のエピタキシ１シル成長による半導体薄
膜５２が形成される。

なお、上述においＣは、本願箱１、第２、第３及び第４
番目の発明のそれぞれにつぎ、１つの例を示したに留ま
り、本発明の精神を脱することなしに種々の変形、変更
をなし得るであろう。

例えば、本願第４番目の発明による半導体薄膜形成用装
置において、その電磁石１２を直流磁石とすることもで
きる。

また、上述においては、電磁石１２が、電子°す゛イク
ロトロン共鳴プラズマ生成用室１内に電子サイクロトロ
ン共鳴プラズマを生成させるための磁場を与える磁場付
与手段と、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室１
内に生成される電子サイクロトロン共鳴プラズマを、半
導体薄膜形成用室２１内に引出して、それを半導体薄膜
形成用室２１内に配された半導体基板５１側に向かわせ
る電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用手段とを兼ね
ている場合につき述べた。

しかしながら、電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマ生成
用室１に電子ザイクＤ　ｌ−Ｄン共鳴プラズマを生成さ
せるための磁場を与える磁場イ・１勺丁段と、電子リー
イクロ！・ロン共鳴プラズマ生成用室内に生成される電
子Ｖイクロトロン共鳴プラズマを、半導体薄膜形成用室
２１内に引出して、それを半導体ｉ’ｌ膜形膜形成用室
内１内された半導体基板５１側に向かわせる電子リーイ
クロト［１ン共鳴プラズマ引出用手段とを、各別の手段
として設けることもできる。

【図面の簡単な説明】

図は、本発明による半導体薄膜形成法の実施例に用いる
、本発明による半２９体薄膜形成用装置の実施例を示す
路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・電子サイクロ１〜ロ
ン共鳴プラズマ生成用室 ２・・・・・・・・・・・・・・・電子サイクロトロン
共鳴プラズマ生成用室１を形成し ている中空容器 ４・・・・・・・・・・・・・・・ガス導入口５・・・
・・・・・・・・・・・・マイクロ波導入窓６・・・・
・・・・・・・・・・・ガス導入管１２・・・・・・・
・・・・・・・・電磁石１３・・・・・・・・・・・・
・・・マイクロ波導波管２１・・・・・・・・・・・・
・・・半導体薄膜形成用室２２・・・・・・・・・・・
・・・・半導体薄膜形成用室２１を形成している中空容
器 ２５・・・・・・・・・・・・・・・ガス導入口２６・
・・・・・・・・・・・・・・ガス導入管３０・・・・
・・・・・・・・・・・電子サイクロトロン共鳴プラズ
マ引出用窓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で、キャ
   リアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させ
   、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマを、 半導体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導入さ
   せ、 上記半導体薄膜形成用室で、上記電子サイクロトロン共
   鳴プラズマによつて半導体原料ガスのプラズマを生成さ
   せ、 よって、上記半導体薄膜形成用室で、上記半導体原料ガ
   スを構成している半導体のエピタキシャル成長による半
   導体薄膜を、上記半導体基板上に形成させることを特徴
   とする半導体薄膜形成法。 ２、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で、キャ
   リアガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成させ
   、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマを、 半導体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導入さ
   せ、 上記半導体薄膜形成用室で、上記電子サイクロトロン共
   鳴プラズマによって、上記半導体基板の表面を清浄化さ
   せ、 次で、上記電子サイクロトロロン共鳴プラズマによつて
   半導体原料ガスのプラズマを生成させ、 よつて、上記半導体薄膜形成用室で、上記半導体原料ガ
   スを構成している半導体のエピタキシャル成長による半
   導体薄膜を、上記半導体基板の清浄化された表面上に形
   成させることを特徴とする半導体薄膜形成法。 ３、電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で、半導
   体原料ガスの電子サイクロトロン共鳴プラズマを生成さ
   せ、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマを、 半導体基板を配している半導体薄膜形成用室内に導入さ
   せ、 よつて、上記半導体薄膜形成用室で、半導体基板上に、
   上記半導体原料ガスを構成している半導体のエピタキシ
   ャル成長による半導体薄膜を形成させることを特徴とす
   る半導体薄膜形成法。 ４、ガス導入口と、マスクロ波導入窓とを有する電子サ
   イクロトロン共鳴プラズマ生成用室と、 上記マスクロ波導入窓から導入されるマイクロ波と共働
   して、上記ガス導入口から導入されるガスの電子サイク
   ロトロン共鳴プラズマを生成させる磁場を、上記電子サ
   イクロトロン共鳴プラズマ生成用室内に与える磁場付与
   手段と、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室に電子サ
   イクロトロン共鳴プラズマ引出用窓を介して連通し、且
   つ排気口を有する、半導体薄膜が形成される半導体基板
   を配置する半導体薄膜形成用室と、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室で生成す
   る上記電子サイクロトロン共鳴プラズマを、上記電子サ
   イクロトロン共鳴プラズマ引出用窓を通じて上記半導体
   薄膜形成用室内に引出して上記半導体基板側に向わせる
   電子サイクロトロン共鳴プラズマ引出用手段とを有する
   半導体薄膜形成用装置。 ５、特許請求の範囲第４項記載の半導体薄膜形成用装置
   において、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室のガス導
   入口が、キャリアガス導入口でなり、 上記半導体薄膜形成用室が、半導体原料ガス導入口を有
   することを特徴とする半導体薄膜形成用装置。 ６、特許請求の範囲第４項記載の半導体薄膜形成用装置
   において、 上記電子サイクロトロン共鳴プラズマ生成用室のガス導
   入口が、半導体原料ガス導入口でなることを特徴とする
   半導体薄膜形成用装置。