JPS6150411B2 - - Google Patents
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- JPS6150411B2 JPS6150411B2 JP53029651A JP2965178A JPS6150411B2 JP S6150411 B2 JPS6150411 B2 JP S6150411B2 JP 53029651 A JP53029651 A JP 53029651A JP 2965178 A JP2965178 A JP 2965178A JP S6150411 B2 JPS6150411 B2 JP S6150411B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Pulse Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入力パルス信号に同期したトリガパル
スを形成するトリガパルス形成回路の改良に関す
る。
スを形成するトリガパルス形成回路の改良に関す
る。
従来、単安定マルチバイブレータその他のデジ
タル回路をトリガするためのトリガパルスを形成
する回路として、単に抵抗およびコンデンサから
なる微分回路が知られている。しかし上記の微分
回路によるときは入力パルス信号の立上りおよび
立下り時間、微分回路の時定数のばらつきなどに
よつてパルス幅および振幅の安定したトリガパル
スを形成することができない欠点があつた。
タル回路をトリガするためのトリガパルスを形成
する回路として、単に抵抗およびコンデンサから
なる微分回路が知られている。しかし上記の微分
回路によるときは入力パルス信号の立上りおよび
立下り時間、微分回路の時定数のばらつきなどに
よつてパルス幅および振幅の安定したトリガパル
スを形成することができない欠点があつた。
このため第1図に示す回路が知られている。第
1図の回路はトリガパルス形成回路と、前記トリ
ガパルス形成回路の出力を整形するパルス整形回
路を示しており、トリガパルス形成回路はトラン
ジスタ1および2のエミツタを共通接続して定電
流源3を通して接地しエミツタ結合型差動増幅器
を構成し、トランジスタ1のコレクタは負荷抵抗
4を通して電源+B2に、トランジスタ2のコレ
クタは負荷抵抗5とコンデンサ6とからなる積分
回路を通して電源+B1に接続し、トランジスタ
1および2の出力をダイオード8および9により
論理積演算するように構成され、パルス整形回路
はトランジスタ10および11、定電流源12か
らなる電流スイツチ回路で構成されている。電源
+B1の電圧+VB1と電源+B2の電圧+VB2は、V
B1>VB2の関係に選ばれている。
1図の回路はトリガパルス形成回路と、前記トリ
ガパルス形成回路の出力を整形するパルス整形回
路を示しており、トリガパルス形成回路はトラン
ジスタ1および2のエミツタを共通接続して定電
流源3を通して接地しエミツタ結合型差動増幅器
を構成し、トランジスタ1のコレクタは負荷抵抗
4を通して電源+B2に、トランジスタ2のコレ
クタは負荷抵抗5とコンデンサ6とからなる積分
回路を通して電源+B1に接続し、トランジスタ
1および2の出力をダイオード8および9により
論理積演算するように構成され、パルス整形回路
はトランジスタ10および11、定電流源12か
らなる電流スイツチ回路で構成されている。電源
+B1の電圧+VB1と電源+B2の電圧+VB2は、V
B1>VB2の関係に選ばれている。
入力端子INに印加された入力パルス信号によ
り、トランジスタ1および2のコレクタに相互に
逆位相の出力パルスを得て、トランジスタ2の出
力パルスを積分し、この積分した出力とトランジ
スタ1からの出力パルスとの論理積をとり、トリ
ガパルスを形成し、さらに電流スイツチ回路によ
り波形整形して整形されたトリガパルスを得てい
た。尚7及び15はスレツシユホルドレベル設定
用電源である。
り、トランジスタ1および2のコレクタに相互に
逆位相の出力パルスを得て、トランジスタ2の出
力パルスを積分し、この積分した出力とトランジ
スタ1からの出力パルスとの論理積をとり、トリ
ガパルスを形成し、さらに電流スイツチ回路によ
り波形整形して整形されたトリガパルスを得てい
た。尚7及び15はスレツシユホルドレベル設定
用電源である。
しかし上記のトリガパルス形成回路を集積回路
とする場合には積分回路のコンデンサ6の静電容
量を極力小さくすることが望ましい。従つてコン
デンサ6の静電容量を小さくするにともなつて負
荷抵抗5の抵抗値を大きくし、かつ定電流源3の
電流を小さくしなければならない。このためにト
リガパルス形成回路の出力インピーダンスが大き
くなつて次段のたとえばパルス整形回路、レベル
シフタ、フリツプフロツプなどの回路を駆動する
駆動能力が下つてしまう。すなわち回路素子の値
のばらつき、周囲温度などの周囲条件の変化に対
して安定したトリガパルスを形成することが出来
ない欠点があつた。このため集積回路化するには
問題があつた。
とする場合には積分回路のコンデンサ6の静電容
量を極力小さくすることが望ましい。従つてコン
デンサ6の静電容量を小さくするにともなつて負
荷抵抗5の抵抗値を大きくし、かつ定電流源3の
電流を小さくしなければならない。このためにト
リガパルス形成回路の出力インピーダンスが大き
くなつて次段のたとえばパルス整形回路、レベル
シフタ、フリツプフロツプなどの回路を駆動する
駆動能力が下つてしまう。すなわち回路素子の値
のばらつき、周囲温度などの周囲条件の変化に対
して安定したトリガパルスを形成することが出来
ない欠点があつた。このため集積回路化するには
問題があつた。
本発明は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消したトリガパルス形成回路を提供す
ることを目的する。
の欠点を解消したトリガパルス形成回路を提供す
ることを目的する。
また、本発明の第2の目的はトリガパルス形成
回路に接続する位相反転パルス整形回路のトラン
ジスタを飽和させないトリガパルス形成回路を提
供することである。
回路に接続する位相反転パルス整形回路のトラン
ジスタを飽和させないトリガパルス形成回路を提
供することである。
本発明は、第1の電源から第1の負荷抵抗を介
して電圧の供給を受ける第1のトランジスタと前
記第1の電源より高い電圧の第2の電源から第2
の負荷抵抗を介して電圧の供給を受ける第2のト
ランジスタとからなり前記第1および第2のトラ
ンジスタのベースより入力パルス信号が印加され
るエミツタ結合型差動増幅器と、前記第2のトラ
ンジスタの出力端に接続した前記第2の負荷抵抗
にコンデンサを並列に接続した積分回路と、該積
分回路の一方の端子である前記第2のトランジス
タの出力端側にベースを接続し前記積分回路の他
方の端子にコレクタを接続し前記第1のトランジ
スタの出力端にエミツタを接続した第3のトラン
ジスタと、前記第2のトランジスタの出力端にア
ノードを接続し前記第1の電源にカソードを接続
したダイオードとを備え、前記第1のトランジス
タの出力端よりトリガパルス出力を得ることを特
徴とするものである。
して電圧の供給を受ける第1のトランジスタと前
記第1の電源より高い電圧の第2の電源から第2
の負荷抵抗を介して電圧の供給を受ける第2のト
ランジスタとからなり前記第1および第2のトラ
ンジスタのベースより入力パルス信号が印加され
るエミツタ結合型差動増幅器と、前記第2のトラ
ンジスタの出力端に接続した前記第2の負荷抵抗
にコンデンサを並列に接続した積分回路と、該積
分回路の一方の端子である前記第2のトランジス
タの出力端側にベースを接続し前記積分回路の他
方の端子にコレクタを接続し前記第1のトランジ
スタの出力端にエミツタを接続した第3のトラン
ジスタと、前記第2のトランジスタの出力端にア
ノードを接続し前記第1の電源にカソードを接続
したダイオードとを備え、前記第1のトランジス
タの出力端よりトリガパルス出力を得ることを特
徴とするものである。
以下、本発明を実施例により説明する。
第2図は本発明のトリガパルス形成回路の一実
施例の回路図である。第2図において16および
17はトランジスタであり、トランジスタ16お
よび17のエミツタを共通接続して定電流源18
を通して接地しエミツタ結合型差動増幅器を構成
し、トランジスタ16および17のベース間に入
力パルス信号を印加する。トランジスタ16のコ
レクタは負荷抵抗19を通して電源+B2に、ト
ランジスタ17のコレクタは負荷抵抗20と負荷
抵抗20に並列接続したコンデンサ21とからな
る積分回路を通して電源+B1に接続する。一
方、トランジスタ16のコレクタは出力端子
OUTに接続するとともにトランジスタ22のエ
ミツタに接続する。トランジスタ22のベースは
トランジスタ17のコレクタに、トランジスタ2
2のコレクタは電源+B1に、すなわちトランジ
スタ22のベースおよびコレクタは積分回路の両
端に接続する。トランジスタ17のコレクタと電
源+B2との間にダイオード23を図示のように
接続する。
施例の回路図である。第2図において16および
17はトランジスタであり、トランジスタ16お
よび17のエミツタを共通接続して定電流源18
を通して接地しエミツタ結合型差動増幅器を構成
し、トランジスタ16および17のベース間に入
力パルス信号を印加する。トランジスタ16のコ
レクタは負荷抵抗19を通して電源+B2に、ト
ランジスタ17のコレクタは負荷抵抗20と負荷
抵抗20に並列接続したコンデンサ21とからな
る積分回路を通して電源+B1に接続する。一
方、トランジスタ16のコレクタは出力端子
OUTに接続するとともにトランジスタ22のエ
ミツタに接続する。トランジスタ22のベースは
トランジスタ17のコレクタに、トランジスタ2
2のコレクタは電源+B1に、すなわちトランジ
スタ22のベースおよびコレクタは積分回路の両
端に接続する。トランジスタ17のコレクタと電
源+B2との間にダイオード23を図示のように
接続する。
尚、電源+B1の電圧VB1は電源+B2の電圧VB2
より高い電圧に設定する。例えば、 VB1−VB2≒(R2−R1)I0/2+VBE3となるよ
うに設定 すれば適当なパルス幅が得られる。(ただし、
I0:定電流源18の電流、R1:負荷抵抗19の抵
抗値、R2:負荷抵抗20の抵抗値、VBE3:トラ
ンジスタ22のベース・エミツタ間電圧) 以上の如く構成した第2図に示すトリガパルス
形成回路の作用について説明する。
より高い電圧に設定する。例えば、 VB1−VB2≒(R2−R1)I0/2+VBE3となるよ
うに設定 すれば適当なパルス幅が得られる。(ただし、
I0:定電流源18の電流、R1:負荷抵抗19の抵
抗値、R2:負荷抵抗20の抵抗値、VBE3:トラ
ンジスタ22のベース・エミツタ間電圧) 以上の如く構成した第2図に示すトリガパルス
形成回路の作用について説明する。
入力として第3図aに示すような入力パルス信
号がトランジスタ16および17のベース間に印
加されると、或るレベルをスレツシユホルドレベ
ルとして、入力パルス信号が前記レベルを超えた
ときはトランジスタ16はオン、トランジスタ1
7はオフ状態となる。この状態を()の状態と
記す。また前記レベル以下に入力パルス信号が減
少したときはトランジスタ16はオフ、トランジ
スタ17はオン状態となる。この状態を()の
状態と記す。
号がトランジスタ16および17のベース間に印
加されると、或るレベルをスレツシユホルドレベ
ルとして、入力パルス信号が前記レベルを超えた
ときはトランジスタ16はオン、トランジスタ1
7はオフ状態となる。この状態を()の状態と
記す。また前記レベル以下に入力パルス信号が減
少したときはトランジスタ16はオフ、トランジ
スタ17はオン状態となる。この状態を()の
状態と記す。
まず、入力パルス信号が()の状態から
()の状態になると、トランジスタ16はオフ
からオン状態に、トランジスタ17はオンからオ
フ状態になり、第3図bに示した如くトランジス
タ16のコレクタ電圧V1は電源+B2の電圧VB2か
ら(VB2−I0R1)となる。一方トランジスタ17
のコレクタ電圧V2は、トランジスタ17がオフ
状態となつたためコンデンサ21の電荷が放電
し、負荷抵抗20の抵抗値R2とコンデンサ21
の静電容易Cとの積R2・Cの時定数に従つて増
加する。しかしダイオード23のオン状態時のダ
イオード23の順方向電圧降下をVDとすれば、
トランジスタ17のコレクタ電圧V2の上昇はVB2
+VD<V2の関係が満足される電圧でダイオード
23がオン状態となることから、(VB2+VD)の
電圧でクランプされて、(VB2+VD)の電圧でそ
の上昇は止む。ところでトランジスタ16のコレ
クタ電圧V1は上述の如く(VB2−I0R1)となつて
いるが、トランジスタ22のベース・エミツタ間
の順方向電圧降下をVBE3とすれば、トランジス
タ22によつてV2−VBE3>VB2−I0R1の関係が
成立する範囲においてトランジスタ22はオン状
態となり、トランジスタ16のコレクタ電圧V1
は(V2−VBE3)となり、トランジスタ17のコ
レクタ電圧V2に従つて増加する。しかし上述の
如くトランジスタ17のコレクタ電圧V2の上限
は(VB2+VD)であり、かつVD≒VBE3である
ことから、トランジスタ16のコレクタ電圧V1
の上限はVB2となり、第3図bに示す如く出力パ
ルスの高レベルはVB2の電圧で一定となる。
()の状態になると、トランジスタ16はオフ
からオン状態に、トランジスタ17はオンからオ
フ状態になり、第3図bに示した如くトランジス
タ16のコレクタ電圧V1は電源+B2の電圧VB2か
ら(VB2−I0R1)となる。一方トランジスタ17
のコレクタ電圧V2は、トランジスタ17がオフ
状態となつたためコンデンサ21の電荷が放電
し、負荷抵抗20の抵抗値R2とコンデンサ21
の静電容易Cとの積R2・Cの時定数に従つて増
加する。しかしダイオード23のオン状態時のダ
イオード23の順方向電圧降下をVDとすれば、
トランジスタ17のコレクタ電圧V2の上昇はVB2
+VD<V2の関係が満足される電圧でダイオード
23がオン状態となることから、(VB2+VD)の
電圧でクランプされて、(VB2+VD)の電圧でそ
の上昇は止む。ところでトランジスタ16のコレ
クタ電圧V1は上述の如く(VB2−I0R1)となつて
いるが、トランジスタ22のベース・エミツタ間
の順方向電圧降下をVBE3とすれば、トランジス
タ22によつてV2−VBE3>VB2−I0R1の関係が
成立する範囲においてトランジスタ22はオン状
態となり、トランジスタ16のコレクタ電圧V1
は(V2−VBE3)となり、トランジスタ17のコ
レクタ電圧V2に従つて増加する。しかし上述の
如くトランジスタ17のコレクタ電圧V2の上限
は(VB2+VD)であり、かつVD≒VBE3である
ことから、トランジスタ16のコレクタ電圧V1
の上限はVB2となり、第3図bに示す如く出力パ
ルスの高レベルはVB2の電圧で一定となる。
尚、第3図bにおいて一点鎖線V0はV0=(V2−
VBE3)の値の変化を示している。
VBE3)の値の変化を示している。
つぎに入力パルス信号の状態が変つて、()
の状態から()の状態に切替ると、トランジス
タ16はオフ状態となり、トランジスタ17はオ
ン状態となつて、トランジスタ17のコレクタ電
圧V2は定電流源18とコンデンサ21の特性に
応じて次に入力パルス信号の状態が()の状態
に切替る時点まで、またはV2=VB1−I0R2となる
時点まで減少する。一方トランジスタ16のコレ
クタ電圧V1は、電源+B2の電圧VB2になろうとす
るがトランジスタ22がオンしている間はV2に
より電位が決まり、トランジスタ22がオフとな
るとVB2となる。そして次に入力パルス信号が
()の状態に切替るまでVB2の値にとどまつて
いる。
の状態から()の状態に切替ると、トランジス
タ16はオフ状態となり、トランジスタ17はオ
ン状態となつて、トランジスタ17のコレクタ電
圧V2は定電流源18とコンデンサ21の特性に
応じて次に入力パルス信号の状態が()の状態
に切替る時点まで、またはV2=VB1−I0R2となる
時点まで減少する。一方トランジスタ16のコレ
クタ電圧V1は、電源+B2の電圧VB2になろうとす
るがトランジスタ22がオンしている間はV2に
より電位が決まり、トランジスタ22がオフとな
るとVB2となる。そして次に入力パルス信号が
()の状態に切替るまでVB2の値にとどまつて
いる。
ついで、入力パルス信号の状態が()の状態
から()の状態に変つて1周期が終了する。
から()の状態に変つて1周期が終了する。
以上の動作は、トランジスタ22によつて、ト
ランジスタ16のコレクタ電圧V1すなわち出力
端子OUTに出力される電圧は、第3図bの破線
で示したトランジスタ16のコレクタとトランジ
スタ22のエミツタとが非接続のときのトランジ
スタ16のコレクタ電圧と第3図bのV0で示し
たトランジスタ22のエミツタ電圧(V2−VBE
3)の何れか高い方の電圧となる。
ランジスタ16のコレクタ電圧V1すなわち出力
端子OUTに出力される電圧は、第3図bの破線
で示したトランジスタ16のコレクタとトランジ
スタ22のエミツタとが非接続のときのトランジ
スタ16のコレクタ電圧と第3図bのV0で示し
たトランジスタ22のエミツタ電圧(V2−VBE
3)の何れか高い方の電圧となる。
このことはトランジスタ22により、トランジ
スタ16のコレクタとトランジスタ21のエミツ
タとが非接続のときのトランジスタ16のコレク
タ電圧とトランジスタ22のエミツタ電圧(V2
−VBE3)との論理和演算をしたのと同じであ
り、入力パルス信号に同期したトリガパルスを形
成する。
スタ16のコレクタとトランジスタ21のエミツ
タとが非接続のときのトランジスタ16のコレク
タ電圧とトランジスタ22のエミツタ電圧(V2
−VBE3)との論理和演算をしたのと同じであ
り、入力パルス信号に同期したトリガパルスを形
成する。
つぎに、第2図に示した回路を集積回路化する
ためにコンデンサ21の静電容量を小さく、負荷
抵抗20の抵抗値を大きく設定しても、トランジ
スタ22によりインピーダンス変換されてトリガ
パルス形成回路の出力インピーダンスは減少し、
次段のパルス整形回路、レベルシフタ、フリツプ
フロツプなどの回路を駆動する駆動能力は十分に
あり、集積回路化のための問題点は解消する。
ためにコンデンサ21の静電容量を小さく、負荷
抵抗20の抵抗値を大きく設定しても、トランジ
スタ22によりインピーダンス変換されてトリガ
パルス形成回路の出力インピーダンスは減少し、
次段のパルス整形回路、レベルシフタ、フリツプ
フロツプなどの回路を駆動する駆動能力は十分に
あり、集積回路化のための問題点は解消する。
また、第2図の回路の変形例として電源+B1
と接地端子間に直列に接続した2つの分圧抵抗を
接続し、2つの分圧抵抗の共通接続点をトランジ
スタ17のベースに接続し、電源+B1の電圧VB1
を分圧し、2つの分圧抵抗の接地側の分圧抵抗に
印加される電圧をトランジスタ17のベース入力
としてもよい。
と接地端子間に直列に接続した2つの分圧抵抗を
接続し、2つの分圧抵抗の共通接続点をトランジ
スタ17のベースに接続し、電源+B1の電圧VB1
を分圧し、2つの分圧抵抗の接地側の分圧抵抗に
印加される電圧をトランジスタ17のベース入力
としてもよい。
つぎに、トリガパルス形成回路にパルス整形回
路を接続した場合について説明する。
路を接続した場合について説明する。
第4図は第2図のトリガパルス形成回路に位相
反転パルス整形回路を接続した場合の回路図であ
る。第4図において前段は第2図に示したトリガ
形成回路と同一の回路であり、後段の回路はトラ
ンジスタ10と11とを共通エミツタを接続し、
共通エミツタを定電流源12を通して接地してエ
ミツタ結合型差動増幅器とし、トランジスタ10
のベースはトリガパルス形成回路の出力端子
OUTに接続し、トランジスタ10のコレクタは
負荷抵抗13を通して、トランジスタ11のコレ
クタは直接に電源+B1に接続し、一方電源+B2
と接地端子間に分圧抵挺抗24と25の直列回路
を接続し、分圧抵抗24と25との共通接続点を
トランジスタ11のベースに接続し、トランジス
タ10のコレクタを出力端子OUT1に接続して電
流スイツチ回路を構成する。
反転パルス整形回路を接続した場合の回路図であ
る。第4図において前段は第2図に示したトリガ
形成回路と同一の回路であり、後段の回路はトラ
ンジスタ10と11とを共通エミツタを接続し、
共通エミツタを定電流源12を通して接地してエ
ミツタ結合型差動増幅器とし、トランジスタ10
のベースはトリガパルス形成回路の出力端子
OUTに接続し、トランジスタ10のコレクタは
負荷抵抗13を通して、トランジスタ11のコレ
クタは直接に電源+B1に接続し、一方電源+B2
と接地端子間に分圧抵挺抗24と25の直列回路
を接続し、分圧抵抗24と25との共通接続点を
トランジスタ11のベースに接続し、トランジス
タ10のコレクタを出力端子OUT1に接続して電
流スイツチ回路を構成する。
上記の第4図の回路において、トリガパルス形
成回路の出力電圧は第3図bのV1に示した高レ
ベル+VB2、低レベル(VB2−I0R1)のパルスで
あり、この電圧がトランジスタ11のベースに印
加される電圧すなわち電流スイツチ回路のスレツ
シユホルド電圧を超えたときトランジスタ10は
オン、前記スレツシユホルド電圧以下となつたと
きトランジスタ10はオフとなつて、トリガパル
ス形成回路の出力電圧は逆位相となつて整形され
た出力パルス信号として出力端子OUT1に得られ
る。
成回路の出力電圧は第3図bのV1に示した高レ
ベル+VB2、低レベル(VB2−I0R1)のパルスで
あり、この電圧がトランジスタ11のベースに印
加される電圧すなわち電流スイツチ回路のスレツ
シユホルド電圧を超えたときトランジスタ10は
オン、前記スレツシユホルド電圧以下となつたと
きトランジスタ10はオフとなつて、トリガパル
ス形成回路の出力電圧は逆位相となつて整形され
た出力パルス信号として出力端子OUT1に得られ
る。
この場合、電流スイツチ回路のスレツシユホル
ド電圧は電源+B2の電圧VB2を分圧抵抗24と2
5とで分圧することにより容易に、かつトリガパ
ルス形成回路の出力が電流スイツチ回路のスレツ
シユホルド電圧を確実に横切るように設定するこ
とができる。
ド電圧は電源+B2の電圧VB2を分圧抵抗24と2
5とで分圧することにより容易に、かつトリガパ
ルス形成回路の出力が電流スイツチ回路のスレツ
シユホルド電圧を確実に横切るように設定するこ
とができる。
さらに、電流スイツチ回路のスレツシユホルド
電圧を電源+B2の電圧に近づけることにより回
路素子の値のばらつきおよびドリフトに対して出
力パルス幅および振幅の変動の少ない安定した出
力パルスを得ることができる。
電圧を電源+B2の電圧に近づけることにより回
路素子の値のばらつきおよびドリフトに対して出
力パルス幅および振幅の変動の少ない安定した出
力パルスを得ることができる。
また、トリガパルス形成回路の出力電圧の高レ
ベルは適当なパルス幅のトリガパルスを得るため
の各電源の電圧及び積分回路の時定数の設定にか
かわらず、また入力パルス信号のパルス幅の変化
にかかわらず電源+B2の電圧VB2にクランプされ
て一定であるため、トランジスタ10を飽和させ
る可能性は少ない。
ベルは適当なパルス幅のトリガパルスを得るため
の各電源の電圧及び積分回路の時定数の設定にか
かわらず、また入力パルス信号のパルス幅の変化
にかかわらず電源+B2の電圧VB2にクランプされ
て一定であるため、トランジスタ10を飽和させ
る可能性は少ない。
以上説明した如く本発明によれば、トリガパル
ス形成回路の積分回路のコンデンサの静電容量を
小さくしても次段回路を駆動する駆動能力が減少
することがなく、集積回路化が容易である。
ス形成回路の積分回路のコンデンサの静電容量を
小さくしても次段回路を駆動する駆動能力が減少
することがなく、集積回路化が容易である。
また、従来のパルス形成回路路に比較して回路
構成が複雑になることもなく回路素子の数も同一
ですむ効果がある。
構成が複雑になることもなく回路素子の数も同一
ですむ効果がある。
また次段に位相反転パルス整形回路を接続した
場合、パルス整形回路のスレツシユホルドレベル
の設定が容易であり、またパルス整形回路のトラ
ンジスタを飽和させる可能性は小さい等、次段の
回路の設計が簡単となり、かつ回路素子の値のば
らつきおよびドリフトに対しても安定したトリガ
パルスを得ることができる。
場合、パルス整形回路のスレツシユホルドレベル
の設定が容易であり、またパルス整形回路のトラ
ンジスタを飽和させる可能性は小さい等、次段の
回路の設計が簡単となり、かつ回路素子の値のば
らつきおよびドリフトに対しても安定したトリガ
パルスを得ることができる。
第1図は従来のトリガパルス形成回路にパルス
整形回路を接続した回路図。第2図は本発明のト
リガパルス形成回路の回路図。第3図aおよびb
は第2図の回路の作用の説明に供する図。第4図
は第2図のトリガパルス形成回路にパルス整形回
路を接続した回路図。 16,17および21;トランジスタ、18;
定電流源、19および20;負荷抵抗、21;コ
ンデンサ、23;ダイオード。
整形回路を接続した回路図。第2図は本発明のト
リガパルス形成回路の回路図。第3図aおよびb
は第2図の回路の作用の説明に供する図。第4図
は第2図のトリガパルス形成回路にパルス整形回
路を接続した回路図。 16,17および21;トランジスタ、18;
定電流源、19および20;負荷抵抗、21;コ
ンデンサ、23;ダイオード。
Claims (1)
- 1 第1の電源から第1の負荷抵抗を介して電圧
の供給を受ける第1のトランジスタと前記第1の
前記の電源より高い電圧の第2の電源から第2の
負荷抵抗を介して電圧の供給を受ける第2のトラ
ンジスタとからなり前記第1および第2のトラン
ジスタのベースより入力パルス信号が印加される
エミツタ結合型差動増幅器と、前記第2のトラン
ジスタの出力端に接続した前記第2の負荷抵抗に
コンデンサを並列に接続した積分回路と、該積分
回路の一方の端子である前記第2のトランジスタ
の出力端側にベースを接続し前記積分回路の他方
の端子にコレクタを接続し前記第1のトランジス
タの出力端にエミツタを接続した第3のトランジ
スタと、前記第2のトランジスタの出力端にアノ
ードを接続し前記第1の電源にカソードを接続し
たダイオードとを備え、前記第1のトランジスタ
の出力端よりトリガパルス出力を得ることを特徴
とするトリガパルス形成回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2965178A JPS54122079A (en) | 1978-03-15 | 1978-03-15 | Trigger pulse forming circuit |
| US05/967,640 US4223237A (en) | 1978-03-15 | 1978-12-08 | Trigger pulse forming circuit |
| DE2907387A DE2907387C2 (de) | 1978-03-15 | 1979-02-26 | Triggerimpuls-Netzwerk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2965178A JPS54122079A (en) | 1978-03-15 | 1978-03-15 | Trigger pulse forming circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54122079A JPS54122079A (en) | 1979-09-21 |
| JPS6150411B2 true JPS6150411B2 (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=12282002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2965178A Granted JPS54122079A (en) | 1978-03-15 | 1978-03-15 | Trigger pulse forming circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54122079A (ja) |
-
1978
- 1978-03-15 JP JP2965178A patent/JPS54122079A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54122079A (en) | 1979-09-21 |
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