JPS6152364A - 被覆方法 - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属化合物を基体に被覆する方法に関し、さら
に詳しくは、核毒物を含有した金属化合物の薄い被膜を
核分裂性物質または燃料親物質上に形成する方法に関す
る。
に詳しくは、核毒物を含有した金属化合物の薄い被膜を
核分裂性物質または燃料親物質上に形成する方法に関す
る。
耐火性金属化合物の被膜は種々の技法によって種々の基
体上に析出される。工業的に重要な被膜形成技法として
は、熱吹付は被覆法、化学蒸着(C!VD)法、真空被
覆法、スパッタリンク法およびイオンプめっき法などが
挙げられる。
体上に析出される。工業的に重要な被膜形成技法として
は、熱吹付は被覆法、化学蒸着(C!VD)法、真空被
覆法、スパッタリンク法およびイオンプめっき法などが
挙げられる。
これらの技法は、アメリカン・ソサイエテイ・フォー〇
メクルズ(American 5ocj、ety fo
rlaetals)、「メクルズII /’tンドブツ
ク(MetalsHandbook )J N第9版、
第5巻、「Q −7x−スークリーニング、フイニツシ
イング・アンド・コーチインク(表面洗浄、表面仕上げ
及び被覆)」、1982年10月、661〜674頁及
び681〜421頁に要約されている。
メクルズ(American 5ocj、ety fo
rlaetals)、「メクルズII /’tンドブツ
ク(MetalsHandbook )J N第9版、
第5巻、「Q −7x−スークリーニング、フイニツシ
イング・アンド・コーチインク(表面洗浄、表面仕上げ
及び被覆)」、1982年10月、661〜674頁及
び681〜421頁に要約されている。
焼結炭化物基体を耐火性金属ホウ化物層で被覆するCV
D法の例は、米国特許第4268582号明細書に記載
されている。
D法の例は、米国特許第4268582号明細書に記載
されている。
熱中性子核分裂型の現用されている原子炉は、いわゆる
可燃性毒物を原子炉の内部構造物中または燃料中に組込
んでいる。・「可燃性毒物」とは熱中性子吸収断面積が
大きい元素であり、中性子を吸収した時に受ける核反応
によって、中性子吸収断面積がそれよりも著しく低い同
位体に変換される。この元素の一例として、ホウ素は2
種の自然に存在する同位体+OBおよび1 j Bから
成っている。 5Bは核反応 10 n、α 7 5B□ Ll について非常に大きい中性子吸収断面積(3838バー
ン)をもつが、生成物の7L1は中性子吸収断面積が非
常に小さい。熱中性子炉の運転中、核燃料物質(例えば
U)の原子核は中性子の衝撃下に核分裂する。この
過程によって燃料が燃焼すると共に、残留中性子吸収断
面積に寄与する核分裂生成物が生成し、この生成物は最
後には安定な毒物として働いて原子炉の増倍率を減少さ
せる。そのため燃料再製架間の原子炉の運転期間を長く
するには単に原子炉を臨界にするのに必要な量を著しく
超過する量の燃料を各運転期間の開始時に装入して所望
の出力レベルで運転することが望ましい。過剰な燃料に
よって得られる反応度を制御しやすくして所要制御棒の
体積を減少させるために前述したホウ素のような可燃性
毒物が組込まれる。原子炉が運転されると燃料が燃焼し
、反応性成物が蓄積する。
可燃性毒物を原子炉の内部構造物中または燃料中に組込
んでいる。・「可燃性毒物」とは熱中性子吸収断面積が
大きい元素であり、中性子を吸収した時に受ける核反応
によって、中性子吸収断面積がそれよりも著しく低い同
位体に変換される。この元素の一例として、ホウ素は2
種の自然に存在する同位体+OBおよび1 j Bから
成っている。 5Bは核反応 10 n、α 7 5B□ Ll について非常に大きい中性子吸収断面積(3838バー
ン)をもつが、生成物の7L1は中性子吸収断面積が非
常に小さい。熱中性子炉の運転中、核燃料物質(例えば
U)の原子核は中性子の衝撃下に核分裂する。この
過程によって燃料が燃焼すると共に、残留中性子吸収断
面積に寄与する核分裂生成物が生成し、この生成物は最
後には安定な毒物として働いて原子炉の増倍率を減少さ
せる。そのため燃料再製架間の原子炉の運転期間を長く
するには単に原子炉を臨界にするのに必要な量を著しく
超過する量の燃料を各運転期間の開始時に装入して所望
の出力レベルで運転することが望ましい。過剰な燃料に
よって得られる反応度を制御しやすくして所要制御棒の
体積を減少させるために前述したホウ素のような可燃性
毒物が組込まれる。原子炉が運転されると燃料が燃焼し
、反応性成物が蓄積する。
それによって起る反応度の減少は可燃性毒物の消失によ
って補償される。
って補償される。
ホウ素またばかトリニウムのような可燃性毒物を原子炉
の水系統に組込み、ないしは合体させるためのいくつか
の方法は、ノエイ・ティ・エイmロパーツ(J、 T、
A、 Roberts)著、「ストラクチュラル・マ
テリアルズ・イン・ニュクレア・パワーeシステムズ(
StructuralMateriaISin Nuc
’1ear Power Systems) J、19
81年、56〜60頁及び119〜124頁に記載され
ている。可燃性毒物原子炉系に組込む別の方法には元素
形態または化合物形態の可燃性毒物で燃料ペレットを被
覆するにある。
の水系統に組込み、ないしは合体させるためのいくつか
の方法は、ノエイ・ティ・エイmロパーツ(J、 T、
A、 Roberts)著、「ストラクチュラル・マ
テリアルズ・イン・ニュクレア・パワーeシステムズ(
StructuralMateriaISin Nuc
’1ear Power Systems) J、19
81年、56〜60頁及び119〜124頁に記載され
ている。可燃性毒物原子炉系に組込む別の方法には元素
形態または化合物形態の可燃性毒物で燃料ペレットを被
覆するにある。
燃料ペレットを可燃性毒物で被覆するための化学的蒸発
技法は米国特許願第564057号(出願臼、1986
年12月21日〕、同第468746号(出願臼、19
83年2月22日)及び第468788号(出願臼、1
986年2月22日〕明細書に開示されている。燃料ペ
レット上に可燃性毒物被膜を沈着させるためのスパッタ
リング技法は米国特許H第526;12号(出願臼、1
986年8月26日)に記載されている。これらの米国
特許願は、引用tこよって・この明細書の一部分とされ
る。
技法は米国特許願第564057号(出願臼、1986
年12月21日〕、同第468746号(出願臼、19
83年2月22日)及び第468788号(出願臼、1
986年2月22日〕明細書に開示されている。燃料ペ
レット上に可燃性毒物被膜を沈着させるためのスパッタ
リング技法は米国特許H第526;12号(出願臼、1
986年8月26日)に記載されている。これらの米国
特許願は、引用tこよって・この明細書の一部分とされ
る。
本発明による基体を被覆する方法は基体面の近傍で金属
化合物を熱分解して前記基体上に耐熱性金属化合物を沈
着させ、他方、前記金属化合物の熱分解の少くとも実質
上全部の他の生成物を揮発させることからなり、前記金
属化合物は1種または2種以上の金属と、C!、 N、
OおよびBの1種または2種以上の元素と水素とを含
む基とからなり、且つ耐熱性金属化合物が金属酸化物、
金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物およびそれらの
固溶体または混合物から選ばれることを特徴とする。
化合物を熱分解して前記基体上に耐熱性金属化合物を沈
着させ、他方、前記金属化合物の熱分解の少くとも実質
上全部の他の生成物を揮発させることからなり、前記金
属化合物は1種または2種以上の金属と、C!、 N、
OおよびBの1種または2種以上の元素と水素とを含
む基とからなり、且つ耐熱性金属化合物が金属酸化物、
金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物およびそれらの
固溶体または混合物から選ばれることを特徴とする。
本発明の1実施態様によれば、被覆されるべき基体面は
金属化合物の熱分解温度よりも高い温度まで予熱される
。好ましくは、予熱温度は約400℃以下の温度とする
。
金属化合物の熱分解温度よりも高い温度まで予熱される
。好ましくは、予熱温度は約400℃以下の温度とする
。
本発明の別の実施態様によれば、金属化合物を含む分子
線を被覆しようとする表面に衝突させる。この衝突によ
り有機金属化合物は熱分解される。この実施態様によれ
ば、基体面を予熱してもよいが、これは必須ではない。
線を被覆しようとする表面に衝突させる。この衝突によ
り有機金属化合物は熱分解される。この実施態様によれ
ば、基体面を予熱してもよいが、これは必須ではない。
本発明における原料物質は、その熱分解温度よりも低い
温度で気化し、熱分解温度よりも高い温度になった時に
、所望の耐火金属化合物に分解し、残留元素が気体のz
IJ生成物を生成することが必要となる。完全な熱分解
は、好ましくは、約400℃よりも低い温度において生
ずる。
温度で気化し、熱分解温度よりも高い温度になった時に
、所望の耐火金属化合物に分解し、残留元素が気体のz
IJ生成物を生成することが必要となる。完全な熱分解
は、好ましくは、約400℃よりも低い温度において生
ずる。
例えば金属のホウ化物及び金属酸化物を生成させるため
の好ましい原料物質としては、式%式%() によって示されるものが含まれる。
の好ましい原料物質としては、式%式%() によって示されるものが含まれる。
例えばM(−BI3)4型の原料物質については、Mは
、反応性金属T1、Zr及びHfから成る群から選ぶこ
とができる。−例として、第3級アミルオキシド型の原
料物質〔即ち、M(oc5H1,)−〕及び第3級ブト
キシド型の原料物質〔即ちM (QC4H9)4〕につ
いてはMはTi、Zr及びHf−の反応性金属群から選
ぶことができ、例えば第3 級イソフOホキシト型(f
fl]チM(QC!3H,)41)の原料物質について
はMはM s Y s Tis Zr 1Hf及びTh
から成る群から選ぶことができる。なお、第6級イソプ
ロポキシド原料物質の場合には前記の金属の代りにホウ
素を用いてもよい。
、反応性金属T1、Zr及びHfから成る群から選ぶこ
とができる。−例として、第3級アミルオキシド型の原
料物質〔即ち、M(oc5H1,)−〕及び第3級ブト
キシド型の原料物質〔即ちM (QC4H9)4〕につ
いてはMはTi、Zr及びHf−の反応性金属群から選
ぶことができ、例えば第3 級イソフOホキシト型(f
fl]チM(QC!3H,)41)の原料物質について
はMはM s Y s Tis Zr 1Hf及びTh
から成る群から選ぶことができる。なお、第6級イソプ
ロポキシド原料物質の場合には前記の金属の代りにホウ
素を用いてもよい。
より詳しくは、Z r B2被覆を形成する場合にはz
r (B a 4 ) 4を用いることが考慮される
。
r (B a 4 ) 4を用いることが考慮される
。
本発明の被覆方法によって被覆される基体としては、金
属、合金、焼結炭化物、ガラス、既に存在している金属
酸化物、窒化物、ホウ化物及び炭化物が挙げられる。本
発明の好ましい実施態様ではこの基体はUO□の形態の
U255のような核燃料物質又は燃料親物質を含有して
いる、プレスされ焼結された酸化物燃料ベレットである
。本発明による被膜、好ましくはZ r B 2は、一
般に円筒状の通常のベレットの円周面上に適用される。
属、合金、焼結炭化物、ガラス、既に存在している金属
酸化物、窒化物、ホウ化物及び炭化物が挙げられる。本
発明の好ましい実施態様ではこの基体はUO□の形態の
U255のような核燃料物質又は燃料親物質を含有して
いる、プレスされ焼結された酸化物燃料ベレットである
。本発明による被膜、好ましくはZ r B 2は、一
般に円筒状の通常のベレットの円周面上に適用される。
燃料ベレットは、そのほかに、予めニオビウムの被覆を
有していてもよく、また必須ではないが、本発明による
Z r B 2が適用された後に、ニオビウムまたは他
の金属の被覆が適用されてもよい。これらの金属被覆は
、関連米国特許願第526712号、第468745号
及び第468788号に記載されているように、スパッ
タリングまたはCvDにより適用することができるO 本発明により形成しうる被覆の例としては、耐火性金属
化合物、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、
金属ホウ化物、それらの固溶体、並びに混合物が挙げら
れる。
有していてもよく、また必須ではないが、本発明による
Z r B 2が適用された後に、ニオビウムまたは他
の金属の被覆が適用されてもよい。これらの金属被覆は
、関連米国特許願第526712号、第468745号
及び第468788号に記載されているように、スパッ
タリングまたはCvDにより適用することができるO 本発明により形成しうる被覆の例としては、耐火性金属
化合物、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、
金属ホウ化物、それらの固溶体、並びに混合物が挙げら
れる。
本発明の被覆方法によれば、気体状の原料金属化合物を
基体面付近にもたらし、そこで分解温度以上の温度に加
熱されて基体面上に沈着する所望の耐火金属化合物と、
基体面付近から除去される気体状の副生成物とに分解さ
れる。基体自身は輻射熱により、または他の熱源によっ
て、分解温度以上の温度に加熱できる。
基体面付近にもたらし、そこで分解温度以上の温度に加
熱されて基体面上に沈着する所望の耐火金属化合物と、
基体面付近から除去される気体状の副生成物とに分解さ
れる。基体自身は輻射熱により、または他の熱源によっ
て、分解温度以上の温度に加熱できる。
本発明の好ましい実施例による被覆方法によ−れば、キ
ャリアガスにガス状の原料金属化合物を同伴させる。こ
のキャリアガスは、原料金属化合物、被覆しようとする
基体面、並びに該基体面上に沈着される耐熱性金属化合
物に対して化学的に不活性なものを使用する。この混合
物−は約104〜106CrIL/秒の高速の、好まし
くは超音速の分子線に形成され、この分子線を被覆しよ
うとする表面に指向ける。分子線中のガス状分子が基体
面に衝突すると、瞬間的に熱か発生して前述した熱分解
反応を発生させる。必須ではないが、基体面を熱分解温
度以上の温度に予熱しておいてもよい。本発明による被
覆方法は、−最も好ましくは部分真空の下に実施される
。
ャリアガスにガス状の原料金属化合物を同伴させる。こ
のキャリアガスは、原料金属化合物、被覆しようとする
基体面、並びに該基体面上に沈着される耐熱性金属化合
物に対して化学的に不活性なものを使用する。この混合
物−は約104〜106CrIL/秒の高速の、好まし
くは超音速の分子線に形成され、この分子線を被覆しよ
うとする表面に指向ける。分子線中のガス状分子が基体
面に衝突すると、瞬間的に熱か発生して前述した熱分解
反応を発生させる。必須ではないが、基体面を熱分解温
度以上の温度に予熱しておいてもよい。本発明による被
覆方法は、−最も好ましくは部分真空の下に実施される
。
次に、実施例を掲げて本発明を説明する。
実施例
第1図に略示した装置と同様の装置を使用し、原料金属
化合物として蒸気相のホウ酸水素ジルコニウムZr(B
I3)4を使用することにより、Z r B2の薄い層
を基体面上に沈着させることができることを見出した。
化合物として蒸気相のホウ酸水素ジルコニウムZr(B
I3)4を使用することにより、Z r B2の薄い層
を基体面上に沈着させることができることを見出した。
図示のように、温度制御された容器6中で発生させたZ
r(BI3)4蒸気流1を、ヘリウム貯槽7からのヘリ
ウムキャリアガス流5中に混入させる。弁9及び弁11
をそれぞれ使用して、配管13および15中のヘリウム
及びZ r (B H4) の圧力を制御する。Z r
(BI3)蒸気の圧力は1.8〜約15トルの範囲に
ある。
r(BI3)4蒸気流1を、ヘリウム貯槽7からのヘリ
ウムキャリアガス流5中に混入させる。弁9及び弁11
をそれぞれ使用して、配管13および15中のヘリウム
及びZ r (B H4) の圧力を制御する。Z r
(BI3)蒸気の圧力は1.8〜約15トルの範囲に
ある。
この蒸気はノスル19の上流側の領域17においてヘリ
ウムキャリアカスと混合される。この領域17における
ヘリウムの圧力は1o〜I 000トルである。得られ
た混合ガスは次にノスル19から真空ポンプ22によっ
て部分真空(約1o−6トル)に保たれた被覆室21中
に膨張される。
ウムキャリアカスと混合される。この領域17における
ヘリウムの圧力は1o〜I 000トルである。得られ
た混合ガスは次にノスル19から真空ポンプ22によっ
て部分真空(約1o−6トル)に保たれた被覆室21中
に膨張される。
混合ガスはこの膨張の際に分子線26を発生する。ノズ
ル19の温度は普通約55〜75℃とする。本発明者ら
の測定によれば、分子線23中のZr(BH4)4の平
均速度は普通8X1o’CTL/秒であり、これはZr
(BH4)4分子の平均運動エネルギー(eV)か約
o、5eV(電子ボルト)であることを示している。分
子はノズル出口から約10ぼ走行した後、支持部材27
により分子線26の流路中に保持された、加熱されたス
テンレス鋼表面25に衝突する。ステンレス鋼表面25
は可変出力供給源61に電気的に接続された高温のフィ
ラメント29からの輻射熱によって、約150°C〜6
00℃に予熱されている。
ル19の温度は普通約55〜75℃とする。本発明者ら
の測定によれば、分子線23中のZr(BH4)4の平
均速度は普通8X1o’CTL/秒であり、これはZr
(BH4)4分子の平均運動エネルギー(eV)か約
o、5eV(電子ボルト)であることを示している。分
子はノズル出口から約10ぼ走行した後、支持部材27
により分子線26の流路中に保持された、加熱されたス
テンレス鋼表面25に衝突する。ステンレス鋼表面25
は可変出力供給源61に電気的に接続された高温のフィ
ラメント29からの輻射熱によって、約150°C〜6
00℃に予熱されている。
Z r (B H4) 4分子はステンレス鋼表面25
に衝突すると熱分解し、この表面25上にZrB2の沈
着層66を形成するデバイ−シェラ−法を用いて沈着層
36をX線回折分析したところ、この沈着層66はいく
らかのZrB、2(ASTM #60590)である可
能性と共に、ZrB2(ASTM$60610)である
ことが確実に同定された。
に衝突すると熱分解し、この表面25上にZrB2の沈
着層66を形成するデバイ−シェラ−法を用いて沈着層
36をX線回折分析したところ、この沈着層66はいく
らかのZrB、2(ASTM #60590)である可
能性と共に、ZrB2(ASTM$60610)である
ことが確実に同定された。
本発明者らは、Zr(BH4)4の熱分解が、表面25
の高温と、高エネルギー(0,5eV)のZr(BH4
)4分子により衝撃点に与えられた熱エネルギーとの、
どちらか一方または両方に由来すると考えている。
の高温と、高エネルギー(0,5eV)のZr(BH4
)4分子により衝撃点に与えられた熱エネルギーとの、
どちらか一方または両方に由来すると考えている。
Zr(BH4)4分子が、200℃以上の温度で熱分解
し始めることは既知である。熱分解は下記のように進行
すると考えられる: 熱 Zr(BH4)4−+ ZrB2−1− B2H6↑+
5H2↑使用した装置中で副生じた気体状の副成物であ
るB2H6とH2とは表面25の近傍からすみやかに排
出され、Z r B2被膜(沈着層)36がその後に残
される。
し始めることは既知である。熱分解は下記のように進行
すると考えられる: 熱 Zr(BH4)4−+ ZrB2−1− B2H6↑+
5H2↑使用した装置中で副生じた気体状の副成物であ
るB2H6とH2とは表面25の近傍からすみやかに排
出され、Z r B2被膜(沈着層)36がその後に残
される。
第2図にキャリアカス流55に原料物質化合物50を同
ヰさせるための別の方法が示されている。キャリアガス
の貯槽60からのキャリアガス流55は好ましくは粉末
状または液状の原料物質化合物50を収納する室65・
に向けられる。キャリアガス流55の流速は弁70によ
り制御される。室65中の原料物質化合物50の温度は
室65に隣接した温度制御要素75によって制御される
。
ヰさせるための別の方法が示されている。キャリアガス
の貯槽60からのキャリアガス流55は好ましくは粉末
状または液状の原料物質化合物50を収納する室65・
に向けられる。キャリアガス流55の流速は弁70によ
り制御される。室65中の原料物質化合物50の温度は
室65に隣接した温度制御要素75によって制御される
。
キャリアガス流55は原料物質化合物50中に埋没して
いる1個以上の開口85を経て配管80から排出される
。キャリアガスは原料物質化合物50を通過または泡出
して、該通過または泡出中に原料物質化合物の蒸気はキ
ャリアカス中に同伴される。生成した混合ガスは配管9
0によって室65から排出され、配管90はこの混合ガ
スを、第1図に示すように被覆室21中のノズル19に
差向ける。混合カスの速度及び組成は弁70と、原料物
質化合物50の気化速度とによって制御される。化合物
50の気化速度は温度依存性であり、温度制御要素75
によって調節される。
いる1個以上の開口85を経て配管80から排出される
。キャリアガスは原料物質化合物50を通過または泡出
して、該通過または泡出中に原料物質化合物の蒸気はキ
ャリアカス中に同伴される。生成した混合ガスは配管9
0によって室65から排出され、配管90はこの混合ガ
スを、第1図に示すように被覆室21中のノズル19に
差向ける。混合カスの速度及び組成は弁70と、原料物
質化合物50の気化速度とによって制御される。化合物
50の気化速度は温度依存性であり、温度制御要素75
によって調節される。
第1図は、本発明の一実施例による被覆方法に使用され
る被覆装置を示す概略図、第2図は原料金属化合物をキ
ャリアガス流に同伴させる別の方法を示す説明図である
。図中: 1・・蒸気流(金属化合物)、7・・キャリアガス、2
1・・被覆室、23・・分子線、25・・ステンレス鋼
表面(基体表面)、29・O高温フィラメント、61・
O電力供給源、36・・沈着層(被膜)、50・・原料
金属化合物、55・・キャリアガス、65・・(原料物
質化合物)収□納室。 搗1図 死2図 手続補正書 昭和60年9月19日
る被覆装置を示す概略図、第2図は原料金属化合物をキ
ャリアガス流に同伴させる別の方法を示す説明図である
。図中: 1・・蒸気流(金属化合物)、7・・キャリアガス、2
1・・被覆室、23・・分子線、25・・ステンレス鋼
表面(基体表面)、29・O高温フィラメント、61・
O電力供給源、36・・沈着層(被膜)、50・・原料
金属化合物、55・・キャリアガス、65・・(原料物
質化合物)収□納室。 搗1図 死2図 手続補正書 昭和60年9月19日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体表面の近傍で金属化合物を熱分解することにより、
該表面上に耐熱性金属化合物を沈着させると共に、該金
属化合物の熱分解の少くとも実質的に他の全部の生成物
を気化させることから成り、 該金属化合物が、1種以上の金属を含有する金属根と、
C、N、O及びBから成る群から選択された1種以上の
元素及び水素を含有する基とを有し、 該耐熱性金属化合物が金属酸化物、金属窒化物、金属炭
化物、金属ホウ化物、それらの固溶体及びこれらの混合
物から成る群から選ばれたものであることを特徴とする
基体の被覆方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US629534 | 1984-07-10 | ||
| US06/629,534 US4668538A (en) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | Processes for depositing metal compound coatings |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152364A true JPS6152364A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH0350835B2 JPH0350835B2 (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=24523415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150337A Granted JPS6152364A (ja) | 1984-07-10 | 1985-07-10 | 被覆方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668538A (ja) |
| JP (1) | JPS6152364A (ja) |
| FR (1) | FR2567542B1 (ja) |
| IT (1) | IT1187677B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920000801B1 (ko) * | 1988-02-04 | 1992-01-23 | 이데미쯔세끼유가가꾸 가부시기가이샤 | 다이아몬드박막부착 초경합금의 제조방법 |
| DE4118072C2 (de) * | 1991-06-01 | 1997-08-07 | Linde Ag | Verfahren zur Stoßwellenbeschichtung von Substraten |
| US5277932A (en) * | 1991-07-29 | 1994-01-11 | Syracuse University | CVD method for forming metal boride films using metal borane cluster compounds |
| US5821548A (en) * | 1996-12-20 | 1998-10-13 | Technical Visions, Inc. | Beam source for production of radicals and metastables |
| US7781356B2 (en) * | 2003-02-12 | 2010-08-24 | Arizona Board of Regents, a Body Corporate | Epitaxial growth of group III nitrides on silicon substrates via a reflective lattice-matched zirconium diboride buffer layer |
| CN101702900A (zh) * | 2007-01-04 | 2010-05-05 | 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会 | 用于氮化物集成应用的硅上锆和铪硼化物合金模板 |
| US8043963B2 (en) * | 2007-02-27 | 2011-10-25 | Ulvac, Inc. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
| EP2045819A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-08 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Neutron translucent construction material |
| TWI559381B (zh) * | 2013-02-19 | 2016-11-21 | 應用材料股份有限公司 | 金屬合金薄膜的原子層沉積 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418496A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of tin oxide film |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1031607A (fr) * | 1949-10-21 | 1953-06-25 | Procédé d'obtention de précipités métalliques par dissociation thermique de composés métalliques | |
| US2884894A (en) * | 1956-11-02 | 1959-05-05 | Metallgesellschaft Ag | Apparatus for producing hard coatings on workpieces |
| US3540920A (en) * | 1967-08-24 | 1970-11-17 | Texas Instruments Inc | Process of simultaneously vapor depositing silicides of chromium and titanium |
| FR1594957A (fr) * | 1968-01-19 | 1970-06-08 | Texas Instruments Inc | Article revetu de carboniture de titane et son procede de fabrication |
| US3654895A (en) * | 1969-08-15 | 1972-04-11 | Texas Instruments Inc | Apparatus for forming a refractory coating on the inner periphery of a tubular object |
| JPS5320904B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1978-06-29 | ||
| FR2210675B1 (ja) * | 1972-12-15 | 1978-05-12 | Ppg Industries Inc | |
| JPS5210869A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-27 | Toshinori Takagi | Thin film forming method |
| JPS5283173A (en) * | 1975-12-30 | 1977-07-11 | Fujitsu Ltd | Circuit packaging substrate |
| US4052530A (en) * | 1976-08-09 | 1977-10-04 | Materials Technology Corporation | Co-deposited coating of aluminum oxide and titanium oxide and method of making same |
| JPS5437077A (en) * | 1977-08-02 | 1979-03-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Chemical evaporation method and apparatus for same |
| US4268582A (en) * | 1979-03-02 | 1981-05-19 | General Electric Company | Boride coated cemented carbide |
| FR2511047A1 (fr) * | 1981-08-07 | 1983-02-11 | Solarex Corp | Procede pour appliquer un revetement antireflechissant et/ou dielectrique pour des cellules solaires |
-
1984
- 1984-07-10 US US06/629,534 patent/US4668538A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-07-04 IT IT21441/85A patent/IT1187677B/it active
- 1985-07-09 FR FR858510504A patent/FR2567542B1/fr not_active Expired
- 1985-07-10 JP JP60150337A patent/JPS6152364A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418496A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of tin oxide film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350835B2 (ja) | 1991-08-02 |
| IT8521441A0 (it) | 1985-07-04 |
| FR2567542A1 (fr) | 1986-01-17 |
| IT1187677B (it) | 1987-12-23 |
| US4668538A (en) | 1987-05-26 |
| FR2567542B1 (fr) | 1989-12-29 |
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