JPS615520A - パタ−ン転写法 - Google Patents
パタ−ン転写法Info
- Publication number
- JPS615520A JPS615520A JP59125134A JP12513484A JPS615520A JP S615520 A JPS615520 A JP S615520A JP 59125134 A JP59125134 A JP 59125134A JP 12513484 A JP12513484 A JP 12513484A JP S615520 A JPS615520 A JP S615520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- pattern
- metal
- etching
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターン転写法に係り、特に試料台のパターン
をマスク等を必要としたことなく転写する方法に関する
。
をマスク等を必要としたことなく転写する方法に関する
。
従来のドライエツチング法のほとんどは第１図に示した
ように、試料（被エツチング物質）１上に形成したレジ
スト２をマスクとしてエツチングし、所望のパターンを
形成していた。このため各試料毎にレジスト２によるパ
ターンを形成する必要があった。また一部には試料１上
部にステンシル（図示せず）のエツチングマスクをのせ
てエツチングすることもあるが、マスクがプラズマにさ
らされるため、損傷、汚染を受けるなどの欠点があった
。
ように、試料（被エツチング物質）１上に形成したレジ
スト２をマスクとしてエツチングし、所望のパターンを
形成していた。このため各試料毎にレジスト２によるパ
ターンを形成する必要があった。また一部には試料１上
部にステンシル（図示せず）のエツチングマスクをのせ
てエツチングすることもあるが、マスクがプラズマにさ
らされるため、損傷、汚染を受けるなどの欠点があった
。
本発明の目的は、通常のドライエツチングでは何らかの
方法で被エツチング物質（試料）の上にエツチングマス
クを設定していたことに対して、試料上にエツチングマ
スクを設定することなしにパターンを形成する方法を提
供することにある。
方法で被エツチング物質（試料）の上にエツチングマス
クを設定していたことに対して、試料上にエツチングマ
スクを設定することなしにパターンを形成する方法を提
供することにある。
本発明は有磁場マイクロ波プラズマエツチングのシリコ
ン酸化膜エツチングの実験中に見出されたものである。
ン酸化膜エツチングの実験中に見出されたものである。
凹凸のある試料台上に厚さ０．５胴の石英板を置き、Ｃ
，Ｆｌｌガスプラズマを形成したところ、石英板に試料
台の凹凸に対応するパターンが形成された。すなわち試
料と試料台の凹凸により局所的に静電容量が異なるため
、試料表面での電界が上記凹凸に対応して変化し、エッ
チ速度に上記凹凸に対応した差が生じ、これによりパタ
ーン転写が可能となる。
，Ｆｌｌガスプラズマを形成したところ、石英板に試料
台の凹凸に対応するパターンが形成された。すなわち試
料と試料台の凹凸により局所的に静電容量が異なるため
、試料表面での電界が上記凹凸に対応して変化し、エッ
チ速度に上記凹凸に対応した差が生じ、これによりパタ
ーン転写が可能となる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第２図（ａ）に示したように試料（石英板）１を凹凸の
ある金属試料台４に載せ、それらを高周波（１３，５６
Ｍ＆）によるＣ４Ｆ、プラズマ中におく。
ある金属試料台４に載せ、それらを高周波（１３，５６
Ｍ＆）によるＣ４Ｆ、プラズマ中におく。
この時試料台の凸部に接した部分はイオンが加速されて
石英が早くエツチングされるのに対して、凹部上はイオ
ンの加速が少いためほとんど石英はエツチングされない
。以上によって第２図（ｂ）に示したようなエツチング
パターンが試料１に形成される。
石英が早くエツチングされるのに対して、凹部上はイオ
ンの加速が少いためほとんど石英はエツチングされない
。以上によって第２図（ｂ）に示したようなエツチング
パターンが試料１に形成される。
第３図（ａ）に示したように試料（ガラス）１を二層プ
リント基板５の試料台に載せ、高周波（１００ＫＨｚ）
による平行平板型プラズマエツチング装置中でエツチン
グする。プリント基板中の金属４′はカソードと接触し
ているため、上部金属部に対応する部分のイオンがより
大きく加速されるため、第３図（ｂ）のようなパターン
が得られる。
リント基板５の試料台に載せ、高周波（１００ＫＨｚ）
による平行平板型プラズマエツチング装置中でエツチン
グする。プリント基板中の金属４′はカソードと接触し
ているため、上部金属部に対応する部分のイオンがより
大きく加速されるため、第３図（ｂ）のようなパターン
が得られる。
以上の実施例は第４図に示した平行平板型のドライエツ
チング装置を用いた場合である。エツチングチャンバー
６中にアノード７とカソード８の２枚の平板電極がある
のが一般的である。本発明実施に於いては高周波は試料
が載るカソード８に印加する方が効果的である。ここで
図の９は高周波電源、１０はブロッキングコンデンサー
である。
チング装置を用いた場合である。エツチングチャンバー
６中にアノード７とカソード８の２枚の平板電極がある
のが一般的である。本発明実施に於いては高周波は試料
が載るカソード８に印加する方が効果的である。ここで
図の９は高周波電源、１０はブロッキングコンデンサー
である。
第５図は本発明を有磁場マイクロ波プラズマエツチング
装置で実施する例である。マグネトロン１２からのマイ
クロ波を導波管１．３を通してエツチングチャンバー６
へ送り込む。ソレノイドコイル１４による磁場との相互
作用によって、放電管１５の部分にプラズマを発生させ
る。本発明を実施するには試料（台）に高周波を高周波
源９により印加する必要がある。高周波の周波数は絶縁
物試料の厚さがｉｎｎ程度であると１０ＭＨｚ以上が望
ましい。いずれにしても１０に＆以上は必要である。
装置で実施する例である。マグネトロン１２からのマイ
クロ波を導波管１．３を通してエツチングチャンバー６
へ送り込む。ソレノイドコイル１４による磁場との相互
作用によって、放電管１５の部分にプラズマを発生させ
る。本発明を実施するには試料（台）に高周波を高周波
源９により印加する必要がある。高周波の周波数は絶縁
物試料の厚さがｉｎｎ程度であると１０ＭＨｚ以上が望
ましい。いずれにしても１０に＆以上は必要である。
実際に形成できるパターン寸法は試料台の電界の影響が
及ぶ範囲であり、試料の板厚程度である、本発明におい
ては、凹凸試料台の電界が試料表面に効果を及ぼす必要
があり、被エツチング物質は絶縁物かそれに近い高抵抗
物質である。
及ぶ範囲であり、試料の板厚程度である、本発明におい
ては、凹凸試料台の電界が試料表面に効果を及ぼす必要
があり、被エツチング物質は絶縁物かそれに近い高抵抗
物質である。
本発明によれば、試料上にエツチングマスクを設定する
必要がない。またレジストを用いないので試料の加熱温
度を上げることができ、速いエッチ速度を得ることがで
きると共に、試料台を冷却する必要がなくなる。
必要がない。またレジストを用いないので試料の加熱温
度を上げることができ、速いエッチ速度を得ることがで
きると共に、試料台を冷却する必要がなくなる。
また凹凸パターンを持った試料台はプラズマにさらされ
ることがないので半永久的に使うことができる。
ることがないので半永久的に使うことができる。
第１図は従来のドライエツチングでの、一般的なパター
ン形成法を示す、試料等の縦断面図、第２図、第３図は
本発明の実施例を示す試料等の縦断面図、第４図、第５
図は本発明を実施するドライエツチング装置の例を示す
概略断面図である。
ン形成法を示す、試料等の縦断面図、第２図、第３図は
本発明の実施例を示す試料等の縦断面図、第４図、第５
図は本発明を実施するドライエツチング装置の例を示す
概略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマを用いたドライエッチングに於て、金属等
の導電性試料台の凹凸や、金属の有無などによつてでき
る電界の効果により試料に所望のエッチングパターンを
形成することを特徴としたパターン転写法。 ２、有磁場マイクロ波プラズマエッチング法を用いて、
試料台に１０ＫＨｚ以上の高周波バイアスを印加するこ
とにより、試料台の構成に対応したエッチングパターン
を形成することを特徴とした請求の範囲第１項記載のパ
ターン転写法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125134A JPS615520A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | パタ−ン転写法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125134A JPS615520A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | パタ−ン転写法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615520A true JPS615520A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14902697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125134A Pending JPS615520A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | パタ−ン転写法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774160A (ja) * | 1994-08-24 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| DE102014203394A1 (de) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | Advics Co., Ltd. | Motoransteuervorrichtung |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125134A patent/JPS615520A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774160A (ja) * | 1994-08-24 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| DE102014203394A1 (de) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | Advics Co., Ltd. | Motoransteuervorrichtung |
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