JPS6151306B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6151306B2 JPS6151306B2 JP17649183A JP17649183A JPS6151306B2 JP S6151306 B2 JPS6151306 B2 JP S6151306B2 JP 17649183 A JP17649183 A JP 17649183A JP 17649183 A JP17649183 A JP 17649183A JP S6151306 B2 JPS6151306 B2 JP S6151306B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- optical
- refractive index
- single mode
- logic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
［技術分野］
本発明は、超小型に構成することができ、光パ
ルス信号により制御でき、しかも超高速処理がで
きる光論理回路素子に関するものである。 ［従来技術］ 従来、論理演算および信号処理用素子として
は、シリコン（Si）−LSIが用いられていたが、
実現される演算速度がほぼ物理的限界に近づいて
きたため、さらに高速の演算処理をめざして、ガ
リウムヒ素（GaAs）−LSIやジヨセフソン接合を
用いるLSIが検討されている。 しかしながら、GaAs−LSIでは演算速度の限
界が5pS程度であること、ジヨセフソン接合LSI
ではその動作原理上極低温が必要なことなどの問
題がある。 ［目的］ 本発明の目的は、以上のような欠点を除去し、
論理演算の主要部分を全て光により行い、しかも
室温で超高速動作が可能な光論理回路素子を提供
することにある。 ［発明の構成］ 本発明は、入力用光導波路と、出力用光導波路
と、光強度に依存する非線形屈折率を持つ２本の
単一モード光導波路とを有し、２本の単一モード
光導波路の各々に同一パワーの光が入射されるよ
うに、２本の単一モード光導波路の各一端を、入
力用光導波路の一端に接続し、２本の単一モード
光導波路の各他端を出力用光導波路の一端に接続
し、下記関係 l1・N1≠l2・N2 ただし、 l1：一方の単一モード光導波路の長さ l2：他方の単一モード光導波路の長さ N1：一方の単一モード光導波路の屈折率 N2：他方の単一モード光導波路の屈折率 を満たすように構成する。 ［実施例］ 以下に図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。 第１図は本発明にかかる光論理回路素子の一実
施例を示す構成図であつて、ここに、１は単一モ
ードの入力用光導波路、２は単一モードの出力用
光導波路、３は単一モードの光導波路からなる長
さl1の一方のアーム、４は単一モードの光導波路
からなる長さl2の他方のアームである。２本のア
ーム３および４には、同一の非線形屈折率を持た
せる。両アーム３および４の各一端を、入力用光
導波路１と共に、Ｙ形の分岐部分５が形成される
ように入力用光導波路１に接続し、各他端を、出
力用光導波路２と共に、Ｙ形の結合部分６が形成
されるように出力用光導波路２に接続する。した
がつて、入力用光導波路１からの光のパワーを、
分岐部分５において、1/2ずつ分離し、分離され
た光のパワーを結合部分６において完全に結合す
ることができる。 上述した全ての光導波路は、コアおよびコアを
被覆するクラツドを有する単一モード導波路であ
り、伝搬する光の強度によつてその屈折率が変化
する材料により構成する。もちろん、光導波路の
構成部分であるコアまたはクラツドの少なくとも
一方が、非線形屈折率をもてばよい。７は一方の
アーム４中に電界を印加するための電極である。 以上のような構成において、入力用光導波路１
から入射された光の強度をＩioとすると、入力用
光導波路１からの光が分岐部分５において、1/2
ずつに分離されて、２本のアーム３および４の
各々に導かれ、両アーム３および４内を伝搬し
て、結合部分６において、完全に結合される場合
には、出力用光導波路２から出射される光の強度
Ｉputは、 Ｉput＝Ｉｉｏ／２｛１＋cos（ａ・n2・Δｌ・Ｉio ＋δ）｝ となる。ここで、n2は光導波路内における光の強
度Ｉioに対応した屈折率変化である。なお、光導
波路の屈折率ｎは、 ｎ＝n0＋n2・Ｉio により表される。n0は光の入射強度に依存しない
屈折率である。Δｌは｜l2−l1｜、すなわち、２
つのアーム３および４の長さの差、ａ＝２π／ε
0cnλ０であり、ε０は真空の誘電率、ｃは真空
中の光速、λ０は光の真空中での波長である。δ
は伝搬光が屈折率の非線形性を生じない程度に弱
い条件のもとでの、２つのアーム３および４内を
伝搬してきた光のＹ形の結合部分４における位相
差である。 ２本のアーム３および４の長さ、あるいは電極
７に印加する電圧の値を適当に選ぶことによつ
て、２本のアーム３および４内を伝搬してきた光
の結合部分６における位相差δを例えば180度と
することができる。このときの光入−出力特性を
第２図に示す。第２図中、直線はＩput＝Ｉioの状
態を示している。第２図に示すように、位相差δ
＝180度の条件下で、ＩputはＩioの変化に対応し
て周期的に変化する。また、この曲線と直線との
差に対応するパワーの光は、結合部分６から非導
波モードとして散乱される。なお、上述のよう
に、本実施例においては、同一の非線形屈折率n2
を持ち、長さの異なる２本のアーム３および４を
備えた構成にした。しかし、このような２本のア
ーム３および４の代りに、長さが同じでn2の異な
る２本のアーム、およびΔｌとn2の両者が異なる
２本のアームを用いても上述したのと同様の効果
が得られる。すなわち、 l1・N1≠l2・N2 ただし、 l1：一方の単一モード光導波路の長さ l2：他方の単一モード光導波路の長さ N1：一方の単一モード光導波路の屈折率 N2：他方の単一モード光導波路の屈折率 を満たすようにすればよい。 したがつて、本発明一実施例の光論理回路素子
は反射光を生ぜず、第３図に示すように、アイソ
レータを中間に入れることなく、本発明一実施例
の光論理回路素子８を多段に縦続接続することが
できる。 第４図に、本発明一実施例の光論理回路素子８
を、１段、２段および３段に縦断接続した場合の
Ｉio−Ｉput特性を、光論理回路素子８の縦続接続
個数Ｎをパラメータとして示す。 なお、電極７は位相差δを調整するためのもの
であつて、本発明素子の動作自体には関係しな
い。 第５図は、光論理回路素子８を、３段に縦続接
続した論理回路素子９の構成図であり、この論理
回路素子９に適当な光バイアスＩbをかけること
によて、２つの入力光パルス信号Ｉpに関して、
アンド（AND）、オア（OR）、ナンド（NAND）
およびノア（NOR）の各論理回路を構成するこ
とができる。 第６図に、論理回路素子９の入射光の強度Ｉio
と出射光の強度Ｉputとの関係を示すＩio−Ｉput特
性と、アンド、オア、ナンドおよびノアの各回路
における光バイアスＩbおよび入力光パルス信号
Ｉpの強度との関係の一例を示す。第６図におい
て、ａがアンド、ｂがオア、ｃがナンドおよびｄ
がノアの各回路の場合を示す。なお、入力光パル
ス信号Ｉpに関するアンド、オア、ナンドおよび
ノアの各回路の真理値表は次の第１表の通りであ
る。
ルス信号により制御でき、しかも超高速処理がで
きる光論理回路素子に関するものである。 ［従来技術］ 従来、論理演算および信号処理用素子として
は、シリコン（Si）−LSIが用いられていたが、
実現される演算速度がほぼ物理的限界に近づいて
きたため、さらに高速の演算処理をめざして、ガ
リウムヒ素（GaAs）−LSIやジヨセフソン接合を
用いるLSIが検討されている。 しかしながら、GaAs−LSIでは演算速度の限
界が5pS程度であること、ジヨセフソン接合LSI
ではその動作原理上極低温が必要なことなどの問
題がある。 ［目的］ 本発明の目的は、以上のような欠点を除去し、
論理演算の主要部分を全て光により行い、しかも
室温で超高速動作が可能な光論理回路素子を提供
することにある。 ［発明の構成］ 本発明は、入力用光導波路と、出力用光導波路
と、光強度に依存する非線形屈折率を持つ２本の
単一モード光導波路とを有し、２本の単一モード
光導波路の各々に同一パワーの光が入射されるよ
うに、２本の単一モード光導波路の各一端を、入
力用光導波路の一端に接続し、２本の単一モード
光導波路の各他端を出力用光導波路の一端に接続
し、下記関係 l1・N1≠l2・N2 ただし、 l1：一方の単一モード光導波路の長さ l2：他方の単一モード光導波路の長さ N1：一方の単一モード光導波路の屈折率 N2：他方の単一モード光導波路の屈折率 を満たすように構成する。 ［実施例］ 以下に図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。 第１図は本発明にかかる光論理回路素子の一実
施例を示す構成図であつて、ここに、１は単一モ
ードの入力用光導波路、２は単一モードの出力用
光導波路、３は単一モードの光導波路からなる長
さl1の一方のアーム、４は単一モードの光導波路
からなる長さl2の他方のアームである。２本のア
ーム３および４には、同一の非線形屈折率を持た
せる。両アーム３および４の各一端を、入力用光
導波路１と共に、Ｙ形の分岐部分５が形成される
ように入力用光導波路１に接続し、各他端を、出
力用光導波路２と共に、Ｙ形の結合部分６が形成
されるように出力用光導波路２に接続する。した
がつて、入力用光導波路１からの光のパワーを、
分岐部分５において、1/2ずつ分離し、分離され
た光のパワーを結合部分６において完全に結合す
ることができる。 上述した全ての光導波路は、コアおよびコアを
被覆するクラツドを有する単一モード導波路であ
り、伝搬する光の強度によつてその屈折率が変化
する材料により構成する。もちろん、光導波路の
構成部分であるコアまたはクラツドの少なくとも
一方が、非線形屈折率をもてばよい。７は一方の
アーム４中に電界を印加するための電極である。 以上のような構成において、入力用光導波路１
から入射された光の強度をＩioとすると、入力用
光導波路１からの光が分岐部分５において、1/2
ずつに分離されて、２本のアーム３および４の
各々に導かれ、両アーム３および４内を伝搬し
て、結合部分６において、完全に結合される場合
には、出力用光導波路２から出射される光の強度
Ｉputは、 Ｉput＝Ｉｉｏ／２｛１＋cos（ａ・n2・Δｌ・Ｉio ＋δ）｝ となる。ここで、n2は光導波路内における光の強
度Ｉioに対応した屈折率変化である。なお、光導
波路の屈折率ｎは、 ｎ＝n0＋n2・Ｉio により表される。n0は光の入射強度に依存しない
屈折率である。Δｌは｜l2−l1｜、すなわち、２
つのアーム３および４の長さの差、ａ＝２π／ε
0cnλ０であり、ε０は真空の誘電率、ｃは真空
中の光速、λ０は光の真空中での波長である。δ
は伝搬光が屈折率の非線形性を生じない程度に弱
い条件のもとでの、２つのアーム３および４内を
伝搬してきた光のＹ形の結合部分４における位相
差である。 ２本のアーム３および４の長さ、あるいは電極
７に印加する電圧の値を適当に選ぶことによつ
て、２本のアーム３および４内を伝搬してきた光
の結合部分６における位相差δを例えば180度と
することができる。このときの光入−出力特性を
第２図に示す。第２図中、直線はＩput＝Ｉioの状
態を示している。第２図に示すように、位相差δ
＝180度の条件下で、ＩputはＩioの変化に対応し
て周期的に変化する。また、この曲線と直線との
差に対応するパワーの光は、結合部分６から非導
波モードとして散乱される。なお、上述のよう
に、本実施例においては、同一の非線形屈折率n2
を持ち、長さの異なる２本のアーム３および４を
備えた構成にした。しかし、このような２本のア
ーム３および４の代りに、長さが同じでn2の異な
る２本のアーム、およびΔｌとn2の両者が異なる
２本のアームを用いても上述したのと同様の効果
が得られる。すなわち、 l1・N1≠l2・N2 ただし、 l1：一方の単一モード光導波路の長さ l2：他方の単一モード光導波路の長さ N1：一方の単一モード光導波路の屈折率 N2：他方の単一モード光導波路の屈折率 を満たすようにすればよい。 したがつて、本発明一実施例の光論理回路素子
は反射光を生ぜず、第３図に示すように、アイソ
レータを中間に入れることなく、本発明一実施例
の光論理回路素子８を多段に縦続接続することが
できる。 第４図に、本発明一実施例の光論理回路素子８
を、１段、２段および３段に縦断接続した場合の
Ｉio−Ｉput特性を、光論理回路素子８の縦続接続
個数Ｎをパラメータとして示す。 なお、電極７は位相差δを調整するためのもの
であつて、本発明素子の動作自体には関係しな
い。 第５図は、光論理回路素子８を、３段に縦続接
続した論理回路素子９の構成図であり、この論理
回路素子９に適当な光バイアスＩbをかけること
によて、２つの入力光パルス信号Ｉpに関して、
アンド（AND）、オア（OR）、ナンド（NAND）
およびノア（NOR）の各論理回路を構成するこ
とができる。 第６図に、論理回路素子９の入射光の強度Ｉio
と出射光の強度Ｉputとの関係を示すＩio−Ｉput特
性と、アンド、オア、ナンドおよびノアの各回路
における光バイアスＩbおよび入力光パルス信号
Ｉpの強度との関係の一例を示す。第６図におい
て、ａがアンド、ｂがオア、ｃがナンドおよびｄ
がノアの各回路の場合を示す。なお、入力光パル
ス信号Ｉpに関するアンド、オア、ナンドおよび
ノアの各回路の真理値表は次の第１表の通りであ
る。
【表】
【表】
第７図に示すように、第５図に示した論理回路
素子によつて構成したナンド回路９を２つ用いて
RSフリツプフロツプ回路を構成することができ
る。 第７図に示すように、このRSフリツプフロツ
プ回路は、２つのナンド（NAND）回路９の出力
を、互いに相手の一方の入力に帰還する。このフ
リツプフロツプ回路の真理値表を第２表に示す。
素子によつて構成したナンド回路９を２つ用いて
RSフリツプフロツプ回路を構成することができ
る。 第７図に示すように、このRSフリツプフロツ
プ回路は、２つのナンド（NAND）回路９の出力
を、互いに相手の一方の入力に帰還する。このフ
リツプフロツプ回路の真理値表を第２表に示す。
【表】
この表からわかるように、ＲおよびＳが論理
“０”にあるかぎり、このフリツプフロツプ回路
の状態は安定に保たれる。もし、Ｓが“高レベ
ル”になれば、フリツプフロツプ回路の出力Ｑは
論理“１”になり、一方、Ｒが“高レベル”にな
れば同出力は論理“０”となる。なお、Ｓおよび
Ｒの両方が同時に“１”になると、フリツプフロ
ツプ回路の出力は不確定となる。 以上に述べた動作原理に基づく本発明光論理回
路素子を構成する材料としては、光非線形屈折率
n2をもついかなる物質をも用いることができる。
一例として、非線形屈折率をもつ代表的な半導体
材料についての、吸収線に非共鳴なn0およびn2の
値を第３表に示す。
“０”にあるかぎり、このフリツプフロツプ回路
の状態は安定に保たれる。もし、Ｓが“高レベ
ル”になれば、フリツプフロツプ回路の出力Ｑは
論理“１”になり、一方、Ｒが“高レベル”にな
れば同出力は論理“０”となる。なお、Ｓおよび
Ｒの両方が同時に“１”になると、フリツプフロ
ツプ回路の出力は不確定となる。 以上に述べた動作原理に基づく本発明光論理回
路素子を構成する材料としては、光非線形屈折率
n2をもついかなる物質をも用いることができる。
一例として、非線形屈折率をもつ代表的な半導体
材料についての、吸収線に非共鳴なn0およびn2の
値を第３表に示す。
【表】
なお、吸収線に非共鳴なn2のＩioに対する応答
時間は、pSオーダ以下であることが知られてい
る。 GaAsを構成材料として用い、光が十分に閉じ
込められるような光導波路幅0.08μｍを持ち、か
つΔｌ＝100μｍを持つ光論理回路素子を試作し
たところ、2.3Wの入力パワーによつてこの光論
理回路素子をスイツチングすることができた。す
なわち、第２図における１周期分の変化が得られ
た。一つの素子長Ｌ（第１図参照）が200μｍの
光論理回路素子を３段縦続接続したものを用いて
時間応答を測定したところ、実効的スイツチング
速度は１ゲート当り6.4pSであつた。媒質の応答
速度は充分速いので、スイツチング速度は素子長
で決まつている。従つて、この実験条件よりもさ
らに大きな光入力、例えば23Wを用いれば素子長
を1/10にしてもスイツチングすることができ、そ
の結果サブピコ秒オーダのスイツチングが可能と
なる。第３表に示した半導体以外の半導体や強誘
電体等も光導波路の構成材料として用いることが
できる。さらにまた、ブロス（Bloss）氏らの文
献（Applied Physics Letters紙41巻1023頁
（1982年））に示されているように、GaAs／Al
GaAsの超格子はGaAsよりもさらに大きなn2を持
ち、より高速にスイツチングが可能な材料として
用いることができる。 ［効果］ 以上説明したように、本発明によれば、室温で
動作し、しかもまた、その動作速度が非常に高速
であるから信号処理、論理演算等の基本素子とし
て広く用いることができる光論理回路素子を提供
することができる。
時間は、pSオーダ以下であることが知られてい
る。 GaAsを構成材料として用い、光が十分に閉じ
込められるような光導波路幅0.08μｍを持ち、か
つΔｌ＝100μｍを持つ光論理回路素子を試作し
たところ、2.3Wの入力パワーによつてこの光論
理回路素子をスイツチングすることができた。す
なわち、第２図における１周期分の変化が得られ
た。一つの素子長Ｌ（第１図参照）が200μｍの
光論理回路素子を３段縦続接続したものを用いて
時間応答を測定したところ、実効的スイツチング
速度は１ゲート当り6.4pSであつた。媒質の応答
速度は充分速いので、スイツチング速度は素子長
で決まつている。従つて、この実験条件よりもさ
らに大きな光入力、例えば23Wを用いれば素子長
を1/10にしてもスイツチングすることができ、そ
の結果サブピコ秒オーダのスイツチングが可能と
なる。第３表に示した半導体以外の半導体や強誘
電体等も光導波路の構成材料として用いることが
できる。さらにまた、ブロス（Bloss）氏らの文
献（Applied Physics Letters紙41巻1023頁
（1982年））に示されているように、GaAs／Al
GaAsの超格子はGaAsよりもさらに大きなn2を持
ち、より高速にスイツチングが可能な材料として
用いることができる。 ［効果］ 以上説明したように、本発明によれば、室温で
動作し、しかもまた、その動作速度が非常に高速
であるから信号処理、論理演算等の基本素子とし
て広く用いることができる光論理回路素子を提供
することができる。
第１図は本発明にかかる光論理回路素子の一実
施例を示す構成図、第２図は同回路素子における
光入−出力特性の一例を示す図、第３図は同回路
素子を多段に縦続接続した構成例を示す線図、第
４図は同多段構成例の光入−出力特性の一例を示
す図、第５図は光論理回路素子を３段に縦続接続
した論理回路素子の構成を示す図、第６図は同論
理回路素子を用いて構成したアンド（AND）、オ
ア（OR）、ナンド（NAND）およびノア
（NOR）の各回路の動作に必要な光バイアスと光
パルス信号との関係を説明する説明図、第７図は
光論理回路素子によつて構成したナンド
（NAND）回路２個により構成したフリツプフロ
ツプ回路の一例を示す線図である。 １……入力用単一モード光導波路、２……出力
用単一モード光導波路、３，４……単一モード光
導波路（アーム）、５……Ｙ形の分岐部分、６…
…Ｙ形の結合部分、７……電極。
施例を示す構成図、第２図は同回路素子における
光入−出力特性の一例を示す図、第３図は同回路
素子を多段に縦続接続した構成例を示す線図、第
４図は同多段構成例の光入−出力特性の一例を示
す図、第５図は光論理回路素子を３段に縦続接続
した論理回路素子の構成を示す図、第６図は同論
理回路素子を用いて構成したアンド（AND）、オ
ア（OR）、ナンド（NAND）およびノア
（NOR）の各回路の動作に必要な光バイアスと光
パルス信号との関係を説明する説明図、第７図は
光論理回路素子によつて構成したナンド
（NAND）回路２個により構成したフリツプフロ
ツプ回路の一例を示す線図である。 １……入力用単一モード光導波路、２……出力
用単一モード光導波路、３，４……単一モード光
導波路（アーム）、５……Ｙ形の分岐部分、６…
…Ｙ形の結合部分、７……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力用光導波路と、 出力用光導波路と、 光強度に依存する非線形屈折率を持つ２本の単
一モード光導波路とを有し、 該２本の単一モード光導波路の各々に同一パワ
ーの光が入射されるように、前記２本の単一モー
ド光導波路の各一端を、前記入力用光導波路の一
端に接続し、前記２本の単一モード光導波路の各
他端を、前記出力用光導波路の一端に接続し、下
記関係 l1・N1≠l2・N2 ただし、 l1：一方の単一モード光導波路の長さ l2：他方の単一モード光導波路の長さ N1：一方の単一モード光導波路の屈折率 N2：他方の単一モード光導波路の屈折率 を満たすようにしたことを特徴とする光論理回路
素子。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の光論理回路素子
において、 前記２本の単一モード光導波路の少なくとも一
方は、その屈折率を制御するための電界印加用電
極を有することを特徴とする光論理回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649183A JPS6068330A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光論理回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17649183A JPS6068330A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光論理回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068330A JPS6068330A (ja) | 1985-04-18 |
| JPS6151306B2 true JPS6151306B2 (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=16014593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17649183A Granted JPS6068330A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 光論理回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191711U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416338A (en) * | 1992-02-29 | 1995-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device with quantum well resonance states |
| US5999284A (en) * | 1997-06-05 | 1999-12-07 | Northern Telecom Limited | Optical detection and logic devices with latching function |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17649183A patent/JPS6068330A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191711U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6068330A (ja) | 1985-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6917431B2 (en) | Mach-Zehnder interferometer using photonic band gap crystals | |
| KR100289998B1 (ko) | 부스터 출력을 갖는 광 프로세서 | |
| US9140853B2 (en) | All silicon optical transistor | |
| CN115061292A (zh) | 一种基于薄膜铌酸锂的可调谐光延时线 | |
| JPS6068321A (ja) | 光スイツチ | |
| CN104238233A (zh) | 基于多波长单波导多环级联结构的可重构导向逻辑器件 | |
| CN222259753U (zh) | 光学装置以及偏振旋转器 | |
| JP3023878B2 (ja) | 導波型光分岐素子 | |
| CN104865772B (zh) | 一种基于微环谐振器的三值光学可逆逻辑器件 | |
| JPS6151306B2 (ja) | ||
| Sanchez | Optical bistability in a 2× 2 coupler fiber ring resonator: parametric formulation | |
| CN114815331B (zh) | 一种应用于微波光子的光学全加器导向逻辑器件 | |
| CN113189708B (zh) | 一种偏振不敏感的定向耦合器结构及方法 | |
| JPH0585889B2 (ja) | ||
| JPH0749511A (ja) | 導波型光スイッチ | |
| Edwards | Some novel exclusive-OR/NOR circuits | |
| JPH04346301A (ja) | 光合分岐器 | |
| Sharifi | All-optical photonic crystal two bit adder design | |
| Laybourn et al. | Integrated optics: a tutorial review | |
| Khoiro et al. | All-optical logic gates in directional coupler waveguide consisting of nonlinear material | |
| CN106301381B (zh) | 电光3-8译码器 | |
| Salah et al. | An improved delay time of optical half-adder applying nonlinear photonic crystals technology | |
| JPH09281350A (ja) | 導波路型光分岐素子 | |
| Demkov et al. | Ferroelectrics for emergent silicon-integrated optical computing | |
| JPH03172804A (ja) | 偏波無依存波長不感受光分岐デバイス |