JPS615515A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPS615515A JPS615515A JP11713384A JP11713384A JPS615515A JP S615515 A JPS615515 A JP S615515A JP 11713384 A JP11713384 A JP 11713384A JP 11713384 A JP11713384 A JP 11713384A JP S615515 A JPS615515 A JP S615515A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔｉ）発明の技術分野
本発明は化学気相成長装置、詳しくは減圧化学気相成長
装置におけるガス吹出し部の構造に関する。
装置におけるガス吹出し部の構造に関する。
（２）技術の背景
試料例えばシリコンウェハ上に薄膜を化学気相成長（Ｃ
ＶＤ）法によって形成す′る場合、例えばウェハ上にタ
ングステンシリサイド（’ＷＳｉｚ ）の薄膜を成長さ
せるときには、第１図に模式的断面図で示すＣＶＤ装置
が用いられ、同図において、１は反応チャンバ、２はウ
ェハ、３はガス吹出し部、４はウェハ２を３００℃〜４
５０℃程度に加熱するためのヒータ、５はモノシランガ
ス（５ｉＨｑ ）ボンベ、６は６弗化タングステン（Ｉ
ＩＦ６）ボンベ、７は希釈用のヘリウム（１（ｅ）ガス
ボンへ、８はチャンノ、イ１内を真空に保つための真空
ポンプに連結された排気口である。ガス吹出し部３には
ウェハに面する底部に複数の孔が設けられ、これらの孔
からシャワー状に出たガスの反応によりてウェハ上にｉ
ｓ膜が形成される。
ＶＤ）法によって形成す′る場合、例えばウェハ上にタ
ングステンシリサイド（’ＷＳｉｚ ）の薄膜を成長さ
せるときには、第１図に模式的断面図で示すＣＶＤ装置
が用いられ、同図において、１は反応チャンバ、２はウ
ェハ、３はガス吹出し部、４はウェハ２を３００℃〜４
５０℃程度に加熱するためのヒータ、５はモノシランガ
ス（５ｉＨｑ ）ボンベ、６は６弗化タングステン（Ｉ
ＩＦ６）ボンベ、７は希釈用のヘリウム（１（ｅ）ガス
ボンへ、８はチャンノ、イ１内を真空に保つための真空
ポンプに連結された排気口である。ガス吹出し部３には
ウェハに面する底部に複数の孔が設けられ、これらの孔
からシャワー状に出たガスの反応によりてウェハ上にｉ
ｓ膜が形成される。
（３）従来技術と問題点
上記の装置の使用において、反応ガスが吹出し部３内で
反応して―Ｓｉ２が孔の中に形成され、または前記した
底部上に成膜し、その結果孔がつまり、孔をクリーンに
するためにＣＶＤ装置を停止しなければならず、また前
記した底部上の膜がはがれてウェハに付着するなどの問
題が発生し泥。
反応して―Ｓｉ２が孔の中に形成され、または前記した
底部上に成膜し、その結果孔がつまり、孔をクリーンに
するためにＣＶＤ装置を停止しなければならず、また前
記した底部上の膜がはがれてウェハに付着するなどの問
題が発生し泥。
（４）発明の゛目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、化学気相成膜装置にお
いて、導入したガスを吹き出す部分における２種類のガ
スの反応によりガス吹出し部の孔のつまりが防止された
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
いて、導入したガスを吹き出す部分における２種類のガ
スの反応によりガス吹出し部の孔のつまりが防止された
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、第１と第２の２種類
のガスをチャンバ内で反応させ試料表面に薄膜を成長す
るようにした導入ガスの吹出し部を断面凹字型に形成し
、第１のガスは凹字型の突出部分から、第２のガスは凹
字型の底部からそれぞれ別々に吹き出す構成としたこと
を特徴とする化学気相成長装置を提供することによって
達成される。 −。
のガスをチャンバ内で反応させ試料表面に薄膜を成長す
るようにした導入ガスの吹出し部を断面凹字型に形成し
、第１のガスは凹字型の突出部分から、第２のガスは凹
字型の底部からそれぞれ別々に吹き出す構成としたこと
を特徴とする化学気相成長装置を提供することによって
達成される。 −。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第２図に本発明にかかる導入ガス吹出し部が断面図で示
され、同図において、１１は断面凹字型のガス吹出し部
、１２は第１ガス吹出し部、１３は第２ガス吹出し部、
１４ば第１ガス導入管、１５は第２ガス導入管を示す。
され、同図において、１１は断面凹字型のガス吹出し部
、１２は第１ガス吹出し部、１３は第２ガス吹出し部、
１４ば第１ガス導入管、１５は第２ガス導入管を示す。
第１ガス吹出し部１２は断面凹字型部分の突出部分に形
成され、凹字型部の底部分に第２ガス吹出し部１３が設
けられている。そして図にそれぞれＡ、Ｂで示す第１ガ
スと第２ガスは、ガス吹出し部１１内では混合すること
なく、別々にそれぞれの吹出し部から吹き出される。
成され、凹字型部の底部分に第２ガス吹出し部１３が設
けられている。そして図にそれぞれＡ、Ｂで示す第１ガ
スと第２ガスは、ガス吹出し部１１内では混合すること
なく、別々にそれぞれの吹出し部から吹き出される。
第１と第２のガスはガス吹出し部１１の近くでは僅かし
か反応しない。すなわち、第１のガスの第２ガス吹出し
部１３の近くにくるものの量はほとんどない程度であり
、また第２のガスはある一定距離を直進するから、２つ
のガスのガス吹出し部１１の近くでの反応は著しく緩和
される。
か反応しない。すなわち、第１のガスの第２ガス吹出し
部１３の近くにくるものの量はほとんどない程度であり
、また第２のガスはある一定距離を直進するから、２つ
のガスのガス吹出し部１１の近くでの反応は著しく緩和
される。
かくして、従来の装置で経験されたガス吹出し孔のつま
りはほぼ完全に防止され、２種類のガスはガス吹出し部
１１の下方に配置された試料例えばシリコンウェハ上で
反応し７、ウェハ表面に薄膜が形成される。
りはほぼ完全に防止され、２種類のガスはガス吹出し部
１１の下方に配置された試料例えばシリコンウェハ上で
反応し７、ウェハ表面に薄膜が形成される。
第３図はガス吹出し部１１の底面図であり、図において
符号１６を付した小円はガス吹出し孔を示す。
符号１６を付した小円はガス吹出し孔を示す。
第１ガス吹出し部Ｉ２の孔の数は、第２ガス吹出し部１
３の孔の数より数多く形成し、それによってウェハ上で
の２つのガスの分布を改善する。
３の孔の数より数多く形成し、それによってウェハ上で
の２つのガスの分布を改善する。
第４図にウェハ上北タングステンシリサイドの薄膜を成
膜するＣＶＤ装置の配置が断面で示され、同図において
第２図に示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示
し、１７はモノシランガスボンベ、１８はＩｌｅＨｅガ
スボンベ９はＷＦ６ガスボンベ、２０はＨｅガスボンへ
、２１はバルブ、２２はフローメータを示す。ガスボン
ベとガス導入管の連霧入は図に示したものと逆にし、第
１のガスを吹出し部１３で、第２のガスを吹出し部１２
で吹き出す構成としてもよい。
膜するＣＶＤ装置の配置が断面で示され、同図において
第２図に示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示
し、１７はモノシランガスボンベ、１８はＩｌｅＨｅガ
スボンベ９はＷＦ６ガスボンベ、２０はＨｅガスボンへ
、２１はバルブ、２２はフローメータを示す。ガスボン
ベとガス導入管の連霧入は図に示したものと逆にし、第
１のガスを吹出し部１３で、第２のガスを吹出し部１２
で吹き出す構成としてもよい。
なお上記はシリコンウ、エバ表面に−Ｓｉ２膜を形成す
る場合について説明したが、本発明の適用範囲はその場
合に限定されるものではなく、２種類の反応ガスを用い
て試料表面上に薄膜を成長するその他の場合にも及ぶも
のである。
る場合について説明したが、本発明の適用範囲はその場
合に限定されるものではなく、２種類の反応ガスを用い
て試料表面上に薄膜を成長するその他の場合にも及ぶも
のである。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、２種類の反応
ガスを用いてウェハ上に薄膜を形成するＣＶＩ）装置に
おいて、ガス吹出し部内および間部の近くでのガスの反
応が著しく緩和され、ガス吹出し部内のみならずガス吹
出し部の表面で膜が堆積し孔がつまることが防止される
ので、半導体装置製造の歩留りと製品の信頼性向上に効
果大である。
ガスを用いてウェハ上に薄膜を形成するＣＶＩ）装置に
おいて、ガス吹出し部内および間部の近くでのガスの反
応が著しく緩和され、ガス吹出し部内のみならずガス吹
出し部の表面で膜が堆積し孔がつまることが防止される
ので、半導体装置製造の歩留りと製品の信頼性向上に効
果大である。
第１図は従来のＣＶＤ装置の断面図、第２図は本発明実
施例の断面図、第３図は第２図の装置の底面図、第４図
は第２図の装置を用いるＣＶＤ装置の配置図である。 １１−−ガス吹出し部、 １２−・第１のガス吹出し部、 １３−第２のガス吹出し部、 １４−第１のガス導入管、 １５−第２のガス導入管、 １６−ガス吹出し孔、 １７−− ５ｉｌｌａガスボンへ、 １８、２Ｏ−−Ｈｅガスボンベ、 １９−−Ｆ６ガスホンへ
施例の断面図、第３図は第２図の装置の底面図、第４図
は第２図の装置を用いるＣＶＤ装置の配置図である。 １１−−ガス吹出し部、 １２−・第１のガス吹出し部、 １３−第２のガス吹出し部、 １４−第１のガス導入管、 １５−第２のガス導入管、 １６−ガス吹出し孔、 １７−− ５ｉｌｌａガスボンへ、 １８、２Ｏ−−Ｈｅガスボンベ、 １９−−Ｆ６ガスホンへ
Claims (1)
- 第１と第２の２種類のガスをチャンバ内で反応させ試
料表面に薄膜を成長するようにした導入ガスの吹出し部
を断面凹字型に形成し、第１のガスは凹字型の突出部分
から、第２のガスは凹字型の底部からそれぞれ別々に吹
き出す構成としたことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713384A JPS615515A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11713384A JPS615515A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615515A true JPS615515A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14704262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11713384A Pending JPS615515A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615515A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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