JPS6149372B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6149372B2 JPS6149372B2 JP59083941A JP8394184A JPS6149372B2 JP S6149372 B2 JPS6149372 B2 JP S6149372B2 JP 59083941 A JP59083941 A JP 59083941A JP 8394184 A JP8394184 A JP 8394184A JP S6149372 B2 JPS6149372 B2 JP S6149372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- hysteresis loop
- stage hysteresis
- alloy
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties of ferrous metals or ferrous alloys by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties of ferrous metals or ferrous alloys by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1205—Modifying the physical properties of ferrous metals or ferrous alloys by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving particular fabrication steps or treatments of ingots or slabs
- C21D8/1211—Rapid solidification; Thin strip casting
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は複合非晶質合金に係り特に記憶素子、
小形クロスバースイツチなどに適した二段形ヒス
テリシス特性を有する２段ヒステリシスループ軟
質磁性合金の製造方法に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 近年多値記憶素子、自己保持形スイツチなどの
信来性を向上させるため２段ヒステリシスループ
を有する磁性材料が検討されている。 従来の２段ヒステリシスループを有する磁性材
料として、蒸着法、電気メツキ法などにより、基
板上にFe―Ni系合金層を設けたものや、保持力
の異なる２種の磁性材料を溶接あるいはクラツド
などより複合体を構成したものが知られている。
しかしながら上記の如き２段ヒステリシスループ
を有する磁性材料は全て結晶質のものであり、そ
の製造においても、加工工程、熱処理工程などが
複雑となり、さらに製造上の制御が困難であつ
た。また２段ヒステリシス特性としても、実用上
充分なものとは言えなかつた。つまり、２段ヒス
テリシスループを有する磁性材料においては、第
１図（縦軸は磁化（Ｍ），横軸は磁場（Ｈ））に示
す如く、４つの磁化状態を取り得るものである
が、従来の２段ヒステリシスループを有する磁性
材料においては、Ａ，Ｂ，Ｃ各点における角形
性、AB間の急な傾斜性、Ｂ，Ｃ間の緩やかな傾
斜性、Ｄ点における残留磁束密度などの磁気特性
が実用上必ずしも充分なものではなかつた。 特に保磁力の小さい、すなわち軟質磁性材料、
例えばパーマロイ等は圧着接合時の機械的強度、
磁気特性に問題があり２段ヒステリシスループ特
性を得ることは困難であつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記の点に鑑み、低保磁力かつ２段ヒ
ステリシス特性に優れ、容易に製造することので
きる２段ヒステリシスループ軟質磁性合金の製造
方法を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は非晶質状態において強磁性を有する合
金から選択された互いに保磁力の異なる第１の非
晶質合金層と、第２の非晶質合金層とが接合され
た複合体からなる２段ヒステリシスループ軟質磁
性合金を製造する際に、前記第１の非晶質合金及
び第２の非晶質合金の原料溶湯を冷却体上に夫々
噴出し、非晶質化すると同時に接合し、複合体を
形成することを特徴とする２段ヒステリシスルー
プ軟質磁性合金の製造方法である。 非晶質磁性合金は一般に軟質磁性合金として知
られている。本発明によれば、軟質材料である非
晶質合金を用いて、例えば0.21Oe以下の低保磁
力かつ良好な２段ヒステリシス特性を得ることが
できる。 さらに、第１及び第２の非晶質合金層をＴ1-a
Ｘa（ただしＴはFe，Coの少なくとも一種、また
はそれらの一部をNiで70原子％以下置換したも
の。ＸはＰ，Ｃ，Ｂの少なくとも一種、またはそ
れらの一部をSi25原子％以下、Al10原子％以下で
置換したもの。ａは15〜35原子％）の中から選択
し、またＴ＝Fe＋Coとした（Fe1-bCob）1-aＸa
で、第１及び第２の非晶質合金層をそれぞれ、ｂ
0.6，ｂ0.7とすることにより、磁気特性の優
れたものが得られるというものである。さらに
Coの一部を総量10原子％以下のＭ（Cr，Mo，
Ｗ，Ｖ，Nb，Taの少なくとも一種）で置換する
ことにより結晶化温度を高め、非晶質状態を安定
させることができる２段ヒステリシスループ軟質
磁性合金である。 なお特許請求の範囲においてＸを15〜35原子％
としたのは、上記範囲を越えると非晶質状態を得
るのが困難になるためであり、またSiが25原子％
を越えた場合及びAlが10原子％を越えた場合も
非晶質化が困難となる。Niはその置換量70原子
％を越えると磁束密度が低下し、実用上充分な磁
気特性が得られなくなる。 さらに第１及び第２の非晶質合金層を
（Fe1-bCob）1-aＸaにおいてそれぞれｂ0.6，ｂ
0.7としたのは、両者において保磁力が異なり、
優れた２段ヒステリシス特性が得られるためであ
る。なおこのことは（Fe1-bCob）75Si15B10につい
て、ｂの変化に対する保磁力を測べた第２図から
も明らかである。また上記においてCoの一部を
Ｍ（Cr，Mo，Ｗ，Ｖ，Nb，Taの少なくとも一
種）で置換することにより、結晶化温度を高め、
非晶質を安定化させるが、その置換量を総量で10
原子％以下としたのは、10原子％を越えると非晶
質化が困難になるためその範囲とした。 なお本発明においては異種の原料金属を非晶質
合金として、その境界面が混合されることなく接
合し、複合体とすることが必要である。 従来、非晶質合金の複合化は、その性質上困難
であつたが、本発明者等は冷却体上に異種の非晶
質合金溶湯を夫々噴出し非晶質化するとともに接
合する装置を先に開発し（実願昭52―126068号
等）、本発明に係る複合体はこのような装置を用
い、前述の方法で製造される。 例えば第３図に示す如く、第１及び第２の非晶
質合金層材料をそれぞれ個別の容器内で溶解し、
それぞれ下端に設けられたノズルを介して、ノズ
ル下方に配設された高速回転の双ロール上にアル
ゴンガスなどの不活性ガスにより噴出し、高速急
冷すると同時に第１及び第２の非晶質合金層を接
合するというものである。 また本発明に用いられる第１及び第２の非晶質
合金として、例えば第１表に挙げられるものが用
いられる。
小形クロスバースイツチなどに適した二段形ヒス
テリシス特性を有する２段ヒステリシスループ軟
質磁性合金の製造方法に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 近年多値記憶素子、自己保持形スイツチなどの
信来性を向上させるため２段ヒステリシスループ
を有する磁性材料が検討されている。 従来の２段ヒステリシスループを有する磁性材
料として、蒸着法、電気メツキ法などにより、基
板上にFe―Ni系合金層を設けたものや、保持力
の異なる２種の磁性材料を溶接あるいはクラツド
などより複合体を構成したものが知られている。
しかしながら上記の如き２段ヒステリシスループ
を有する磁性材料は全て結晶質のものであり、そ
の製造においても、加工工程、熱処理工程などが
複雑となり、さらに製造上の制御が困難であつ
た。また２段ヒステリシス特性としても、実用上
充分なものとは言えなかつた。つまり、２段ヒス
テリシスループを有する磁性材料においては、第
１図（縦軸は磁化（Ｍ），横軸は磁場（Ｈ））に示
す如く、４つの磁化状態を取り得るものである
が、従来の２段ヒステリシスループを有する磁性
材料においては、Ａ，Ｂ，Ｃ各点における角形
性、AB間の急な傾斜性、Ｂ，Ｃ間の緩やかな傾
斜性、Ｄ点における残留磁束密度などの磁気特性
が実用上必ずしも充分なものではなかつた。 特に保磁力の小さい、すなわち軟質磁性材料、
例えばパーマロイ等は圧着接合時の機械的強度、
磁気特性に問題があり２段ヒステリシスループ特
性を得ることは困難であつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記の点に鑑み、低保磁力かつ２段ヒ
ステリシス特性に優れ、容易に製造することので
きる２段ヒステリシスループ軟質磁性合金の製造
方法を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は非晶質状態において強磁性を有する合
金から選択された互いに保磁力の異なる第１の非
晶質合金層と、第２の非晶質合金層とが接合され
た複合体からなる２段ヒステリシスループ軟質磁
性合金を製造する際に、前記第１の非晶質合金及
び第２の非晶質合金の原料溶湯を冷却体上に夫々
噴出し、非晶質化すると同時に接合し、複合体を
形成することを特徴とする２段ヒステリシスルー
プ軟質磁性合金の製造方法である。 非晶質磁性合金は一般に軟質磁性合金として知
られている。本発明によれば、軟質材料である非
晶質合金を用いて、例えば0.21Oe以下の低保磁
力かつ良好な２段ヒステリシス特性を得ることが
できる。 さらに、第１及び第２の非晶質合金層をＴ1-a
Ｘa（ただしＴはFe，Coの少なくとも一種、また
はそれらの一部をNiで70原子％以下置換したも
の。ＸはＰ，Ｃ，Ｂの少なくとも一種、またはそ
れらの一部をSi25原子％以下、Al10原子％以下で
置換したもの。ａは15〜35原子％）の中から選択
し、またＴ＝Fe＋Coとした（Fe1-bCob）1-aＸa
で、第１及び第２の非晶質合金層をそれぞれ、ｂ
0.6，ｂ0.7とすることにより、磁気特性の優
れたものが得られるというものである。さらに
Coの一部を総量10原子％以下のＭ（Cr，Mo，
Ｗ，Ｖ，Nb，Taの少なくとも一種）で置換する
ことにより結晶化温度を高め、非晶質状態を安定
させることができる２段ヒステリシスループ軟質
磁性合金である。 なお特許請求の範囲においてＸを15〜35原子％
としたのは、上記範囲を越えると非晶質状態を得
るのが困難になるためであり、またSiが25原子％
を越えた場合及びAlが10原子％を越えた場合も
非晶質化が困難となる。Niはその置換量70原子
％を越えると磁束密度が低下し、実用上充分な磁
気特性が得られなくなる。 さらに第１及び第２の非晶質合金層を
（Fe1-bCob）1-aＸaにおいてそれぞれｂ0.6，ｂ
0.7としたのは、両者において保磁力が異なり、
優れた２段ヒステリシス特性が得られるためであ
る。なおこのことは（Fe1-bCob）75Si15B10につい
て、ｂの変化に対する保磁力を測べた第２図から
も明らかである。また上記においてCoの一部を
Ｍ（Cr，Mo，Ｗ，Ｖ，Nb，Taの少なくとも一
種）で置換することにより、結晶化温度を高め、
非晶質を安定化させるが、その置換量を総量で10
原子％以下としたのは、10原子％を越えると非晶
質化が困難になるためその範囲とした。 なお本発明においては異種の原料金属を非晶質
合金として、その境界面が混合されることなく接
合し、複合体とすることが必要である。 従来、非晶質合金の複合化は、その性質上困難
であつたが、本発明者等は冷却体上に異種の非晶
質合金溶湯を夫々噴出し非晶質化するとともに接
合する装置を先に開発し（実願昭52―126068号
等）、本発明に係る複合体はこのような装置を用
い、前述の方法で製造される。 例えば第３図に示す如く、第１及び第２の非晶
質合金層材料をそれぞれ個別の容器内で溶解し、
それぞれ下端に設けられたノズルを介して、ノズ
ル下方に配設された高速回転の双ロール上にアル
ゴンガスなどの不活性ガスにより噴出し、高速急
冷すると同時に第１及び第２の非晶質合金層を接
合するというものである。 また本発明に用いられる第１及び第２の非晶質
合金として、例えば第１表に挙げられるものが用
いられる。
以上の如く本発明に係る２段ヒステリシスルー
プ軟質磁性合金は低保磁力かつ角形性などの２段
ヒステリシス特性に優れ、又、製造が容易となり
記憶素子、小形クロスバースイツチなどに適した
ものであり、実用利用価値の多きなものと言え
る。 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 実施例 １ 第１の非晶質合金としてCo75Si15B10合金を、
第２の非晶質合金としてFe75Si15B10合金をそれ
ぞれ２ｇ用意し、第３図の如き双ロール法により
幅約２mm、厚さ約40μｍの長尺リボン状の２段ヒ
ステリシスループ非晶質合金を得た。なお第３図
において管状容器としてそれぞれ約0.4mm径のノ
ズルを有する一対の石英管を用い、第１及び第２
の非晶質合金は高周波溶解により溶融された後、
アルゴンガス1.5気圧により、3000rpmの高速回
転する冷却体としての双ロール上に噴出した。ま
た管状容器双ロールなどの位置関係は第３図にお
いてｒ＝５cm，ｘ＝2r（１−cosθ）とした。 次に得られた２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金から20cmの長さを切り取り直流磁化特性を測
定した結果、第４図ａの如く角形性など２段ヒス
テリシス特性に優れていることが確認された。 実施例 ２ 実施例１により得られた２段ヒステリシスルー
プ軟質磁性合金を10cm切り取り、450℃で10分熱
処理後、250℃から室温まで10θｅの磁場中で冷
却した。この時の直流磁化特性を測定し、第４図
ｂに示す。この結果、角形特性、磁化などが一層
向上し、２段ヒステリシス特性がさらに改善され
ていることが確認された。 実施例 ３ 第１の非晶質合金としてFe75Si15B10合金を、
第２の非晶質合金としてFe40Ni40P14B6合金を、
それぞれ２ｇ用意し、第５図の如き片ロール法に
より、幅3.6mm厚さ約40μｍの幅方向に接合され
た長尺リボン状２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金を得た。 なお第５図において、それぞれ約0.4mm径のノ
ズルを有する一対の石英管からなる管状容器はロ
ール回転軸方向に配設されている。また第１及び
第２の非晶質合金は高周波溶解により溶融された
後1.5気圧のアルゴンガスにより、3000rpmの高
速回転する冷却体としての片ロール上に噴出し
た。 次に得られた２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金から20cmを切り取り、直流磁化特性を測定し
た結果第４図ａと同様に角形比などの２段ヒステ
リシス特性に優れていることが確認された。 実施例 ４ 実施例３により得られた２段ヒステリシスルー
プ非晶質合金を10cm切り取り、420℃で10分間熱
処理後、250℃から室温まで10Oeの磁場中で冷却
した。この時の直流磁化特性を測定したところ第
４図ｂと同様に角形特性、磁化などが一層向上し
ていた。 上記実施例２及び４より所定の熱処理により２
段ヒステリシスループ軟質磁性合金の磁気特性が
改善されることが明らかである。 次に上記実施例１もしくは３と同様にして、第
１及び第２の非晶質合金を各種選択した際の磁気
特性を調べ、その保磁力Ｈc1，Ｈc2を第２表に示
す。
プ軟質磁性合金は低保磁力かつ角形性などの２段
ヒステリシス特性に優れ、又、製造が容易となり
記憶素子、小形クロスバースイツチなどに適した
ものであり、実用利用価値の多きなものと言え
る。 〔発明の実施例〕 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 実施例 １ 第１の非晶質合金としてCo75Si15B10合金を、
第２の非晶質合金としてFe75Si15B10合金をそれ
ぞれ２ｇ用意し、第３図の如き双ロール法により
幅約２mm、厚さ約40μｍの長尺リボン状の２段ヒ
ステリシスループ非晶質合金を得た。なお第３図
において管状容器としてそれぞれ約0.4mm径のノ
ズルを有する一対の石英管を用い、第１及び第２
の非晶質合金は高周波溶解により溶融された後、
アルゴンガス1.5気圧により、3000rpmの高速回
転する冷却体としての双ロール上に噴出した。ま
た管状容器双ロールなどの位置関係は第３図にお
いてｒ＝５cm，ｘ＝2r（１−cosθ）とした。 次に得られた２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金から20cmの長さを切り取り直流磁化特性を測
定した結果、第４図ａの如く角形性など２段ヒス
テリシス特性に優れていることが確認された。 実施例 ２ 実施例１により得られた２段ヒステリシスルー
プ軟質磁性合金を10cm切り取り、450℃で10分熱
処理後、250℃から室温まで10θｅの磁場中で冷
却した。この時の直流磁化特性を測定し、第４図
ｂに示す。この結果、角形特性、磁化などが一層
向上し、２段ヒステリシス特性がさらに改善され
ていることが確認された。 実施例 ３ 第１の非晶質合金としてFe75Si15B10合金を、
第２の非晶質合金としてFe40Ni40P14B6合金を、
それぞれ２ｇ用意し、第５図の如き片ロール法に
より、幅3.6mm厚さ約40μｍの幅方向に接合され
た長尺リボン状２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金を得た。 なお第５図において、それぞれ約0.4mm径のノ
ズルを有する一対の石英管からなる管状容器はロ
ール回転軸方向に配設されている。また第１及び
第２の非晶質合金は高周波溶解により溶融された
後1.5気圧のアルゴンガスにより、3000rpmの高
速回転する冷却体としての片ロール上に噴出し
た。 次に得られた２段ヒステリシスループ軟質磁性
合金から20cmを切り取り、直流磁化特性を測定し
た結果第４図ａと同様に角形比などの２段ヒステ
リシス特性に優れていることが確認された。 実施例 ４ 実施例３により得られた２段ヒステリシスルー
プ非晶質合金を10cm切り取り、420℃で10分間熱
処理後、250℃から室温まで10Oeの磁場中で冷却
した。この時の直流磁化特性を測定したところ第
４図ｂと同様に角形特性、磁化などが一層向上し
ていた。 上記実施例２及び４より所定の熱処理により２
段ヒステリシスループ軟質磁性合金の磁気特性が
改善されることが明らかである。 次に上記実施例１もしくは３と同様にして、第
１及び第２の非晶質合金を各種選択した際の磁気
特性を調べ、その保磁力Ｈc1，Ｈc2を第２表に示
す。
【表】
上記実施例５乃至10は実施例１乃至４のものよ
りも一層２段ヒステリシス特性が改善されてお
り、さらに実施例10においては、結晶化温度が高
くなり、非晶質状態が安定化していることが確認
された。又、いずれもHcが0.21Oe以下と低保磁
力であり、記憶素子、小形クロスバースイツチな
どに用いた場合、駆動電流が小さくてすみ、実用
上利用価値の多きなものと言える。
りも一層２段ヒステリシス特性が改善されてお
り、さらに実施例10においては、結晶化温度が高
くなり、非晶質状態が安定化していることが確認
された。又、いずれもHcが0.21Oe以下と低保磁
力であり、記憶素子、小形クロスバースイツチな
どに用いた場合、駆動電流が小さくてすみ、実用
上利用価値の多きなものと言える。
第１図は２段ヒステリシスループの特性図、第
２図は（Fe1-bCob）75Si15B10のｂの変化を示す曲
線図、第３図及び第５図は本発明に係る２段ヒス
テリシスループ軟質磁性合金の製造装置を示す概
略図。 １，１′……管状容器、２，２′……ノズル、
３，３′……ロール。 第４図は本発明に係る２段ヒステリシスループ
軟質磁性合金の磁気特性を示す図。
２図は（Fe1-bCob）75Si15B10のｂの変化を示す曲
線図、第３図及び第５図は本発明に係る２段ヒス
テリシスループ軟質磁性合金の製造装置を示す概
略図。 １，１′……管状容器、２，２′……ノズル、
３，３′……ロール。 第４図は本発明に係る２段ヒステリシスループ
軟質磁性合金の磁気特性を示す図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非晶質状態において、強磁性を有する合金か
ら選択された互いに保磁力の異なる第１の非晶質
合金層と第２の非晶質合金層とが接合された複合
体からなる２段ヒステリシスループ軟質磁性合金
を製造する際に、前記第１の非晶質合金及び第２
の非晶質合金の原料溶湯を冷却体上に夫々噴出
し、非晶質化すると同時に接合し、複合体を形成
することを特徴とする２段ヒステリシスループ軟
質磁性合金の製造方法。 ２ 前記複合体の保磁力が0.21Oe以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の２段
ヒステリシスループ軟質磁性合金の製造方法。 ３ 前記第１および第２の非晶質合金層が、 Ｔ1-aＸa ただしＴはFe，Coの少なくとも一種、または
それらの一部をNiで70原子％以下置換したも
の。 ＸはＰ，Ｃ，Ｂの少なくとも一種、またはそれ
らの一部をSi25原子％以下、Al10原子％以下で置
換したもの。 ａは15〜35原子％ の中から選択されることを特徴とした特許請求の
範囲第１項記載の２段ヒステリシスループ軟質磁
性合金の製造方法。 ４ ＴをFeとCoとの複合添加とした
（Fe1-bCob）1-aＸaの中で第１の非晶質合金層をｂ
0.6第２の非晶質合金をｂ0.7としたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の２段ヒステ
リシスループ軟質磁性合金の製造方法。 ５ Coの一部を総量10原子％以下のＭ（Ｍ＝
Cr，Mo，Ｗ，Ｖ，Nb，Taの少なくとも一種）
で置換したことを特徴とする特許請求の範囲第４
項記載の２段ヒステリシスループ軟質磁性合金の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083941A JPS59229428A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ２段ヒステリシスル−プ軟質磁性合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083941A JPS59229428A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ２段ヒステリシスル−プ軟質磁性合金の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3480478A Division JPS54127825A (en) | 1978-03-28 | 1978-03-28 | Amorphous alloy having two step hysteresis loop |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229428A JPS59229428A (ja) | 1984-12-22 |
| JPS6149372B2 true JPS6149372B2 (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13816607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083941A Granted JPS59229428A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | ２段ヒステリシスル−プ軟質磁性合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229428A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0192703B1 (en) * | 1984-08-31 | 1989-11-02 | AT&T Corp. | Nickel-based electrical contact |
| JPH069911B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1994-02-09 | 平岡織染株式会社 | 電磁波シールド性アモルファス金属薄膜積層シート |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59083941A patent/JPS59229428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59229428A (ja) | 1984-12-22 |
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