JPS6151803B2 - - Google Patents
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- JPS6151803B2 JPS6151803B2 JP52144918A JP14491877A JPS6151803B2 JP S6151803 B2 JPS6151803 B2 JP S6151803B2 JP 52144918 A JP52144918 A JP 52144918A JP 14491877 A JP14491877 A JP 14491877A JP S6151803 B2 JPS6151803 B2 JP S6151803B2
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- Japan
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- oscillator
- varactor
- collector
- electrode
- resonant circuit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0006—Clapp oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は一般に電圧制御発振器に、更に詳し
くは出力回路が同調回路から分離している電圧制
御発振器に関する。
くは出力回路が同調回路から分離している電圧制
御発振器に関する。
同調用共振回路に対して電圧により変化するキ
ヤパシタンスを有するバラクタを使用することは
技術上周知である。それで、周知のクラツプ発振
器のような発振器の共振回路においてバラクタに
加えられるバイアス電圧のレベルを変化させて発
振器の出力の周波数を制御することができる。一
般に、クラツプ発振器の出力は共振回路の一部分
で取られるので、出力電力は周波数の関数として
変化する。周波数が変化しても出力電力を一定に
するべき場合には、アメリカ国特許第3370254
号、第3723906号又は第3899755号に記載されたよ
うな帰還方式を利用することができる。これらの
特許明細書に記載された方法はどれも、比較的一
定の出力電力を有する同調可能な発振器を与える
のには全く有効であるが、同様に重要な他の事柄
（例えば、発振器によつて発生されるFM雑音及
び発振器における過渡現象の影響）に対しては考
慮していない。
ヤパシタンスを有するバラクタを使用することは
技術上周知である。それで、周知のクラツプ発振
器のような発振器の共振回路においてバラクタに
加えられるバイアス電圧のレベルを変化させて発
振器の出力の周波数を制御することができる。一
般に、クラツプ発振器の出力は共振回路の一部分
で取られるので、出力電力は周波数の関数として
変化する。周波数が変化しても出力電力を一定に
するべき場合には、アメリカ国特許第3370254
号、第3723906号又は第3899755号に記載されたよ
うな帰還方式を利用することができる。これらの
特許明細書に記載された方法はどれも、比較的一
定の出力電力を有する同調可能な発振器を与える
のには全く有効であるが、同様に重要な他の事柄
（例えば、発振器によつて発生されるFM雑音及
び発振器における過渡現象の影響）に対しては考
慮していない。
非常に低いFM雑音レベルでクラツプ発振器を
動作させなければならない場合には、発振器の共
振回路と負荷の組合せにおけるＱはできるだけ高
くするできである。共振回路に直接負荷を接続す
ると、前記のＱはこの負荷によつて実用的な構成
においては相当なレベルのFM雑音を許容しなけ
ればならない程度に制限される。更に、標準的な
クラツプ発振器では、負荷と発振器との間に不整
合が存在すると、「周波数引込み」すなわち発振
器の離調として知られる現象を生じることにな
る。
動作させなければならない場合には、発振器の共
振回路と負荷の組合せにおけるＱはできるだけ高
くするできである。共振回路に直接負荷を接続す
ると、前記のＱはこの負荷によつて実用的な構成
においては相当なレベルのFM雑音を許容しなけ
ればならない程度に制限される。更に、標準的な
クラツプ発振器では、負荷と発振器との間に不整
合が存在すると、「周波数引込み」すなわち発振
器の離調として知られる現象を生じることにな
る。
ここで考えている形式の発振器の安定時間（整
定時間）及び同調後のドリフト（ポスト・チユー
ニング・ドリフト）は主として同調のために使用
したバラクタで消費される電力の量によつて決定
させる。標準的なクラツプ発振器では共振回路の
バラクタもまた出力回路の一部分である。このこ
とはバラクタによつて消費される電力の量が発振
器の電力出力に依存することを意味する。従つ
て、標準的なクラツプ発振器の満足な動作は低電
力レベルにおいてだけ得られることになる。
定時間）及び同調後のドリフト（ポスト・チユー
ニング・ドリフト）は主として同調のために使用
したバラクタで消費される電力の量によつて決定
させる。標準的なクラツプ発振器では共振回路の
バラクタもまた出力回路の一部分である。このこ
とはバラクタによつて消費される電力の量が発振
器の電力出力に依存することを意味する。従つ
て、標準的なクラツプ発振器の満足な動作は低電
力レベルにおいてだけ得られることになる。
この発明のこのような背景に留意して、この発
明の目的は、過渡現象に対して動作することので
きる改善された電圧制御発振器を与えることであ
る。
明の目的は、過渡現象に対して動作することので
きる改善された電圧制御発振器を与えることであ
る。
この発明の別の目的は非常に低いFM雑音を有
する改善させた電圧制御発振器を与えることであ
る。
する改善させた電圧制御発振器を与えることであ
る。
この発明の更に別の目的は同調範囲全域にわた
つて一様な出力電力を有する改善された電圧制御
発振器を与えることである。
つて一様な出力電力を有する改善された電圧制御
発振器を与えることである。
この発明のこれら及びその他の目的は一般に、
共振回路が出力回路から実効上分離されている、
共通ベース・コレクタ接地形態で動作するトラン
ジスタを用いた電圧制御発振器を与えることによ
つて達成される。共振回路は固定コンデンサ、イ
ンダクタ、及びトランジスタのベース・コレクタ
間キヤパシタンスと直列に接続されたバラクタを
有している。出力回路はトランジスタのベース及
びコレクタ間に接続されかつ整合のための可変コ
ンデンサを備えている。
共振回路が出力回路から実効上分離されている、
共通ベース・コレクタ接地形態で動作するトラン
ジスタを用いた電圧制御発振器を与えることによ
つて達成される。共振回路は固定コンデンサ、イ
ンダクタ、及びトランジスタのベース・コレクタ
間キヤパシタンスと直列に接続されたバラクタを
有している。出力回路はトランジスタのベース及
びコレクタ間に接続されかつ整合のための可変コ
ンデンサを備えている。
この発明の前述の特徴及び発明自体は添付の図
面について行われた次の詳細な説明から一層よく
理解されよう。
面について行われた次の詳細な説明から一層よく
理解されよう。
さて図面を見ると、電圧制御発振器１０（以
下、単に発振器１０という）は、第１の（すなわ
ち、コレクタ）電極１１、第２の（すなわち、ベ
ース）電極１３、及び第３の（すなわち、エミツ
タ）電極１５を備えたNPNトランジスタ１２を
有している。コレクタ電極１１は図示したように
直接接地に接続されている。ベース電極１３はコ
イル１７、固定コンデンサ１９及びバラクタ２１
（ここではダイオード）と直列に接続されてい
る。バラクタ２１はそのアノード電極（符号な
し）が図示したように接地に接続され、かつその
カソード電極（符号なし）がチヨーク２３を通し
てバイパスコンデンサ２５と正のバイアス電圧の
可変源Ｖ＋とに接続されている。発振器１０に対
する共振回路は、バラクタ２１、固定コンデンサ
１９、コイル１７及びNPNトランジスタ１２の
コレクタ・ベース間キヤパシタンスからなつてい
る。バラクタ２１のキヤパシタンスは正のバイア
ス電圧Ｖ＋のレベルを都合のよい方法で変化させ
ることによつて変えることができることが認めら
れるであろう。正のバイアス電圧Ｖ＋のレベルを
変化させる方法はこの発明の基本的な部分ではな
く、技術上多くの方法が知られており、又この発
明はそのような方法の詳細を例示しなくても理解
することができるので、正のバイアス電圧Ｖ＋の
レベルを変化させるなんらかの特定の方法はここ
では示さない。チヨーク２３及びコンデンサ２５
は発振器１０の共振回路におけるRFエネルギー
を正のバイアス電圧Ｖ＋から分離させるのに役立
つ。
下、単に発振器１０という）は、第１の（すなわ
ち、コレクタ）電極１１、第２の（すなわち、ベ
ース）電極１３、及び第３の（すなわち、エミツ
タ）電極１５を備えたNPNトランジスタ１２を
有している。コレクタ電極１１は図示したように
直接接地に接続されている。ベース電極１３はコ
イル１７、固定コンデンサ１９及びバラクタ２１
（ここではダイオード）と直列に接続されてい
る。バラクタ２１はそのアノード電極（符号な
し）が図示したように接地に接続され、かつその
カソード電極（符号なし）がチヨーク２３を通し
てバイパスコンデンサ２５と正のバイアス電圧の
可変源Ｖ＋とに接続されている。発振器１０に対
する共振回路は、バラクタ２１、固定コンデンサ
１９、コイル１７及びNPNトランジスタ１２の
コレクタ・ベース間キヤパシタンスからなつてい
る。バラクタ２１のキヤパシタンスは正のバイア
ス電圧Ｖ＋のレベルを都合のよい方法で変化させ
ることによつて変えることができることが認めら
れるであろう。正のバイアス電圧Ｖ＋のレベルを
変化させる方法はこの発明の基本的な部分ではな
く、技術上多くの方法が知られており、又この発
明はそのような方法の詳細を例示しなくても理解
することができるので、正のバイアス電圧Ｖ＋の
レベルを変化させるなんらかの特定の方法はここ
では示さない。チヨーク２３及びコンデンサ２５
は発振器１０の共振回路におけるRFエネルギー
を正のバイアス電圧Ｖ＋から分離させるのに役立
つ。
発振器１０に対する所要の帰還はNPNトラン
ジスタ１２のエミツタ・コレクタ間キヤパシタン
スを通して与えられる。理解されるように、発振
器１０からのRF出力信号は帰還回路網から得ら
れるので、NPNトランジスタ１２のエミツタ・
コレクタ接合部の比較的低いインピーダンスを負
荷、ここでは50オームの伝送線（符号はしていな
いが、「RF出力」と表示してある）であるとした
負荷に整合させるためにコンデンサ２７を使用す
ることが必要である。コンデンサ２７はここでは
機械的に同調可能な可変コンデンサであるが、コ
ンデンサ２７の最適値が一たん確かめられると、
可変コンデンサは固定コンデンサによつて置き換
えることができる。
ジスタ１２のエミツタ・コレクタ間キヤパシタン
スを通して与えられる。理解されるように、発振
器１０からのRF出力信号は帰還回路網から得ら
れるので、NPNトランジスタ１２のエミツタ・
コレクタ接合部の比較的低いインピーダンスを負
荷、ここでは50オームの伝送線（符号はしていな
いが、「RF出力」と表示してある）であるとした
負荷に整合させるためにコンデンサ２７を使用す
ることが必要である。コンデンサ２７はここでは
機械的に同調可能な可変コンデンサであるが、コ
ンデンサ２７の最適値が一たん確かめられると、
可変コンデンサは固定コンデンサによつて置き換
えることができる。
エミツタ電極１５は、チヨーク２９を経てバイ
パスコンデンサ３１に、又チヨーク２９、抵抗３
３を経てバイパスコンデンサ３１′及び負のバイ
アス電圧Ｖ−に接続されている。ベース電極１３
はチヨーク３９並びに抵抗３５及び３７からなる
分圧器を経て負のバイアス電圧Ｖ−に接続されて
いる。バイパスコンデンサ４１は図示したように
接続されている。発振器１０の共振回路における
RFエネルギーはそれゆえ負のバイアス電圧Ｖ−
から分離される。
パスコンデンサ３１に、又チヨーク２９、抵抗３
３を経てバイパスコンデンサ３１′及び負のバイ
アス電圧Ｖ−に接続されている。ベース電極１３
はチヨーク３９並びに抵抗３５及び３７からなる
分圧器を経て負のバイアス電圧Ｖ−に接続されて
いる。バイパスコンデンサ４１は図示したように
接続されている。発振器１０の共振回路における
RFエネルギーはそれゆえ負のバイアス電圧Ｖ−
から分離される。
前述の構成においては、出力回路が発振器１０
の共振回路から実効上分離されている。コンデン
サ２７の不整合が存在すると、総合効率の低下が
生じる。しかしながら、共振回路が出力回路から
実効上分離されているので、共振回路の同調が出
力回路に及ぼす影響は無視することができる。外
部帰還回路網を必要としないで発振器の周波数範
囲全域にわたつて極めて一様な電力出力が得られ
る。更に、共振回路が出力回路から実効上分離し
ているので発振器が非常に低いFM雑音を呈する
ことになる。標準的なクラツプ発振器では負荷抵
抗が事実上共振回路の一部分であるのでそのよう
な低いFM雑音レスポンスは不可能である。共振
回路を出力回路から分離することによつて実現さ
れる別の利点は発振器の安定時間レスポンス及び
同調後のドリフトの減小である。発振器の安定時
間及び同調後のドリフトはバラクタで消費される
電力に相当程度依存する。標準的なクラツプ発振
器では（バラクタが出力回路の一部分であるた
め）負荷電流がバラクタを流れるので、安定時間
及び同調後のドリフトは発振器の出力電力に依存
する。バラクタを出力回路から取り去るとバラク
タを通る電流の量が限定されるので、良好な過渡
動作特性を有する発振器が得られる。
の共振回路から実効上分離されている。コンデン
サ２７の不整合が存在すると、総合効率の低下が
生じる。しかしながら、共振回路が出力回路から
実効上分離されているので、共振回路の同調が出
力回路に及ぼす影響は無視することができる。外
部帰還回路網を必要としないで発振器の周波数範
囲全域にわたつて極めて一様な電力出力が得られ
る。更に、共振回路が出力回路から実効上分離し
ているので発振器が非常に低いFM雑音を呈する
ことになる。標準的なクラツプ発振器では負荷抵
抗が事実上共振回路の一部分であるのでそのよう
な低いFM雑音レスポンスは不可能である。共振
回路を出力回路から分離することによつて実現さ
れる別の利点は発振器の安定時間レスポンス及び
同調後のドリフトの減小である。発振器の安定時
間及び同調後のドリフトはバラクタで消費される
電力に相当程度依存する。標準的なクラツプ発振
器では（バラクタが出力回路の一部分であるた
め）負荷電流がバラクタを流れるので、安定時間
及び同調後のドリフトは発振器の出力電力に依存
する。バラクタを出力回路から取り去るとバラク
タを通る電流の量が限定されるので、良好な過渡
動作特性を有する発振器が得られる。
組み立てられた発振器１０は、15パーセントの
同調帯域幅について0.3dBの総合出力電力変化し
か生じない、有効なものであることがわかつた。
Ｓバンド発振器の設計に使用された回路素子に対
する値を次の表に示す。
同調帯域幅について0.3dBの総合出力電力変化し
か生じない、有効なものであることがわかつた。
Ｓバンド発振器の設計に使用された回路素子に対
する値を次の表に示す。
NPNトランジスタ12 マイクロウエーブ・セ
ミコンダクタ社（Microwave
Semiconductor Corp.）80019 抵 抗３３ 10オーム 抵 抗３５ 150オーム 抵 抗３７ １キロオーム コンデンサ１９ 3.9pF コンデンサ２５，３１，４１，３１′ 1500pF コンデンサ２７ ジヨハンソン（Johanson）
9410−２ バラクタ２１ バリアン（Varian）VAT13N18
ダイオード コイル２３，２９，３９ 20番線４回巻き 内径0.080、長さ0.100 コイル１７ 20番線1.5回巻き 内径0.080、長さ0.100 これまでこの発明の選ばれた具体例について説
明してきたが、その考えに基づくその他の具体例
を使用してもよいことは明白である。例えば、図
示した単一同調用バラクタの代わりに粗同調及び
微同調用バラクタを使用することもできる。それ
ゆえ、この発明はここに記載した具体例に限定さ
れるべきではないと考えられる。
ミコンダクタ社（Microwave
Semiconductor Corp.）80019 抵 抗３３ 10オーム 抵 抗３５ 150オーム 抵 抗３７ １キロオーム コンデンサ１９ 3.9pF コンデンサ２５，３１，４１，３１′ 1500pF コンデンサ２７ ジヨハンソン（Johanson）
9410−２ バラクタ２１ バリアン（Varian）VAT13N18
ダイオード コイル２３，２９，３９ 20番線４回巻き 内径0.080、長さ0.100 コイル１７ 20番線1.5回巻き 内径0.080、長さ0.100 これまでこの発明の選ばれた具体例について説
明してきたが、その考えに基づくその他の具体例
を使用してもよいことは明白である。例えば、図
示した単一同調用バラクタの代わりに粗同調及び
微同調用バラクタを使用することもできる。それ
ゆえ、この発明はここに記載した具体例に限定さ
れるべきではないと考えられる。
図面はこの発明による発振器の概略図である。
１０……電圧制御発振器、１２……NPNトラ
ンジスタ、１１，１３，１５……トランジスタ１
２の第１、第２、第３の電極、２１……バラク
タ。
ンジスタ、１１，１３，１５……トランジスタ１
２の第１、第２、第３の電極、２１……バラク
タ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) コレクタ、ベース及びエミツタ電極を有
し、前記コレクタ電極が接地されているトラン
ジスタと、 (b) 前記ベース電極に接続されていて、インダク
タ、コンデンサ及びバラクタからなり、前記コ
レクタ及びベース電極間の電極間キヤパシタン
スの間に共振回路を形成している装置と、 (c) 前記コレクタ及びエミツタ電極間の電極間キ
ヤパシタンスからなる帰還回路と、 (d) 前記エミツタ電極に接続されており、かつイ
ンピーダンス整合のための可変コンデンサを備
えた出力回路と、 (e) 前記ベース及びエミツタ電極にバイアスを与
えかつ前記バラクタのキヤパシタンスを制御し
て動作周波数を制御するバイアス装置であつ
て、該バイアス装置のバイアス源と前記バラク
タとの間に前記共振回路の外部で接続されるチ
ヨークを有するバイアス装置と、 から構成される電圧制御同調可能発振器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/746,775 US4066983A (en) | 1976-12-02 | 1976-12-02 | Voltage controlled Clapp oscillator having output isolated from tuned circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5369570A JPS5369570A (en) | 1978-06-21 |
| JPS6151803B2 true JPS6151803B2 (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=25002288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14491877A Granted JPS5369570A (en) | 1976-12-02 | 1977-12-02 | Voltage controlled tunable oscillator |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4066983A (ja) |
| JP (1) | JPS5369570A (ja) |
| CA (1) | CA1085939A (ja) |
| DE (1) | DE2753629A1 (ja) |
| FR (1) | FR2373187A1 (ja) |
| GB (1) | GB1542233A (ja) |
| IT (1) | IT1090939B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63212340A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-09-05 | 住友ベークライト株式会社 | ハンドピ−ス |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56118231A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-17 | Kenichi Hayashida | Oscillation type proximity switch for automatic door |
| DE3246295C2 (de) * | 1982-12-14 | 1986-11-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Frequenzmodulierbarer Oszillator |
| DE3332328A1 (de) * | 1983-09-08 | 1985-03-28 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Selektive, transistorisierte, an eine antenne angeschlossene hf-stufe |
| US4638180A (en) * | 1984-03-09 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Frequency divider circuits |
| US5144264A (en) * | 1991-11-01 | 1992-09-01 | Motorola, Inc. | Wideband voltage controlled oscillator having open loop gain compensation |
| KR0153379B1 (ko) * | 1995-09-26 | 1998-11-16 | 김광호 | 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기 |
| US6504443B1 (en) | 2000-05-17 | 2003-01-07 | Nec America, Inc., | Common anode varactor tuned LC circuit |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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