JPS6148566A - 電子ビ−ム蒸着装置 - Google Patents
電子ビ−ム蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6148566A JPS6148566A JP16866084A JP16866084A JPS6148566A JP S6148566 A JPS6148566 A JP S6148566A JP 16866084 A JP16866084 A JP 16866084A JP 16866084 A JP16866084 A JP 16866084A JP S6148566 A JPS6148566 A JP S6148566A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- source
- substrates
- electron beam
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造等に広範囲に使用される電
子ビーム蒸着装置（以後ＥＢ蒸着装置という）に関する
もので、最近、薄膜の応用分野が急速に拡大すると共に
、蒸着される薄膜の材料も多種多様になり、特に比較的
高融点の材料を蒸着する場合には、多くの場合、この電
子ビーム蒸着が採用されており、このような理由から、
ＥＢ蒸着は半導体装置の製造工程に限らず多方面に採用
されている。
子ビーム蒸着装置（以後ＥＢ蒸着装置という）に関する
もので、最近、薄膜の応用分野が急速に拡大すると共に
、蒸着される薄膜の材料も多種多様になり、特に比較的
高融点の材料を蒸着する場合には、多くの場合、この電
子ビーム蒸着が採用されており、このような理由から、
ＥＢ蒸着は半導体装置の製造工程に限らず多方面に採用
されている。
このＥＢ蒸着装置は、真空可能の容器内に、被蒸着基板
を配置しくこの被蒸着基板は全面に蒸着する場合はレジ
スト膜が被覆されていないが、パターニングした蒸着面
を形成する場合には、被蒸着基板の表面の一部パターニ
ングされたレジスト膜で被覆されている）、又蒸着材料
を充填した高融点の材料で製作された蒸着ソースと、こ
の蒸着ソースに電子ビームを放射する電子放射電極があ
り、坩堝と電子放射電極との間に数ＫＶの電圧が印加さ
れると、電子ビームが坩堝に充填された蒸着材料に投射
され、この電子ビームのエネルギーによって蒸着材料が
溶融蒸発して被蒸着基板に蒸着することになる。
を配置しくこの被蒸着基板は全面に蒸着する場合はレジ
スト膜が被覆されていないが、パターニングした蒸着面
を形成する場合には、被蒸着基板の表面の一部パターニ
ングされたレジスト膜で被覆されている）、又蒸着材料
を充填した高融点の材料で製作された蒸着ソースと、こ
の蒸着ソースに電子ビームを放射する電子放射電極があ
り、坩堝と電子放射電極との間に数ＫＶの電圧が印加さ
れると、電子ビームが坩堝に充填された蒸着材料に投射
され、この電子ビームのエネルギーによって蒸着材料が
溶融蒸発して被蒸着基板に蒸着することになる。
このようにＥ’Ｂ蒸着は、電子ビームのエネルギー量を
電源電圧で加減することができるので、蒸着量の制御が
容易であり、又高融点の材料を蒸着することが可能であ
る等の利点があるが、他方電子ビーム電圧が高電圧のた
めに、電子ビームが投射される蒸着ソースからＸ線が発
生されることになる。
電源電圧で加減することができるので、蒸着量の制御が
容易であり、又高融点の材料を蒸着することが可能であ
る等の利点があるが、他方電子ビーム電圧が高電圧のた
めに、電子ビームが投射される蒸着ソースからＸ線が発
生されることになる。
このＸ線は、半導体装置の製造工程で１μｍ以下の微細
なパターニングを形成する際に、電子ビーム用レジスト
膜を使用して、電子ビーム露光でパターニングを行うの
が通例であり、このような電子ビーム露光用レジスト膜
で被着された基板をＥＢ蒸着で蒸着する場合には、被蒸
着基板面の電子ビーム露光用のレジスト膜がＸ線によっ
て感光され、折角電子ビーム露光によって高精度にパタ
ーニングされたレジスト膜の非露光部分迄露光されて蒸
着のパターニングの精度が劣化するという欠点がある。
なパターニングを形成する際に、電子ビーム用レジスト
膜を使用して、電子ビーム露光でパターニングを行うの
が通例であり、このような電子ビーム露光用レジスト膜
で被着された基板をＥＢ蒸着で蒸着する場合には、被蒸
着基板面の電子ビーム露光用のレジスト膜がＸ線によっ
て感光され、折角電子ビーム露光によって高精度にパタ
ーニングされたレジスト膜の非露光部分迄露光されて蒸
着のパターニングの精度が劣化するという欠点がある。
半導体装置における高集積化の傾向と、優れた高周波特
性を有する半導体装置を実現するために半導体素子の電
極を可能な限り緻密に製作するために電子ビーム露光で
レジスト膜のパターニングを行って高精度の電極形成を
するが、その−例として、例えば低雑音の電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ、）のゲート電極の形成等があげられ
る。
性を有する半導体装置を実現するために半導体素子の電
極を可能な限り緻密に製作するために電子ビーム露光で
レジスト膜のパターニングを行って高精度の電極形成を
するが、その−例として、例えば低雑音の電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ、）のゲート電極の形成等があげられ
る。
作
このＦＥＴの製作する際に、最初に基板にレジスト膜を
被着し、そのレジスト膜を電子ビーム露光と現像によっ
てパターニングを行い、その基板をＥＢ蒸着装置に配置
して蒸着が行われる。
被着し、そのレジスト膜を電子ビーム露光と現像によっ
てパターニングを行い、その基板をＥＢ蒸着装置に配置
して蒸着が行われる。
第２図は従来の電子ビーム蒸着装置の断面を示す模式図
であるが、真空にされた容器１のなかに単数以上の被蒸
着基板２を配置する基板台３があり、この基板台３に対
応して、蒸着ソース４を蒸発させるための坩堝５と、そ
の坩堝に充填されている蒸着材料に電子ビームを投射す
る電子ガン６があって、ビーム電圧は電源７によって坩
堝５と、電子ガン６との間に印加される。
であるが、真空にされた容器１のなかに単数以上の被蒸
着基板２を配置する基板台３があり、この基板台３に対
応して、蒸着ソース４を蒸発させるための坩堝５と、そ
の坩堝に充填されている蒸着材料に電子ビームを投射す
る電子ガン６があって、ビーム電圧は電源７によって坩
堝５と、電子ガン６との間に印加される。
この場合に、蒸着ソース４に高エネルギーの電子ビーム
が投射されるために、蒸着ソース４から矢印のようなＸ
線８が容器内で発射されて、被蒸着基板２にも、このＸ
線が投射される。
が投射されるために、蒸着ソース４から矢印のようなＸ
線８が容器内で発射されて、被蒸着基板２にも、このＸ
線が投射される。
このＸ線の発生量を少なくするために、蒸着のレートを
変化させるとか、又は蒸着ソースと被蒸着基板との距離
を離す等の手段が講しられているが、前者では蒸着工程
時間が掛り過ぎて不経済であり、後者では蒸着装置の大
きさに制限があって、従来Ｘ線による影響を完全に防止
することは不可能であった。
変化させるとか、又は蒸着ソースと被蒸着基板との距離
を離す等の手段が講しられているが、前者では蒸着工程
時間が掛り過ぎて不経済であり、後者では蒸着装置の大
きさに制限があって、従来Ｘ線による影響を完全に防止
することは不可能であった。
上記の構成のＥＢ蒸着装置においては、高電圧の電子ビ
ームを蒸着ソースに投射するのであるから、当然Ｘ線が
発生するものであり、従ってＸ線の発生を防止すること
は不可能であるが、Ｘ線によって感光する被蒸着基板を
Ｘ線から遮蔽することにより、Ｘ線による影響を大幅に
減少することが可能である。
ームを蒸着ソースに投射するのであるから、当然Ｘ線が
発生するものであり、従ってＸ線の発生を防止すること
は不可能であるが、Ｘ線によって感光する被蒸着基板を
Ｘ線から遮蔽することにより、Ｘ線による影響を大幅に
減少することが可能である。
そのために本問題を解決する方法として、蒸着ソースと
被蒸着基板との間に、遮蔽板を設け、この遮蔽板には蒸
着物が通過するスリットを形成し、且つこの遮蔽板を回
転することにより、蒸着装置内に配置された複数の被蒸
着基板のそれぞれが均質な蒸着がなされるようにしたも
のである。
被蒸着基板との間に、遮蔽板を設け、この遮蔽板には蒸
着物が通過するスリットを形成し、且つこの遮蔽板を回
転することにより、蒸着装置内に配置された複数の被蒸
着基板のそれぞれが均質な蒸着がなされるようにしたも
のである。
本発明は上記問題点を解消した蒸着装置を提供するもの
で、その手段は、基板の一部が電子ビーム用レジスト膜
で被覆された該基板の表面に電子ビーム蒸着法で蒸着を
行う際に、蒸着ソースと該基板との間に、回転可能で且
つ少なくとも単数以上のスリットを有するＸ線防止板を
設けたことを特徴とする電子ビーム法蒸着装置を提供す
ることによって達成できる。
で、その手段は、基板の一部が電子ビーム用レジスト膜
で被覆された該基板の表面に電子ビーム蒸着法で蒸着を
行う際に、蒸着ソースと該基板との間に、回転可能で且
つ少なくとも単数以上のスリットを有するＸ線防止板を
設けたことを特徴とする電子ビーム法蒸着装置を提供す
ることによって達成できる。
即ち、電子ガンからの電子ビームが高電圧で蒸着ソース
に衝突する際にＸ線を発生し、そのＸ線が被蒸着基板の
レジスト膜を露光するものであるから、そのＸ線の発生
源である蒸着ソースと被蒸着基板との間を遮蔽板で遮蔽
し、その遮蔽板上に蒸着ソースと被蒸着基板の相対位置
を考慮した、蒸着物質が通過するスリットを設け、且つ
複数の被蒸着基板が同時に蒸着できるように遮蔽板を回
転させる構造にして、Ｘ線の被害を防止するように考慮
したものである。
に衝突する際にＸ線を発生し、そのＸ線が被蒸着基板の
レジスト膜を露光するものであるから、そのＸ線の発生
源である蒸着ソースと被蒸着基板との間を遮蔽板で遮蔽
し、その遮蔽板上に蒸着ソースと被蒸着基板の相対位置
を考慮した、蒸着物質が通過するスリットを設け、且つ
複数の被蒸着基板が同時に蒸着できるように遮蔽板を回
転させる構造にして、Ｘ線の被害を防止するように考慮
したものである。
第１図に本発明のＥＢ蒸着装置を説明するためのＥＢ蒸
着装置の内部の透視図であるが、真空にされた容器１１
のなかに、複数個の被蒸着基板１２が基板台１３の円周
方向に配置され、この被蒸着基板１２に対応して、蒸着
ソースＩ４を蒸発させるため電子ビームを投射する電子
ガン１６があって、電源１７によって坩堝１５と電子ガ
ン１６との間に電圧が印加される。
着装置の内部の透視図であるが、真空にされた容器１１
のなかに、複数個の被蒸着基板１２が基板台１３の円周
方向に配置され、この被蒸着基板１２に対応して、蒸着
ソースＩ４を蒸発させるため電子ビームを投射する電子
ガン１６があって、電源１７によって坩堝１５と電子ガ
ン１６との間に電圧が印加される。
本発明による遮蔽板１８は、基板台１３と蒸着ソース１
４との間に設けられたものであって、はぼ被蒸着基板１
２０寸法番こ対応した立体角で蒸着ソース１４からの蒸
発物質が通過できるような（図では実線の矢印）寸法の
スリット１９を設けておき、然もこの遮蔽板は回転可能
構造２０にして、複数の被蒸着基板１２が均質に蒸着被
膜されるように考慮がなされている。
４との間に設けられたものであって、はぼ被蒸着基板１
２０寸法番こ対応した立体角で蒸着ソース１４からの蒸
発物質が通過できるような（図では実線の矢印）寸法の
スリット１９を設けておき、然もこの遮蔽板は回転可能
構造２０にして、複数の被蒸着基板１２が均質に蒸着被
膜されるように考慮がなされている。
このような遮蔽板１Ｂを設けることにより、蒸着ソース
から放射されるＸ線は点線の矢印のように遮蔽板で反射
され、被蒸着基板に対するＸ線放射は僅かにスリット１
９を通過して投射されるだけなのでＸ線によるレジスト
膜への影響を殆ど除去すｔ ることがで
きる。
から放射されるＸ線は点線の矢印のように遮蔽板で反射
され、被蒸着基板に対するＸ線放射は僅かにスリット１
９を通過して投射されるだけなのでＸ線によるレジスト
膜への影響を殆ど除去すｔ ることがで
きる。
実際のＥＢ蒸着装置の動作として、被蒸着基板にチタン
（Ｔｉ） 、白金（Ｐｔ）のような高融点の金属を５０
００人の厚みで蒸着する場合を例にとると、それらの蒸
着金属材料を坩堝１５に充填し、坩堝１５と電子ガン１
６との間に電圧６ｋｖを印加することによって、ビーム
電流がほぼ０．５Ａになり、この電力によって坩堝に充
填された蒸着金属材料が溶融、蒸発するがこの際に遮蔽
板１８を数ｒ、ｐ、ｍの速度で回転させることにより、
遮蔽板のスリットを通過する蒸着金属材料を複数の基板
に蒸着させることができる。
（Ｔｉ） 、白金（Ｐｔ）のような高融点の金属を５０
００人の厚みで蒸着する場合を例にとると、それらの蒸
着金属材料を坩堝１５に充填し、坩堝１５と電子ガン１
６との間に電圧６ｋｖを印加することによって、ビーム
電流がほぼ０．５Ａになり、この電力によって坩堝に充
填された蒸着金属材料が溶融、蒸発するがこの際に遮蔽
板１８を数ｒ、ｐ、ｍの速度で回転させることにより、
遮蔽板のスリットを通過する蒸着金属材料を複数の基板
に蒸着させることができる。
しかも、レジスト膜に対するＸ線の露光現象は殆ど完全
に防止することが可能となって蒸着面のバターニングの
精度を大幅に改善することができる。
に防止することが可能となって蒸着面のバターニングの
精度を大幅に改善することができる。
尚、本説明では、被蒸着基板を固定し、遮蔽板を回転さ
せた場合についてであるが、これは遮蔽板を回転する方
が機構的に容易であるとの理由によるもので、これと反
対に遮蔽板を固定して被蒸着基板を回転させても同一の
結果が得られる。
せた場合についてであるが、これは遮蔽板を回転する方
が機構的に容易であるとの理由によるもので、これと反
対に遮蔽板を固定して被蒸着基板を回転させても同一の
結果が得られる。
以上詳細に説明したように、本発明のＥＢ蒸着装置を採
用することにより、極めて高精度の蒸着のパターニング
が可能になり、これによって高性能の半導体装置が得ら
れるという効果が大なるものがある。
用することにより、極めて高精度の蒸着のパターニング
が可能になり、これによって高性能の半導体装置が得ら
れるという効果が大なるものがある。
第１図は本発明の蒸着装置を説明するための断面図。
第２図は従来の蒸着装置を説明するための透視図である
。 図において、 １１は真空容器、 １２は被蒸着基板、１３は基
板台、 １４は蒸着ソース１５は坩堝、
１６は電子ガン１７は電源、 １８は
遮蔽板、１９はスリット、 ２０は遮蔽板の回転
部をそれぞれ示す。 麩 ］ 第２図
。 図において、 １１は真空容器、 １２は被蒸着基板、１３は基
板台、 １４は蒸着ソース１５は坩堝、
１６は電子ガン１７は電源、 １８は
遮蔽板、１９はスリット、 ２０は遮蔽板の回転
部をそれぞれ示す。 麩 ］ 第２図
Claims (1)
- パターニングされたレジスト膜で被覆された基板の表
面に、電子ビーム蒸着装置内で蒸着を行う際に、蒸着ソ
ースと該基板との間に、回転可能で且つ少なくとも単数
以上のスリットを有するＸ線防止板を設けたことを特徴
とする電子ビーム蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866084A JPS6148566A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866084A JPS6148566A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148566A true JPS6148566A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15872136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16866084A Pending JPS6148566A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 電子ビ−ム蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148566A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010132991A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi Zosen Corp | 電子ビーム蒸着装置 |
| WO2010116682A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 三菱マテリアル株式会社 | アルミニウム多孔質焼結体の製造方法およびアルミニウム多孔質焼結体 |
| WO2010140290A1 (ja) | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 三菱マテリアル株式会社 | アルミニウム多孔質焼結体を有するアルミニウム複合体の製造方法 |
| US10543531B2 (en) | 2014-10-30 | 2020-01-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Porous aluminum sintered material and method of producing porous aluminum sintered material |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5298631A (en) * | 1976-02-16 | 1977-08-18 | Hitachi Ltd | Voporrdepositing device by heating using electronic beam |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16866084A patent/JPS6148566A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5298631A (en) * | 1976-02-16 | 1977-08-18 | Hitachi Ltd | Voporrdepositing device by heating using electronic beam |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010132991A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi Zosen Corp | 電子ビーム蒸着装置 |
| WO2010116682A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-14 | 三菱マテリアル株式会社 | アルミニウム多孔質焼結体の製造方法およびアルミニウム多孔質焼結体 |
| WO2010140290A1 (ja) | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 三菱マテリアル株式会社 | アルミニウム多孔質焼結体を有するアルミニウム複合体の製造方法 |
| KR20120037399A (ko) | 2009-06-04 | 2012-04-19 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 알루미늄 다공질 소결체를 갖는 알루미늄 복합체의 제조 방법 |
| US10543531B2 (en) | 2014-10-30 | 2020-01-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Porous aluminum sintered material and method of producing porous aluminum sintered material |
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