JPS615517A - 荷電ビ−ム装置の偏向歪み補正方法 - Google Patents
荷電ビ−ム装置の偏向歪み補正方法Info
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- JPS615517A JPS615517A JP59126170A JP12617084A JPS615517A JP S615517 A JPS615517 A JP S615517A JP 59126170 A JP59126170 A JP 59126170A JP 12617084 A JP12617084 A JP 12617084A JP S615517 A JPS615517 A JP S615517A
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- charged
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム描画装置等の荷電ビーム装置にお
ける偏向歪みを補正する方法に関する。
ける偏向歪みを補正する方法に関する。
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料上に所望パタ
ーンを形成するものとして各種の電子ビーム描画装置が
用いられているが、この種の装置ではビームを偏向させ
た場合偏向歪みが生じると云う問題がある。そこで、偏
向歪みを補正する手段（補正器）を設け、偏向フィール
ド内の各偏向位置に対応した信号を上記補正器にフィー
ドバックし、偏向位置に対応して偏向歪みを補正する方
法が採られている。
ーンを形成するものとして各種の電子ビーム描画装置が
用いられているが、この種の装置ではビームを偏向させ
た場合偏向歪みが生じると云う問題がある。そこで、偏
向歪みを補正する手段（補正器）を設け、偏向フィール
ド内の各偏向位置に対応した信号を上記補正器にフィー
ドバックし、偏向位置に対応して偏向歪みを補正する方
法が採られている。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、偏向位置に対応した補正を行うために
、歪み補正のための特別な装置を設ける必要がある。ま
た、多数のマークを試料面に設けて、マークに電子ビー
ムを照射して放出される２次的な電子ビームを検出して
歪みを測定し、偏向に伴う補正を多項式近似して偏向器
から補正器への歪み補正信号を決めると云う複雑な処理
をしなければならない。
があった。即ち、偏向位置に対応した補正を行うために
、歪み補正のための特別な装置を設ける必要がある。ま
た、多数のマークを試料面に設けて、マークに電子ビー
ムを照射して放出される２次的な電子ビームを検出して
歪みを測定し、偏向に伴う補正を多項式近似して偏向器
から補正器への歪み補正信号を決めると云う複雑な処理
をしなければならない。
なお、上記の問題は電子ビーム描画装置に限らず、イオ
ンビーム描画装置、その他荷電ビームを集束すると共に
偏向して試料上に照射する各種の装置についても同様に
云えることである。
ンビーム描画装置、その他荷電ビームを集束すると共に
偏向して試料上に照射する各種の装置についても同様に
云えることである。
本発明の目的は、偏向歪み補正のための特別な装置を設
けることなく、且つ複雑な処理を必要とすることなく、
荷電ビームの偏向歪みを容易に補正し得る荷電ビーム、
装置の偏向歪み補正方法を提供することにある。
けることなく、且つ複雑な処理を必要とすることなく、
荷電ビームの偏向歪みを容易に補正し得る荷電ビーム、
装置の偏向歪み補正方法を提供することにある。
本発明の骨子は、荷電ビームを集束するための集束レン
ズ及び該ビームを偏向するための偏向器へのビームの入
射角及び入射位置を変えることにより、偏向歪み量を小
さくすることにある。
ズ及び該ビームを偏向するための偏向器へのビームの入
射角及び入射位置を変えることにより、偏向歪み量を小
さくすることにある。
即ち本発明は、荷電ビーム源から放射された荷
ｉ電ビームを集束レンズにより集束すると共に、偏向
器により偏向して試料上に照射する荷電ビーム装置の偏
向歪みを補正する方法において、前記集束レンズ及び偏
向器に対する荷電ビームの入射角及びさ射位置を変化さ
せ、試料上の偏向フィールド内で荷電ビームに対して異
なる位置のマークに対し順次前記ビームを偏向して走査
し・、該マークから放出されるエネルギービームを検出
してマークの位置及びマーク間距離の少なくとも一方を
測定することにより前記荷電ビームの偏向歪み量を求め
、この偏向歪み量が小さくなるよう前記入射角及及び入
射位置を設定するようにした方法である。
ｉ電ビームを集束レンズにより集束すると共に、偏向
器により偏向して試料上に照射する荷電ビーム装置の偏
向歪みを補正する方法において、前記集束レンズ及び偏
向器に対する荷電ビームの入射角及びさ射位置を変化さ
せ、試料上の偏向フィールド内で荷電ビームに対して異
なる位置のマークに対し順次前記ビームを偏向して走査
し・、該マークから放出されるエネルギービームを検出
してマークの位置及びマーク間距離の少なくとも一方を
測定することにより前記荷電ビームの偏向歪み量を求め
、この偏向歪み量が小さくなるよう前記入射角及及び入
射位置を設定するようにした方法である。
本発明によれば、集束レンズ及び偏向器に対する荷電ビ
ームの入射角及び入射位置を最適にセットできるので、
特別な装置を設けることなく、偏向歪みを極めて小さく
することができる。さらに、偏向位置毎に補正データを
与える等の複雑な処理を必要とすることなく、上記入射
角及び入射位置のセットを予め偏向フィールド内の数点
で行うのみで容易に実施できる等の利点がある。
ームの入射角及び入射位置を最適にセットできるので、
特別な装置を設けることなく、偏向歪みを極めて小さく
することができる。さらに、偏向位置毎に補正データを
与える等の複雑な処理を必要とすることなく、上記入射
角及び入射位置のセットを予め偏向フィールド内の数点
で行うのみで容易に実施できる等の利点がある。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置の要部構成を示す図である。図示しない電子銃か
ら放射された電子ビームは第１のアライメントコイル１
．第１の偏向器２．第２の偏向器３及び第２のアライメ
ントコイル４を介し、集束レンズ５により集束されて試
料ステージ６上に載置された試料７上に照射されるもの
となっている。アライメントコイル１，４は偏向器２，
３に対するビームの入射位置及び集束コイル５に入射す
るビームの入射角を可変するもので、アライメント回路
８により駆動される。偏向器２，３は試料７上でのビー
ムを走査するもので、偏向制御回路９により駆動される
。
画装置の要部構成を示す図である。図示しない電子銃か
ら放射された電子ビームは第１のアライメントコイル１
．第１の偏向器２．第２の偏向器３及び第２のアライメ
ントコイル４を介し、集束レンズ５により集束されて試
料ステージ６上に載置された試料７上に照射されるもの
となっている。アライメントコイル１，４は偏向器２，
３に対するビームの入射位置及び集束コイル５に入射す
るビームの入射角を可変するもので、アライメント回路
８により駆動される。偏向器２，３は試料７上でのビー
ムを走査するもので、偏向制御回路９により駆動される
。
一方、試料ステージ６はＸ方向（紙面左右方向）及びＹ
方向（紙面表裏方向）に移動可能に設けられたもので、
ステージ駆動系１０により駆動される。そして、試料ス
テージ６の移動位置はレーザ副長系１１により測定され
るものとなっている。
方向（紙面表裏方向）に移動可能に設けられたもので、
ステージ駆動系１０により駆動される。そして、試料ス
テージ６の移動位置はレーザ副長系１１により測定され
るものとなっている。
また、試料ステージ６上には、第２図に示す如くマーク
２１ ＜２．１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が例えば３箇所形
成されている。このマーク２１のステージ上位置（ＸＯ
、Ｖａ ）は予め設定されており、またステージ位置（
Ｘｌ、Ｖｌ）は前記レーザ測長系１１により測定される
。従って、マーク位置（Ｘｓ ＋Ｘ五、ｙｏ ＋Ｙｔ
）はステージ６の郭動に拘りなく精度良く測定されるも
のとなっている。
２１ ＜２．１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が例えば３箇所形
成されている。このマーク２１のステージ上位置（ＸＯ
、Ｖａ ）は予め設定されており、またステージ位置（
Ｘｌ、Ｖｌ）は前記レーザ測長系１１により測定される
。従って、マーク位置（Ｘｓ ＋Ｘ五、ｙｏ ＋Ｙｔ
）はステージ６の郭動に拘りなく精度良く測定されるも
のとなっている。
なお、・マーク２１はズテージ６上面と反射電子係数若
しくは２次電子放出係数の異なる部材或いは形状からな
るもので、例えば十字型に形成されている。
しくは２次電子放出係数の異なる部材或いは形状からな
るもので、例えば十字型に形成されている。
また、前記集束レンズ５と試料ステージ６との間には、
電子検出器１２が配置されている。この電子・検出！１
１２は、上記マーク２１から放出される電子ビームを検
出するもので、その検出信号は位置回路１３に供給され
る。位置回路１３では、前記偏向器２．３の偏向と同期
して上記信号を解析し前記マーク２１の位置を測定する
。即ち、第３図（ａ）に示す如くマーク２１のＹ方向腕
２２を電子ビームで走査し、同図（ｂ）に示す如きマー
ク２１からの２次電子信号を検出する。さらに、Ｙ方向
腕２２を別の位置でビーム走査しマーク２１のＹ方向中
心線Ｒを求める。同様に、マーク２１のＸ方向腕２３を
複数箇所でビーム走査し、Ｘ方向中心線Ｓを求める。そ
して、各中心線Ｒ，Ｓの交点Ｏをマーク２１の中心位置
（光学゛的マーク位置）として、測定するものとなって
いる。
電子検出器１２が配置されている。この電子・検出！１
１２は、上記マーク２１から放出される電子ビームを検
出するもので、その検出信号は位置回路１３に供給され
る。位置回路１３では、前記偏向器２．３の偏向と同期
して上記信号を解析し前記マーク２１の位置を測定する
。即ち、第３図（ａ）に示す如くマーク２１のＹ方向腕
２２を電子ビームで走査し、同図（ｂ）に示す如きマー
ク２１からの２次電子信号を検出する。さらに、Ｙ方向
腕２２を別の位置でビーム走査しマーク２１のＹ方向中
心線Ｒを求める。同様に、マーク２１のＸ方向腕２３を
複数箇所でビーム走査し、Ｘ方向中心線Ｓを求める。そ
して、各中心線Ｒ，Ｓの交点Ｏをマーク２１の中心位置
（光学゛的マーク位置）として、測定するものとなって
いる。
なお、第１図中１４は制御計算機、１５はこの計算機１
４と前記駆動系１０．測長系１１及び各回路８．９．１
３とを接続するインターフェースを示している。
４と前記駆動系１０．測長系１１及び各回路８．９．１
３とを接続するインターフェースを示している。
次に、上記構成された装置の偏向歪み補正方法について
説明する。
説明する。
まず、前記偏向器２．３に対する電子ビームの入射位置
及び前記集束レンズ５に対する入射角が正確に合ってい
ると、ビームの偏向領域は第４図（ａ）に示す如くな・
る。そしてこの場合、ビーム走査によるマーク測定位置
と前記副長系１１によるマーク測定位置とは一致するの
である。これに対し、上記入射位置或いは入射角が合っ
ていなりと、レンズ５による偏向歪みが生じ、ビームの
偏向領域は第４図（ｂ）に示す如く同図（ａ）とは異な
るものとなる。そしてこの場合、ビーム走査によるマー
ク測定位置と前記測長系１１によるマーク測定位置とは
異なるものとなる。即ち、同じ偏向データを偏向器２．
３に与えたとしても、第４図（ａ）（ｂ）に示す各状態
ではＰｓ 、 Ｐｔ ’或いはＰ２ 、 Ｐ２ ’ と
偏向位置が異なったものとなる。そして、ビームの偏向
位置が異なることから、ビームの偏向走査によるマーク
測定位置も異なったものとなる。従って、上記入射位置
或いは入射角が合っていないと、ビーム走査によるマー
ク測定位置と測長系１１によるマーク測定位置とが異な
ったものとなる。
及び前記集束レンズ５に対する入射角が正確に合ってい
ると、ビームの偏向領域は第４図（ａ）に示す如くな・
る。そしてこの場合、ビーム走査によるマーク測定位置
と前記副長系１１によるマーク測定位置とは一致するの
である。これに対し、上記入射位置或いは入射角が合っ
ていなりと、レンズ５による偏向歪みが生じ、ビームの
偏向領域は第４図（ｂ）に示す如く同図（ａ）とは異な
るものとなる。そしてこの場合、ビーム走査によるマー
ク測定位置と前記測長系１１によるマーク測定位置とは
異なるものとなる。即ち、同じ偏向データを偏向器２．
３に与えたとしても、第４図（ａ）（ｂ）に示す各状態
ではＰｓ 、 Ｐｔ ’或いはＰ２ 、 Ｐ２ ’ と
偏向位置が異なったものとなる。そして、ビームの偏向
位置が異なることから、ビームの偏向走査によるマーク
測定位置も異なったものとなる。従って、上記入射位置
或いは入射角が合っていないと、ビーム走査によるマー
ク測定位置と測長系１１によるマーク測定位置とが異な
ったものとなる。
そこで、ビーム走査によるマーク測定位置と測長系１１
によるマーク測定位置とが同じとなるよう前記ビームの
入射位置及び入射角をセットすれば、偏向歪みがなくな
り第４図（ａ）に示す如き偏向領域が得られることにな
る。また、マーク位置の代りにマーク間距離を測定し、
上記と同様にビーム走査による測定と副長系による測定
とが一致するように入射位置及び入射角をセットすれば
、偏向歪みはなくなると考えられる。さらに、上記マー
ク位置及びマーク間距離の双方でビーム走査による測定
と測長系による測定とが一致するようにすれば、偏向歪
みをより確実に除去することが可能である。
によるマーク測定位置とが同じとなるよう前記ビームの
入射位置及び入射角をセットすれば、偏向歪みがなくな
り第４図（ａ）に示す如き偏向領域が得られることにな
る。また、マーク位置の代りにマーク間距離を測定し、
上記と同様にビーム走査による測定と副長系による測定
とが一致するように入射位置及び入射角をセットすれば
、偏向歪みはなくなると考えられる。さらに、上記マー
ク位置及びマーク間距離の双方でビーム走査による測定
と測長系による測定とが一致するようにすれば、偏向歪
みをより確実に除去することが可能である。
このような原理に基づいて本実施例では、まずマーク２
１ａを偏向フィールド内の適当な位置にセットし、この
状態でマーク２１ａ上をビーム走査してマーク２１ａの
位置をビーム走査により測定した。一方、このときのマ
ーク２１ａの実際の位置は前記レーザ測長系１１により
測定されている。従って、上記ビーム走査によるマーク
測定位置と測長系１１によるマーク測定位置との差を求
めることにより、ビームの偏向歪みが検出される。
１ａを偏向フィールド内の適当な位置にセットし、この
状態でマーク２１ａ上をビーム走査してマーク２１ａの
位置をビーム走査により測定した。一方、このときのマ
ーク２１ａの実際の位置は前記レーザ測長系１１により
測定されている。従って、上記ビーム走査によるマーク
測定位置と測長系１１によるマーク測定位置との差を求
めることにより、ビームの偏向歪みが検出される。
次いで、前記アライメントコイル１．４により偏向器２
．３及び集束レンズ５に対するビームの入対位置及び入
射角を変え、上記と同様にしてビームの偏向歪みを検出
する。この操作を繰り返すことにより、マーク２１ａの
位置における偏向歪みが小さくなるビームの入射位置及
び入射角を求め、これを計算ｔｉｌ１４の内部メモリ等
に記憶しておく。
．３及び集束レンズ５に対するビームの入対位置及び入
射角を変え、上記と同様にしてビームの偏向歪みを検出
する。この操作を繰り返すことにより、マーク２１ａの
位置における偏向歪みが小さくなるビームの入射位置及
び入射角を求め、これを計算ｔｉｌ１４の内部メモリ等
に記憶しておく。
次いで、別のマーク２Ｉｂ上を電子ビームで走査しマー
ク位置をビーム走査により測定する。ここでマーク２１
ｂの位置はマーク２１ａと同様に測長系１１により正確
に測定されている。従って、ビーム走査による測定及び
測長系１１による測定の差を求めることにより、マーク
２１ｂの位置におけるビームの偏向歪みが検出される。
ク位置をビーム走査により測定する。ここでマーク２１
ｂの位置はマーク２１ａと同様に測長系１１により正確
に測定されている。従って、ビーム走査による測定及び
測長系１１による測定の差を求めることにより、マーク
２１ｂの位置におけるビームの偏向歪みが検出される。
続いて、ビームの入射位置及び入射角を可変して、先と
同様にそれぞれに対する偏向歪みを検出した。そし・て
、マーク２１８．２１ｂの２点におけるビームの偏向歪
みが最小となるビームの入射位置及び入射角を求め、前
記アライメント回路８にこの位置及び角度をセットシた
。これにれより、上記入射位置及び入射角は最良点に合
わされたことになり、これらのずれに起因するビーム偏
向歪みが極めて小さいものとなる。
同様にそれぞれに対する偏向歪みを検出した。そし・て
、マーク２１８．２１ｂの２点におけるビームの偏向歪
みが最小となるビームの入射位置及び入射角を求め、前
記アライメント回路８にこの位置及び角度をセットシた
。これにれより、上記入射位置及び入射角は最良点に合
わされたことになり、これらのずれに起因するビーム偏
向歪みが極めて小さいものとなる。
かくして本実施例によれば、偏向器２，３及び集束レン
ズ５に対するビームの入射位置及び入射角を最適に゛セ
ットすることができ、これによりレンズ５によるビーム
の偏向歪みを著しく小さくすることか可能となる。そし
てこの場合、各偏向位置毎に補正を必要とすることなく
、予め偏向フィールド内の数点でのマーク位置測定によ
り上記入射位置及び入射角をセットすればよ゛いので、
その実施が極めて容易である。そして、この状態で電子
ビーム描画を行うと、偏向歪みが小さいことから精度良
い描画が行えることになる。
ズ５に対するビームの入射位置及び入射角を最適に゛セ
ットすることができ、これによりレンズ５によるビーム
の偏向歪みを著しく小さくすることか可能となる。そし
てこの場合、各偏向位置毎に補正を必要とすることなく
、予め偏向フィールド内の数点でのマーク位置測定によ
り上記入射位置及び入射角をセットすればよ゛いので、
その実施が極めて容易である。そして、この状態で電子
ビーム描画を行うと、偏向歪みが小さいことから精度良
い描画が行えることになる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。前記電子光学系の構成は第１図に同等限定されるも
のではなく、例えば第５図に示す如く偏向器２が集束レ
ンズ５と同じ位置にあってもよく、さらに偏向器２がレ
ンズ５の下方にありでもよい。また、従来の偏向歪み補
正器を付加した場合、この補正器による補正量を著しく
小さくできるので、補正が極めて容易となる。また、マ
！−り位置を測定する代りにマーク間距離を
測定して偏向歪みを求めるようにしてもよい。さらに、
・マーク位置及びマーク間距離の双方を測定して偏向歪
みを検出するようにすれば、より確実に偏向歪みを除去
することが可能となる。
い。前記電子光学系の構成は第１図に同等限定されるも
のではなく、例えば第５図に示す如く偏向器２が集束レ
ンズ５と同じ位置にあってもよく、さらに偏向器２がレ
ンズ５の下方にありでもよい。また、従来の偏向歪み補
正器を付加した場合、この補正器による補正量を著しく
小さくできるので、補正が極めて容易となる。また、マ
！−り位置を測定する代りにマーク間距離を
測定して偏向歪みを求めるようにしてもよい。さらに、
・マーク位置及びマーク間距離の双方を測定して偏向歪
みを検出するようにすれば、より確実に偏向歪みを除去
することが可能となる。
また、前記試料ステージ上に形成するマークの形状は十
字型に限るものではなく、Ｌ字型或いは矩形であっても
よい。さらに、マークの個数は３個に同等限定されるも
のではなく、適宜変更可能゛ である。マークが１個の
場合、異なる位置でのマーク位置測定及びマーク間距離
の測定には前記試料ステージを移動させるようにすれば
よい。また、マーク位置の測定及びマーク間距離の測定
の箇所は２箇所に限るものではなく、偏向フィールド内
で適宜選択すればよい。また、電子ビーム描画装置に限
らず、イオンビーム描画装置、その他荷電ビームを偏向
して試料上に照射する各種の荷電ど一ム装置←適用する
ことが可能である。要するに本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
字型に限るものではなく、Ｌ字型或いは矩形であっても
よい。さらに、マークの個数は３個に同等限定されるも
のではなく、適宜変更可能゛ である。マークが１個の
場合、異なる位置でのマーク位置測定及びマーク間距離
の測定には前記試料ステージを移動させるようにすれば
よい。また、マーク位置の測定及びマーク間距離の測定
の箇所は２箇所に限るものではなく、偏向フィールド内
で適宜選択すればよい。また、電子ビーム描画装置に限
らず、イオンビーム描画装置、その他荷電ビームを偏向
して試料上に照射する各種の荷電ど一ム装置←適用する
ことが可能である。要するに本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す要部構成図、第２図は試料ステージ上での
マーク配置位置を示す平面図、第３図（ａ）（ｂ）はビ
ーム走査によるマーク位置測定の原理を説明するための
模式図、第４図（ａ）（ｂ）は偏向歪みによる偏向領域
の変化を説明するための模式図、第５図は変形例を説明
するための要部構成図である。 １．４・・・アライメントコイル、２．３・・・偏向器
、５・・・集束レンズ、６・・・試料ステージ、７・・
・試料、８・・・アライメント回路、９・・・偏向制御
回路、１０・・・ステージ駆動系、１１・・・レーザ測
長系、１２・・・電子検出器、１３・・・位置回路、１
４・・・計算機、１５・・・インターフェース、２１．
２１ａ、２１ｂ。 ２ＩＣ・・・マーク。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 （ｂ）−ｆｌ−
画装置を示す要部構成図、第２図は試料ステージ上での
マーク配置位置を示す平面図、第３図（ａ）（ｂ）はビ
ーム走査によるマーク位置測定の原理を説明するための
模式図、第４図（ａ）（ｂ）は偏向歪みによる偏向領域
の変化を説明するための模式図、第５図は変形例を説明
するための要部構成図である。 １．４・・・アライメントコイル、２．３・・・偏向器
、５・・・集束レンズ、６・・・試料ステージ、７・・
・試料、８・・・アライメント回路、９・・・偏向制御
回路、１０・・・ステージ駆動系、１１・・・レーザ測
長系、１２・・・電子検出器、１３・・・位置回路、１
４・・・計算機、１５・・・インターフェース、２１．
２１ａ、２１ｂ。 ２ＩＣ・・・マーク。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 （ｂ）−ｆｌ−
Claims (5)
- （１）荷電ビーム源から放射された荷電ビームを集束レ
ンズにより集束すると共に偏向器により偏向して試料上
に照射する荷電ビーム装置の偏向歪みを補正する方法に
おいて、前記集束レンズ及び偏向器に対する荷電ビーム
の入射角及び入射位置を変化させ、試料上の偏向フィー
ルド内で荷電ビームに対して異なる位置のマークに対し
、順次前記ビームを偏向して走査し、該マークから放出
されるエネルギービームを検出してマークの位置及びマ
ーク間距離の少なくとも一方を測定することにより前記
荷電ビームの偏向歪み量を求め、この偏向歪み量が小さ
くなるよう前記荷電ビームの入射角及び入射位置を設定
することを特徴とする荷電ビーム装置の偏向歪み補正方
法。 - （２）前記マークは前記試料上に複数設けられ、それら
を荷電ビームにより順次偏向走査することにより偏向歪
み量が求められることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の荷電ビーム装置の偏向歪み補正方法。 - （３）前記マークは前記試料上に少なくとも１個設けら
れ、前記試料を移動させて前記マーク位置を変化させて
、各マーク位置で荷電ビームを偏向走査して偏向歪み量
が求められることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の荷電ビーム装置の偏向歪み補正方法。 - （４）前記偏向歪み量は、荷電ビームの走査により測定
されたマーク位置若しくはマーク間距離の少なくとも一
方と前記試料を載置するステージの測長系により測定さ
れる実際のマーク位置若しくはマーク間距離の少なくと
も一方との差により求められることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の荷電ビーム装置の偏向歪み補正方
法。 - （５）前記マークから放出されるエネルギービームは、
前記荷電ビームの走査による２次ビーム或いは反射ビー
ムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
荷電ビーム装置の偏向歪み補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126170A JPS615517A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 荷電ビ−ム装置の偏向歪み補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126170A JPS615517A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 荷電ビ−ム装置の偏向歪み補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615517A true JPS615517A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14928411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126170A Pending JPS615517A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 荷電ビ−ム装置の偏向歪み補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842614A (en) * | 1986-04-30 | 1989-06-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Demineralization of aqueous liquid dye composition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133887A (en) * | 1979-04-07 | 1980-10-18 | Hitachi Ltd | Electron beam radiation apparatus |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
| JPS56130921A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Hitachi Ltd | Adjusting method of axis of charged particle beam |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59126170A patent/JPS615517A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133887A (en) * | 1979-04-07 | 1980-10-18 | Hitachi Ltd | Electron beam radiation apparatus |
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
| JPS56130921A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Hitachi Ltd | Adjusting method of axis of charged particle beam |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842614A (en) * | 1986-04-30 | 1989-06-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Demineralization of aqueous liquid dye composition |
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